JPS60668B2 - 電子写真方式 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は感光体を用いる電子写真方法に関し、さらに詳
しくは感光体を構成する絶縁体層表面に正および負極性
の２種類の静竜潜像を形成する方法に関するものである
。 現在、電子写真による記録装置が多数発表されているが
、特に多色記録が注目されている。 この例としてセログラフイーやＮＰおよびＫＩＰのよう
な多層構造感光体を用いた電子写真法等によるカラー記
録がある。このような多色記録を情報処理の分野に応用
したとえば、フオーム記録とデータ記録を色分けを行な
うとか、記録内容により色分けを行なうことにより、見
やすさや読者に与える印象が強くなる等のことが期待で
きる。このための２色記録を行なう方法としては前記の
ゼログラフィーや、ＮＰやＫＩＰ方式によるカラー記録
を応用することができる。すなわち、感光体が１つの場
合には、まず感光体上に静露潜像を形成しし これをト
ナー粒子により現像し、このトナー顕像を記録用紙へ転
写するという工程をトナー粒子の色を変えて２度行なう
ことにより２色記録が得られる。この方法では記録に要
する時間が１色の場合に比べ２倍必要であり、またロー
ル状の記録用紙に連続的に記録を行なうことができない
という欠点があった。また、２つの感光体を用いそれぞ
れで従来技術により単色トナー像を形成し、記録用紙に
重ねて転写することにより２色言己鎌が得られるが、装
置は従来のものの２台分必要となり大がかりな装置とな
ってしまう欠点があった。これらの理由により高速で簡
便な２色記録方法の開発が待たれていた。本発明の目的
は、前記従来技術の欠点を解決するための新規な電子写
真方式を提供することにある。 本発明によれば感光体と該感光体を構成する、絶縁体層
表面を一方の極性の荷電粒子によって一様に帯電し感光
体の光導電体層と絶縁体層との界面もしくは光導電体層
内部に前記帯電極性と逆極性の電荷を捕獲せしめる手段
と、前記感光体の光導電体層に第１の光学情報を照射す
るとともに前記絶縁体層表面に前記荷電粒子と逆極性の
荷電粒子を与える手段と、前記感光体の絶縁体層表面に
所定の極性の荷電粒子を与えつつ前記光導電体層に第２
の光学情報を照射する手段と、前記感光体の光導電体層
全面に光を照射する手段とを備え、該手段を順次駆動す
ることにより前記感光体の絶縁体層上に正および負の極
性を持った２種類の静電荷潜像を形成することを特徴と
する電子写真方式が得られる。 さらに本発明によれば感光体と該感光体を構成する絶縁
体層表面を一方の磁性の荷電粒子によって前記電極に対
し一様な電位差になるように帯電し、かつ感光体の光導
電体層と絶縁体層との界面もしくは光導電体層内部に前
記帯電樋性と逆極性の電荷を捕獲せしめる手段と、前記
感光体の光導電体層に第１の光学情報を照射するととも
に前記絶縁体層に交流コロナ放電を当てる手段と、前記
感光体の光導電体層に第２の光学情報を照射するととも
に前記絶縁体層表面を帯電せしめた前記電位差と異符号
の電位差になるように帯電する手段と、前記感光体の光
導電体層全面に光を照射する手段とを備え、該手段を順
次駆動することにより前記感光体の絶縁体層上に正およ
び負の極性を持った２種類の静電荷潜像を形成すること
を特徴とする電子写真方式が得られる。 以下本発明について図面を用いて詳述する。 尚以下の説明において感光体の表面電位はすべて感光体
の電極を基準としたものである。第１図は本発明の第１
の発明である電子写真方式を説明するための図である。 感光体１０５はガラスや金属からなる支持基板１０１、
電極１０２「ＳｅやＣｄＳのような光導電体層１０３、
およびポリエチレンテレフタレートやテフロンのような
透明絶縁体層１０４を順に重ねたものである。静電荷潜
像の形成は４つの段階からなる。第１段階では、感光体
１０５全面に光１０８を照射しながらコロナ帯電器等の
帯電手段１２２により・感光体１０５表面を一様な表面
電位■，となるように帯電する。このときの帯電電荷の
極性として第１図イでは正にとった。この光照射により
光導電体層１０３内部で発生した電子正孔対のうち正孔
は電極１０２に流れ込み、電子は光導電体層１０３と透
明絶縁体層１０４との界面もしくは光導電体層１０３内
部に捕獲される。今説明の都合上光を照射により電子正
孔対を生ぜしめたが、電極１０２より電子を注入するよ
うにしてもよい。すなわち注入された電子は光導電体層
１０３中を絶縁体層１０４の方へ移動し、光導電体層１
