JPS6068587A - 薄膜ｅｌパネルの封止構造 - Google Patents
薄膜ｅｌパネルの封止構造Info
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- JPS6068587A JPS6068587A JP58177472A JP17747283A JPS6068587A JP S6068587 A JPS6068587 A JP S6068587A JP 58177472 A JP58177472 A JP 58177472A JP 17747283 A JP17747283 A JP 17747283A JP S6068587 A JPS6068587 A JP S6068587A
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- Japan
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- fluid
- panel
- glass plate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は交流電界の印加に依ってＥＬ （Ｅｌ ｅｃｔ
ｒ。
ｒ。
Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光を呈する薄Ｂ） Ｅ
Ｌ素子を使用したＥＬ表示パネルに対して有効な技術と
なるＮ膜ＥＬ素子保護用流体の注入封止構造に関するも
のである。
Ｌ素子を使用したＥＬ表示パネルに対して有効な技術と
なるＮ膜ＥＬ素子保護用流体の注入封止構造に関するも
のである。
〈従来技術〉
従来、交流動作の薄膜ＥＬ素子に関して、発光層に規則
的に高い電界（１０６Ｖ／ｃｍ程度）を印加し、絶縁耐
圧、発光効率及び動作の安定性等を高めるために、０．
１〜２． Ｏｗ ｔ％のＭｎ （あるいはＣｕ。
的に高い電界（１０６Ｖ／ｃｍ程度）を印加し、絶縁耐
圧、発光効率及び動作の安定性等を高めるために、０．
１〜２． Ｏｗ ｔ％のＭｎ （あるいはＣｕ。
Ａｔ、Ｂｒ等）をドープしたＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ％の半導
体発光層をＹ２Ｏ３＋ Ｔｉ０ｚ等の誘電体薄膜でサン
ドイッチした三層構造Ｚｎｓ：Ｍｎ（又はＺｎ５ｅ、Ｍ
ｎ）ＥＬ素子が開発され、発光緒特性の向上が確かめら
れている。この薄膜ＥＬ素子は数Ｋ Ｈｚの交流電界印
加によって高輝度発光し、しかも長寿命であるという特
徴を有している。
体発光層をＹ２Ｏ３＋ Ｔｉ０ｚ等の誘電体薄膜でサン
ドイッチした三層構造Ｚｎｓ：Ｍｎ（又はＺｎ５ｅ、Ｍ
ｎ）ＥＬ素子が開発され、発光緒特性の向上が確かめら
れている。この薄膜ＥＬ素子は数Ｋ Ｈｚの交流電界印
加によって高輝度発光し、しかも長寿命であるという特
徴を有している。
薄膜ＥＬ素子の１例としてＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の
基本的構造を第１図に示す〔。
基本的構造を第１図に示す〔。
第１図に基いて薄膜ＥＬ素子の構造を具体的に説明する
と、ガラス基板ｌ上にＩｎ２Ｏ３，ＳｎＯ２等の透明電
極２、さらにその上に積層してＹ２Ｏ３゜ＴｉＯ２，Ａ
ｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４．ＳｉＯ２等からなる第１の誘電
体層３がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等により重
畳形成されている。第１の誘電体層３土にはＺｎＳ：Ｍ
ｎ焼結ペレットを電子ビーム蒸着することにより得られ
るＺｎＳ発光層４が形成されている。この時蒸着用のＺ
ｎＳ：Ｍｎ焼結ペレットには活性物質となるＭｎが目的
に応じた濃度に設定されたベレットが使用される。Ｚｎ
Ｓ 発光層４上には第１の誘電体Ｎ３と同様の材質から
成る第２の誘電体層５が積層され、更にその上にへ１等
から成る背面電極６が蒸着形成されている。
と、ガラス基板ｌ上にＩｎ２Ｏ３，ＳｎＯ２等の透明電
極２、さらにその上に積層してＹ２Ｏ３゜ＴｉＯ２，Ａ
ｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４．ＳｉＯ２等からなる第１の誘電
体層３がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等により重
畳形成されている。第１の誘電体層３土にはＺｎＳ：Ｍ
