JPS6066891A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6066891A JPS6066891A JP17537083A JP17537083A JPS6066891A JP S6066891 A JPS6066891 A JP S6066891A JP 17537083 A JP17537083 A JP 17537083A JP 17537083 A JP17537083 A JP 17537083A JP S6066891 A JPS6066891 A JP S6066891A
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- semiconductor laser
- cladding layer
- laser device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、量産に適した高出力の半導体レーザ装置に関
する。
する。
近年、光ディスクへの情報の書き込みやレーザプリンタ
等への応用目的から、高い光出力の得られる半導体レー
ザの要求が高まっている。
等への応用目的から、高い光出力の得られる半導体レー
ザの要求が高まっている。
特に、光ディスクへの書き込みのためには、半導体レー
デの光を１Ｃμｍ〕程度の微小スポットに集束するとい
う要請から、レーザ光の非点隔差の小さい、作シ付は屈
折率導波構造を有する横モードの制御された高出力半導
体レーザが必要である。この様々半導体レーザは、」１
記応用のみでなく光通信用光源、その他広い分野での応
用が期待できる。
デの光を１Ｃμｍ〕程度の微小スポットに集束するとい
う要請から、レーザ光の非点隔差の小さい、作シ付は屈
折率導波構造を有する横モードの制御された高出力半導
体レーザが必要である。この様々半導体レーザは、」１
記応用のみでなく光通信用光源、その他広い分野での応
用が期待できる。
一方、半導体レーザの応用分里ｊである清報機器は今後
Ａ・すます広く普及していくことが予Ｍ、（される。こ
のため、上述の様な特性を持つ半導体レーザを量産化シ
ー、低価格化を図ることが重要と々る。半導体レーザの
量産化技術として、最近有機金異を用いた気相成長法（
ＭｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 、以下ＭＯＣＶＤ法と略記
する）が注目され急速に開発が進んでいる。
Ａ・すます広く普及していくことが予Ｍ、（される。こ
のため、上述の様な特性を持つ半導体レーザを量産化シ
ー、低価格化を図ることが重要と々る。半導体レーザの
量産化技術として、最近有機金異を用いた気相成長法（
ＭｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 、以下ＭＯＣＶＤ法と略記
する）が注目され急速に開発が進んでいる。
しかし、このＭＯＣＶＤ法は結晶成長の機構が従来法の
液相成長法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｂａｓｅ Ｅｐｌｔａｘ
ｙ ；以下ＬＰＥ法と略す）と全く異る。このため、従
来のＬＰＥ法によって作られている半導体レーザの構造
をそのままＭＯＣＶＤ法にも適用することは困難である
。そこで、ＭＯＣＶＤ法によって作製の可能な、量産性
に優れた構造を持つ横モードの割切］された高出力半等
体レーザの実現が望才れている。
液相成長法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｂａｓｅ Ｅｐｌｔａｘ
ｙ ；以下ＬＰＥ法と略す）と全く異る。このため、従