０３と絶縁体層１０４との界面もしくは光導電体層１０
３内部に捕獲される。また電極からの注入と光照射を組
合わせてもよい。第２段階では第１図口に示すように第
１の光学情報の光１１３を照射しながら負の極情のグリ
ツト電極付コロナ帯電器や交流コロナ帯電器およびバイ
アス電圧を印加した交流コロナ帯電器やコロナ帯電器と
感光体の電極１０２との間に定められたバイアス電圧を
印加しながら負極性の直流コロナ帯電器等の除軍手段１
２３により感光体の表面電位が■２となるように除電す
る。 この交流コロナ帯電器は本質的に除電を行なうために適
している。また感光体の電極と交流コロナ帯電器との間
にバイアス電圧を印放することにより感光体の表面電位
を任意に制御できる他、交流コロナ帯電器は構造が単純
である、電源が簡単になる等の利点がある。除電を行な
うと第１図口に示したように光１１３が照射された部分
では光導電体層の導電度が大きくなるため、前帯電によ
り光導電体層１０３中に捕獲された電子１０７は解放さ
れ、感光体表面の電荷はコロナ帯電の負の荷電粒子によ
り減少する。一方光１１３が照射されない部分では前帯
電により光導電体層１０３中に捕獲された電子１０７は
解放されず除更により電極１０２に正の電荷が譲起され
るが、表面の電荷密度はほとんど変化しない。このよう
に感光体１０５表面には光の非照射部分に対応した静電
荷潜像が形成される。第３段階では第２の光学情報を照
射しながらコロナ帯電器等の帯電手段１２４により感光
体の表面電位が■，と異符号の、すなわち図においては
負の電位■３となるように帯電する。このとき光１１９
が照射された部分では電子、正孔対が生成され電子は、
電極１０２に流入し、正孔は透明絶縁体１０４側に移動
し、第２段階において形成された潜像に関係なく新たに
光導電体１０３中の透明絶縁体１０４に接する側に正孔
１１５が綾獲される。一方光１１９が照射されない部分
では帯電を行なっても光導電体層１０３中に捕獲されて
いる電子１０７，１１川ま解放されず負の帯電電荷によ
り電極１０２に正の電荷１１７と１１８が誘起される。
このように、第２の潜像形成では、光１１９が当った部
分に負の電荷が付着し、光が当らない部分では、第１の
潜像がそのまま残る。次に第４段階として感光体１０５
の全面に光１２０を照射して光導電体層１０３内部の電
界をび／ｍとすることにより正および負の２種類の静電
荷潜像が得られる。また同図に示したように静電荷潜像
は像形成条件によりＡ，Ｂ，ＣおよびＤの４つの領域に
分けられる。各領域に対する感光体１０５の表面電位お
よび表面電荷密度の変化の様子の一例を第２図に示す。
同図において■，，■３および■３はそれぞれ第１、第
２、および第３段階の帯電電位である。また■ｌｄ，亀
，，，■ｄｌおよび■ｄｄはそれぞれ第１図に示した４
つの領域Ａ，Ｂ，ＣおよびＤにおける最終的な表面電位
である。同図イにおいて例えば、Ａの領域では、第１段
階で■，に帯電され、第２段階で■２ に除寵され、第
３段階で■３ に帯電され第４段階で一様光が照射され
ると■ｌｄとなる。この図においては、■ｌｄがＯＶと
なる場合を示してある。またＡの領域における表面電荷
密度の変化は同図口に示たように第１段階で一定の電荷
密度となり、第２段階で光が照射され電荷密度が非照射
部に比べ大きく減少し、第３段階で光が照射されず電荷
密度が多少減少し零となる。この部分は、記録における
背景部となる。その他の領域では光の照射条件により正
又は負の電位となることがわかる。第２図口においてＣ
の領域では第２段階で光が照射されず照射部より表面電
荷密度が大きくなるが、第３段階で光が照射されると、
第２段階と逆極性となりＢの領域と同じ電荷密度となる
。これより明らかなように第１および第２の楢像が重な
った部分では第２の潜像が優先される。各領域における
最終的な表面電位は簡単な解析により■ｄｄ：き字■３
十Ｃ章三ｄ■． ｛１１雛製３７蝉■２ さき子
なることがわかる。 ここでＣｄおよびＣＩはそれぞれ光が照射されないとき
および光が照射されたときの感光体の容量を表わす。記
録におけるカプリを避けるためには、潜像の背景部の電
位■ｌｄがＯＶに近いことが望ましい。■ｌｄは上式｛
３｝からわかるように第２および第３段階のコロナ帯電
による感光体表面電位■２，■３が■２＝Ｃ；ヨ；■３
‘４）なる関係を満足するようにコロナ帯電
を行なうことにより記録の背景の電位亀ｌｄをＯＶにす
ることができる。 また、第１および第２の潜像の表面電位は‘１｝，

