JPS6070345A - ガス漏れ検知装置 - Google Patents
ガス漏れ検知装置Info
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- JPS6070345A JPS6070345A JP58178215A JP17821583A JPS6070345A JP S6070345 A JPS6070345 A JP S6070345A JP 58178215 A JP58178215 A JP 58178215A JP 17821583 A JP17821583 A JP 17821583A JP S6070345 A JPS6070345 A JP S6070345A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/122—Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/007—Arrangements to check the analyser
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
タ線加熱のためにパルス電源を使うとともにヒータ線に
電圧を印加している期間と印加していない期間にわたり
、常にヒータ線の断線を検出可能としたものである。
電圧を印加している期間と印加していない期間にわたり
、常にヒータ線の断線を検出可能としたものである。
従来からＣＯ 、メタン、ＬＰＧ，水素並びにその他の
可燃性ガスを感知する物質としてＷＯ，。
可燃性ガスを感知する物質としてＷＯ，。
８ｎＯ 、 ＺｎＯ等の還元型半導体とＣｏｏ 、 Ｎ
ｉＯ 。
ｉＯ 。
Ｏｎ，Ｏ等の酸化型半導体と称する（以下これ等を金属
酸化物半導体と総称する）ものが知られており、ガスイ
オンを吸着したときに生ずるこれ等金属酸化物半導体の
導電度或は抵抗値の変化による電気変化を利用して下記
の構成のようにガス検知素子を単体として作成し警報装
置と組合せガス漏れ警報装置に用いられている。このガ
ス検知素子としては、通常第１図に示すようにヒータ線
／ａを磁器製管ｌｂ内を貫通せしめて更にこの磁器製管
／ｂの外側面に金属酸化物半導体層或は抵抗体層／ｃを
設けその上に電極ｔｄ，，ｔｅＬ，を間隔をおいて対峙
ぜしめた所謂傍熱型素子と第２図に路線図で示すように
ヒータ線が／対の電極の一方／ｄ，を兼ねた直熱型素子
とが用いられている。又ガス検知素子／としては第１図
の場合の変形としてヒータ線／ａを磁器製管／ｂ内を通
すことなく半導体層または抵抗体層／Ｃの外側に設ける
こともできる。尚、これ等ガス検知素子にヒータ線を使
用するのは。
酸化物半導体と総称する）ものが知られており、ガスイ
オンを吸着したときに生ずるこれ等金属酸化物半導体の
導電度或は抵抗値の変化による電気変化を利用して下記
の構成のようにガス検知素子を単体として作成し警報装
置と組合せガス漏れ警報装置に用いられている。このガ
ス検知素子としては、通常第１図に示すようにヒータ線
／ａを磁器製管ｌｂ内を貫通せしめて更にこの磁器製管
／ｂの外側面に金属酸化物半導体層或は抵抗体層／ｃを
設けその上に電極ｔｄ，，ｔｅＬ，を間隔をおいて対峙
ぜしめた所謂傍熱型素子と第２図に路線図で示すように
ヒータ線が／対の電極の一方／ｄ，を兼ねた直熱型素子
とが用いられている。又ガス検知素子／としては第１図
の場合の変形としてヒータ線／ａを磁器製管／ｂ内を通
すことなく半導体層または抵抗体層／Ｃの外側に設ける
こともできる。尚、これ等ガス検知素子にヒータ線を使
用するのは。
通常前述の半導体を１００℃〜グθθ℃の高温度に加熱
するとガスの吸着反応が促進されるので微量のカスを感
知できるようにガスの検出感度をあげるためであるが、
なかには通常はヒータ線を加熱せず低い温度状態でカス
を吸着せしめることｌこより、その導電度が変ることを
利用する場合もあり、この場合はカスを素子から脱着す
るためにヒータ線を用いるのであるが、本発明装置は後
者のヒータ線を間欠的に加熱するタイプに関するもので
ある。このようなガス検知素子を用いたガス漏れ警報装
置では常に正常な動作態勢を必要とするが、しばしば断
線事故が起るため、ガス検知素子を加熱するヒータ線に