来のＬＰＥ法によって作られている半導体レーザの構造
をそのままＭＯＣＶＤ法にも適用することは困難である
。そこで、ＭＯＣＶＤ法によって作製の可能な、量産性
に優れた構造を持つ横モードの割切］された高出力半等
体レーザの実現が望才れている。
本発明けの目的は、ＭＯＣＶＤ法によって作製の可能な
量産性に優れた構造の横モード制御高出力半導体レーザ
装置を提供することにある。
量産性に優れた構造の横モード制御高出力半導体レーザ
装置を提供することにある。
本発明の骨子は、半導体レーザの共振器方向について両
端面の近傍を除くＮ型活性層にＰ型不純物を選択的に添
加して禁制帯幅を小さく、レーザの発振波長に対して両
端面近傍が透明になる様な、所Ｈｊ（ｑ窓＋１゛・構造
とすることによって高出力化を図ることにある。さらに
、共振器方向と垂直方向については不純物拡散による屈
折率差てよって横モード制御を達成すると共に、電流阻
止層によって効率の良い゛ｔＭυＩＬ狭窄を行い動作′
ｌ４Ｌ３ｉｔの低減を図ることにある。
端面の近傍を除くＮ型活性層にＰ型不純物を選択的に添
加して禁制帯幅を小さく、レーザの発振波長に対して両
端面近傍が透明になる様な、所Ｈｊ（ｑ窓＋１゛・構造
とすることによって高出力化を図ることにある。さらに
、共振器方向と垂直方向については不純物拡散による屈
折率差てよって横モード制御を達成すると共に、電流阻
止層によって効率の良い゛ｔＭυＩＬ狭窄を行い動作′
ｌ４Ｌ３ｉｔの低減を図ることにある。
一般に、半シＪマ体レーデの光出力を増してゆくと共振
器端面近傍の活性層における光の７Ｑ吸収によって端面
が損傷する。！１！Ｊに、ＧａＡｔＡ、ｓ系の半導体レ
ーザにおいては、この端１ｎｉの光損傷がブＣ出力の上
限を決定している。そこで、端面近傍の結晶の禁制帯幅
をレーザ光のエネルギーよりも大きくすることによって
、端１１η近傍ｔ」レーザ光に対して透明になるために
光の再１及収が大幅に減少し、したがって光出力の大幅
外向上を図れることが知られているこの様な′；ｌ：Ｉ
造のレーデは、新開窓構造レーデと呼ばれるものである
。
器端面近傍の活性層における光の７Ｑ吸収によって端面
が損傷する。！１！Ｊに、ＧａＡｔＡ、ｓ系の半導体レ
ーザにおいては、この端１ｎｉの光損傷がブＣ出力の上
限を決定している。そこで、端面近傍の結晶の禁制帯幅
をレーザ光のエネルギーよりも大きくすることによって
、端１１η近傍ｔ」レーザ光に対して透明になるために
光の再１及収が大幅に減少し、したがって光出力の大幅
外向上を図れることが知られているこの様な′；ｌ：Ｉ
造のレーデは、新開窓構造レーデと呼ばれるものである
。
一方、Ｎ −ＧａＡｓ或いはＮ −ＧａＡｔＡｓ結晶に
Ｐ型の不純物をドープして導伝型をＰ型とすると実効的
な禁制帯幅が小さくなることが知られている。そこで、
半導体レーザの共振器方向の端面近傍を除く活性層に選
択的にＰ型の不純物を拡散して禁制帯幅を小さくし発振
波長を長くすることによって窓構造を実現することがで
きる。
Ｐ型の不純物をドープして導伝型をＰ型とすると実効的
な禁制帯幅が小さくなることが知られている。そこで、
半導体レーザの共振器方向の端面近傍を除く活性層に選
択的にＰ型の不純物を拡散して禁制帯幅を小さくし発振
波長を長くすることによって窓構造を実現することがで
きる。
また共振器と垂直方向には、Ｐ型に反転した部分の屈折
バ３が大きくなるために光導波路が形成され横モード制
御が実現される。
バ３が大きくなるために光導波路が形成され横モード制
御が実現される。
本発明はこのような点に着目し、化合物半導体拐料から
なシ、ダブルへテロ接合８：’を造を有する半導体レー
ザ装置において、Ｎ型半導体基なと、この基板上にＮ型
