JPS606852A - プラズマのモニタ方法およびモニタ - Google Patents

プラズマのモニタ方法およびモニタ

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JPS606852A
JPS606852A JP11274383A JP11274383A JPS606852A JP S606852 A JPS606852 A JP S606852A JP 11274383 A JP11274383 A JP 11274383A JP 11274383 A JP11274383 A JP 11274383A JP S606852 A JPS606852 A JP S606852A
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JP
Japan
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plasma
light
plasma light
chemical species
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JP11274383A
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English (en)
Inventor
Hisajiro Osada
長田 久二郎
Yutaka Hiratsuka
豊 平塚
Masahiro Watanabe
正博 渡辺
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28Investigating the spectrum

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、スパッタリングやドライエツチング等のよう
に、プラズマを利用する加工工程において、プラズマ中
に含オれる特定の分子、原子、イオン等の化学種の濃度
の分布を1ll11定するプラズマのモニタ方法および
モニタに関するもLSIや超LSIの製造工程において
は、線巾が数μm以下あるいは1μm以下の微細な回路
パターンを、高密度に配置することが要求されている。
このため、めっきや化学液によるエツチング等のウェッ
トプロセスから、微細加工が可能なドライエツチングや
スパッタリング等のドライプロセスへの移行が進められ
ている。
ドライプロセスによって微細な加工を精度よく行なうた
めには、加工条件の変動を小さくすると共に、加工の進
行状況を監視することが必要である。このため、ドライ
プロセスで加工中に発生するプラズマの発光を利用して
、加工状況を監視するモニタがいくつか提案されている
たとえば、ドライエツチングのモニタでは、加工中に発
生するプラズマ全体の発光量と、プラズマ中に含まれる
エツチング物質の発光量とを、各々個別の測定手段によ
って測定し、それらの結果を比較することにより、プラ
ズマ中に含まれるエツチング物質の濃度をめ、エツチン
グの終点を検出するようにしているΦまた、スパッタリ
ングのモニタでは、加工中に発生するプラズマを構成す
る化学種の中から2種類の化学種の発光量を、各々個別
の測定手段で測定し、それらの結果を比較することによ
り、スパッタ速度や形成される膜の組成を予測するよう
になっている。
これらのモニタは、対象とするプラズマ全体(もしくは
その一部)の発光を測定しているため、プラズマ全体(
もしくはその一部)の状態を捉えているにすぎない。
このため、加工領域内の加工状況のバラツキを把握する
ことができない。たとえば、ドライエツチングの場合に
は、エツチングの過不足が発生し、スパッタリングの場
合には、形成された膜の厚さや組成にバラツキが発生す
るのを防止することができない。また、同一ロット内で
の加工の均一性や、ロット間での加工状態の再現性全維
持するだめの情報を得ることができない。
さらに、2台の検出手段を用いるため、装置が高価にな
り、しかも大形になる。また、各検出手段の感度の差や
、配置された位置の差による受光量の差等による誤差が
発生するなど多くの欠点を有している。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、プラズマ中における特定化学種の濃度
あるいは、2種の特定化学種の比率の分布を測定するプ
ラズマのモニタ方法およびモニタを提供するにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するため、本発明においてはプラズマの
測定位置を順次選択し、その各測定位置からのプラズマ
光を、プラズマを構成している全化学種が発光したプラ
ズマ光と、その中に含まれる特定化学種が発光したプラ
ズマ光とに分光し、もしくは、プラズマ光中に含まれる
2種類の特定化学種の発光したプラズマ光 に分光して
検出し、それらの検出結果を比較することによって、そ
れらの各測定位置における特定化学種の濃度もしくは2
種類の特定化学種の比率を測定することにより、プラズ
マ中の特定化学種の濃度もしくは比率の分布をめること
を特徴とする。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面にしたがって説明する。