流れる電流を監視して断線を検出したり半導体にけずれ
たり傷がついたり電極の接触不良つまり、ガス検知素子
の破損に起因するガス検知素子の出力の有無を監視して
断線を検出したりすることが提案されているが，ヒータ
線の断線とガス検知素子の破損の検出を同時に検出表示
することは考えられなかった。しかもガス検知素子は比
較的寿命が短いため常にガス検知素子の動作には監視が
必要であり、ガス検知素子の故障によるガス漏れ時の不
作動の事故による危険を防止するこきは重要である。
するとガスの吸着反応が促進されるので微量のカスを感
知できるようにガスの検出感度をあげるためであるが、
なかには通常はヒータ線を加熱せず低い温度状態でカス
を吸着せしめることｌこより、その導電度が変ることを
利用する場合もあり、この場合はカスを素子から脱着す
るためにヒータ線を用いるのであるが、本発明装置は後
者のヒータ線を間欠的に加熱するタイプに関するもので
ある。このようなガス検知素子を用いたガス漏れ警報装
置では常に正常な動作態勢を必要とするが、しばしば断
線事故が起るため、ガス検知素子を加熱するヒータ線に
流れる電流を監視して断線を検出したり半導体にけずれ
たり傷がついたり電極の接触不良つまり、ガス検知素子
の破損に起因するガス検知素子の出力の有無を監視して
断線を検出したりすることが提案されているが，ヒータ
線の断線とガス検知素子の破損の検出を同時に検出表示
することは考えられなかった。しかもガス検知素子は比
較的寿命が短いため常にガス検知素子の動作には監視が
必要であり、ガス検知素子の故障によるガス漏れ時の不
作動の事故による危険を防止するこきは重要である。
このような点を考慮して本発明ではガス検知素子のヒー
タ線の断線と半導体の損傷切断或は半導体と両電極との
接触不良等による素子の破損事故をも検出表示すること
ができるガス漏れ警報装置を提供するものである。
タ線の断線と半導体の損傷切断或は半導体と両電極との
接触不良等による素子の破損事故をも検出表示すること
ができるガス漏れ警報装置を提供するものである。
更に本発明では、ヒータ線の加熱電源としてパルス発生
器よりのパルス電圧を用いたもので、これにより検知素
子を高温状態と低温状態つまり加熱期間と加熱停止期間
をもたせることになり，ガス検知素子の特性であるガス
検出とカス脱着とを円滑に行うものである。
器よりのパルス電圧を用いたもので、これにより検知素
子を高温状態と低温状態つまり加熱期間と加熱停止期間
をもたせることになり，ガス検知素子の特性であるガス
検出とカス脱着とを円滑に行うものである。
尚パルス電圧を用いることによりガス検知素子を低温に
するためにヒータ線に′電圧を印加しない期間をこれに
あてることになるが、これはヒータに電流が流れない点
では断線と同じ現象をもつことになる。
するためにヒータ線に′電圧を印加しない期間をこれに
あてることになるが、これはヒータに電流が流れない点
では断線と同じ現象をもつことになる。
本発明ではこのようなヒータに電圧を印加していない期
間においてもガス検知素子のヒータ線並びに半導体等に
おける破損事故を確実に検出して故障の表示警報を行う
ものである。
間においてもガス検知素子のヒータ線並びに半導体等に
おける破損事故を確実に検出して故障の表示警報を行う
ものである。
次に本発明の一実施例回路構成図について第３図で説明
する。尚、第Ｖ図は第３図における主要部分のパルスジ
ェネレータの波形に応じた時間線図である。
する。尚、第Ｖ図は第３図における主要部分のパルスジ
ェネレータの波形に応じた時間線図である。
図でＰＧはパルスジエ不レータ，／は第１図で示すガス
検知素子であり、ヒータ線／ａと半導体／Ｃ（正確には
電極／ｄ１と／ｃ１２間に接続される半導体の導電度或
は抵抗値）とを監視回路接続に含んでいる。パルスジェ
ネレータＰＧにダイオードＤをへて接続する側のヒータ
線／ａは十電源より直列抵抗ＲＩ ｒ Ｒ２をへて接続
され、抵抗Ｒ，とＲ７の接続部はトランジスタＱ１のベ
ースに接続される。ヒータ＠ｌａの他端は抵抗Ｒ３をへ
て接地されるとともに抵抗Ｒ４ｆへてトランジスタＱ、
のベースに接続される。ガス検知素子／の半導体／Ｃの
１方・電極側は抵抗Ｒ３をへて接地されるとともに比較
