JPS606942A - ホトレジスト - Google Patents
ホトレジストInfo
- Publication number
- JPS606942A JPS606942A JP11375383A JP11375383A JPS606942A JP S606942 A JPS606942 A JP S606942A JP 11375383 A JP11375383 A JP 11375383A JP 11375383 A JP11375383 A JP 11375383A JP S606942 A JPS606942 A JP S606942A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- etching
- photosensitive
- etching process
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、特に半導体製造工程等のエツチング処理工程
で使用されるホトレジストに関する。
で使用されるホトレジストに関する。
一般に、半導体製造工程等において、エツチング処理工
程は、クエへの表面に谷拙のパターン形成を行なうため
に必要となる夏要な工程の一つである。このようなエツ
チング処理工程では、通常ホトレジストが使用されてお
り、このホトレジストが被エツチング物の表面上にマス
クとして塗布されることにより、不要な部分のみが除去
される。
程は、クエへの表面に谷拙のパターン形成を行なうため
に必要となる夏要な工程の一つである。このようなエツ
チング処理工程では、通常ホトレジストが使用されてお
り、このホトレジストが被エツチング物の表面上にマス
クとして塗布されることにより、不要な部分のみが除去
される。
ところで、近年、高集積度の牛導体集槓回路の製造には
、高い精度の微細加工を必要とするため、エツチング処
理法として反応性イオンエツチング（以下Ｒ，Ｉエツチ
ングと称する）方式が多用されている。このＲＩエツチ
ング方式においても、ホトレジストがマスク（イオンの
ブロック材となる）として使用されている。ＲＩエツチ
ング方式では、グロー放電を利用したものが多用されて
いるが、この方式ではエツチング速度が比較的低いとい
う問題がある。例えは。
、高い精度の微細加工を必要とするため、エツチング処
理法として反応性イオンエツチング（以下Ｒ，Ｉエツチ
ングと称する）方式が多用されている。このＲＩエツチ
ング方式においても、ホトレジストがマスク（イオンの
ブロック材となる）として使用されている。ＲＩエツチ
ング方式では、グロー放電を利用したものが多用されて
いるが、この方式ではエツチング速度が比較的低いとい
う問題がある。例えは。
Ｓｉｎ、 （酸化シリコン）では４００ｋｌ鯛、アルミ
ニウム及びポリシリコンでは１ｏｏｏＡ、−程度のエツ
チング速度である。このため、高速ＲＩエツチング方式
としてマグネトロン放電なオリ用した方式が開発されて
いる。しかしながら、この方式では高速エツチングが可
能となるが、ウェハ全体がマグネトロン放電（高密度グ
シズマ）に包まれ、ブロック材であるホトレジストの劣
化が著しくなる欠点がある。また、エツチングの均一性
も比較的劣っている面がある。
ニウム及びポリシリコンでは１ｏｏｏＡ、−程度のエツ
チング速度である。このため、高速ＲＩエツチング方式
としてマグネトロン放電なオリ用した方式が開発されて
いる。しかしながら、この方式では高速エツチングが可
能となるが、ウェハ全体がマグネトロン放電（高密度グ
シズマ）に包まれ、ブロック材であるホトレジストの劣
化が著しくなる欠点がある。また、エツチングの均一性
も比較的劣っている面がある。
本３６明は上記の事情に鑑みてなされたもので、その目
的は、ホトレジストを使用した反応性イオンエツチング
処理工程において、高速のエツチング速度を実現し、し
かもブロック材として確実に機能するようなホトレジス
トを提供することにある。
的は、ホトレジストを使用した反応性イオンエツチング
処理工程において、高速のエツチング速度を実現し、し
かもブロック材として確実に機能するようなホトレジス
トを提供することにある。
〔発明の実施例〕
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。第ヰ図は一実施例に係るホトレジストを用いた半導体
装置の製造工程を示す図である。このようなＲＩエツチ
ング処理工程において使用されるホトレジストは、第１
図に示すように通常の感光性レジスト１０に磁性粉末１
１を混合分散させて成る。感光性レジスト１０は、例え
は紫外線、遠紫外腺、Ｘ線または電子線等の感光喝・性
を有する感光性樹脂基材で、例えばネガ形レジストの場
合には、環化ポリインプレーン及び環化ポリブタジェン
と、感光性化合物とで王に構成され又ポジ形レジストの
場合には、ノボラック樹脂と感光性化合物とで主に構成
される。また、磁性粉末１１は、例えばｒ−Ｆｅ２０．
（ガｙ マ（ｄｉ化鉄）、Ｃ［２０８，マタハコバルト
合金等の強磁性微粒子（１μｍ以下の斜状）の粉末であ
る。この磁性粉末１１が、１（貨比で例えは０．１〜９
０％の割合で感光性レジストＩＯに均一になるように混
合分散される。この場合。
。第ヰ図は一実施例に係るホトレジストを用いた半導体
装置の製造工程を示す図である。このようなＲＩエツチ
ング処理工程において使用されるホトレジストは、第１
図に示すように通常の感光性レジスト１０に磁性粉末１
１を混合分散させて成る。感光性レジスト１０は、例え
は紫外線、遠紫外腺、Ｘ線または電子線等の感光喝・性
を有する感光性樹脂基材で、例えばネガ形レジストの場
合には、環化ポリインプレーン及び環化ポリブタジェン
