JPS6068649A - 受光器 - Google Patents
受光器Info
- Publication number
- JPS6068649A JPS6068649A JP58176368A JP17636883A JPS6068649A JP S6068649 A JPS6068649 A JP S6068649A JP 58176368 A JP58176368 A JP 58176368A JP 17636883 A JP17636883 A JP 17636883A JP S6068649 A JPS6068649 A JP S6068649A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- effect transistor
- field effect
- semiconductor layer
- photodetector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/103—Integrated devices the at least one element covered by H10F30/00 having potential barriers, e.g. integrated devices comprising photodiodes or phototransistors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集Ｎｊｔ化に適したモノリフツク形電界効果ト
ランジスタ付き受光器に関するものである。
ランジスタ付き受光器に関するものである。
従来のこの種装置の一例を第１図に示す。すなわち、半
絶縁性半導体、基板２に積層されたｎ形半導体層３とそ
の内部に選択的に設けられたｐ形半導体層４とにより構
成された受光素子と、増幅素子である電界効果トランジ
スタとが、半絶縁性基板２上にモノリンツクに形成され
／こものである。
絶縁性半導体、基板２に積層されたｎ形半導体層３とそ
の内部に選択的に設けられたｐ形半導体層４とにより構
成された受光素子と、増幅素子である電界効果トランジ
スタとが、半絶縁性基板２上にモノリンツクに形成され
／こものである。
ここで図示した電界効果トランジスタけＰＮ接合形ゲー
トを有するものであり、ゲート部ｐ形半導体層５と表面
絶縁膜６とゲート電極９とソース電極１２とドレイン電
極１３とにより構成されている。
トを有するものであり、ゲート部ｐ形半導体層５と表面
絶縁膜６とゲート電極９とソース電極１２とドレイン電
極１３とにより構成されている。
このように、同一半導体基板２上に受光素子と増幅素子
とを設けたいわゆるモノリソツク形受光器を構成するに
は、画素子を電気的に分離するためにメサ分離が用いら
れ、ｎ形半カ体層３が空間的に分離されている。当構成
で―、受光素子のｐ形電極ｉｏと電界効果トランジスタ
のゲート電極９とを電気的に結線する必要がある。その
際、メサ加工部を被橢する絶縁膜７上に配線が渡ること
け不可避となる。このため、配線切れを生ずるなどの欠
点があった。
とを設けたいわゆるモノリソツク形受光器を構成するに
は、画素子を電気的に分離するためにメサ分離が用いら
れ、ｎ形半カ体層３が空間的に分離されている。当構成
で―、受光素子のｐ形電極ｉｏと電界効果トランジスタ
のゲート電極９とを電気的に結線する必要がある。その
際、メサ加工部を被橢する絶縁膜７上に配線が渡ること
け不可避となる。このため、配線切れを生ずるなどの欠
点があった。
本発明は、これらの欠点を除去するだめ、受光素子の周
囲を完全に電界効果トランジスタで囲むように構成した
受光器を提供するものである。
囲を完全に電界効果トランジスタで囲むように構成した
受光器を提供するものである。
以下図面により本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の実施例を示したものである。
中心部に設けられた受光素子（−ｐ側電極１０．ｎ側電
極１］）の周囲を一平面上で完全に電、界効果トランジ
スタ（ゲートπＴ極９．ノースη−１、極１２．ドレイ
ン電極１３）で囲んだ構成になっている。
極１］）の周囲を一平面上で完全に電、界効果トランジ
スタ（ゲートπＴ極９．ノースη−１、極１２．ドレイ
ン電極１３）で囲んだ構成になっている。
第３図は第２図のＡ−Ａ’における断面図を示したもの
である。なお、第２図において実線は各層部位の」二面
側の外形を示し、点ｌｌ１ｌは各層部位の下面側の外形
を示している。受光素子と電界効果トランジスタが半絶
縁性半導体基板２上に積層されたｎ形半導体層３内にモ
ノリンツクにかつプレーナ形に構成されている。ここで
、受光素子はｎ形半導体層とｎ側電極１１．ｐ形半導体
層４とｐ側電極１０．および表面絶縁膜６．受光部反射
防止膜８とで構成されている。一方、電界効果トランジ
スタはソース電極１２．ドレイン正、極１３．ＰＮ接合
形ゲート（ｐ形半導体層５．ゲート電極９）および表面
絶縁膜６で構成さ、れでいる。なお、受光素子のｐ側電
極１０と電界効果トランジスタのゲート市極９とは表面
絶縁膜６上に同一面上において配線されている。才だ、
受光素子のｎ側電極１１と７１１界効果トランジスタの
ソース電極ｊ２ハ共有されている。
である。なお、第２図において実線は各層部位の」二面
側の外形を示し、点ｌｌ１ｌは各層部位の下面側の外形
を示している。受光素子と電界効果トランジスタが半絶
縁性半導体基板２上に積層されたｎ形半導体層３内にモ
ノリンツクにかつプレーナ形に構成されている。ここで
、受光素子はｎ形半導体層とｎ側電極１１．ｐ形半導体
層４とｐ側電極１０．および表面絶縁膜６．受光部反射
防止膜８とで構成されている。一方、電界効果トランジ
スタはソース電極１２．ドレイン正、極１３．ＰＮ接合
形ゲート（ｐ形半導体層５．ゲート電極９）および表面
絶縁膜６で構成さ、れでいる。なお、受光素子のｐ側電
極１０と電界効果トランジスタのゲート市極９とは表面
絶縁膜６上に同一面上において配線されている。才だ、
受光素子のｎ側電極１１と７１１界効果トランジスタの
ソース電極ｊ２ハ共有されている。
次に１本発明装置を動作させる方法について述々る。第
４図は高周波動作回路を各素子の略記号を用いて示しだ
ものである。受光素子１４のｐ電極には抵抗１６が、ま
た電界効果トランジスタ１５のドレイン電極には抵抗１
７がそれぞれ結ｍａれている。
４図は高周波動作回路を各素子の略記号を用いて示しだ