器Ｃ！ＯＭ、の＋側入力端子と比較器００Ｍ、の−個入
力端子に接続され、他方室°極側は十電源端子Ｂ、に接
続される。
検知素子であり、ヒータ線／ａと半導体／Ｃ（正確には
電極／ｄ１と／ｃ１２間に接続される半導体の導電度或
は抵抗値）とを監視回路接続に含んでいる。パルスジェ
ネレータＰＧにダイオードＤをへて接続する側のヒータ
線／ａは十電源より直列抵抗ＲＩ ｒ Ｒ２をへて接続
され、抵抗Ｒ，とＲ７の接続部はトランジスタＱ１のベ
ースに接続される。ヒータ＠ｌａの他端は抵抗Ｒ３をへ
て接地されるとともに抵抗Ｒ４ｆへてトランジスタＱ、
のベースに接続される。ガス検知素子／の半導体／Ｃの
１方・電極側は抵抗Ｒ３をへて接地されるとともに比較
器Ｃ！ＯＭ、の＋側入力端子と比較器００Ｍ、の−個入
力端子に接続され、他方室°極側は十電源端子Ｂ、に接
続される。
トランジスタＱ１のコレクタは抵抗Ｒ７ヲへて接地され
るとともにノア回路ＮＯＨの一方端子に接続され、トラ
ンジスタＱ、のコレクタは抵抗Ｒ６をへて十電源端子Ｂ
１に接続されるとともに、インバータＩＮＶをへてノア
回路ＮＯＨの他端子に接続される。比較器００Ｍ、の−
個入力端子は抵抗Ｒ８をへて十電源端子Ｂ１に、又抵抗
Ｒ０をへて接地Ｅする。又比較器００Ｍ、の出力側は抵
抗Ｒｓｏ ｒ Ｒｈ ’にへて接地されるとともに、抵
抗Ｒ１ｏと”＋１の接続部はトランジスタ（又はサイリ
スタのようなゲート極付半導体）Ｑ３のゲート極に結ば
れ、このトランジスタＱ３のアノードは警報表示灯ＬＥ
Ｄ、抵抗Ｒ１２をへて警報表示用端子Ｂ２に接続され、
トランジスタＱ３のカソードは接地Ｅされる。又ノア回
路ＮＯＲの出力側は抵抗Ｒ＋ｓｆへて、比較器００Ｍ２
の＋側入力端子に接続され、又この＋側入力端子は抵抗
ＲＩ４をへて十電源端子Ｂ、に接続される。比較器００
Ｍ。
るとともにノア回路ＮＯＨの一方端子に接続され、トラ
ンジスタＱ、のコレクタは抵抗Ｒ６をへて十電源端子Ｂ
１に接続されるとともに、インバータＩＮＶをへてノア
回路ＮＯＨの他端子に接続される。比較器００Ｍ、の−
個入力端子は抵抗Ｒ８をへて十電源端子Ｂ１に、又抵抗
Ｒ０をへて接地Ｅする。又比較器００Ｍ、の出力側は抵
抗Ｒｓｏ ｒ Ｒｈ ’にへて接地されるとともに、抵
抗Ｒ１ｏと”＋１の接続部はトランジスタ（又はサイリ
スタのようなゲート極付半導体）Ｑ３のゲート極に結ば
れ、このトランジスタＱ３のアノードは警報表示灯ＬＥ
Ｄ、抵抗Ｒ１２をへて警報表示用端子Ｂ２に接続され、
トランジスタＱ３のカソードは接地Ｅされる。又ノア回
路ＮＯＲの出力側は抵抗Ｒ＋ｓｆへて、比較器００Ｍ２
の＋側入力端子に接続され、又この＋側入力端子は抵抗
ＲＩ４をへて十電源端子Ｂ、に接続される。比較器００
Ｍ。
の出力側は抵抗Ｒ１！ｌ ｌ Ｒ１８ｆへて接地される
とともに、抵抗ＲＩＢとＲ１６の接続部がトランジスタ
（又はサイリスクのようなゲート極付半導体）Ｑ４のゲ
ートに結ばれ、トランジスタＱ４のアノードは故障表示
灯ＬＥＤ２をへて故障表示端子Ｂ３に接続され、トラン
ジスタＱ４のカソードは接地される。第ｖ図はパルスジ
ェネレータＰＧのパルス電圧に対しヒータ線／ａ、抵抗
Ｒ８の電圧降下、トランジスタＱ、、 、 Ｑ、のオン
オフ、インバータ回路工ＮＶの反転状況ノア回路ＮＯＲ
，比較器ＣＯＭｔの出力並びにトランジスタＱ４の出力
に関する波形を示している。
とともに、抵抗ＲＩＢとＲ１６の接続部がトランジスタ
（又はサイリスクのようなゲート極付半導体）Ｑ４のゲ
ートに結ばれ、トランジスタＱ４のアノードは故障表示
灯ＬＥＤ２をへて故障表示端子Ｂ３に接続され、トラン
ジスタＱ４のカソードは接地される。第ｖ図はパルスジ
ェネレータＰＧのパルス電圧に対しヒータ線／ａ、抵抗
Ｒ８の電圧降下、トランジスタＱ、、 、 Ｑ、のオン
オフ、インバータ回路工ＮＶの反転状況ノア回路ＮＯＲ
，比較器ＣＯＭｔの出力並びにトランジスタＱ４の出力
に関する波形を示している。
次をこ第３図に関して第グ図と関連づけて本発明装置の
動作説明を行う。まずガス検知素子／が正常な場合、パ
ルスジェネレータＰＧよりのパルス電圧に従ってヒータ
線／ａに電圧が印加される期間には抵抗Ｒ３の電圧降下
が発生し、トランジスタＱ２はオンとなるが、トランジ
スタＱ、はオフとなり、ノア回路ＮＯＨのトランジスタ