ｎ焼結ペレットを電子ビーム蒸着することにより得られ
るＺｎＳ発光層４が形成されている。この時蒸着用のＺ
ｎＳ：Ｍｎ焼結ペレットには活性物質となるＭｎが目的
に応じた濃度に設定されたベレットが使用される。Ｚｎ
Ｓ 発光層４上には第１の誘電体Ｎ３と同様の材質から
成る第２の誘電体層５が積層され、更にその上にへ１等
から成る背面電極６が蒸着形成されている。
透明電極２と背面電極６は交流電源７．に接続され、薄
ｊ摸Ｅ Ｌ素子が駆動される。
ｊ摸Ｅ Ｌ素子が駆動される。
電極２，６間に交流電圧を印加すると、ＺｎＳ発光層４
の両側の誘電体層３，５間に上記交流電圧が誘起砦れる
ことにな９、従ってＺｎＳ発光層４内に発生した電界に
よって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギ
ーを得た電子が、直接Ｍｎ発光センターを励起し、励起
されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る際に黄色の発
光を行なう。即ち高電界で加速された電子がＺｎＳ発光
層４中の発光センターであるＺｎサイトに入ったＭｎ原
子の電子を励起し、基底状態に落ちる時、い発光を呈す
る。
の両側の誘電体層３，５間に上記交流電圧が誘起砦れる
ことにな９、従ってＺｎＳ発光層４内に発生した電界に
よって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギ
ーを得た電子が、直接Ｍｎ発光センターを励起し、励起
されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る際に黄色の発
光を行なう。即ち高電界で加速された電子がＺｎＳ発光
層４中の発光センターであるＺｎサイトに入ったＭｎ原
子の電子を励起し、基底状態に落ちる時、い発光を呈す
る。
上記の如き構造を有する薄膜ＥＬ素子はスペース・ファ
クタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイス
として、文字及び図形を含むコンビ、−クーの出力表示
端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画像
、動画像等の表示手段として利用することができ非常に
有効なものである。
クタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイス
として、文字及び図形を含むコンビ、−クーの出力表示
端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画像
、動画像等の表示手段として利用することができ非常に
有効なものである。
しかしながら薄膜ＥＬ素子の誘電体層は製造工程途中で
発生した多数のピンホールやマイクロクラック等全含み
、これらの欠陥を通してＺｎＳ発光層４に湿気等が侵入
するため、ＥＬ発光損失による発熱、層間剥離、素子特
性の劣化等を招来するＯ 上記問題全解決することを目的として、第２図に示すよ
うに、薄膜ＥＬ素子特有の不完全さ、即ちピンホール等
によって通電時に生じるブレークダウンのため起る微小
な熱損傷領域の拡大を防止、固定化し、大気環境下での
湿気保護、放熱効果、さらに振動、たわみに対しても有
効な改良技術となるシーリング方式が提唱されている。
発生した多数のピンホールやマイクロクラック等全含み
、これらの欠陥を通してＺｎＳ発光層４に湿気等が侵入
するため、ＥＬ発光損失による発熱、層間剥離、素子特
性の劣化等を招来するＯ 上記問題全解決することを目的として、第２図に示すよ
うに、薄膜ＥＬ素子特有の不完全さ、即ちピンホール等
によって通電時に生じるブレークダウンのため起る微小
な熱損傷領域の拡大を防止、固定化し、大気環境下での
湿気保護、放熱効果、さらに振動、たわみに対しても有
効な改良技術となるシーリング方式が提唱されている。
この薄膜ＥＬパネルは第」図に於ける透明電極２及び背
面電極６が帯状に成形され、互い妬直交する如く複数本
配列されたマトリックス電極構造が採用されてお９、透
明電極２と背面電極６が平面図的に見て交差した位置が
パネルの１絵素に相当する。
面電極６が帯状に成形され、互い妬直交する如く複数本
配列されたマトリックス電極構造が採用されてお９、透
明電極２と背面電極６が平面図的に見て交差した位置が
パネルの１絵素に相当する。
第２図に基いて説明すると、ガラス基板１上に一定ビノ
チ間隔で平行配列された透明電極２、第１の誘電体層３
、ＺｎＳ発光層４が順次積層され、ＺｎＳ発光層４上に