【２
）より第１および第３段階におけるコロナ帯電電位■，
および■３ を制御することにより容易に希望の電位に
することができる。本発明によれ‘ま静電荷潜像は第１
の潜像が光の非照射部「第２の潜像が光照射部分に対応
しており、先に述べたように第２の潜像は第１の潜像よ
り優先される。 よって第１の光学情報としてフオーム情報、第２の光学
情報としてデータ情報を用い「かつフオーム情報として
は、マイクロフィルム等によりポジ像を与え、データ情
報としてはしーザ光やブラウン管（ＣＲＴ）デスプレィ
等によるネガ像を与えると、記録時にフオームとデータ
の像が重なった部分は、第２の潜像貝０ちデータが優先
されるためデータが消失することがなく、フオーム記録
とデータ記録の理想的な重畳記録が得られる。前記にお
いて第１段階で正、第２および第３段階で負の極性のコ
ロナ帯電を行なったが、その逆極性良Ｐち第１段階で負
、第２および第３段階で正の樋性のコロナ帯電を行なっ
ても良く、この場合第１の静電荷礎像の極性は負、第２
の静電荷潜像の極性は正となる。 前記実施例においては光学情報の入射方向として透明絶
縁体１０４側より入射したが、ガラス等の透明支持基板
とネサ電極等の透明電極を用いた感光体を使用すること
により透明支持基板側より光学情報を入射してもよい。 第３図は本発明の第２の発明を説明するための図である
。感光体は前記と同様に構成されている。静電荷潜像の
形成は４つの段階からなる。第１段階では透明絶縁体層
１０４側より一様な光３０３を照射しながらコロナ帯電
器等の帯電手段３１８により感光体１０５表面を一様な
表面電位３１８により感光体１０６表面を一様な表面電
位■，となるように帯電する。このとき帯電電荷の極性
は第３図イに示すように正にとってある。この光照射に
より光導電体層１０３内部で発生した電子、正孔対のう
ち正孔は電極１０２に流れ込み電子は光導電体１０３の
透明絶縁体１０４に接する側に捕獲される。今一例とし
て光を照射により電子、正孔対を生ぜしめた場合を示し
ているが電極１０２より電荷を注入してもよい第２段階
では第３図口に示すように第１の光学情報の光３０８を
照射しながら負極性のコロナ帯電器等の帯電手段３１９
により感光体の表面電位を■，と異符号の一様な電位■
２ に帯電する。このとき、光３０８が照射された部分
では、電子正孔対が発生し正孔は捕獲されていた電子３
０２と打ち消し合いさらに感光体表面に帯電された電子
３０４と同じ電荷量の正孔が新たに捕獲される。一方電
子は光導電体中を移動し電極１０２に流れ込む。次に光
３０８が照射されない部分では光導電体１０３中に捕獲
されていた電子３０２は解放されず、光導電体層は絶縁
体と考えられる。よって感光体の容量は小さく負のコロ
ナ帯電による感光体表面の正の電荷の減少は少ない。こ
のように感光体１０５表面に、光の当らない部分は正、
光の当った部分は負という静電荷糟像が形成される。第
３段階では、第２図ハに示すように第２の光学情報の光
３１４を照射しながらグリット電極付きの正のコロナ帯
電器等の正の荷電粒子による帯電手段１２５により感光
体１０５の表面電位を■３とする。第３図ハにおいては
■３ としてＯＶの場合を示してある。このとき光３１
４が照射された部分では、電子、正孔対から発生する。
そして第２段階終了時感光体１０５表面の電荷が負の部
分では、正のコロナ帯電により負の電荷が打ち消され表
面電荷は０となる。一方第２段階終了時感光体１０５表
面の電荷が正の部分では、光３１４が照射されると光導
電体層内部電圧がＯＶとなり感光体の表面電位が正の表
面電位となるため帯電が行なわれず表面電荷３０６は変
化することはない。光３１４が照射されない部分では第
２段階と同様光導電体層は絶縁体と考えられ光導電体中
に捕獲された電荷３０２，３０５は解放されない。この
とき感光体の容量は少なく、正の電荷により帯電される
が帯電量が少くなく表面電荷密度はほとんど変化しない
。以上のように第２の潜像形成では光が照射されない部
分の電荷が残り、光が照射された部分の電荷は０となる
。またこのとき、第１の港像形成で作られた正の電荷パ
タ−ンは第２の潜像形成の間ほとんど影響されない。次
に第４段階として第３図二に示したように感光体１０５
の全面に光１２３を照射して光導電体層１０３の内部電
界をび／ｍとすることにより正および負の２種類の静電
荷槽像が得られる。また同図に示したように静電荷潜像
は像形成条件により、Ａ，Ｂ，ＣおよびＤの４つの領域
に分けられる。各領域に対する感光体１０５の表面電位