Ｑ１ 側の入力はＬ（ロー）となり、又トランジスタＱ
、側はオンで、インバータ回路ＩＮＶをへてノア回路Ｎ
ＯＨの他方の入力はＨ（ハイ）となり、ノア回路ＮＯＲ
の出力はＬで比較器００Ｍ２の＋側入力端子には電源電
圧を抵抗Ｒ１４と”１３で分割した電圧が加わる。又比
較器ＣＯＭ、の一側入力端子には半導体／Ｃに流れる電
流が正常であれば、予め抵抗Ｒ３の電圧降下が＋側入力
端子電圧より高く設定されていて比較器００Ｍ２は出力
をださず、トランジスタＱ４はオフで故障表示灯ＬＥＤ
、は点灯しない。又パルスジェネレータＰＧよりのパル
ス電圧に従ってヒータ線／ａに電圧が印加されない期間
には抵抗Ｒ８の電圧降下はなくて、トランジスタＱ２は
オフでインバータ回路工ＮＶをへてノア回路ＮＯＨの一
端にはＬが与えられる。又トランジスタＱ１は、パルス
ジェネレータＰＧが出力を生じない時には抵抗Ｒ１に生
じる電圧降下によりオンとなり、ノア回路ＮＯＲの他端
にＨが馬えられ、ノア回路ＮＯＨの出力はＬでこの場合
も、比較回路ＣＯＭ。
動作説明を行う。まずガス検知素子／が正常な場合、パ
ルスジェネレータＰＧよりのパルス電圧に従ってヒータ
線／ａに電圧が印加される期間には抵抗Ｒ３の電圧降下
が発生し、トランジスタＱ２はオンとなるが、トランジ
スタＱ、はオフとなり、ノア回路ＮＯＨのトランジスタ
Ｑ１ 側の入力はＬ（ロー）となり、又トランジスタＱ
、側はオンで、インバータ回路ＩＮＶをへてノア回路Ｎ
ＯＨの他方の入力はＨ（ハイ）となり、ノア回路ＮＯＲ
の出力はＬで比較器００Ｍ２の＋側入力端子には電源電
圧を抵抗Ｒ１４と”１３で分割した電圧が加わる。又比
較器ＣＯＭ、の一側入力端子には半導体／Ｃに流れる電
流が正常であれば、予め抵抗Ｒ３の電圧降下が＋側入力
端子電圧より高く設定されていて比較器００Ｍ２は出力
をださず、トランジスタＱ４はオフで故障表示灯ＬＥＤ
、は点灯しない。又パルスジェネレータＰＧよりのパル
ス電圧に従ってヒータ線／ａに電圧が印加されない期間
には抵抗Ｒ８の電圧降下はなくて、トランジスタＱ２は
オフでインバータ回路工ＮＶをへてノア回路ＮＯＨの一
端にはＬが与えられる。又トランジスタＱ１は、パルス
ジェネレータＰＧが出力を生じない時には抵抗Ｒ１に生
じる電圧降下によりオンとなり、ノア回路ＮＯＲの他端
にＨが馬えられ、ノア回路ＮＯＨの出力はＬでこの場合
も、比較回路ＣＯＭ。
は出力をださずトランジスタＱ４をオフにした才＼であ
り、故障表示灯ＬＥＤ２ も点灯しない。
り、故障表示灯ＬＥＤ２ も点灯しない。
しかし検知素子ｌのヒータ線／ａが断線し１こ場合、ト
ランジスタＱ、 、 Ｑ２ は共にオフとなり、ノア回
路ＮＯＨの出力がＨとなって比較器Ｃ０Ｍ２の＋側入力
端子電圧が高くなり、比較器Ｃ０Ｍ２は出力をとりだし
、トランジスタＱ４のゲートに電圧が加えられてトラン
ジスタＱ４はオンとなり、故障表示灯ＬＦｉＤ２は点灯
し故障を知らせるとともに故障信号を外部の受信機側に
与える。
ランジスタＱ、 、 Ｑ２ は共にオフとなり、ノア回
路ＮＯＨの出力がＨとなって比較器Ｃ０Ｍ２の＋側入力
端子電圧が高くなり、比較器Ｃ０Ｍ２は出力をとりだし
、トランジスタＱ４のゲートに電圧が加えられてトラン
ジスタＱ４はオンとなり、故障表示灯ＬＦｉＤ２は点灯
し故障を知らせるとともに故障信号を外部の受信機側に
与える。
又検知素子／の半導体／Ｃが断線した場合、抵抗Ｒ６の
電圧降下ははゾＯＶで比較器００Ｍ、は働かないが、比
較器００Ｍ、の−側入カ端子は低下し＋側入力端子の抵
抗Ｒ１４とＲ１３による分割電圧より低くなるので比較
器００Ｍ２の出力がとりだされ、トランジスタＱ４のゲ
ート電圧を適当にあげるので、これをオンとし、故障表
示灯ＬＩＩＣＤ、を点灯して、故障表示を行う。尚ガス
検知素子／のガス検知にあたっては半導体／Ｃの抵抗値
が変わり減じることにより、流れる電流は増して抵抗Ｒ
３の電圧降下が大となり、比較器００Ｍ、の−個入力端
子に加わる十電源端子より抵抗Ｒ８をへた電圧より大と
なり比較器００ Ｍｌは出力をとりだしトランジスタＱ
、のゲート電圧を上昇せしめて、これをオンとし警報表
示灯ＬＥＤ、を点灯するとともに警報信号を受信機側に
与えるのである。
電圧降下ははゾＯＶで比較器００Ｍ、は働かないが、比