第1図において、加工装置1内に発生したプラズマを監
視するモニタは、加工装置1の窓14と対向し、測定位
置のプラズマ光2を採光し、所定の位置へ導いて放射す
る採光手段3と、この採光手段3から放射されるプラズ
マ光2を受け入れ、その全てのプラズマ光2と、プラズ
マ光2中に含まれる特定化学種の発光による特定波長の
プラズマ光2aとを交互に取出す分光手段4と、この分
光手段4によって取出されたプラズマ光2,2aを、そ
の強さに応じた電気信号21.21aに変換する光検出
手段5と、前記採光手段6に測定位置を指示する制御手
段6と、前記光検出手段5と制御手段6に接続され、光
検出手段5から印加される電気信号21.21aを比較
して、測定位置におけるプラズマ中の特定化学種の濃度
を算出すると共に、その濃度と制御手段6から印加され
る測定位置の信号を対応させる測定手段7と、この測定
手段7に接続され、測定手段7から印加される測定位置
と、その測定位置における特定化学種の濃度の情報を表
示するディスプレイ等の表示手段8と、前記測定手段7
に接続され、測定手段7から印加される測定位置と、そ
の測定位置における特定化学種の濃度の情報を記録する
記録計9とによって構成されている。
なお、表示手段8と記録計9はいずれか一方のみでもよ
い。
前記加工装置1は、気密容器11内に上下一対の電極1
2.13を備え、側壁には内部を監視するための窓14
が形成されている。そして、電極15上に被加工物を載
置し、電極12.13の間に電圧を印加することにより
、被加工物と電極12の間にプラズマが発生し、このプ
ラズマが発光する。
前記採光手段6は、第2図および第6図に示すように、
採光光学系31と走査機構310とによって構成されて
いる。
前記採光光学系61は、光ファイバ62と、この光ファ
イバ32の一端に外嵌されたコリメータ33と、このコ
リメータ53内に支持されたレンズ3456.57と、
このレンズ56.57の間に、レンズ3637の焦点位
置にピンホール58が位置するように支持された仕切板
59とによって構成されている。
前記光ファイバ62の他の一端は、前記分光手段4に接
続されている。また、前記レンズ64は、前記加工装置
1の窓14と反対側の内壁に届く程度の焦点距離になっ
ている。
前記走査機構310は、前記加工装置1に付設されたペ
ース311に支持されている。ペース311には、4本
のガイドパ312が立設され、その上端には、天上板3
16が固定されている。また、前記ペース511と天上
板515の間には、第1の送りねじ314がガイドパ5
12と平行に、かつ回転自在に支持され、天上板313
上に支持されたモータ315によって、正逆方向に回転
駆動される。前記ガイドパ312に摺!助自在に嵌合す
る穴と、前記送りねじ314に螺合するねじ穴が形成さ
れ、前記ペース611と天上板313の間に配置された
第1の移動ベース616は、前記送りねじ314の回転
により、ガイドパ612に沿って移動する。前記移動台
316上には、一対のブラケット617によって一対の
ガイドパ518が固定支持されている。前記ブラケット
317の間には第2の送りねじ319がガイドパ618
と平行に、かつ回転自在に支持され、移動台316上に
支持されたモータ320によって、正逆方向に回転駆動
される。前記ガイドパ318に摺動自在に低置する軸受
321と、前記送りねじ619に螺合するナツト322
には、第2の移動台325が固定され前記送りねじ口1
9の回転によって水平方向に移動するようになっている
。なお、移動台523は前記加工装置1の窓14に対す
る垂直方向に十分長く形成されている。前記移動台62
3上には、一対のプラタン) 324 (但し一方は図
示されていない)によって、一対のガイドパ625が固
定支持されている、前記ブラケット324の間には第6
の送りねじ326がガイドパ325と平行に、かつ回転
自在に支持され、移動台323上に支持されたモータ(
図示せず)によって、正逆方向に回転駆動される。前記
ガイドパ325に摺動自在に嵌合する軸受527と、前
記送りねじ526に螺合するナツト328には、第6の
移動台329が固定され、送りねじ326の回転によっ
て、窓14に対、し垂直方向に移動するようになってい
る。
前記移動台529には、プラタン) 530を介して前
記採光光学系31の光ファイバ32とコリメータ易が、
レンズろ4が前記窓14と対向するように支持されてい
る。
このような構成であるから、送りねじ314゜619を
回転させることにより、採光光学系31のコリメータ3
5を加工装置1の窓14と平行な平面内の任意の位置へ
移動させることができる。また、送りねじ326を回転
させることにより、前記コリメータ33を窓14に対す
る垂Ia方向の任意の位置へ移動させることができる。
したがって前記レンズ64の焦点55ヲ、加工装置1内
の窓14を垂直に延長した範囲内の任意の位置に感動さ
せることができる。そして、レンズ34は、入射l〜だ
プラズマ光2のうち、その焦点35位置からのプラズマ
光2と、とのプラズマ光2と同一の軌跡を通るプラズマ
光2を平行光としてレンズ56vc投Mする。レンズ3
6は、この平行光金集光し2、レンズ34の焦点35の
像として、仕切板59のピンホール38に結イ9する。
そして、ピンホール38を透過したプラズマ光27/−
レンズ37で再び平行光として、光ファイバ32に投射
する。
