JPS6067533A - ポリアミドエステル樹脂およびその製造方法 - Google Patents
ポリアミドエステル樹脂およびその製造方法Info
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- JPS6067533A JPS6067533A JP17411583A JP17411583A JPS6067533A JP S6067533 A JPS6067533 A JP S6067533A JP 17411583 A JP17411583 A JP 17411583A JP 17411583 A JP17411583 A JP 17411583A JP S6067533 A JPS6067533 A JP S6067533A
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Landscapes
- Polyamides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なポリアミドエステル樹脂とくにN−フェ
ニル置換芳香族ポリアミドエステルに関し、ざらに又そ
の製造方法に関する。
ニル置換芳香族ポリアミドエステルに関し、ざらに又そ
の製造方法に関する。
芳香族ポリアミドエステルは、相当する芳香族ポリアミ
ドおよび芳香族ポリエステルの性質より類推して、高ガ
ラス転移点、高分解点を有する材料として期待されてい
る。しかし、従来製造された芳香族ポリアミドエステル
は、200℃という比較的高いガラス転移点を有しては
いるが、分解開始温度が820°C1熱重量測定におけ
る10%重量重量減変温400℃と低く、その成形性に
はなお問題があった(例えば、今井淑夫ら、ジャーナル
・オプ・ポリマー・サイエンス、ポリマー・ケミストリ
ー・エディシE ン(,1,polymer SOl
。
ドおよび芳香族ポリエステルの性質より類推して、高ガ
ラス転移点、高分解点を有する材料として期待されてい
る。しかし、従来製造された芳香族ポリアミドエステル
は、200℃という比較的高いガラス転移点を有しては
いるが、分解開始温度が820°C1熱重量測定におけ
る10%重量重量減変温400℃と低く、その成形性に
はなお問題があった(例えば、今井淑夫ら、ジャーナル
・オプ・ポリマー・サイエンス、ポリマー・ケミストリ
ー・エディシE ン(,1,polymer SOl
。
Polymer Ohem、Ed、 l 、第19巻、
8285ページ(19811)。
8285ページ(19811)。
本発明者らは高ガラス転移点、高分解点を同時に有し、
その成形温度範囲の広い芳香族ポリアミドエステルを製
造すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明者らによりはじ
めて合成されたN−フェニル置換芳香族ポリアミドエス
テルがこの目的に適合することを確かめ本発明を完成す
るに至った。
その成形温度範囲の広い芳香族ポリアミドエステルを製
造すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明者らによりはじ
めて合成されたN−フェニル置換芳香族ポリアミドエス
テルがこの目的に適合することを確かめ本発明を完成す
るに至った。
本発明の第1の発明は、
一般式
1式中のAr1およびAr11は二価の芳香族基を示し
、nは10〜200の範囲の重合度を示す数である1+
で表わされるN−フェニル置換芳香族ポリアミドエステ
ルからなるポリアミドエステル樹脂である。
、nは10〜200の範囲の重合度を示す数である1+
で表わされるN−フェニル置換芳香族ポリアミドエステ
ルからなるポリアミドエステル樹脂である。
本発明の第2の発明はN−フェニル置換芳香族ポリアミ
ドエステルからなるポリアミドエステル樹脂を製造する
に当り、N−フェニル置換アミノフェノール誘導体と芳
香族ジカルボン酸シバライドを有機溶媒中で反応させる
ポリアミドエステル樹脂の製造方法である。
ドエステルからなるポリアミドエステル樹脂を製造する
に当り、N−フェニル置換アミノフェノール誘導体と芳
香族ジカルボン酸シバライドを有機溶媒中で反応させる
ポリアミドエステル樹脂の製造方法である。
本発明の一般式II)で表わされるN−フェニル置換芳
香族ポリアミドエステルは、前記のよう(8) に一般式 C式中Ar1は二価の芳香族基を示す)で表わされるN
−フェニル置換アミノフェノール誘導体と、一般式 C式中Ar、は二価の芳香族基、Xはハロゲン原子を示
す)で表わされる芳香族ジカルボン酸シバライドを有機
溶媒中で反応させることにより得られる。
香族ポリアミドエステルは、前記のよう(8) に一般式 C式中Ar1は二価の芳香族基を示す)で表わされるN
−フェニル置換アミノフェノール誘導体と、一般式 C式中Ar、は二価の芳香族基、Xはハロゲン原子を示
す)で表わされる芳香族ジカルボン酸シバライドを有機