較器００Ｍ、の−側入カ端子は低下し＋側入力端子の抵
抗Ｒ１４とＲ１３による分割電圧より低くなるので比較
器００Ｍ２の出力がとりだされ、トランジスタＱ４のゲ
ート電圧を適当にあげるので、これをオンとし、故障表
示灯ＬＩＩＣＤ、を点灯して、故障表示を行う。尚ガス
検知素子／のガス検知にあたっては半導体／Ｃの抵抗値
が変わり減じることにより、流れる電流は増して抵抗Ｒ
３の電圧降下が大となり、比較器００Ｍ、の−個入力端
子に加わる十電源端子より抵抗Ｒ８をへた電圧より大と
なり比較器００ Ｍｌは出力をとりだしトランジスタＱ
、のゲート電圧を上昇せしめて、これをオンとし警報表
示灯ＬＥＤ、を点灯するとともに警報信号を受信機側に
与えるのである。
第５図はガス検知素子のヒータと電極の一方を兼用せし
めた場合の実施例回路構成図で、第３図のように受信機
送出タイプと異りガス探知器タイプのものであるが、勿
論受信機送出タイプに用いることもできる。
めた場合の実施例回路構成図で、第３図のように受信機
送出タイプと異りガス探知器タイプのものであるが、勿
論受信機送出タイプに用いることもできる。
第５図でｌは第２図で示すタイプのガス検知素子で／（
Ｌ、がヒータ兼１方電極、／ｄ２は他方電極で間に半導
体／Ｃを介在せしめるものであり、パルスジェネレータ
ＰＧ、比較器０９Ｍ、 、 （４０Ｍ２゜ノア回路ＮＯ
Ｒ，管轄表示灯ＬＥＤ、 、−故障表示灯ＬＥＤ、は便
宜上第３図と同じ符号を使用するものとする。才ずパル
スジェネレータＰＧよりダイオードＤをへてガス検知素
子／のヒータ兼一方電極／ａ３をへて抵抗Ｒ２１より電
源Ｅ、の＋側端子に接続され抵抗”２＋の素子ｌ側の接
続点は抵抗ＲｔｓをへてトランジスタＱ、のベースニ与
えられる。又パルスジェネレータＰＧよりタイオードＤ
をへてトランジスタＱ、のエミッタに、更にダイオード
Ｄをへて抵抗Ｒ１８ｒ ＲＩｏ ｆへて接地され、抵抗
ＲＩｌｌとＲＩＯの接続点はトランジスタＱ、のベース
に接続され、トランジスタＱ、のコレクタは抵抗Ｒ２ｏ
をへて接地されるとともにノア回路ＮＯＲの／実入力端
子に接続される。
Ｌ、がヒータ兼１方電極、／ｄ２は他方電極で間に半導
体／Ｃを介在せしめるものであり、パルスジェネレータ
ＰＧ、比較器０９Ｍ、 、 （４０Ｍ２゜ノア回路ＮＯ
Ｒ，管轄表示灯ＬＥＤ、 、−故障表示灯ＬＥＤ、は便
宜上第３図と同じ符号を使用するものとする。才ずパル
スジェネレータＰＧよりダイオードＤをへてガス検知素
子／のヒータ兼一方電極／ａ３をへて抵抗Ｒ２１より電
源Ｅ、の＋側端子に接続され抵抗”２＋の素子ｌ側の接
続点は抵抗ＲｔｓをへてトランジスタＱ、のベースニ与
えられる。又パルスジェネレータＰＧよりタイオードＤ
をへてトランジスタＱ、のエミッタに、更にダイオード
Ｄをへて抵抗Ｒ１８ｒ ＲＩｏ ｆへて接地され、抵抗
ＲＩｌｌとＲＩＯの接続点はトランジスタＱ、のベース
に接続され、トランジスタＱ、のコレクタは抵抗Ｒ２ｏ
をへて接地されるとともにノア回路ＮＯＲの／実入力端
子に接続される。
ガス検知素子ｌの他方電極／ｄ２は、抵抗”２２をへて
接地されるとともに比較器００Ｍ、の十入力端子、比較
器００Ｍ２の一人力に接続される。
接地されるとともに比較器００Ｍ、の十入力端子、比較
器００Ｍ２の一人力に接続される。
トランジスタＱ６のコレクタは抵抗”２４をへて接地さ
れるとともにノア回路ＮＯＨの他方端子に接続される。
れるとともにノア回路ＮＯＨの他方端子に接続される。
ノア回路ＮＯＨの出力は抵抗Ｒ，をへて比較器００Ｍの
＋側入力端子に与えられ、電源Ｅの電圧が直列抵抗Ｒ２
ｊ ｒ Ｒ１６の両端に与えられ、抵抗Ｒ１！１とＲ１
６の接続部は比較器００Ｍ１の一側入力端子に接続され
る。比較器Ｃ！ＯＭ、の出力は抵抗Ｒ２７１Ｒ２８をへ
て接地され、抵抗Ｒｔ７ＬＲｔｓの接続部はトランジス
タ又はＢＯＲのようなゲート極付半導体Ｑ、のゲート極
に接続され、トランジスタＱ７のアノードは警報表示灯
ＬＥＤ、抵抗Ｒｔｏをへて電源Ｅ１の子端子に同カソー
ドは接地される。比較器００Ｍ、の＋側入力端子は。
＋側入力端子に与えられ、電源Ｅの電圧が直列抵抗Ｒ２
ｊ ｒ Ｒ１６の両端に与えられ、抵抗Ｒ１！１とＲ１
６の接続部は比較器００Ｍ１の一側入力端子に接続され
る。比較器Ｃ！ＯＭ、の出力は抵抗Ｒ２７１Ｒ２８をへ