このとき、レンズ64の焦点65で発光しまたプラズマ
光2と、このプラズマ光2と同一の軌跡を311するプ
ラズマ光2以外でレンズろ4に入射1.たプラズマ光2
は、L/ンズ34を透過しても平行光とならないため、
レンズろ6によって集光したときピノl−−ルろ8の外
周に両光され、ピンホール67を通過することができな
い。したがって、ピンホール37を透過し、たプラズマ
光2け、レンズ64の焦点35位置のプラズマ光2と、
このプラズマ光2と同一の軌跡を通る他のプラズマ光2
のみであり、これをレンズ34の焦点65からのプラズ
マ光2とみなすことにより、プラズマの三次元的な測定
を可能にする。
前記分光手段4は、特定の波長の光のみを通すフィルタ
部分41と、波長選択性が少々く、減光効率の異なるu
 ’lll−の減光フィルタ部42とから成る円盤形の
フィルタA己と、プラズマ光2を透過させる部分44と
、遮断する部分45が形成された円盤形のマスク46と
を、モータ47の回転軸48に一体に固定して成る。
前記フィルタ43とマスク46の位相は、前記採光手段
ろによって採光されたプラズマ光2と、このプラズマ光
2に含まれる特定化学呼のプラズマ光2aの強さの比が
太き・ハとき、すなわち特定化学種のプラズマ光2aが
プラズマ光2に比べ極端に小さい場合、光検出手段5に
おける検出精度の低下を防止するために、プラズマ光2
の光量を所定の比率で減光するように設定する0 このよりな:4Q gであるから、前記採光手段6から
投射されたプラズマブし2け、その元軸をマスク46の
部分A4が横切ったとき、マスク+16を透過してフィ
ルタ43に達し、部分45が光軸を横切ったとき、マス
ク46によつでMUMされ、フィルタ43・\け到達し
んい。前記プラズマ光2がフィルタ45に達したとき、
。その先軸をフィルタ部分41が横切っていると、プラ
ズマ光2中の特定の波長のプラズマ光2nのみが透過し
て光検出手段5に到辻−する。贅た、プラズマ九20光
軸を減光フィルタ部分42が横切っていると、所定の比
率で減光されたプラズマ光2がプロ検出手段5に到達す
る。このようにして、プラズマ光2とその中に含まれる
特定化学′!重のプラズマ光2aを交互に取出すことが
できる。
前記光検出手段5け、前記分光手段4を透過したプラズ
マ光2,2aを受け、プラズマ光22aの強さに対応し
た電気信号に変換する光電変換器51と、この光電変換
器51から出力された電気信号を、信号処理に適した大
きさに増幅する増幅器52と、前記そ一夕47の回転(
すなわちフィルタ410回転)位相を検出して、増幅器
52から印加された電気信号が、プラズマ光2に対応す
る電気信号21であるか、プラズマ光2aに対応する電
気信号21aであるかの判別を行なう判別回路53とに
よって構成されている。
前記制御手段6は、前記採光手段6の3個のモータ51
5 、520 (他の1個は図示されていない)に回転
指令を与え、前記採光光学系51を所要の位置へ移動さ
せると共に、前記各モータ515.620(他1)に与
えた指令に基づいて、加工装置1内のプラズマに対する
採光光学系31のレンズ34の焦点35の位置(すなわ
ち、測定位@)の座標を前記測定手段7に与えるように
なっている。
上記の構成において、加工装置1内のプラズマを測定す
べき位置を設定し、制御手段6に力えておく。そして、
制御手段60指令によって採光手段6を作動させ、採光
光学系61を最初の測定位置に位置決めする。このとき
、加工装置1内でプラズマが発生し、かつ発光している
と測定位置のプラズマ光2は、レンズ34.コリメータ
33を通り光ファイバ32に入射し、光ファイバ32に
よって分光手段4に導びかれ、光ファイハロ2より放射
される。このとき、モータ47の作動により、マスク4
6とフィルタ43が回転していると、プラズマ光2は、
所定の比率で減光されたプラズマ光2と、プラズマ光2
中に含まれる特定波長(すなわち特定化学種の発光波長
)のプラズマ光2aとに分けて交互に分光手段4から光
電変換器51に投射される。すると、各プラズマ光2,
2aは各々の強度に応じた電気信号に変換され、増幅器
52で増幅されたのち、判別回路53で判別され、電気
信号21,21aとして測定手段7に印加される。する
と、測定手段7で電気信号21,21aが比較され、測
定位置におけるプラズマ中の特定化学種の濃度がめられ
る。
そして、制御手段6から測定手段7に印加される測定位
置の座標と前記濃度が、表示手段8および/または記録
手段9に印加され、表示、記録される。
制御手段乙の指令に基づいて、測定位置を順次移動させ
て、各測定位置におけるプラズマ中の特定化学種の濃度
をめることにより、プラズマ中における特定化学種の濃
度分布をめることができる。
なお、前記分光手段4のフィルタ4ろを、透過する波長
の異なる2種類のフィルタ部41で構成しておけば、プ
ラズマ中に含まれる2種類の特定化学種の濃度を検出す
ることが可能になる。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明によれば、加工装置1内に発
生したプラズマ中の特定化学種(たとえば、アルミニウ
ムのエツチングでは、AliたはAlCl等)の濃度の
分布を測定することができるので、加工状況(たとえば
、前記エツチングの場合、その終点)を正確に把握する
ことができる。また、加工状態の変動を把握し、加工条