の第１クラツド層、Ｎ型活性層及びＮ型若しくはＰ型の
第２クラッド層を順次成長して形成されたダブルへテロ
接合部と、上記第２クラッド層上に成長形成された該ク
ラッド層と逆導電型の中間層と、この中間層上に成長形
成され、かつ上ＮＬ”＋中間層重で至るストライブ状の
溝部が共振器端面には達しないように形成されたＮ型電
流阻止層と、上記溝部を含み上記電流阻止層上に成長形
成されたＰ型被覆層とを具備して々シ、前記ストライプ
状溝部下の領域で、前記Ｎ型活性層及びＮ型の第２クラ
ッド層若しくは中間層をＰ型に反転するようにしたもの
である。
なシ、ダブルへテロ接合８：’を造を有する半導体レー
ザ装置において、Ｎ型半導体基なと、この基板上にＮ型
の第１クラツド層、Ｎ型活性層及びＮ型若しくはＰ型の
第２クラッド層を順次成長して形成されたダブルへテロ
接合部と、上記第２クラッド層上に成長形成された該ク
ラッド層と逆導電型の中間層と、この中間層上に成長形
成され、かつ上ＮＬ”＋中間層重で至るストライブ状の
溝部が共振器端面には達しないように形成されたＮ型電
流阻止層と、上記溝部を含み上記電流阻止層上に成長形
成されたＰ型被覆層とを具備して々シ、前記ストライプ
状溝部下の領域で、前記Ｎ型活性層及びＮ型の第２クラ
ッド層若しくは中間層をＰ型に反転するようにしたもの
である。
本発明によれば、商い光出力の得られる横モードの制御
された半導体レーザが量産性や膜厚の制御性に優れたＭ
ＯＣＶｐ法やＭＢＥ法ＶＣよって製可能となるので、上
記特性の半渚体レーザを大量にしかも低価格に実現でき
る。
された半導体レーザが量産性や膜厚の制御性に優れたＭ
ＯＣＶｐ法やＭＢＥ法ＶＣよって製可能となるので、上
記特性の半渚体レーザを大量にしかも低価格に実現でき
る。
すなわち、本発明の＋１４造はＭＯＣＶＤ法や分子線エ
ビクキシー法（以下ＭＢＥ法と略記する）によ−って製
造可能である。特に、Ｐ型不純物拡散後のＰ −ＧａＡ
ｔＡｇクラッド層」二への結晶成長は従来のＬＰＥ法で
は極めて困難であったが、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法等で
は問題なく成長できるので、これらの方法を用いること
は素子作製の上で好ましいことである。また、すでに述
べた様にＭＯＣＶＤ法及びＭＢＥ法は太きガ面積にわた
って均質々薄膜結晶の成長が可能であるため、量産性に
優れた半導体レーザの製造方法であシ、これらの方法を
用いることによシ本発明のレーザを低価格に生産できる
。さらに、これらの方法は膜厚の制御性にも優れている
ため、Ｐ型不純物拡散の制御が容易になるという利点が
ある。
ビクキシー法（以下ＭＢＥ法と略記する）によ−って製
造可能である。特に、Ｐ型不純物拡散後のＰ −ＧａＡ
ｔＡｇクラッド層」二への結晶成長は従来のＬＰＥ法で
は極めて困難であったが、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法等で
は問題なく成長できるので、これらの方法を用いること
は素子作製の上で好ましいことである。また、すでに述
べた様にＭＯＣＶＤ法及びＭＢＥ法は太きガ面積にわた
って均質々薄膜結晶の成長が可能であるため、量産性に
優れた半導体レーザの製造方法であシ、これらの方法を
用いることによシ本発明のレーザを低価格に生産できる
。さらに、これらの方法は膜厚の制御性にも優れている
ため、Ｐ型不純物拡散の制御が容易になるという利点が
ある。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概略
構成を示す斜視図、第２図（ａ） （ｂ）は第１図の矢
視Ａ−Ａ断面及び矢視Ｂ−Ｂ断面を示す図である。図中