ものである。受光素子１４のｐ電極には抵抗１６が、ま
た電界効果トランジスタ１５のドレイン電極には抵抗１
７がそれぞれ結ｍａれている。
なお、破線で囲んだ領域２ｏが本発明装置になる部分で
ある。入射光信号は受光素子１４のｐ形半導体層を通し
てＰＮ接合部に入射され、電気信号に変換される。この
電気信号は抵抗１６を介して外部回路を流れるが、その
際、抵抗１Ｇの両端には当該信号に対応して電位勾配が
生ずる。この？ｌ（４位勾配に基づく電界効果トランジ
スタ１５のゲート拓位変化が、ドレイン正流の変化をも
たらす。従って、ドレインに結線された抵抗１７の両端
に発生する電位勾配として、増幅された電気信号が外部
端子１８゜１９に取り出される。
ある。入射光信号は受光素子１４のｐ形半導体層を通し
てＰＮ接合部に入射され、電気信号に変換される。この
電気信号は抵抗１６を介して外部回路を流れるが、その
際、抵抗１Ｇの両端には当該信号に対応して電位勾配が
生ずる。この？ｌ（４位勾配に基づく電界効果トランジ
スタ１５のゲート拓位変化が、ドレイン正流の変化をも
たらす。従って、ドレインに結線された抵抗１７の両端
に発生する電位勾配として、増幅された電気信号が外部
端子１８゜１９に取り出される。
以上の実施例においては、電界効果トランジスタのゲー
ト部はＰＮ接合で形成したものについて示したが、ショ
ットキ接合あるいは金属−絶縁膜接合などで形成するこ
とも可能である。
ト部はＰＮ接合で形成したものについて示したが、ショ
ットキ接合あるいは金属−絶縁膜接合などで形成するこ
とも可能である。
以上説明したように、本発明装し“シ１受光素子を完全
に囲むように電界効果トランジスタを設けているだめ、
？ｌＪ：気的な絶縁層が不必快となり、プレーナ化が容
易に図られ、素子製作７５費ｉ易になるばかりでなく、
素子構成上にも大きな利点が得られる。
に囲むように電界効果トランジスタを設けているだめ、
？ｌＪ：気的な絶縁層が不必快となり、プレーナ化が容
易に図られ、素子製作７５費ｉ易になるばかりでなく、
素子構成上にも大きな利点が得られる。
第１図は従来の電界効果トランジスタと受光素子とが集
積化された受光器の断面図、第２図は本発明装置の一実
施例の平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ’部分の断面図
、第４図は本発明装置の高周波動作回路図である。 １・・・従来の受光器、 ２・・・半絶縁性半導体基板
、３・・・ｎ形半導体層１．４．５・・ｐ形半導体層、
６．７・・・表面絶縁膜、 ８・・・反射防止膜、９・
・・ゲート電極、 １ｏ・・受光素子ｐ側電極、１１・
・・受光素子ｎ側電極、 １２・・・ノース電極、１３
・・・ドレイン電極、 １４・・受光素子の略記号、１
５・・・電界効果トランジスタの略記号、１６．１７・
・・抵抗、 １８．１９・・・外部電気端子、２０・・
・本発明の受光器。 特許出願人 １３本？ｉ１．情１１；話公社代 理 人
白 水 常 却。 外１名
積化された受光器の断面図、第２図は本発明装置の一実
施例の平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ’部分の断面図
、第４図は本発明装置の高周波動作回路図である。 １・・・従来の受光器、 ２・・・半絶縁性半導体基板
、３・・・ｎ形半導体層１．４．５・・ｐ形半導体層、
６．７・・・表面絶縁膜、 ８・・・反射防止膜、９・
・・ゲート電極、 １ｏ・・受光素子ｐ側電極、１１・
・・受光素子ｎ側電極、 １２・・・ノース電極、１３
・・・ドレイン電極、 １４・・受光素子の略記号、１
５・・・電界効果トランジスタの略記号、１６．１７・
・・抵抗、 １８．１９・・・外部電気端子、２０・・
・本発明の受光器。 特許出願人 １３本？ｉ１．情１１；話公社代 理 人
白 水 常 却。 外１名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ｉ）半絶縁性半導体基板上に、第１の導電形を有する
第１の半導体層と該第１の半導体層内に選択的に設けら
れた第１の導電形と相補の関係にある第２の導電形を有
する第２の半導体層とで構成された受光素子と、該受光
素子を一平面上で取囲むようなゲート部を有しかつ前記
第Ｊの半導体層内に形成された電界効果トランジスタと
がモノリンツクに設けられｆｃことを７１４１徴とする
受光器。 （２）前記電界効果トランジスタの前記ゲート部が前記
第２の半導体層で構成されたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の受光器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176368A JPS6068649A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 受光器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176368A JPS6068649A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 受光器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068649A true JPS6068649A (ja) | 1985-04-19 |
| JPH0245342B2 JPH0245342B2 (ja) | 1990-10-09 |
Family
ID=16012395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58176368A Granted JPS6068649A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 受光器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068649A (ja) |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58176368A patent/JPS6068649A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0245342B2 (ja) | 1990-10-09 |
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