および表面電荷密度の変化の様子を第４図に示す。同図
において■，，■２および■３はそれぞれ第１段階、第
２段階および第３段階の帯電電位である。また、■ｌｄ
，■１，■ｄｌおよび■ｄｄはそれぞれ第３図に示した
４つの領域Ａ，Ｂ，ＣおよびＤにおける最終的な表面電
位である。第４図イにおいて、例えば、Ａの領域では第
１段階で■．に帯電され、第２段階で■２ に帯電され
、第３段階で■３ に除電され、第４段階で一様光が照
射されると■ｌｄとなる。また表面電荷密度の変化は同
図口に示したように第１段階で一定の電荷密度となり、
第２段階で光が照射され逆極性の一定な電荷密度となり
、第３段階では光が照射されず表面電荷密度の減少は少
ない。本発明による静電荷潜像は第１および第２の港像
とも光の非照射部分に対応している。第１および第２の
光学情報の照射においてともに光の照射されない領域Ｄ
は第４図口に示したように第１の光学情報に対する静電
荷潜像が優先される。また領域Ｃにおいては、第２段階
で形成した静電荷潜像は第３段階で光が照射されても消
去されず電荷密度は変化しない。このことより本発明に
よる静電荷潜像形成方法では第１の潜像が第２の潜像よ
り優先されることがわかる。各領域における最終的な表
面電位は簡単な解析により■．ｄ＝き葦■３十Ｃ毒害ｄ
■２ ‘５）■】ー ＝■３
脚■ｄ．＝き生■２十Ｃ号旨ｄ■． （７）
■ｄｄｆＣ等■３十Ｃ章三も． ‘８１となる。 ここでＣｄおよびＣ，は光を照射しないときおよび光を
照射したときの感光体の容量を表わす。ここで記録のか
ぶりを避けるには潜像の背景部の電位■，，ができるだ
けＯＶに近いことが望ましい。本発明では第３段階にお
ける帯電電位■３ をＯＶにすることにより■１１をＯ
Ｖにすること５ができる。また式‘７｝，棚に示したよ
うに第１潜像の電位は第２光学情報の光の照射部■ｄｌ
と非照射部■もで電位差が生じる。これにより記録の濃
度差を生じるため■ｄｌと■ｄｄはできるだけ小さくす
ることが望ましい。この差を小さくするにはｏ感光体の
光照射時および非照射時の容量比Ｃｄ／ＣＩを充分大き
くすればよい。例えば、■，，■２を等しい大きさでＣ
ｄ／ＣＩが点なる感光体を使用した場合には■ｄｌと■
ｄｄ電位差は約１１％程度となる。この程度の電位差で
あれば記録濃度が■ｄｌより低い表面電位で飽和するト
ナーを使用すること等で記録の濃度差を生じないように
することができる。しかし、感光体の光照射時および非
照射時の容量比Ｃｄ／ＣＩが大きくできないときや感度
が高いトナーを使用できないとき等には、次の実施例に
示す方法を用いて■ｄｌと■ｄｄの電位差を生じないよ
うにすることができる。 潜像形成方法の第３の実施例は、前記説明における第１
，第２および第４段階と同様の工程で、第３段階におい
て始めグリッド電極付き正のコロナ帯電器等の正の荷電
粒子による除電手段により感光体表面電位を■３ に除
電しその後で前記除軍手段による除電を継続したまま第
２の光学情報を照射するというものである。 第５図イに示すようにこの方法によれば、第１および第
２段階終了後の感光体に光を照射せずに■３ に除電を
行なうことにより第１の港像の表面電荷密度は全領域で
等しくなる。次に第２の光学情報が照射されると、第５
図口に示したように光の非照射部では表面電荷密度の変
化はない。 一方光の照射部では第３図口に示した第７の光学情報の
光の照射部Ｂの負の電荷３０４は正の極性の帯電により
除電され、また第７の光学情報の光の非照射部Ｃの正の
電荷３０６は、除寵されず電荷密度は変化しない。この
第３段階終了後光照射することにより第１および第２の
潜像を形成する電荷の極性がそれぞれ正および負の潜像
が得られこの方法により形成された第１の潜像は、第２
の光学情報の影響を受けない。前記各説明から明らかな
ように得られる各静電荷潜像は第１および第２の潜像と
も一様に分布した電荷から光の照射された部分の電荷が
抜かれることにより作られ光の非照射部に対応している
。 また第１の潜像と第２の潜像が重なった部分では第１の
潜像が優先される。よって本実施例による電子写真方式
は第１の潜像としてはＣＲＴディスプレイ等によるデー
タ記録、第２の潜像としてはマイクロフィルミ等による
フオーム記録を行なうのに適している。また前記各説明
においては第１段階で正、第２段階で負、第３段階で正
の極性のコロナ帯電を行なったが、その逆極性則ち第１
段階で負、第２段階で正、第３段階で負の極性のコロナ
帯電を行なつてもよく、この場合第１および第２の静電
