JPH0333225B2 - - Google Patents
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- JPH0333225B2 JPH0333225B2 JP58178215A JP17821583A JPH0333225B2 JP H0333225 B2 JPH0333225 B2 JP H0333225B2 JP 58178215 A JP58178215 A JP 58178215A JP 17821583 A JP17821583 A JP 17821583A JP H0333225 B2 JPH0333225 B2 JP H0333225B2
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- resistor
- heating
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/122—Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/007—Arrangements to check the analyser
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガス漏れ検知装置に係り、特にヒータ
線加熱のためにパルス電源を使うとともにヒータ
線に電圧を印加している期間と印加していない期
間にわたり、常にヒータ線の断線を検出可能とし
たものである。
線加熱のためにパルス電源を使うとともにヒータ
線に電圧を印加している期間と印加していない期
間にわたり、常にヒータ線の断線を検出可能とし
たものである。
従来からCO、メタン、LPG、水素並びにその
他の可燃性ガスを感知する物質としてWO3、
SnO、ZnO等の還元型半導体とCoO、NiO、
Cu2O等の酸化型半導体と称する（以下これ等を
金属酸化物半導体と総称する）ものが知られてお
り、ガスイオンを吸着したときに生ずるこれ等金
属酸化物半導体の導電度或は抵抗値の変化による
電気変化を利用して下記の構成のようにガス検知
素子を単体として作成し警報装置と組合せガス漏
れ警報装置に用いられている。このガス検知素子
としては、通常第１図に示すようにヒータ線１ａ
を磁器製管１ｂ内を貫通せしめて更にこの磁器製
管１ｂの外側面に金属酸化物半導体或は抵抗体層
１ｃを設けその上に電極１d1，１d2を間隔をおい
て対峙せしめた所謂傍熱型素子と第２図に略線図
で示すようにヒータ線が１対の電極の一方１d3を
兼ねた直熱型素子とが用いられている。又ガス検
知素子１としては第１図の場合の変形としてヒー
タ線１ａを磁器製管１ｂ内を通すことなく半導体
層または抵抗体層１ｃの外側に設けることもでき
る。尚、これ等ガス検知素子にヒータ線を使用す
るのは、通常前述の半導体を100℃〜400℃の高温
度に加熱するとガスイオンの吸着反応が促進され
るので微量のガスを感知できるようにガスの検出
感度をあげるためであるが、なかには通常はヒー
タ線を加熱せず低い温度状態でガスを吸着せしめ
ることにより、その導電度が変ることを利用する
場合もあり、この場合はガスを素子から脱着する
ためにヒータ線を用いるのであるが、本発明装置
は後者のヒータ線を間欠的に加熱するタイプに関
するものである。このようなガス検知素子を用い
たガス漏れ警報装置では常に正常な動作態勢を必
要とするが、しばしば断線事故が起るため、ガス
検知素子を加熱するヒータ線に流れる電流を監視
して断線を検出したり半導体がけずれたり傷がつ
いたり電極の接触不良つまり、ガス検知素子の破
損に起因するガス検知素子の出力の有無を監視し
て断線を検出したりすることが提案されている
が、ヒータ線の断線とガス検知素子の破損の検出
を同時に検出表示することは考えられなかつた。
しかもガス検知素子は比較的寿命が短いため常に
ガス検知素子の動作には監視が必要であり、ガス
検知素子の故障によるガス漏れ時に不作動の事故
による危険を防止することは重要である。
他の可燃性ガスを感知する物質としてWO3、
SnO、ZnO等の還元型半導体とCoO、NiO、
Cu2O等の酸化型半導体と称する（以下これ等を
金属酸化物半導体と総称する）ものが知られてお
り、ガスイオンを吸着したときに生ずるこれ等金
属酸化物半導体の導電度或は抵抗値の変化による
電気変化を利用して下記の構成のようにガス検知
素子を単体として作成し警報装置と組合せガス漏
れ警報装置に用いられている。このガス検知素子
としては、通常第１図に示すようにヒータ線１ａ
を磁器製管１ｂ内を貫通せしめて更にこの磁器製
管１ｂの外側面に金属酸化物半導体或は抵抗体層
１ｃを設けその上に電極１d1，１d2を間隔をおい
て対峙せしめた所謂傍熱型素子と第２図に略線図