件の制御を適確に行なうための情報を得ることができる
また、光検出手段が1台ですむため、光検出手段での誤
差が発生しない1、また、装置全体を小形にし、安価に
供給することができるなど、極めて大きな効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明によるモニタの構成を示すブロック線
図、第2図は、第1図における集光手段の集光光学系を
示す拡大部分断面図、第3図は、第1図における集光手
段の走査機構を示す正面図、第4図は、第3図の側面図
である。 2・・・プラズマ光 3・・・採光手段4・・・分光手
段 5・・・光検出手段6・・・制御手段 7・・・測
定手5段8・・・表示手段 9・・・記録計

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 プラズマの測定位置を順次選択し、その各々の測
    定位1gにおけるプラズマ光を採光し、各測定位置から
    採光したプラズマ光を、それぞれプラズマを構成してい
    る全化学種の発光するプラズマ光と、プラズマ中に含ま
    れる特定化学種の発光するプラズマ光とに分光して検出
    し、これらの検出結果に基づいて、各測定位置における
    特定化学種の濃度をめることによp1プラズマ中に含ま
    れる特定化学種の濃度の分布状態全測定すること全特徴
    とするプラズマのモニタ方法。 2、プラズマの測定位#を順次選択し、その各々の測定
    位置におけるプラズマ光を採光し、各測定位置から採光
    したプラズマ光を、それぞれ、プラズマを構成している
    全化学種の中の2種類の特定化学種の発光する2種類の
    プラズマ光に分光して検出し、これらの検出結果に基づ
    いて、各測定位置における2種類の特定化学種の比率を
    めることにより、プラズマ中における2fi[1類の特
    定化学種の比率の分布を1iill定することを特徴と
    するプラズマのモニタ方法。 3、加工装Hの窓と対向し、窓を通して加工装置内の測
    定位置のプラズマ光を採光する採光光学系を備え、この
    採光光学系を窓に対し三次元方向に移動させることで測
    定位置を選択する採光手段と、前記採光手段によって採
    光されたプラズマ光を、検出対象となる2種類のプラズ
    マ光に分光する分光手段と、前記分光手段によって分光
    された2種類のプラズマ光を交互に受光して、プラズマ
    光の強さに対応した電気信号に変換し増幅すると共に、
    その電気信号が2種類のプラズマ光のいずれに該当する
    電気信号かを判別する光検出手段と前記採光手段にプラ
    ズマの測定位@を指示すると共に、プラズマに対する測
    定位置の座標信号を発信する制御手段と、前記光検出手
    段と制御手段とに接続され、光検出手段から印加される
    2つの電気信号に基づいて、特定化学種を測定すると共
    に、この測定結果と制御手段から印加される座標信号と
    を対応させる測定手段と、前記測定手段に接続され、測
    定手段から印加される測定位置の座標と測定結果を表示
    および/または記録する表示手段および/または記録手
    段と全特徴とするプラズマのモニタ。 4、採光光学系が、光ファイバと、この光ファイバの採
    光側の端部に設けられたコリメータと、このコリメーセ
    の採光側の端部に設けられたレンズとによって構成した
    ことを特徴とする特許請求の範囲第6項に記載のプラズ
    マのモニタ。 5、分光手段が、採光手段から放射されたプラズマ光の
    光路を開閉するマスクと、マスクを透過したプラズマ光
    を検出対象とする2種類のプラズマ光に分光するフィル
    タとを、回転駆動手段の回転軸に支持して成ることを特
    徴とする特許請求の範囲第3項に記載のプラズマのモニ
    タ。 6、フィルタが、それぞれ特定の波長のプラズマ光のみ
    を通す波長選択性を持つ一対のフィルタによって構成さ
    れていること全特徴とする特許請求の範囲第5項に記載
    のプラズマのモニタ。 7、 フィルタが、特定の波長のプラズマ光のみを通す
    波長選択性を持つフィルタと、波長選択性が少なく、減
    光特性を有−するフィルタとによって構成されているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第5項に記載のプラズマ
    のモニタ0
JP11274383A 1983-06-24 1983-06-24 プラズマのモニタ方法およびモニタ Pending JPS606852A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0453509U (ja) * 1990-09-14 1992-05-07
JPH0587943U (ja) * 1992-04-28 1993-11-26 国際電気株式会社 ドライエッチング装置の終点検出器

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JPH0453509U (ja) * 1990-09-14 1992-05-07
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