と、感光性化合物とで王に構成され又ポジ形レジストの
場合には、ノボラック樹脂と感光性化合物とで主に構成
される。また、磁性粉末１１は、例えばｒ−Ｆｅ２０．
（ガｙ マ（ｄｉ化鉄）、Ｃ［２０８，マタハコバルト
合金等の強磁性微粒子（１μｍ以下の斜状）の粉末であ
る。この磁性粉末１１が、１（貨比で例えは０．１〜９
０％の割合で感光性レジストＩＯに均一になるように混
合分散される。この場合。
磁性粉末１１の含有量は、レジストＩＯの粘性および使
用磁性強度等により調整されることになる。
用磁性強度等により調整されることになる。
このようなホトレジスト（通常磁性粉末１１の含有−が
３０重址チの組成のもの）１２を使用したＲＩエツチン
グ（反応性イオンエツチング）処理工程を第２図（５）
〜（１））を参照して具体的に説明する。まず、同図（
５）に示すように基板（例えば半導体基板）１３上の被
エツチング材（例えは５ｉ０２％ポリシリコン、アルミ
ニウム膜で、以下被加工体と称する）１４０表面上に対
して、上記のようなホトレジスト１２が例えばｌμｒＴ
ｌ〜２μｍ程度の厚さで塗布される。さらＫ。
３０重址チの組成のもの）１２を使用したＲＩエツチン
グ（反応性イオンエツチング）処理工程を第２図（５）
〜（１））を参照して具体的に説明する。まず、同図（
５）に示すように基板（例えば半導体基板）１３上の被
エツチング材（例えは５ｉ０２％ポリシリコン、アルミ
ニウム膜で、以下被加工体と称する）１４０表面上に対
して、上記のようなホトレジスト１２が例えばｌμｒＴ
ｌ〜２μｍ程度の厚さで塗布される。さらＫ。
ホトレジスト１２に対して、紫外光線等による霧光が行
なわれ、さらに現像がなされて所定のレジストパターン
が形成される（同図（Ｂ） ） ｏこの場合も視像では
１例えばネガ形のレジスト１２に対しては酢酸ブチル系
、またポジ形のレジスト１２に対してはコリン糸のエツ
チング液が使用される。
なわれ、さらに現像がなされて所定のレジストパターン
が形成される（同図（Ｂ） ） ｏこの場合も視像では
１例えばネガ形のレジスト１２に対しては酢酸ブチル系
、またポジ形のレジスト１２に対してはコリン糸のエツ
チング液が使用される。
そして％現像後のホトレジストＩ２に幻してベーキング
が行なわれ、同図（Ｃ）に示すように外部から磁場１５
が加えられる。この磁場Ｉ５により、ホトレジスト１２
中の磁性粉末の磁区の整合が行なわれる。このようなホ
トレジスト１２をブロック材として、例えばグロー放電
を利用したＲ１エツチング処理が被加工体１４に対して
施される。これにより、同図ｐ）に示すように１ブロツ
ク材（ホトレジスト１２）に応じた被加工体１４の不要
部分がエツチングされ、被加工体１４に均するパターン
形成が行なわれる。
が行なわれ、同図（Ｃ）に示すように外部から磁場１５
が加えられる。この磁場Ｉ５により、ホトレジスト１２
中の磁性粉末の磁区の整合が行なわれる。このようなホ
トレジスト１２をブロック材として、例えばグロー放電
を利用したＲ１エツチング処理が被加工体１４に対して
施される。これにより、同図ｐ）に示すように１ブロツ
ク材（ホトレジスト１２）に応じた被加工体１４の不要
部分がエツチングされ、被加工体１４に均するパターン
形成が行なわれる。
このようにして、Ｈ１エツチング処理により、被加工体
１４に均してパターン形成が行なわれることになり、例
えばＬＳＩ等の高集積度の集積回路の製造に必要な微細
加工を行なうことができる。この場合、従来イオン化効
率の低いグロー放電をオリ用したＲＩエツチング処理の
場合でも、上記のように磁性粉末を含有するホトレジス
ト１２がブロック材として使用されているため、そのイ
オン化が磁性粉末により促進されることになる。このた
め、磁界周辺に高い密度のマグネトロン放電が生じるこ
とになり、エッチング速度は比較的筒速となる。例えば
、被加工体１４が５ｉｎ２．ポリシリコン、アルミニウ
ムである場合には、ｌｐｍ／ｗ８度の高速のエツチング
速度が得られる。また、マグネトロン放電では、磁界が
発生する場所にのみルーズ状の高密度プラズマが発生す
るため、被加工体１４に対して商い精度で選択的にエツ
チングがなされる。
１４に均してパターン形成が行なわれることになり、例
えばＬＳＩ等の高集積度の集積回路の製造に必要な微細
加工を行なうことができる。この場合、従来イオン化効
率の低いグロー放電をオリ用したＲＩエツチング処理の
場合でも、上記のように磁性粉末を含有するホトレジス
ト１２がブロック材として使用されているため、そのイ
オン化が磁性粉末により促進されることになる。このた
め、磁界周辺に高い密度のマグネトロン放電が生じるこ
とになり、エッチング速度は比較的筒速となる。例えば
、被加工体１４が５ｉｎ２．ポリシリコン、アルミニウ
ムである場合には、ｌｐｍ／ｗ８度の高速のエツチング
速度が得られる。また、マグネトロン放電では、磁界が
発生する場所にのみルーズ状の高密度プラズマが発生す
るため、被加工体１４に対して商い精度で選択的にエツ
チングがなされる。
したがって、ブロック材であるホトレジスト１２に対し
てもマグネトロン放電の作用σ〕範Ｌ′１１は限定され
ているため、ホトレジス）１２が著しく劣化するような
事態を防止できる。
てもマグネトロン放電の作用σ〕範Ｌ′１１は限定され
ているため、ホトレジス）１２が著しく劣化するような
事態を防止できる。
以上計速したように本発明によれは、磁性粉末を含有し
たホトレジストを使用することにより、反応性イオンエ
ツチング処理工程において高速のエツチング速度を実現
でき、しかも高い精度のエツチング処理を行なうことが
できる。
たホトレジストを使用することにより、反応性イオンエ