溶媒中で反応させることにより得られる。
上記一般式■で表わされるN−フェニル置換アミ/7−
r−/−/I’[1体トしては、N−7工ニルーm−了
ミノフェノールおよびに一フェニルーp−了ミノフェノ
ールを例示することができる。
r−/−/I’[1体トしては、N−7工ニルーm−了
ミノフェノールおよびに一フェニルーp−了ミノフェノ
ールを例示することができる。
上記一般式■で表わされる芳香族ジカルボン酸シバライ
ドとしては、次のようなジカルボン酸のジクロリド、ジ
フルオリド、ジブロミドを例示することができる。すな
わち、テレフタル酸、イソ(4) フタル酸、1.4−す7タレンジカルボン酸、1.5−
ナフタレンジカルボン酸、2,6−ナフタレンジカルボ
ン酸、 4.4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸、
s、s’−ジフェニルエーテルジカルボン酸。
ドとしては、次のようなジカルボン酸のジクロリド、ジ
フルオリド、ジブロミドを例示することができる。すな
わち、テレフタル酸、イソ(4) フタル酸、1.4−す7タレンジカルボン酸、1.5−
ナフタレンジカルボン酸、2,6−ナフタレンジカルボ
ン酸、 4.4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸、
s、s’−ジフェニルエーテルジカルボン酸。
4.41−ジフェニルメタンジカルボン酸、8.8’−
ジフェニルメタンジカルボン酸、 4.4’−ジフェニ
ルスルホンジカルボン酸、 8.8’−ジフェニルスル
ホンジカルボン酸などのジクロリド、ジフルオリド、ジ
ブ田ミドを例示することができる。
ジフェニルメタンジカルボン酸、 4.4’−ジフェニ
ルスルホンジカルボン酸、 8.8’−ジフェニルスル
ホンジカルボン酸などのジクロリド、ジフルオリド、ジ
ブ田ミドを例示することができる。
本発明は有機溶媒中で行なうことが必須である。
本発明に使用可能な有機溶媒としては、再反応成分と実
質的に反応しない溶媒という点で制限を受けるが、この
ほかに再反応成分に対する良溶媒であって、しかも反応
生成物のN−フェニル置換芳香族ポリアミドエステルに
対する良溶媒であることが望ましい。さらに高重合体を
生成するためには高沸点の溶媒であることが望ましい。
質的に反応しない溶媒という点で制限を受けるが、この
ほかに再反応成分に対する良溶媒であって、しかも反応
生成物のN−フェニル置換芳香族ポリアミドエステルに
対する良溶媒であることが望ましい。さらに高重合体を
生成するためには高沸点の溶媒であることが望ましい。
このような有機溶媒としては、キシレン、メシチレン、
アニソール、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン。
アニソール、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン。
ニトロベンゼン、ジフェニルエーテル、アセトフェノン
ナトのベンゼン系溶媒、1.2−ジクロロエタン、 1
.1 、2.2−テトラクロロエタン、ヘキサクロ四エ
タンなどのハロゲン系溶媒、ジフェニルスルホン、テト
ラメチレンスルホンなどのイオウ系溶媒、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピ
ロリドンなどの了ミド系溶媒を例示することができる。
ナトのベンゼン系溶媒、1.2−ジクロロエタン、 1
.1 、2.2−テトラクロロエタン、ヘキサクロ四エ
タンなどのハロゲン系溶媒、ジフェニルスルホン、テト
ラメチレンスルホンなどのイオウ系溶媒、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピ
ロリドンなどの了ミド系溶媒を例示することができる。
本発明によるに一フェニル置換芳香族ポリアミドエステ
ルの製造方法をざらに詳細に説明すると、上記一般式■
によって表わされるN−フェニル置・挟子ミノフェノー
ル誘導体と上記一般式■によって表わされる芳香族ジカ
ルボン酸シバライドの等モル量を有機溶媒中、窒素等の
不活性雰囲気下で加熱攪拌することにより前記製造は容
易に行なわれる。この時金属マグネシウム等の添加剤を
加えることにより、さらに高重合度のN−フェニル置換
芳香族ポリアミドエステルを製造することも可能である
。本発明で使用する有機溶媒の使用量は、通常両成分を
10〜40重量%含むことになる量が使用される。反応
温度は80°Cから800°Cまでを選択することがで
きるが、低温での反応は遅く、高温での反応は経済的で
ない。反応を経済的に進行させ、かつ高重合度のN−フ
ェニル置換芳香族ポリアミドエステル(Ilを得るため
には、120°〜200°Cの反応温度を選択すること
が好ましい。反応時間は反応温度により大きく影響され
るが、いかなる場合にも最高の重合度を意味する最大粘
度が得られるまで反応系を攪拌するのがよく、多くの場