け５ｉａＮ４膜とＳｉ３Ｎ４膜上に重畳されたＡｌ２０
３Ｍとから成る第２の誘電体層５が２層構造で積層され
、更に上記透明電極２と直交する方向に一定ピッチ間隔
をもって平行配列された背面電極６が第２の誘電体層５
上に設けられ、薄膜ＥＬ素子が構成されている。この薄
膜ＥＬ素子ｆ：制止するため、ガラス基板ｌにスペーサ
ｌＯを介して背面ガラス板１１が対向配置され、ガラス
基板１、スペーサ１０及び背面ガラス板１１の各接合部
は接着剤］２で固定密封され、薄膜ＥＬ素子に対する外
囲器が構成されている。外囲器内には薄膜ＥＬ素子が内
蔵されるとともにシリコンオイノペ真空グリース等の薄
膜ＥＬ素子保護用注入流体１３が充填封入されている。
チ間隔で平行配列された透明電極２、第１の誘電体層３
、ＺｎＳ発光層４が順次積層され、ＺｎＳ発光層４上に
け５ｉａＮ４膜とＳｉ３Ｎ４膜上に重畳されたＡｌ２０
３Ｍとから成る第２の誘電体層５が２層構造で積層され
、更に上記透明電極２と直交する方向に一定ピッチ間隔
をもって平行配列された背面電極６が第２の誘電体層５
上に設けられ、薄膜ＥＬ素子が構成されている。この薄
膜ＥＬ素子ｆ：制止するため、ガラス基板ｌにスペーサ
ｌＯを介して背面ガラス板１１が対向配置され、ガラス
基板１、スペーサ１０及び背面ガラス板１１の各接合部
は接着剤］２で固定密封され、薄膜ＥＬ素子に対する外
囲器が構成されている。外囲器内には薄膜ＥＬ素子が内
蔵されるとともにシリコンオイノペ真空グリース等の薄
膜ＥＬ素子保護用注入流体１３が充填封入されている。
注入流体１３に要求される条件としては（１）ピンホー
ルへの浸透性があり、（２）絶縁耐圧が高く、（３）耐
熱性、耐湿性に優れ、（４）薄膜ＥＬ素子構成膜と反応
せず、（５）蒸気圧、熱膨張係数の小さい流動性物質で
あることが望ましいが特にピンホールへの浸透性があり
絶縁耐圧がある程度高いこと及び薄膜ＥＬ素子構成膜と
反応しないことを要する。スペーサＩＯＫはシリコンオ
イル等注入用の微小注入孔１４が１個乃至数個設けられ
ている。また透明電極２及び背面電極６のリード端子部
１５はガラス基板１と背面ガラス板１１の接合部を介し
て外囲器外部のガラス基板ｌ上へその一端が延設され、
駆動制御用回路（図示せず）と電気的に接続されている
０〈発明の目的〉 本発明は上記薄膜Ｅ’Ｌ素子保護用流体が充填された薄
膜ＥＬパネルて於いて、流体封止構造に関する改良技術
を提供することを目的とする。
ルへの浸透性があり、（２）絶縁耐圧が高く、（３）耐
熱性、耐湿性に優れ、（４）薄膜ＥＬ素子構成膜と反応
せず、（５）蒸気圧、熱膨張係数の小さい流動性物質で
あることが望ましいが特にピンホールへの浸透性があり
絶縁耐圧がある程度高いこと及び薄膜ＥＬ素子構成膜と
反応しないことを要する。スペーサＩＯＫはシリコンオ
イル等注入用の微小注入孔１４が１個乃至数個設けられ
ている。また透明電極２及び背面電極６のリード端子部
１５はガラス基板１と背面ガラス板１１の接合部を介し
て外囲器外部のガラス基板ｌ上へその一端が延設され、
駆動制御用回路（図示せず）と電気的に接続されている
０〈発明の目的〉 本発明は上記薄膜Ｅ’Ｌ素子保護用流体が充填された薄
膜ＥＬパネルて於いて、流体封止構造に関する改良技術
を提供することを目的とする。
〈実施例〉
第３図は本発明の１実施例の説明に供する薄膜ＥＬパネ
ルの構成断面図である。
ルの構成断面図である。
ガラス基板１」二に透明電極２が帯状に一定ピッチ間隔
をもって平行配列され、薄膜ＥＬ素子１６が構成されて
いる。この薄膜ＥＬ素子１６を収納する如く皿状の背面
ガラス板１７がガラス基板１土に重畳され、その内部間
隙に薄膜ＥＬ素子が内蔵される。ガラス基板１と背面ガ
ラス板１７の接合部は光硬化性樹脂、エポキシ樹脂等の
接着剤で密封されている。背面ガラス板１７の製作工程
途中に於ける詳細を第４図に示す０背面ガラス板１７と
してはソーダガラス、ホウケイ酸ガラス等が使用され、
ＥＬ素子構造部の収納部分がサンドエツチング等により
深さ］、 ｔａｎ程度に凹陥成形されている。凹陥成形
領域の隅部１箇所には流体注入用の注入孔１８が形成さ
れ、中空の注入用パイプ１９７５勤挿入されている。注
入用パイプ１９は金属製で、注入孔１８に接着固定され
ている。注入孔］８の外部端に相当する背面ガラス板１
７の位置には注入孔１８の径より大きい直径５〜１〇−
程度の穴２１が形成されている。穴２１の深さは約２丁
１程度である。注入用パイプ１９の先端を絶縁性保護用
流体例えばシリコーンオイル等の槽内に挿入し、流体全
パネル内部へ注入する。注入流体の注入操作が完了する