１はＮ −ＧａＡｓ基板であシ、この基板１上にはＮ
−ＧａＡｔＡｓクラッド層（第１クラッド層）２、Ｎ
−ＧａＡｔＡａ （９性層３及びＩＪ −ＧａＡｔＡ＠
クラッド層（Ｗ＜ ２クラッド層）４からなるダブルへ
テロ接合部が成長形成され、このダブルへテロ接合部上
にはＰ −ＧａＡｔＡｓ中間層５が成長形成されている
。中間層５上にはＮ−ＧａＡｓ電流阻止層６が成長形成
され、この電流阻止層６には、共振器端部を除いてスト
ラ′イグ状の溝部７が形成されている。そして、上記中
間層５゜第２クラッド層４及び活性ＰＪ３の一部にＰ型
不純物がドープされＰ増反転層８が形成されるものとな
っている。また、上記溝部７を含み電流１５目止層６上
にはｐ −ＧａＡｔＡ３被覆層９及びＰ−ＧａＡｓコン
タクト層１０が成長形成されている。
構成を示す斜視図、第２図（ａ） （ｂ）は第１図の矢
視Ａ−Ａ断面及び矢視Ｂ−Ｂ断面を示す図である。図中
１はＮ −ＧａＡｓ基板であシ、この基板１上にはＮ
−ＧａＡｔＡｓクラッド層（第１クラッド層）２、Ｎ
−ＧａＡｔＡａ （９性層３及びＩＪ −ＧａＡｔＡ＠
クラッド層（Ｗ＜ ２クラッド層）４からなるダブルへ
テロ接合部が成長形成され、このダブルへテロ接合部上
にはＰ −ＧａＡｔＡｓ中間層５が成長形成されている
。中間層５上にはＮ−ＧａＡｓ電流阻止層６が成長形成
され、この電流阻止層６には、共振器端部を除いてスト
ラ′イグ状の溝部７が形成されている。そして、上記中
間層５゜第２クラッド層４及び活性ＰＪ３の一部にＰ型
不純物がドープされＰ増反転層８が形成されるものとな
っている。また、上記溝部７を含み電流１５目止層６上
にはｐ −ＧａＡｔＡ３被覆層９及びＰ−ＧａＡｓコン
タクト層１０が成長形成されている。
そして、コンタクト層１θ上に電極１ノを被着し、基板
１の下面に電極１２を被着することによって、半導体レ
ーザが構成されるものとなっている。
１の下面に電極１２を被着することによって、半導体レ
ーザが構成されるものとなっている。
次に、上記構造のレーザの製造方法について第３図（ａ
）〜（ｄ）を参照して説明する。まず、第３図（ａ）に
斜視図を示す如く面方位（ｉｏｏ）のＮ −ＧａＡｓ基
板１ （Ｓｌ ドープ’、ｎ＝ｌＸ１０１８ｃｍ−３）
上に厚さ２〔μｍ〕のＮ −Ｇ、ａｏ、、５ＡＬＯ，４
５Ａ８クラッド層、？ （Ｓｅドープ、ｎ＝２Ｘ１０１
７、．３）、厚さ０．０８Ｃμｍ〕のＮ −Ｇ’０．８
５ＡｔＱｊ ５”活性層ｓ （Ｓｅ ドープ、ｎ＝５Ｘ
１０ ｃｍ ）厚さ０３〔μｍ〕のＮ−Ｇａｏ、５５Ａ
ｔｏ、４５Ａ８クラッド層４（Ｓｅドープ、 、ｎ ＝
２ Ｘ １０１７ｃｍ−３）、厚さ０．３Ｃμｍ〕の
Ｐ −Ｇａｐ、５５Ａｔｏ、４５Ａ８中層層５（Ｚｎド
ープ、 Ｐ ＝ ５ Ｘ １０１８ｃｍ−３）及び厚さ
１〔μｍ〕のＮ −ＧａＡｓ電流阻止層６（Ｓｅドープ
、ｎ＝ ５ Ｘ １０１８ｃｍ −’ ）を順次成長形
成した。
）〜（ｄ）を参照して説明する。まず、第３図（ａ）に
斜視図を示す如く面方位（ｉｏｏ）のＮ −ＧａＡｓ基
板１ （Ｓｌ ドープ’、ｎ＝ｌＸ１０１８ｃｍ−３）
上に厚さ２〔μｍ〕のＮ −Ｇ、ａｏ、、５ＡＬＯ，４
５Ａ８クラッド層、？ （Ｓｅドープ、ｎ＝２Ｘ１０１
７、．３）、厚さ０．０８Ｃμｍ〕のＮ −Ｇ’０．８
５ＡｔＱｊ ５”活性層ｓ （Ｓｅ ドープ、ｎ＝５Ｘ
１０ ｃｍ ）厚さ０３〔μｍ〕のＮ−Ｇａｏ、５５Ａ
ｔｏ、４５Ａ８クラッド層４（Ｓｅドープ、 、ｎ ＝
２ Ｘ １０１７ｃｍ−３）、厚さ０．３Ｃμｍ〕の
Ｐ −Ｇａｐ、５５Ａｔｏ、４５Ａ８中層層５（Ｚｎド
ープ、 Ｐ ＝ ５ Ｘ １０１８ｃｍ−３）及び厚さ
１〔μｍ〕のＮ −ＧａＡｓ電流阻止層６（Ｓｅドープ
、ｎ＝ ５ Ｘ １０１８ｃｍ −’ ）を順次成長形
成した。