衛港像の極性はおのおの負および正となる。 糟像形成方法の他の実施例は、前記第２の発明における
第１，第２および第４の段階と全く同様に行ない、第３
段階においてグリッド電極付きコロナ帯電器等の帯電手
段の極性を第２段階と同じ極性すなわち負極性としたも
のである。 この実施例による感光体の表面電位および表面電荷密度
の変化の様子を第６図イ，口に示す。本実施例によれば
第１および第２段階終了後の感光体に第２の光学情報を
照射しながら負極性のグリッド電極付きコロナ帯電器等
の負の荷電粒子による帯電手段により帯電を行なうとき
、第６図口に示したように光が照射されない部分Ａ，Ｄ
では表面電荷密度の変化はない。一方光が照射された部
分では第１の光学情報の光照射部Ｂの負の電荷は除電さ
れず電荷密度は変化しないが、第１の光学情報の光非照
射部Ｃの正の電荷は負極性の電荷による帯電により除電
される。この第３段階終了後、感光体全面に光を照射す
ることにより第６図イに示すように第１および第２の静
電荷港像の犠牲が負および正であるような静電荷浴像が
得られる。そして本実施例では第１の潜像が光の照射部
、第２の潜像が光の非照射部に対応しており第１の潜像
は第２の潜像より優先される。このように本実施例によ
る電子写真方式は第１の潜像としてはＣＲＴディスプレ
イやレーザー光等によるデータ記録、第２の潜像として
はマイクロフィルム等によるフオーム記録を行なうのに
適している。前記実施例では第１段階で正、第２段階で
負、第３段階で負の極性のコロナ帯電を行なったが、そ
の逆極性則ち第１段階で負、第２段階で正、第３段階で
正の極性のコロナ帯電を行なっても良く、この場合第１
の静電術潜像の樋性は正、第２の静電横楢像の極性は負
となる。また前記各実施例においては光学情報の入射方
向として透明絶縁体１０４側より入射したが、ガラス等
の透明支持基板とネサ電極等の透明電極を用いた感光体
を使用することにより透明支持基板側より光学情報を入
射してもよい。 このように本発明による静電術潜像形成方法は、光導電
体の種類、潜像形成用コロナ帯電器の極性および光の入
射方向によらない。しかしこれら組合せにより感光体の
感度が異なってくる。第７図は光が感光体に入射する方
向により光導電体内を移動するキャリアの樋性が変化す
ることを示す説明図である。光導重体層１０３に光７０
６が入射されると光が入射した側に電子７０３正孔対７
０４が生成される。そして光導電体層内部の電界により
、いずれか一方のキャリアが光導電体層中を移動する。
同図に示したように所定の方向に電界が加えられた場合
光の入射する方向により光導電体層中を移動するキャリ
アの極性が異なる。一般に光導電体はキャリアの極性に
より導電度が変化するため感光体の感度が異なってくる
。ｎ型光導電体では電子が、Ｐ型半導体では正孔が移動
するときに感光体の感度が良くなる。そこで本発明にお
いてｎ型光導電体を用いる場合には、潜像形成用コロナ
帯電器の極性が負であれば絶縁体層１０４側より、正で
あれば支持基板７０１側より光学情報を与える。またＰ
型光導電体を用いる場合には、潜像形成用のコロナ帯電
器の極性が負であれば支持基板７０１側より、正であれ
ば絶縁体層１０４側より光学情報を与えることにより高
感度の記録が得られる。静電荷潜像形成方法のさらに他
の実施例は前記第２の発明における第１，第２および第
４の段階と全く同様に行ない、第３段階において第２の
光学情報を照射するとともに交流コロナ帯電器により除
電を行なうものである。 本実施例による静電荷総像は次のように形成される。第
１段階では感光体を正の電荷で一様に帯電し、第２段階
では例えば図８イに示したような第１の光学情報を照射
し負の帯電を行なうと感光体上に同図口に示したような
正および負の電荷分布８０３，８０４を生じる。次に、
第３段階で同図ハに示したような第２の光学情報を照射
しながらＡＣコロナ帯電を行なうと感光体上に同図二に
示したように光が照射された部分で正および負の電荷が
消去されたような静電荷糟像が得られる。このようにこ
の実施例では、第１および第２の潜像のうちどちらかが
優先されるということはない。そのため本実施例による
静電荷潜像形成方法はデータやフオーム記録には向かな
いが、プラフィックヂザィン等の分野に適する。第９図
に本発明による記録装置として一実施構造を説明するた
めの概略図を示す。 同図において例えば金属ドラムやガラスドラムからなる
支持基体１０１の表面に電極１０２、例えばＳｅ，Ｃｄ