て接地され、抵抗Ｒｔ７ＬＲｔｓの接続部はトランジス
タ又はＢＯＲのようなゲート極付半導体Ｑ、のゲート極
に接続され、トランジスタＱ７のアノードは警報表示灯
ＬＥＤ、抵抗Ｒｔｏをへて電源Ｅ１の子端子に同カソー
ドは接地される。比較器００Ｍ、の＋側入力端子は。
＋電源端子より抵抗”３１をへて与えられ、比較器００
Ｍ、の出力側は抵抗Ｒ８２をへて故障表示灯ＬＥＤ、よ
り接地に結ばれる。その他Ｅ２はパルスジェネレータＰ
Ｇの電源である。又、第４図は第５図におけるパルスジ
ェネレータＰＧに対するヒータ線兼電極／（１５％ ｌ
・ランジスタＱ、 、 Ｑ６、ノア回路ＮＯＲ，比較器
ＣＯＭ、 、故障表示灯ＬＥＤ２の応動波形線図である
。次に第Ｓ図における本案装置の実施例の動作説明を行
うと、′まずガス検知素子ｌが正常な場合ヒータにパル
スジェネレータＰＧよりパルス電圧が印加されている期
間には、抵抗ＲＩ８には電圧降下が生じないためにトラ
ンジスタＱ、はオフにされて抵抗Ｒ２１１＋つまりノア
回路ＮＯＨの一方の入力はＬ（ロー）となるが、トラン
ジスタＱ６の−、−スには抵抗Ｒ２、の電圧降下により
所定の電圧が与えられてオンとなり、ノア回路ＮＯＨの
他方入力はＨ（：なり、ノア回路ＮＯＨの出力はＬであ
り、比較器００Ｍ。
Ｍ、の出力側は抵抗Ｒ８２をへて故障表示灯ＬＥＤ、よ
り接地に結ばれる。その他Ｅ２はパルスジェネレータＰ
Ｇの電源である。又、第４図は第５図におけるパルスジ
ェネレータＰＧに対するヒータ線兼電極／（１５％ ｌ
・ランジスタＱ、 、 Ｑ６、ノア回路ＮＯＲ，比較器
ＣＯＭ、 、故障表示灯ＬＥＤ２の応動波形線図である
。次に第Ｓ図における本案装置の実施例の動作説明を行
うと、′まずガス検知素子ｌが正常な場合ヒータにパル
スジェネレータＰＧよりパルス電圧が印加されている期
間には、抵抗ＲＩ８には電圧降下が生じないためにトラ
ンジスタＱ、はオフにされて抵抗Ｒ２１１＋つまりノア
回路ＮＯＨの一方の入力はＬ（ロー）となるが、トラン
ジスタＱ６の−、−スには抵抗Ｒ２、の電圧降下により
所定の電圧が与えられてオンとなり、ノア回路ＮＯＨの
他方入力はＨ（：なり、ノア回路ＮＯＨの出力はＬであ
り、比較器００Ｍ。
の＋側入力端子には電源電圧を抵抗Ｒ３１とＲ２Ｏで分
割した電圧が加わっており、−側入カ端子に加わる抵抗
Ｒ２２の両端電圧は＋側入力端子電圧より高く設定され
ていて、比較器ＣＯＭ、は出力をとりださず故障表示灯
”Ｄ２ ｆ点灯しない〇又パルスジェネレータＰＧがパ
ルス出力ヲ生シていない時、つまりヒータに電圧が印加
されていない期間にはトランジスタＱ６はオフでノア回
路ＮＯＨの一方入力端子にはＬが加わるが、トランジス
タＱ、は抵抗Ｒ１ｇに生じる電圧降下によりオンとなり
ノア回路ＮＯＨの他方入力端子にはＨが加わり、ノア回
路ＮＯＨの出力はＬで前述と同様故障表示’Ｑｌ、Ｆｉ
Ｄ、は点灯しない。次にヒータ線／ｄ、が断線した場合
、トランジスタＪ＋Ｑ６ はともにオフとなり、ノア回
路ＮＯＨの一入力にＬが加わって出力はＨとなり、比較
器００Ｍ２の出力がとりだされ故障表示灯ＬＦｉＤ、は
点灯して故障を知らせる。又、ガス検知素子の半導体／
Ｃが断線すると抵抗Ｒ２□の両端電圧ははゾＯとなり、
比較器００Ｍ、の−個入力端子は当然＋側入力端子より
低くなって比較器ＣＯＭ。
割した電圧が加わっており、−側入カ端子に加わる抵抗
Ｒ２２の両端電圧は＋側入力端子電圧より高く設定され
ていて、比較器ＣＯＭ、は出力をとりださず故障表示灯
”Ｄ２ ｆ点灯しない〇又パルスジェネレータＰＧがパ
ルス出力ヲ生シていない時、つまりヒータに電圧が印加
されていない期間にはトランジスタＱ６はオフでノア回
路ＮＯＨの一方入力端子にはＬが加わるが、トランジス
タＱ、は抵抗Ｒ１ｇに生じる電圧降下によりオンとなり
ノア回路ＮＯＨの他方入力端子にはＨが加わり、ノア回
路ＮＯＨの出力はＬで前述と同様故障表示’Ｑｌ、Ｆｉ
Ｄ、は点灯しない。次にヒータ線／ｄ、が断線した場合
、トランジスタＪ＋Ｑ６ はともにオフとなり、ノア回
路ＮＯＨの一入力にＬが加わって出力はＨとなり、比較
器００Ｍ２の出力がとりだされ故障表示灯ＬＦｉＤ、は
点灯して故障を知らせる。又、ガス検知素子の半導体／
Ｃが断線すると抵抗Ｒ２□の両端電圧ははゾＯとなり、