ツチング処理工程において高速のエツチング速度を実現
でき、しかも高い精度のエツチング処理を行なうことが
できる。
また１反応性イオンエツチングに利用されるマグネトロ
ン放電の発生を磁界の発生する場所のみに限定できるた
め、ブロック材としてのホトレジストが著しく劣化する
ことを防止できる。
ン放電の発生を磁界の発生する場所のみに限定できるた
め、ブロック材としてのホトレジストが著しく劣化する
ことを防止できる。
したがって、結果的に、反応性イオンエツチング処理を
高い効率で確実に行なうことができ、微細加工を必要と
する高集積度の半導体集積回路等の製造を確実に行なう
ことができる効果が得られるものである。
高い効率で確実に行なうことができ、微細加工を必要と
する高集積度の半導体集積回路等の製造を確実に行なう
ことができる効果が得られるものである。
第１図は本発明の一実施例に係るホトレジストの構成を
示すため、のブロック図、第２図は第１図のホトレジス
トを使用した反応性イオンエツチング処理工程を説明す
るための断面図である。 １２・・・ホトレジスト、１３・・・基板、１４・・・
被エツチング材。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 オタ未 ニ「＝ こし−′°スト 第２図 １１７寸 ＋１１ ト１〇 １２
示すため、のブロック図、第２図は第１図のホトレジス
トを使用した反応性イオンエツチング処理工程を説明す
るための断面図である。 １２・・・ホトレジスト、１３・・・基板、１４・・・
被エツチング材。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 オタ未 ニ「＝ こし−′°スト 第２図 １１７寸 ＋１１ ト１〇 １２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）感光性樹脂基材に微粒子の磁性材料を混合して成
ることを特徴とするホトレジスト。 （２、特許請求の範囲第１項記載のホトレジストにおい
て、前記磁性材料が０．１〜９０重量多で、残部の前記
感光性樹脂基材が、主として環化ポリインブレーン及び
環化ポリブタジェンと感光性化合物とで構成されて成る
ことを特徴とするホトレジスト。 （３）特許請求の範囲第１項記載のホトレジストにおい
て、前記磁性材料が０．１〜９０重ｉｔ％で、残部の前
記感光性樹脂基材が、主としてノボラック樹脂と感光性
化合物とで構成されて成ることを特徴とするホトレジス
ト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11375383A JPS606942A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | ホトレジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11375383A JPS606942A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | ホトレジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS606942A true JPS606942A (ja) | 1985-01-14 |
Family
ID=14620251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11375383A Pending JPS606942A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | ホトレジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606942A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05134402A (ja) * | 1991-02-26 | 1993-05-28 | Hitachi Ltd | ドライエツチング用レジストマスク並びにそのレジストマスク樹脂組成物とそのレジストマスクを用いたドライエツチングによる微細加工方法 |
| US5326608A (en) * | 1991-06-21 | 1994-07-05 | Tdk Corporation | Disc cartridge |
| US5498456A (en) * | 1991-06-21 | 1996-03-12 | Tdk Corporation | Disc cartridge |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP11375383A patent/JPS606942A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05134402A (ja) * | 1991-02-26 | 1993-05-28 | Hitachi Ltd | ドライエツチング用レジストマスク並びにそのレジストマスク樹脂組成物とそのレジストマスクを用いたドライエツチングによる微細加工方法 |
| US5326608A (en) * | 1991-06-21 | 1994-07-05 | Tdk Corporation | Disc cartridge |
| US5498456A (en) * | 1991-06-21 | 1996-03-12 | Tdk Corporation | Disc cartridge |
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