Ｓや有機半導体からなる光導黄体層１０３、および例え
ばポリエチレンテレフタレートフイルムやテフロンフィ
ルムからなる透明絶縁体１０４を順に重ねて作った感光
体ドラム９０１と、光照射手段９５１と帯電手段９５２
からなる前帯電部９０２と、第１の光学情報照射手段９
５３と帯電手段９５４とからなる第１静電硫潜像形成部
９０３と、第２の光学情報照射手段９５６と帯電手段９
５６とからなる第２静電滴港像形成部９０４と、感光体
ドラム９０１に全面露光を行なうための露光器９０５と
、正および負の２種類の静電荷潜像を磁性の異なる２種
のトナー粒子により現像する手段としての現像装置９０
６と、トナー顕像を紙のような記録媒体９０８に転写す
る手段としての転写部９０７と、記録媒体９０８上に転
写したトナ一顧像を定着する手段としての定着装置９０
９と、トナー顕像転写後に感光体ドラム９０１の表面に
残留したトナー粒子を取り除く手段としてのクリーニン
グ装置９１０とからなる。また感光体ドラム９０１は一
定の速度で回転して順次各部を通るようになっている。
また同図では光学情報を感光体ドラム９０１の外側より
照射した場合を示したが、前記各説明において示したよ
うに光学情報を感光体ドラム９０１の内側より照射して
もよい。また感度の良い記録を行なうためには前記光導
電体の種類や帯電極性により光学情報の照射方向が選択
される。図から明らかなように本実施例においては感光
体ドラム上に正および負の極性の２種類の静電荷潜像を
形成しこの渚像顕像化することによって記録を得るもの
である。また静電荷潜像の形成は、前帯電部９０２と、
第１の静電荷潜像形成部９０３と、第２の静電荷潜像形
成部９０４と、露光器９０５とによって行なわれ、これ
らの各部は、前述した静電樹潜像形成方式に従って構成
され、ここではその中で前記第１の発明による静電続綾
像形成方法を用いた場合について述べるのがその他の方
法によっても容易に実施することができることは云うま
でもない。 先ず光導電体としてｎ型のＣｄＳを使用し、第１および
第２の光学情報は感光体ドラムの外側より与える。始め
前帯電部９０２において感光体ドラム９０１表面を光照
射手段９５１により光を照射しながら正のコロナ帯電器
等による帯電手段９５１により正の電荷で一様に帯電す
る。このとき感光体ドラム９０１表面に残っていた古い
静電荷潜像は消去される。次に第１の静電荷潜像形成部
９０３においてマイクロフィルム投影器等による第１の
光学情報照射手段９５３によりポジ像を与えながら負極
性のグリッド付きコロナ帯電器等による帯電手段９５４
により感光体ドラム９０１の表面が一定の電位になるま
で除電を行ない正極性の第１の潜像を形成する。次に第
２の静電荷潜像形成部９０４においてレーザー光やＣＲ
Ｔディスプレイ装置等による第２の光学情報照射手段９
５５によりネガが像を与えながら負極性のコロナ帯電器
等による帯電手段９５６により感光体ドラム９０１の表
面電位が負の所定の電位になるように帯電を行ない負極
性の第２の潜像を形成する。このとき第２の潜像は第１
の潜像より優先されるため、第１の潜像をフオーム記録
に用い、第２の港像をデータ記録に用いる。次に露光器
９０５により光を照射し感光体ドラム９０１上の静電荷
潜像に応じた正および負の電位分布が形成される。この
ようにして形成された正および負の静電癖潜像は現像部
９０６１こおいて周知のように１格２色現像法や２浴２
色現像法により２色のトナ一顧像が形成される。１格２
色現像法は、鉄粉やガラスビーズのようなキャリア−と
摩擦により正の電荷を帯びるトナー粒子と、負の電荷を
帯びるトナー粒子とを混合した現像剤を用いるもので、
一度で正および負の静電荷楢像を同時に現像することが
できる。 また２俗２色現像法は従来の２成分系現像剤でトナー粒
子が、正に帯電する現像剤と、トナー粒子が負に帯電す
る現像剤を用い正および負の潜像を別々に現像するとい
うものである。このようにして作られた２色のトナー顕
像を転写部９０７で始めコロナ帯電器９５７により同一
樋性になるように帯電し、その後接地ローラ９５８によ
り紙等の記録媒体９０８をこのトナ一顧像に押し付ける
ことにより２色のトナー顕像を記録媒体９０８に転写す
る。そして熱ローフー、熱板、赤外線ヒータさらには圧
力ローラなどの定着装置９０９でこのトナー顕像を記録
媒体上に定着して２色記録が得られる。転写後感光体ド
ラム９０１に残留したトナー粒子は例えばブラシやブレ
ードからなるクリーニング装置９１０で取り除かれて一
工程が完了する。クリーニングされた感光体ドラム９０