比較器００Ｍ、の−個入力端子は当然＋側入力端子より
低くなって比較器ＣＯＭ。
は出力をとりだし、故障表示灯ＬＥＤ、 ）ｊｉ一点灯
して故障を知らせる。又ガス検知素子が正常状態にあっ
てガス吸着が行われると、半導体／Ｃの抵抗値が減じて
電流が増し、抵抗Ｒ２□の電圧篩は増して比較器Ｃ！
ＯＭ、の＋側入力端子に加イつる電圧が大となって比較
器００Ｍ、より出力をとりだし、トランジスタＱ、のゲ
ート電圧をあげてこれをオンとし、警報表示灯”Ｄ＋
ｆ点灯することになり、ガス検出を知らせることができ
る。
して故障を知らせる。又ガス検知素子が正常状態にあっ
てガス吸着が行われると、半導体／Ｃの抵抗値が減じて
電流が増し、抵抗Ｒ２□の電圧篩は増して比較器Ｃ！
ＯＭ、の＋側入力端子に加イつる電圧が大となって比較
器００Ｍ、より出力をとりだし、トランジスタＱ、のゲ
ート電圧をあげてこれをオンとし、警報表示灯”Ｄ＋
ｆ点灯することになり、ガス検出を知らせることができ
る。
以上のようにこの発明によれば、ガス検知素子のヒータ
線に電圧を印加している期間においても印加していない
期間においても、ガス検知素子のヒータ並びに半導体の
断線を確実に検出して故障の表示警報を行うことができ
る。
線に電圧を印加している期間においても印加していない
期間においても、ガス検知素子のヒータ並びに半導体の
断線を確実に検出して故障の表示警報を行うことができ
る。
第１図さ第２図は、本発明に用いるガス検知素子のｌ実
施例斜面図と他の実施例路線図、第３図、第５図は本発
明の異る実施例の回路構成図、第１図、第６図は同第３
図、第Ｓ図の該当部のパルスジェネレータに対する応動
波形線図である。 図でｌはガス検知素子、／ａ、／ｃｌ、はヒータ線ｔｃ
は半導体、 ＯＯＭ、 、 Ｃ０Ｍ２は比較器、ＰＧは
パルスジェネレータ、Ｑ、〜Ｑ７はトランジスタ、”Ｉ
〜Ｒ３２１；！抵抗、ＬＥＤ、 、 ＬＥＤｔハ表示
灯、 工ＮＶはインバータ、 ＮＯＲはノア回路、Ｄは
ダイオード、Ｅ、は電源、Ｅ、はパルスジェネレータ用
電源。 特許出願人 能美防災工業株式会社
施例斜面図と他の実施例路線図、第３図、第５図は本発
明の異る実施例の回路構成図、第１図、第６図は同第３
図、第Ｓ図の該当部のパルスジェネレータに対する応動
波形線図である。 図でｌはガス検知素子、／ａ、／ｃｌ、はヒータ線ｔｃ
は半導体、 ＯＯＭ、 、 Ｃ０Ｍ２は比較器、ＰＧは
パルスジェネレータ、Ｑ、〜Ｑ７はトランジスタ、”Ｉ
〜Ｒ３２１；！抵抗、ＬＥＤ、 、 ＬＥＤｔハ表示
灯、 工ＮＶはインバータ、 ＮＯＲはノア回路、Ｄは
ダイオード、Ｅ、は電源、Ｅ、はパルスジェネレータ用
電源。 特許出願人 能美防災工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ハ 通常はヒータ線を加熱せず低温状態でガスを吸着
せしめることにより、金属酸化物半導体の導電度又は抵
抗値の変化を利用してガス漏れ検出を行い、ヒータ線の
加熱により前記ガスを素子より脱着するタイプのカス検
知素子を警報装置と組合せてガス漏れ検出警報を行う場
合において、パルス電源を用いてヒータ線の加熱期間と
加熱停止期間を設けるこ吉により、カス検知素子のガス
吸着とカス排除動作にあわせ、又ヒータ線の加熱停止期
間に断線検出のために動作する第１のトランジスタ出力
と、ヒータ線の加熱期間に断線検出のために動作する第
２のトランジスタ出力とをノア回路等の論理回路に与え
て、その出力により素子の故障表示を行うようにし１こ
ことを特徴とするガス漏れ検知装置。 （２） ヒータ線の加熱期間に断線を検出する場合には
、ヒータ線に流れる電流による抵抗の電圧降下を用いて
第２のトランジスタのオンオフを与え、その出力をイン
バータを介してノア回路の一人力として与える特許請求
の範囲第１項記載のガス漏れ検知装置。 （３） ヒータ線の加熱停止期間に断線を検出する場合
には、パルスジェネレータの出力に応答してオン動作を
する第１のトランジスタの出力をノア回路の個入力とし
て与える特許請求の範囲第１項記載のガス漏れ検知装置
。 （＜＝） 第１のトランジスタの出力と第コのトランジ
スタの出力とが両トランジスタのオフを検出する論理回
路に接続され、前記論理回路の出力が比較回路の一方の
入力端子に与えられ、素子に流れる電流を検出する抵抗
の出力が前記比較回路の他方の入力端子に与えられる特
許請求の範囲第１項記載のカス漏れ検知装置。 （５）論理回路が第２のトランジスタの出力が与えられ
るインバータと、前記インバータの出力と第１のトラン
ジスタの出力とが与えられるノア回路である特許請求の
範囲第１項記載のガス漏れ検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58178215A JPS6070345A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | ガス漏れ検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58178215A JPS6070345A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | ガス漏れ検知装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2246789A Division JPH03150456A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | ガス漏れ検知装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070345A true JPS6070345A (ja) | 1985-04-22 |
| JPH0333225B2 JPH0333225B2 (ja) | 1991-05-16 |
Family
ID=16044592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58178215A Granted JPS6070345A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | ガス漏れ検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070345A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6189155U (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-10 | ||
| JPS61126458A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 検出器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58178214A (ja) * | 1982-04-12 | 1983-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | 走行情報表示装置 |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP58178215A patent/JPS6070345A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58178214A (ja) * | 1982-04-12 | 1983-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | 走行情報表示装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6189155U (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-10 | ||
| JPS61126458A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 検出器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0333225B2 (ja) | 1991-05-16 |
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