この第１回目の結晶成長にはＭＯＣＶＤ法を用い、成長
条件は基板温度７５０〔℃〕、Ｖ／Ｉ［Ｉ＝２０゜ギヤ
リアガス（Ｈ２）と原料ガスとの総流妬”〜］ ＯＣｋ
／ｍｉｎ ］ 、原刺はトリメチルガリウム（ＴＭＧ
： （ＣＨ３）Ｇａ ） ｐ Ｆリメチルアルミニウム
（Ｔ嘉： （ＣＨ３）３Ａｔ） ｔアルシン（Ａ８Ｈ３
） ｐ ｐドー・クント：ジエチル亜鉛（ＤＥＺ ：
（Ｃ２Ｉ（５）２Ｚｎ ）。
条件は基板温度７５０〔℃〕、Ｖ／Ｉ［Ｉ＝２０゜ギヤ
リアガス（Ｈ２）と原料ガスとの総流妬”〜］ ＯＣｋ
／ｍｉｎ ］ 、原刺はトリメチルガリウム（ＴＭＧ
： （ＣＨ３）Ｇａ ） ｐ Ｆリメチルアルミニウム
（Ｔ嘉： （ＣＨ３）３Ａｔ） ｔアルシン（Ａ８Ｈ３
） ｐ ｐドー・クント：ジエチル亜鉛（ＤＥＺ ：
（Ｃ２Ｉ（５）２Ｚｎ ）。
ｎドーパントセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ ）で、成長速度
は０．２５（μｍｍ１ｎ〕であった。
は０．２５（μｍｍ１ｎ〕であった。
なお、第１回目の結晶成長では必ずしもＭＯ−ＣＶＤ法
を用いる８吸は々いが、大面積で均一性の良い結晶成長
が可能なＭＯ−ＣＶＤ法を用いることは、量産化を考え
た場合ＬＰＥ法に比べて重重１１である。
を用いる８吸は々いが、大面積で均一性の良い結晶成長
が可能なＭＯ−ＣＶＤ法を用いることは、量産化を考え
た場合ＬＰＥ法に比べて重重１１である。
次いで、第３図（ｂ）に斜視図を示す如く、電流阻止層
６にフォトレジスト（図示ぜず）をマスクとして、幅３
〔μｔｎ ］のストライプ状の溝ＩＳｉ＋ ７を、共振
器端面の両側１０［μ７）１〕を除いて、中間層５に達
する壕で形成する。このとき、第３図（ｂ）の矢視Ｃ−
Ｃ断面を示したのが第３図（ｃ）である。
６にフォトレジスト（図示ぜず）をマスクとして、幅３
〔μｔｎ ］のストライプ状の溝ＩＳｉ＋ ７を、共振
器端面の両側１０［μ７）１〕を除いて、中間層５に達
する壕で形成する。このとき、第３図（ｂ）の矢視Ｃ−
Ｃ断面を示したのが第３図（ｃ）である。
次いで、第３図（ｄ）に断面図を示す如く表面全体にＺ
ｎＡｓを拡散源とし、６５０〔℃〕で１０分分間型不純
物Ｚｎを拡散する。このとき、溝？′８１７で拡散領域
がちょうど活性層３に達す６様にする。本実施例では、
電流ＩＪ１止ＩｆＩ６の厚さが中間層５及び第２クラッ
ド層４の厚さよシもｊ９いこと、及びＣａＡｓのＺｎの
拡散係数が、Ｇａｏ、５ｓ”ｎ、＄’の拡散係数よりも
小さいことから、ｚｎ拡散領域の先端−、電流阻止層６
中においては、同層６の内部に止まる様に寿る。この様
にしてＮ ’ｎ’ｌ−音１（７の外側では、ｐ−”−ｐ
−”構造が形成され、これによって電流の流れが阻止さ
れる。その結果、溝部７内への電流閉じ込めが効率良く
行なわれる。
ｎＡｓを拡散源とし、６５０〔℃〕で１０分分間型不純
物Ｚｎを拡散する。このとき、溝？′８１７で拡散領域
がちょうど活性層３に達す６様にする。本実施例では、
電流ＩＪ１止ＩｆＩ６の厚さが中間層５及び第２クラッ
ド層４の厚さよシもｊ９いこと、及びＣａＡｓのＺｎの
拡散係数が、Ｇａｏ、５ｓ”ｎ、＄’の拡散係数よりも
小さいことから、ｚｎ拡散領域の先端−、電流阻止層６
中においては、同層６の内部に止まる様に寿る。この様
にしてＮ ’ｎ’ｌ−音１（７の外側では、ｐ−”−ｐ
−”構造が形成され、これによって電流の流れが阻止さ
れる。その結果、溝部７内への電流閉じ込めが効率良く
行なわれる。
また、本実施例では、後述の様に、ｚｎ拡散の後で、Ｐ
”” ”０．．５５ＡｔＯ，４５Ａｓ被覆層９を形成
するため、クラッド層４の厚さを薄くすることができ、
そのだめ、ｚｎ拡散深さを浅くできるため、その制御が