で示すようにヒータ線が１対の電極の一方１d3を
兼ねた直熱型素子とが用いられている。又ガス検
知素子１としては第１図の場合の変形としてヒー
タ線１ａを磁器製管１ｂ内を通すことなく半導体
層または抵抗体層１ｃの外側に設けることもでき
る。尚、これ等ガス検知素子にヒータ線を使用す
るのは、通常前述の半導体を100℃〜400℃の高温
度に加熱するとガスイオンの吸着反応が促進され
るので微量のガスを感知できるようにガスの検出
感度をあげるためであるが、なかには通常はヒー
タ線を加熱せず低い温度状態でガスを吸着せしめ
ることにより、その導電度が変ることを利用する
場合もあり、この場合はガスを素子から脱着する
ためにヒータ線を用いるのであるが、本発明装置
は後者のヒータ線を間欠的に加熱するタイプに関
するものである。このようなガス検知素子を用い
たガス漏れ警報装置では常に正常な動作態勢を必
要とするが、しばしば断線事故が起るため、ガス
検知素子を加熱するヒータ線に流れる電流を監視
して断線を検出したり半導体がけずれたり傷がつ
いたり電極の接触不良つまり、ガス検知素子の破
損に起因するガス検知素子の出力の有無を監視し
て断線を検出したりすることが提案されている
が、ヒータ線の断線とガス検知素子の破損の検出
を同時に検出表示することは考えられなかつた。
しかもガス検知素子は比較的寿命が短いため常に
ガス検知素子の動作には監視が必要であり、ガス
検知素子の故障によるガス漏れ時に不作動の事故
による危険を防止することは重要である。
このような点を考慮して本発明ではガス検知素
子のヒータ線の断線と半導体の損傷切断或は半導
体と両電極との接触不良等による素子の破損事故
をも検出表示することができるガス漏れ警報装置
を提供するものである。
子のヒータ線の断線と半導体の損傷切断或は半導
体と両電極との接触不良等による素子の破損事故
をも検出表示することができるガス漏れ警報装置
を提供するものである。
更に本発明では、ヒータ線の加熱電源としてパ
ルス発生器よりのパルス電圧を用いたもので、こ
れにより検知素子を高温状態と低温状態つまり加
熱期間と加熱停止期間をもたせることになり、ガ
ス検知素子の特性であるガス検出とガス脱着とを
円滑に行うものである。
ルス発生器よりのパルス電圧を用いたもので、こ
れにより検知素子を高温状態と低温状態つまり加
熱期間と加熱停止期間をもたせることになり、ガ
ス検知素子の特性であるガス検出とガス脱着とを
円滑に行うものである。
尚パルス電圧を用いることによりガス検知素子
を低温にするためにヒータ線に電圧を印加しない
期間をこれにあてることになるが、これはヒータ
に電流が流れない点では断線と同じ現象をもつこ
とになる。
を低温にするためにヒータ線に電圧を印加しない
期間をこれにあてることになるが、これはヒータ
に電流が流れない点では断線と同じ現象をもつこ
とになる。
本発明ではこのようなヒータに電圧を印加して
いない期間においてもガス検知素子のヒータ線並
びに半導体等における破損事故を確実に検出して
故障の表示警報を行うものである。
いない期間においてもガス検知素子のヒータ線並
びに半導体等における破損事故を確実に検出して
故障の表示警報を行うものである。
次に本発明の一実施例回路構成図について第３
図で説明する。尚、第４図は第３図における主要
部分のパルスジエネレータの波形に応じた時間線
図である。
図で説明する。尚、第４図は第３図における主要
部分のパルスジエネレータの波形に応じた時間線
図である。
図でPGはパルスジエネレータ、１は第１図で
示すガス検知素子であり、ヒータ線１ａと半導体
１ｃ（正確には電極１d1と１d2間に接続される半
導体の導電度或は抵抗値）とを監視回路接続に含
んでいる。パルスジエネレータPGにダイオード
Ｄをへて接続する側のヒータ線１ａ＋電源より直
列抵抗R1，R2をへて接続され、抵抗R1とR2の接
続部はトランジスタQ1のベースに接続される。
ヒータ線１ａの他端は抵抗R3をへて接地される
とともに抵抗R4をへてトランジスタQ2のベース
に接続される。ガス検知素子１の半導体１ｃの１
方電極側は抵抗R5をへて接地されるとともに比
較器COM1の＋側入力端子と比較器COM2の−側
入力端子に接続され、他方電極側は＋電源端子
B1に接続される。トランジスタQ1のコレクタは
抵抗R7をへて接地されるとともにノア回路NOR
の一方端子に接続され、トランジスタQ2のコレ
クタは抵抗R6をへて＋電源端子B1に接続される
とともに、インバータINVをへてノア回路NOR
の他端子に接続される。比較器COM1の−側入力
端子は抵抗R4をへて＋電源端子B1に、又抵抗R9
をへて接地Ｅする。又比較器COM1の出力側は抵
抗R10，R11をへて接地されるとともに、抵抗R10
とR11の接続部はトランジスタ（又はサイリスタ