と、第５図（Ａ）に示す如く外囲器接合部近傍の注入パ
イプ１９を圧着し、仮封止全行なう。その後仮封止部の
注入／＜イブ１９全第５図（Ｂ）に示す如く切断し、切
断部の注入パイプ１９を完全に封止するためエポキシ系
樹脂、光硬化性樹脂等から成る樹脂接着剤２０を第５図
（Ｃ）に示す如く背面ガラス板１７の穴２１（深さＤ）
内に収納されるよう被着する。次に平板ガラスキ八・ノ
ブ２２ｆ：注入パイプ１９封止部の背面ガラス板１７上
に接着剤を介して被冠し、第５図（Ｃ）に示す二重封止
構造とする０尚、従来のガラスキャップに凹陥部を設け
た構造は、第６図（Ａ）に示す如く注入パイプ１９を背
面ガラス板１７上で圧着仮封止し第６図（Ｂ）に示す如
く注入パイプ１９を切断した後、樹脂を被着し、更に第
６図（Ｃ）に示す如く凹陥部を持つガラスギヤ５．プ２
３を背面ガラス板１７土に接着した構造が用いられてい
るが本実施例と比較すれば、背面ガラス板１７に凹陥部
を設け、封止部を凹陥部に収納させることにより、第５
図（Ｃ）の平板ガラスキャップ２２の板厚’ｔＴ＋、第
６図（Ｃ）の凹陥部を設けたガラスキャップ２３の板厚
をＴ２とした場合に総合的な板厚をＴ２−Ｔ＋だけ薄く
することかり能となる。平板ガラスキャップ２２を背面
ガラス板１７に接着する接着剤としては光硬化性接着剤
等が用いられる。また平板ガラスキャップ２２としては
背面ガラス板］７と同材質の大きさ１５ ＷｒｍＸ １
５ ＋ｒｒｍ程度の厚さ０．１〜１． Ｏ１ｍＲのもの
が用いられる。
をもって平行配列され、薄膜ＥＬ素子１６が構成されて
いる。この薄膜ＥＬ素子１６を収納する如く皿状の背面
ガラス板１７がガラス基板１土に重畳され、その内部間
隙に薄膜ＥＬ素子が内蔵される。ガラス基板１と背面ガ
ラス板１７の接合部は光硬化性樹脂、エポキシ樹脂等の
接着剤で密封されている。背面ガラス板１７の製作工程
途中に於ける詳細を第４図に示す０背面ガラス板１７と
してはソーダガラス、ホウケイ酸ガラス等が使用され、
ＥＬ素子構造部の収納部分がサンドエツチング等により
深さ］、 ｔａｎ程度に凹陥成形されている。凹陥成形
領域の隅部１箇所には流体注入用の注入孔１８が形成さ
れ、中空の注入用パイプ１９７５勤挿入されている。注
入用パイプ１９は金属製で、注入孔１８に接着固定され
ている。注入孔］８の外部端に相当する背面ガラス板１
７の位置には注入孔１８の径より大きい直径５〜１〇−
程度の穴２１が形成されている。穴２１の深さは約２丁
１程度である。注入用パイプ１９の先端を絶縁性保護用
流体例えばシリコーンオイル等の槽内に挿入し、流体全
パネル内部へ注入する。注入流体の注入操作が完了する
と、第５図（Ａ）に示す如く外囲器接合部近傍の注入パ
イプ１９を圧着し、仮封止全行なう。その後仮封止部の
注入／＜イブ１９全第５図（Ｂ）に示す如く切断し、切
断部の注入パイプ１９を完全に封止するためエポキシ系
樹脂、光硬化性樹脂等から成る樹脂接着剤２０を第５図
（Ｃ）に示す如く背面ガラス板１７の穴２１（深さＤ）
内に収納されるよう被着する。次に平板ガラスキ八・ノ
ブ２２ｆ：注入パイプ１９封止部の背面ガラス板１７上
に接着剤を介して被冠し、第５図（Ｃ）に示す二重封止
構造とする０尚、従来のガラスキャップに凹陥部を設け
た構造は、第６図（Ａ）に示す如く注入パイプ１９を背
面ガラス板１７上で圧着仮封止し第６図（Ｂ）に示す如
く注入パイプ１９を切断した後、樹脂を被着し、更に第
６図（Ｃ）に示す如く凹陥部を持つガラスギヤ５．プ２
３を背面ガラス板１７土に接着した構造が用いられてい
るが本実施例と比較すれば、背面ガラス板１７に凹陥部
を設け、封止部を凹陥部に収納させることにより、第５
図（Ｃ）の平板ガラスキャップ２２の板厚’ｔＴ＋、第
６図（Ｃ）の凹陥部を設けたガラスキャップ２３の板厚
をＴ２とした場合に総合的な板厚をＴ２−Ｔ＋だけ薄く
することかり能となる。平板ガラスキャップ２２を背面
ガラス板１７に接着する接着剤としては光硬化性接着剤
等が用いられる。また平板ガラスキャップ２２としては
背面ガラス板］７と同材質の大きさ１５ ＷｒｍＸ １
５ ＋ｒｒｍ程度の厚さ０．１〜１． Ｏ１ｍＲのもの
が用いられる。
背面ガラス板１７は平板ガラスをサンドエツチングによ
シ凹陥成形する以外に皿状に成形されたガラス材料を用
いてもよい。また、流体注入孔１８を穿設した後、その
外端部をザグリ加工により径大の穴２１に拡大し、その
後、注入用パイプ１９を流体注入孔１８に挿入して接着
剤で固定する。
シ凹陥成形する以外に皿状に成形されたガラス材料を用
いてもよい。また、流体注入孔１８を穿設した後、その