１は再び潜像の形成に使用される。このように本装置は
従来の一色記録と同程度の工程で２色記録が可能になり
「 また連続的な記録が可能であるのでロール状の記録
媒体にも２色記録が可能になる。以上、本発明について
具体的に述べてきたが本発明に用いられる感光体は感光
体を流れる階電流が光照射により発生した電子や正孔に
よる電流より少ないことが望ましい。 従って本発明に用いる感光体は注入される電荷が少ない
ことが望ましいが多少注入される電荷量が多くても光照
射により生成される電子正孔対が注入される電荷より十
分多いものであればよい。また本発明においては、光照
射により生成した電子や正孔が光導電体層中を移動する
ことにより静電荷潜像が形成されるため、感光体を構成
する光導電体層に特に電荷が注入される必要はない。従
って光導電体層と電極の間に例えば絶縁体層のような電
荷の注入阻止層をもうけた感光体であってもよい。図面
の簡単な説明第１図は本発明による第１の発明を説明す
るための図、第２図イ，口は第１の発明における感光体
の表面電位、表面電荷密度の変化の様子を示す図、第３
図は本発明の第２の発明を説明するための図、第４図イ
，口は第２の発明における感光体の表面電位、表面電荷
密度の変化の様子を示す図、第５図、第６図は他の各実
施例における感光体の表面電位および表面電荷密度の変
化の様子を示す図、第７図は感光体に光が入射する方向
により光導電体層内を移動するキャリアの極性が変化す
ることを説明するための図、第８図はさらに他の実施例
による静電荷潜像形成を説明するための図、第９図は本
発明による記録装置としての−実施構造を説明するため
の概略図である。 なお図において、１０１は支持基板、１０２は電極、１
０３は光導電体、１０４は透明絶縁体、１０５は感光体
、１０６は正のコロナ帯電により前帯電された正の電荷
、１０７，１１０および１２１は光導電体中に捕獲され
た負の電荷、１０８は一様光、１０９，１１１および１
１６は絶縁体表面の正の電荷、１１２，１１７および１
１８は電極に誘起された正の電荷、１１３は第１の光学
情報の光、１１４は絶縁体表面の負の電荷、１１５は光
導電体中に捕獲された正の電荷、１１９は第２の光学情
報の光、１２０は一様光、１２２は前帯電手段、１２３
は除軍手段、１２４は帯電手段、３０１は正のコロナ帯
電器により前帯電された正の蟻荷、３０２，３１３およ
び３１６は光導電体中に捕獲された負の電荷、３０３は
一様光、３０４および３０９は絶縁体表面の負の電荷、
３０５および３１５は光導電体中に捕獲された正の電荷
、３０６および３１１は絶縁体表面の正の電荷、３０７
および３１２は電極に誘起された正の電荷、３０８は第
１の光学情報の光、３１０は電極に誘起された負の電荷
、３１４は第２の光学情報の光、３１７は一様光、３１
８は前帯電手段、３１９は帯電手段、３２０‘ま除電手
段、７０１は透明支持基板、７０２は透明電極、７０３
は電子、７０４は正孔「 ７０５は正の帯電電荷、７０
６は照射光、７０７は負の帯電電荷、８０１および８０
５は光照射部「 ８０２および８０６は光の非照射部、
８０３および８０７は正電荷帯電領域、８０４および８
０８は負電荷帯電領域、８０９は非帯電領域、９０１は
感光体ドラム、９０２は前帯電部、９０３は第１の静電
荷潜像形成部「 ９０４は第２の静電補潜像形成部、９
０５は露光部、９０６は現像部「 ９０７は転写部、９
０８は記録媒体、９０９は定着装置、９・１川まクリー
ニング装置、９５１は光照射手段、９２５は帯電手段、
９５３は第１の光学情報照射手段、９５４は帯電手段、
９５５は第２の光学情報照射手段、９５６は帯電手段、
９５７はトナー帯電用コロナ帯電器、９５８は接地ロー
ラを示す。オー図 オー図 才２図 才３図 力４図 オア図 オ５図 オ６図 オ８図 オ９図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 感光体と該感光体を構成する絶縁体層表面を一方の
   極性の荷電粒子によつて一様に帯電し感光体の光導電体
   層と絶縁体層との界面もしくは光導電体層内部に前記帯
   電極性と逆極性の電荷を捕獲せしめる手段と、前記感光
   体の光導電体層に第１の光学情報を照射するとともに前
   記絶縁体層表面に前記荷電粒子と逆極性の荷電粒子を与
   える手段と、前記感光体の絶縁体層表面に所定の極性の
   荷電粒子を与えつつ前記光導電体層に第２の光学情報を
   照射する手段と、前記感光体の光導電体層全面に光を照