合2時間から20時間までの範囲で選択することができ
る。
ルの製造方法をざらに詳細に説明すると、上記一般式■
によって表わされるN−フェニル置・挟子ミノフェノー
ル誘導体と上記一般式■によって表わされる芳香族ジカ
ルボン酸シバライドの等モル量を有機溶媒中、窒素等の
不活性雰囲気下で加熱攪拌することにより前記製造は容
易に行なわれる。この時金属マグネシウム等の添加剤を
加えることにより、さらに高重合度のN−フェニル置換
芳香族ポリアミドエステルを製造することも可能である
。本発明で使用する有機溶媒の使用量は、通常両成分を
10〜40重量%含むことになる量が使用される。反応
温度は80°Cから800°Cまでを選択することがで
きるが、低温での反応は遅く、高温での反応は経済的で
ない。反応を経済的に進行させ、かつ高重合度のN−フ
ェニル置換芳香族ポリアミドエステル(Ilを得るため
には、120°〜200°Cの反応温度を選択すること
が好ましい。反応時間は反応温度により大きく影響され
るが、いかなる場合にも最高の重合度を意味する最大粘
度が得られるまで反応系を攪拌するのがよく、多くの場
合2時間から20時間までの範囲で選択することができ
る。
以上のような条件のもとで、一般式■で表わされるN−
フェニル置換アミノフェノールと、一般式1で表わされ
る芳香族ジカルボン酸シバライドの反応を進行させるこ
とにより、重合度nが10から200の一般式1で表わ
されるN−フェニル置換芳香族ポリアミドエステルを製
造することができる。
フェニル置換アミノフェノールと、一般式1で表わされ
る芳香族ジカルボン酸シバライドの反応を進行させるこ
とにより、重合度nが10から200の一般式1で表わ
されるN−フェニル置換芳香族ポリアミドエステルを製
造することができる。
かくして得られた上記一般式1で表わされるN−フェニ
ル置換芳香族アミドエステルは、200°C付近にガラ
ス転移点を有し、また400℃まで(ワ ) は熱的な分解を起こさず、加熱酸、形可能なエンジニア
リングプラスチックとして工業的な価値が高い。
ル置換芳香族アミドエステルは、200°C付近にガラ
ス転移点を有し、また400℃まで(ワ ) は熱的な分解を起こさず、加熱酸、形可能なエンジニア
リングプラスチックとして工業的な価値が高い。
以下実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例】
N−フェニル−m−了ミノフェノール1.459を10
−のニトロベンゼンに溶解し、150℃に加熱した。こ
の溶液に窒素気流下1.60りのイソフタル酸ジクロリ
ドを加え、200℃で6時間攪拌した。生成ポリマー溶
液を室温に冷却後、8〇−のジメチルホルム了ミドを加
え、500−のメタノールに投入し、N−フェニル置換
芳香族ポリアミドエステルの沈殿を得た。
−のニトロベンゼンに溶解し、150℃に加熱した。こ
の溶液に窒素気流下1.60りのイソフタル酸ジクロリ
ドを加え、200℃で6時間攪拌した。生成ポリマー溶
液を室温に冷却後、8〇−のジメチルホルム了ミドを加
え、500−のメタノールに投入し、N−フェニル置換
芳香族ポリアミドエステルの沈殿を得た。
収率 87%
固有粘度 0.40 (ジメチルホルムアミドIDMF
I中30℃でo、b9/atの濃度で測定)元素分析値 OHN 計算値C%1 76.19 4,18 4.44実測値
1%1 75.88 8,86 4.29(8) ガラス転移点(T91 : 164℃(示差熱分析によ
る)10%重量重量減変温Tlol j 496℃(熱
重量測定による)実施例2 N−フェニル−m−了ミノフェノールと、テレフタル酸
クロリドより実施例1と同様の操作によりN−フェニル
置換芳香族ポリアミドエステルを得た。
I中30℃でo、b9/atの濃度で測定)元素分析値 OHN 計算値C%1 76.19 4,18 4.44実測値
1%1 75.88 8,86 4.29(8) ガラス転移点(T91 : 164℃(示差熱分析によ
る)10%重量重量減変温Tlol j 496℃(熱
重量測定による)実施例2 N−フェニル−m−了ミノフェノールと、テレフタル酸
クロリドより実施例1と同様の操作によりN−フェニル
置換芳香族ポリアミドエステルを得た。
収率 92%
固有粘度 0.58 (DMF中80℃、0.5り/d
t濃度で測定) 元素分析値 OHN 計算値C%) 76.19 4,18 4.44実測値
c%) 76.88 L78 4.18Tg:190℃
、’I’1oi 498℃実施例8 N−フェニル−p−了ミノフェノールと、イソフタル酸
ジクロリドより実施例】と同様の操作によりN−フェニ
ル置換芳香族ポリアミドエステルを得た。
t濃度で測定) 元素分析値 OHN 計算値C%) 76.19 4,18 4.44実測値
c%) 76.88 L78 4.18Tg:190℃
、’I’1oi 498℃実施例8 N−フェニル−p−了ミノフェノールと、イソフタル酸
ジクロリドより実施例】と同様の操作によりN−フェニ