外端部をザグリ加工により径大の穴２１に拡大し、その
後、注入用パイプ１９を流体注入孔１８に挿入して接着
剤で固定する。
注入用パイプ１９は圧着により容易に内部が封止される
ものが良く一般にアルミニウム、銅、鉄等の金属部材が
用いられる。絶縁性保護用流体の注入は、真空容器内で
注入用パイプの先端を流体の収納された槽内に挿入し、
次に大気圧に戻すことにより注入用パイプ１９を介して
流体を外囲器日へ注入する方法が適用される。
ものが良く一般にアルミニウム、銅、鉄等の金属部材が
用いられる。絶縁性保護用流体の注入は、真空容器内で
注入用パイプの先端を流体の収納された槽内に挿入し、
次に大気圧に戻すことにより注入用パイプ１９を介して
流体を外囲器日へ注入する方法が適用される。
絶縁性保護用流体は特に薄膜ＥＬ素子１Ｇに対する防湿
を企図して充填されるものであり、従って流体注入後の
注入用パイプ１９及び流体注入孔】８の封止は確実に行
なう必要がある。上記実施例ではこの封止構造を二重構
造にして信頼性を確保している。またシリコーンオイル
等の絶縁性保護用流体は熱膨張係数が高いため、高温下
での使用に於いては体積膨張によ多流体注入孔１８より
洩出することがある。しかしながら、本実施例の封止構
造ではこの洩出流体は平板ガラスキャップ２２が被冠さ
れているためザグリ穴２１の部分で貯留されることとな
り、外部にもれ出ることはないＯ 〈発明の効果〉 以上の如く本発明の薄膜ＥＬパネル封止構造は、従来の
凹陥部をもつガラスキャップに代って背面ガラス板内に
封止部を内股可能な凹陥部を設け、さらに平板ガラスキ
ャップを被冠させて二重に封止する為、従来の信頼性を
保証しつつディスプレイとしての薄型化が可能になり、
より実用的測置が大となる。
を企図して充填されるものであり、従って流体注入後の
注入用パイプ１９及び流体注入孔】８の封止は確実に行
なう必要がある。上記実施例ではこの封止構造を二重構
造にして信頼性を確保している。またシリコーンオイル
等の絶縁性保護用流体は熱膨張係数が高いため、高温下
での使用に於いては体積膨張によ多流体注入孔１８より
洩出することがある。しかしながら、本実施例の封止構
造ではこの洩出流体は平板ガラスキャップ２２が被冠さ
れているためザグリ穴２１の部分で貯留されることとな
り、外部にもれ出ることはないＯ 〈発明の効果〉 以上の如く本発明の薄膜ＥＬパネル封止構造は、従来の
凹陥部をもつガラスキャップに代って背面ガラス板内に
封止部を内股可能な凹陥部を設け、さらに平板ガラスキ
ャップを被冠させて二重に封止する為、従来の信頼性を
保証しつつディスプレイとしての薄型化が可能になり、
より実用的測置が大となる。
第１図は薄膜ＥＬ素子の具体的構造を示す構成図である
。第２図は従来の薄膜ＥＬパネルの１例を示す要部構成
図である。第３図は本発明の１実施例の説明に供する薄
膜ＥＬパネルの要部構成図である。第４図は第３図の薄
膜ＥＬパネルに使用される背面ガラス板の断面図である
。第５図（Ａ）（Ｂ） （Ｃ）は本発明の１実施例を説
明する製造工程図である。第６図（Ａ） （Ｂ） （Ｃ
）は従来のガラスキャップに凹陥部を設けた１実施例を
説明する製造工程図である。 トガラス基板、 １６ 薄膜ＥＬ素子、１７ ・背面ガ
ラス板、 １８ ・注入孔、１９・注入用パイプ、 ２
０−接着剤、２１ ・凹陥部、 ２２ ・・平板ガラス
キャップ代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）箒
１図 第２図 第３図 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） ニー；□ ５ 図
。第２図は従来の薄膜ＥＬパネルの１例を示す要部構成
図である。第３図は本発明の１実施例の説明に供する薄
膜ＥＬパネルの要部構成図である。第４図は第３図の薄
膜ＥＬパネルに使用される背面ガラス板の断面図である
。第５図（Ａ）（Ｂ） （Ｃ）は本発明の１実施例を説
明する製造工程図である。第６図（Ａ） （Ｂ） （Ｃ
）は従来のガラスキャップに凹陥部を設けた１実施例を
説明する製造工程図である。 トガラス基板、 １６ 薄膜ＥＬ素子、１７ ・背面ガ
ラス板、 １８ ・注入孔、１９・注入用パイプ、 ２
０−接着剤、２１ ・凹陥部、 ２２ ・・平板ガラス
キャップ代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）箒
１図 第２図 第３図 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） ニー；□ ５ 図