し易いという利点がある。
”” ”０．．５５ＡｔＯ，４５Ａｓ被覆層９を形成
するため、クラッド層４の厚さを薄くすることができ、
そのだめ、ｚｎ拡散深さを浅くできるため、その制御が
し易いという利点がある。
その後、表面洗浄処理を行なった後第２回目の結晶成長
をＭＯＣＶＤ法で行なりｋ ｏすなわち、全面に厚さ２
〔μｍ〕のＰ ”” ＧａＯ，５５”Ｌ４５Ａ８被盈層
９ （Ｚｎドープｐ ＝ ｓ ｘ ｉ ｏ１７ｔｙｎ−
３） 及ヒＦＪ−サ２〔μｍ〕のＰ −ＧａＡｓコンタ
クト層１ｏ （ＺｎドープＰ ＝ ５ Ｘ １０１８ｔ
ｙｎ−３）を順次成長形成した。
をＭＯＣＶＤ法で行なりｋ ｏすなわち、全面に厚さ２
〔μｍ〕のＰ ”” ＧａＯ，５５”Ｌ４５Ａ８被盈層
９ （Ｚｎドープｐ ＝ ｓ ｘ ｉ ｏ１７ｔｙｎ−
３） 及ヒＦＪ−サ２〔μｍ〕のＰ −ＧａＡｓコンタ
クト層１ｏ （ＺｎドープＰ ＝ ５ Ｘ １０１８ｔ
ｙｎ−３）を順次成長形成した。
これ以後は、通常の電極材は工程にょシコンタクト層１
０上にＣｒ／Ａｕ電極１１を被着し、基板１下面にＡｕ
−Ｇａ／Ａｕ ％ ＠！１２を被着した。
０上にＣｒ／Ａｕ電極１１を被着し、基板１下面にＡｕ
−Ｇａ／Ａｕ ％ ＠！１２を被着した。
かくして得られたレーザ素子の特性は、基本横モードで
発振ししきい値電流も５０ ＣｍＡ−］と低いものであ
った。また、連続動作で５゜ＣｍＶ＆’）以上の高い光
出力が得られた。
発振ししきい値電流も５０ ＣｍＡ−］と低いものであ
った。また、連続動作で５゜ＣｍＶ＆’）以上の高い光
出力が得られた。
カお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。たとえば、前記電流阻止層の材料はＧａＡｓに限る
ものでになり、Ｚｎ拡散領域の先端が同層内に止まる様
な厚さとすればＧａＡｔＡｓでも良い。また、Ｐ型拡散
不純物としては、ｃｄ等を用いても良い。さらに、構成
拐料としてけＧａＡｓ基板の他にＩｎＧａＡｓ’ＰやΔ
ｔＧａＩｎＰ等の化合物半導体を用いても良い。また、
結晶成長法としてＭＯＣＶＤ法の代シにＭＪ３Ｅを用い
ることも可能である。また、前記第２クラッド層はＮ型
層に限る必要はなく、Ｐ型層であってもよい。この場合
、前記中間層をＮ型にすればストライプ状溝部両側にＰ
ＮＰＮ 接合が形成されることとなシ、実施例と同様な
効果が得られるのである。その他、本発明の妄言を逸脱
しない範囲で、極々変形して実施することが可能である
。
い。たとえば、前記電流阻止層の材料はＧａＡｓに限る
ものでになり、Ｚｎ拡散領域の先端が同層内に止まる様
な厚さとすればＧａＡｔＡｓでも良い。また、Ｐ型拡散
不純物としては、ｃｄ等を用いても良い。さらに、構成
拐料としてけＧａＡｓ基板の他にＩｎＧａＡｓ’ＰやΔ
ｔＧａＩｎＰ等の化合物半導体を用いても良い。また、
結晶成長法としてＭＯＣＶＤ法の代シにＭＪ３Ｅを用い
ることも可能である。また、前記第２クラッド層はＮ型
層に限る必要はなく、Ｐ型層であってもよい。この場合
、前記中間層をＮ型にすればストライプ状溝部両側にＰ
ＮＰＮ 接合が形成されることとなシ、実施例と同様な
効果が得られるのである。その他、本発明の妄言を逸脱
しない範囲で、極々変形して実施することが可能である
。
第１回は本発明の一実施例に係る半導体レーザの概略４
トチ成を示す斜視図、第２図（ａ） （ｂ）はそれぞれ
第１図の矢視ｈ−ｈＵｒＦｎ及び矢視Ｂ−Ｂ断面を示す
図、第３図（ａ） −（ｄ）は上記レーザの製造工程を
示す斜視図及び断面図である。 １−−− Ｎ −ＧａＡｓ基板、２−’−Ｎ −Ｇａｏ
、５５ＡｔｏＡ５Ａｓ第１クラッド層、ｓ−Ｎ −Ｇａ
ｏ、ａｓＡｔｏ、φＳ活性層、４・・・Ｎ −Ｇａ Ｏ
，５５ＡｔＯ，４、Ａｓ 第２クラッド層、５・・・Ｐ