ル置換芳香族ポリアミドエステルを得た。
収率 90%
固有粘度 0.81 (DMF中80°C,0,5り/
ci を濃度で測定) 元素分析値 OHN 計算値c%) 76.19 4,18 4.44実測値
(%) ?5.60 8.84 4.82Tg:191
℃ 、Tlo:1lI08℃実施例4 N−フェニル−p−アミノフェノールとテレフタル酸ジ
クロリドより実施例】と同様の操作によりN−フェニル
置換芳香族ポリアミドエステルを得た。
ci を濃度で測定) 元素分析値 OHN 計算値c%) 76.19 4,18 4.44実測値
(%) ?5.60 8.84 4.82Tg:191
℃ 、Tlo:1lI08℃実施例4 N−フェニル−p−アミノフェノールとテレフタル酸ジ
クロリドより実施例】と同様の操作によりN−フェニル
置換芳香族ポリアミドエステルを得た。
収率 84%
固有粘度 0.58(m−クレゾール中30℃で0.5
り/dtの濃度で測定) 元素分析値 OIN 計算値(%) フロ、19 4,18 4.44実測値
(%1 74.51 4,11 4.28ガラス転移点
は観測されなかった。
り/dtの濃度で測定) 元素分析値 OIN 計算値(%) フロ、19 4,18 4.44実測値
(%1 74.51 4,11 4.28ガラス転移点
は観測されなかった。
Tl(17498℃
以上のように、本発明のN−フェニル置換芳香族ポリア
ミドエステルは、従来の芳香族ポリ了ミドエステルが比
較的低い分解点を有し成形性に問題を有していたのに対
し、優れた高分解点を有するものであり、しかも芳香族
ポリアミドエステル特有の比較的高いガラス転移点Pも
有するものであって加熱成形可能なエンジニアリングプ
ラスチックとして工業的価値が高い。本発明はざらにN
−フェニル置換芳香族ポリアミドエステルの工業的に有
利な製造方法を提供する。
ミドエステルは、従来の芳香族ポリ了ミドエステルが比
較的低い分解点を有し成形性に問題を有していたのに対
し、優れた高分解点を有するものであり、しかも芳香族
ポリアミドエステル特有の比較的高いガラス転移点Pも
有するものであって加熱成形可能なエンジニアリングプ
ラスチックとして工業的価値が高い。本発明はざらにN
−フェニル置換芳香族ポリアミドエステルの工業的に有
利な製造方法を提供する。
(月)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1一般式 (式中のAr1 多よびAr、は二価の芳香族基を示し
、nは10〜200の範囲の重合度を示す数である)で
表わされるN−フェニル置換芳香族ポリアミドエステル
からなることを特徴とするポリアミドエステル樹脂。 λ N−フェニル置換芳香族ポリアミドエステルからな
るポリアミドエステル樹脂を製造するに当り、N−フェ
ニル置換アミノフェノール誘導体と芳香族ジカルボン酸
シバライドを有機溶媒中で反応させることを特徴とする
ポリアミドエステル樹脂の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17411583A JPS6067533A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | ポリアミドエステル樹脂およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17411583A JPS6067533A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | ポリアミドエステル樹脂およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067533A true JPS6067533A (ja) | 1985-04-17 |
| JPS6153375B2 JPS6153375B2 (ja) | 1986-11-17 |
Family
ID=15972897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17411583A Granted JPS6067533A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | ポリアミドエステル樹脂およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067533A (ja) |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP17411583A patent/JPS6067533A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6153375B2 (ja) | 1986-11-17 |
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