Claims (1)
- １、透光性前面基板と背面板とから成る外囲器内に薄膜
ＥＬ素子及び該薄膜ＥＬ素子に対する絶縁’（ｌ保護用
流体を収納した薄膜ＥＬパネルに於いて、前記外囲器に
前記絶縁性保護用流体を注入するための注入孔を穿設す
るとともに該注入孔の外方端に径太のザグリ穴を形成し
、該ザグリ穴内で前記注入孔の開口を封止するとともに
ザグリ穴にガラスキャップを被冠して密封したことを！
１キ徴とする薄膜ＥＬパネルの封止構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177472A JPS6068587A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 薄膜ｅｌパネルの封止構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177472A JPS6068587A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 薄膜ｅｌパネルの封止構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068587A true JPS6068587A (ja) | 1985-04-19 |
| JPS6337476B2 JPS6337476B2 (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=16031510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58177472A Granted JPS6068587A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 薄膜ｅｌパネルの封止構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068587A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61249075A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-06 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
| CN116248801A (zh) * | 2021-12-07 | 2023-06-09 | 佳能株式会社 | 图像形成装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068693A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-06-09 | ||
| JPS577086A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-14 | Sharp Kk | Thin film el panel |
-
1983
- 1983-09-24 JP JP58177472A patent/JPS6068587A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068693A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-06-09 | ||
| JPS577086A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-14 | Sharp Kk | Thin film el panel |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61249075A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-06 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
| CN116248801A (zh) * | 2021-12-07 | 2023-06-09 | 佳能株式会社 | 图像形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6337476B2 (ja) | 1988-07-26 |
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