   射する手段とを備え該手段を順次駆動することにより前
   記感光体の絶縁体層上に正および負の極性を持つた２種
   類の静電荷潜像を形成することを特徴とする電子写真方
   式。 ２ 感光体を構成する絶縁体層表面を感光体を構成する
   電極に対し第１の電位差になるように帯電せしめて前記
   感光体の光導電体層に第１の光学情報を照射するととも
   に前記感光体の絶縁体層表面を前記電極に対し前記第１
   の電位差と同符号の第２の電位差にまで除電し、前記感
   光体の光導電体層に第２の光学情報を照射するとともに
   前記感光体の絶縁体層表面を前記電極に対し前記第１の
   電位差とは異符号の第３の電位差になるように帯電する
   特許請求の範囲第１項記載の電子写真方式。 ３ 感光体を構成する絶縁体層表面を感光体を構成する
   電極に対し第１の電位差になるように帯電せしめて前記
   感光体の光導電体層に第１の光学情報を照射するととも
   に前記感光体の絶縁体層表面を前記電極に対し前記第１
   の電位差とは異符号の第２の電位差になるように帯電す
   る特許請求の範囲第１項記載の電子写真方式。 ４ 感光体が、電極と光導電体層と絶縁層との積層構造
   である特許請求の範囲第１項記載の電子写真方式。 ５ 感光体が、電極と電荷注入阻止層と光導電体層と絶
   縁体層との積層構造である特許請求の範囲第１項記載の
   電子写真方式。 ６ 第１の光学情報および第２の光学情報の照射を共に
   前記感光体を構成する電極もしく絶縁体層のいずれか一
   方から行う特許請求の範囲第１項記載の電子写真方式。 ７ 感光体を構成する光導電体層の導電型がｎ型であつ
   て絶縁体層を帯電するための荷電粒子の極性が負の場合
   には感光体の絶縁体層を通して光学情報を入射させ、前
   記絶縁体層を帯電するための荷電粒子の極性が正の場合
   には感光体の電極を通して光学情報を入射させる特許請
   求の範囲第１項記載の電子写真方式。８ 感光体を構成
   する光導電体層の導電型がＰ型であつて絶縁体層を帯電
   するための荷電粒子の極性が負の場合には感光体の電極
   を通して光学情報を入射させ、前記絶縁体層を帯電する
   ための荷電粒子の極性が正の場合には感光体の絶縁体層
   を通して光学情報を入射させる特許請求の範囲第１項記
   載の電子写真方式。 ９ 感光体と該感光体を構成する絶縁体層表面を一方の
   極性の荷電粒子によつて前記電極に対し一様な電位差に
   なるように帯電し、かつ感光体の光導電体層と絶縁体層
   との界面もしくは光導電体層内部に前記帯電極性と逆極
   性の電荷を捕獲せしめる手段と、前記感光体の光導電体
   層に第１の光学情報を照射するとともに前記絶縁体層に
   交流コロナ放電を当てる手段と、前記感光体の光導電体
   層に第２の光学情報を照射するとともに前記絶縁体層表
   面を帯電せしめた前記電位差と異符号の電位差になるよ
   うに帯電する手段と、前記感光体の光導電体層全面に光
   を照射する手段とを備え、該手段を順次駆動することに
   より前記感光体の絶縁体層上に正および負の極性を持つ
   た２種類の静電荷潜像を形成することを特徴とする電子
   写真方式。 １０ 感光体が、電極と光導電体層と絶縁層との積層構
   造である特許請求の範囲第９項記載の電子写真方式。 １１ 感光体が、電極と電荷注入阻止層と光導電体層と
   絶縁体層との積層構造である特許請求の範囲第９項記載
   の電子写真方式。 １２ 第１の光学情報および第２の光学情報の照射を共
   に前記感光体を構成する電極もしくは絶縁体層のいずれ
   か一方から行う特許請求の範囲第９項記載の電子写真方
   式。 １３ 感光体を構成する光導電体層の導電型がｎ型であ
   つて絶縁体層を帯電するための荷電粒子の極性が負の場
   合には感光体の絶縁体層を通して光学情報を入射させ、
   前記絶縁体層を帯電するための荷電粒子の極性が正の場
   合には感光体の電極を通して光学情報を入射させる特許
   請求の範囲第９項記載の電子写真方式。 １４ 感光体を構成する光導電体層の導電型がＰ型であ
   つて絶縁体層を帯電するための荷電粒子の極性が負の場
   合には感光体の電極を通して光学情報を入射させ、前記
   絶縁体層を帯電するための荷電粒子の極性が正の場合に
   は感光体の絶縁体層を通して光学情報を入射させる特許
   請求の範囲第９項記載の電子写真方式。