−ＧＩＬ ｏ、ｓ ｓ ＡＺｏ、４ ｓ Ａ８中間層
、６−＝ Ｎ −ＧａＡｓ ｔ’ｉｉ、流用止層、７・
・・ストライプ状溝部、８・・・Ｚｎ拡散領域（Ｐ型反
転層）、９・・・Ｐ −Ｇａ Ｏ，５５”０．．４５Ａ
ｓ被覆層、１０・・・Ｐ −ＧａＡａコンタクト層、１
１・・−Ｃｒ／Ａｕ電極、１２− Ａｕ−Ｇｅ／Ａｕ
電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１ｉ゛４ 第２１′１ ・ｉ：３ｔη （ａ） 第３図
トチ成を示す斜視図、第２図（ａ） （ｂ）はそれぞれ
第１図の矢視ｈ−ｈＵｒＦｎ及び矢視Ｂ−Ｂ断面を示す
図、第３図（ａ） −（ｄ）は上記レーザの製造工程を
示す斜視図及び断面図である。 １−−− Ｎ −ＧａＡｓ基板、２−’−Ｎ −Ｇａｏ
、５５ＡｔｏＡ５Ａｓ第１クラッド層、ｓ−Ｎ −Ｇａ
ｏ、ａｓＡｔｏ、φＳ活性層、４・・・Ｎ −Ｇａ Ｏ
，５５ＡｔＯ，４、Ａｓ 第２クラッド層、５・・・Ｐ
−ＧＩＬ ｏ、ｓ ｓ ＡＺｏ、４ ｓ Ａ８中間層
、６−＝ Ｎ −ＧａＡｓ ｔ’ｉｉ、流用止層、７・
・・ストライプ状溝部、８・・・Ｚｎ拡散領域（Ｐ型反
転層）、９・・・Ｐ −Ｇａ Ｏ，５５”０．．４５Ａ
ｓ被覆層、１０・・・Ｐ −ＧａＡａコンタクト層、１
１・・−Ｃｒ／Ａｕ電極、１２− Ａｕ−Ｇｅ／Ａｕ
電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１ｉ゛４ 第２１′１ ・ｉ：３ｔη （ａ） 第３図
Claims (2)
- （１）化合物半導体材料からなシ、ダブルへテロ接合構
造を有する半導体レーザ装置において、Ｎ型半導体基板
と、この基板上にＮ型の第１クラツド層、Ｎ型活性層及
びＮ型若しくはＰ型の第２クラッド層を順次成長して形
成されたダブルへテロ接合部と、上記第２クラッド層上
に成長形成された該クラッド層と逆導電型の中間層と、
この中間層上に成長形成され、力・っ上記中間層まで至
るストライプ状の溝部が共振器端面には達しないように
形成されたＮ型電流阻止層と、上記溝部を含み上記電流
阻止層上に成長形成されたＰ型被覆層とを具備し、前記
ストライプ溝部下の領域で、前記Ｎ型活性Ｊ■及びＮ型
の第２クラッド層若しくは中間層がＰ型に反転されてい
ることを特徴とする半導体レーザ装置。 - （２） 前記第２クラッド層はＮ型で、前記中間層はＰ
型であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17537083A JPS6066891A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17537083A JPS6066891A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066891A true JPS6066891A (ja) | 1985-04-17 |
Family
ID=15994903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17537083A Pending JPS6066891A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066891A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647589A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Furukawa Electric Co Ltd | Manufacture of semiconductor light emitting element |
| JPH02159783A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-19 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US4987097A (en) * | 1988-02-09 | 1991-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor laser device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4932589A (ja) * | 1972-07-21 | 1974-03-25 | ||
| JPS4994292A (ja) * | 1973-01-11 | 1974-09-06 | ||
| JPS52109884A (en) * | 1976-03-11 | 1977-09-14 | Nec Corp | Stripe type hetero junction semoonductor laser |
| JPS53128288A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-09 | Sharp Corp | Semiconductor laser element and production of the same |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP17537083A patent/JPS6066891A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4932589A (ja) * | 1972-07-21 | 1974-03-25 | ||
| JPS4994292A (ja) * | 1973-01-11 | 1974-09-06 | ||
| JPS52109884A (en) * | 1976-03-11 | 1977-09-14 | Nec Corp | Stripe type hetero junction semoonductor laser |
| JPS53128288A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-09 | Sharp Corp | Semiconductor laser element and production of the same |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647589A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Furukawa Electric Co Ltd | Manufacture of semiconductor light emitting element |
| US4987097A (en) * | 1988-02-09 | 1991-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor laser device |
| JPH02159783A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-19 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
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