のようなゲート極付半導体）Q3のゲート極に結
ばれ、このトランジスタQ3のアノードは警報表
示灯LED1抵抗R12をへて警報表示用端子B2に接
続され、トランジスタQ3のカソードは接地Ｅさ
れる。又ノア回路NORの出力側は抵抗R13をへ
て、比較器COM2の＋側入力端子に接続され、又
この＋側入力端子は抵抗R14をへて＋電源端子B1
に接続される。比較器COM2の出力側は抵抗R15，
R16をへて接地されるとともに、抵抗R15とR16の
接続部がトランジスタ（又はサイリスタのような
ゲート極付半導体）Q4のゲートに結ばれ、トラ
ンジスタQ4のアノードは故障表示灯LED2をへて
故障表示端子B3に接続され、トランジスタQ4の
カソードは接地される。第４図はパルスジエネレ
ータPGのパルス電圧に対しヒータ線１ａ、抵抗
R3の電圧降下、トランジスタQ1，Q2のオンオフ、
インバータ回路INVの反転状況、ノア回路NOR、
比較器COM2の出力並びにトランジスタQ4の出力
に関する波形を示している。
示すガス検知素子であり、ヒータ線１ａと半導体
１ｃ（正確には電極１d1と１d2間に接続される半
導体の導電度或は抵抗値）とを監視回路接続に含
んでいる。パルスジエネレータPGにダイオード
Ｄをへて接続する側のヒータ線１ａ＋電源より直
列抵抗R1，R2をへて接続され、抵抗R1とR2の接
続部はトランジスタQ1のベースに接続される。
ヒータ線１ａの他端は抵抗R3をへて接地される
とともに抵抗R4をへてトランジスタQ2のベース
に接続される。ガス検知素子１の半導体１ｃの１
方電極側は抵抗R5をへて接地されるとともに比
較器COM1の＋側入力端子と比較器COM2の−側
入力端子に接続され、他方電極側は＋電源端子
B1に接続される。トランジスタQ1のコレクタは
抵抗R7をへて接地されるとともにノア回路NOR
の一方端子に接続され、トランジスタQ2のコレ
クタは抵抗R6をへて＋電源端子B1に接続される
とともに、インバータINVをへてノア回路NOR
の他端子に接続される。比較器COM1の−側入力
端子は抵抗R4をへて＋電源端子B1に、又抵抗R9
をへて接地Ｅする。又比較器COM1の出力側は抵
抗R10，R11をへて接地されるとともに、抵抗R10
とR11の接続部はトランジスタ（又はサイリスタ
のようなゲート極付半導体）Q3のゲート極に結
ばれ、このトランジスタQ3のアノードは警報表
示灯LED1抵抗R12をへて警報表示用端子B2に接
続され、トランジスタQ3のカソードは接地Ｅさ
れる。又ノア回路NORの出力側は抵抗R13をへ
て、比較器COM2の＋側入力端子に接続され、又
この＋側入力端子は抵抗R14をへて＋電源端子B1
に接続される。比較器COM2の出力側は抵抗R15，
R16をへて接地されるとともに、抵抗R15とR16の
接続部がトランジスタ（又はサイリスタのような
ゲート極付半導体）Q4のゲートに結ばれ、トラ
ンジスタQ4のアノードは故障表示灯LED2をへて
故障表示端子B3に接続され、トランジスタQ4の
カソードは接地される。第４図はパルスジエネレ
ータPGのパルス電圧に対しヒータ線１ａ、抵抗
R3の電圧降下、トランジスタQ1，Q2のオンオフ、
インバータ回路INVの反転状況、ノア回路NOR、
比較器COM2の出力並びにトランジスタQ4の出力
に関する波形を示している。
なお、本実施例では、抵抗R3とトランジスタ
Q2が加熱用電流を検出する第１の電流検出手段
を、抵抗R1，R2とトランジスタQ1とダイオード
Ｄが第２の電流検出手段を、インバータ回路
INVとノア回路NORがヒータ断線判別手段を、
抵抗R5が第３の電流検出手段を、比較器COM2と
抵抗R13，R14が半導体断線判別手段を、それぞ
れ構成している。
Q2が加熱用電流を検出する第１の電流検出手段
を、抵抗R1，R2とトランジスタQ1とダイオード
Ｄが第２の電流検出手段を、インバータ回路
INVとノア回路NORがヒータ断線判別手段を、
抵抗R5が第３の電流検出手段を、比較器COM2と
抵抗R13，R14が半導体断線判別手段を、それぞ
れ構成している。
次に第３図に関して第４図と関連づけて本発明
装置の動作説明を行う。まずガス検知素子１が正
常な場合、パルスジエネレータPGよりのパルス
電圧に従つてヒータ線１ａに電圧が印加される期
間には抵抗R3の電圧降下が発生し、トランジス
タQ2はオンとなるが、トランジスタQ1はオフと
なり、ノア回路NORのトランジスタQ1側の入力
はＬ（ロー）となり、又トランジスタQ2側はオン
で、インバータ回路INVをへてノア回路NORの
他方の入力はＨ（ハイ）となり、ノア回路NORの
出力はＬで比較器COM2の＋側入力端子には電源
電圧を抵抗R14とR13で分割した電圧が加わる。
又比較器COM2の−側入力端子には半導体１ｃに
流れる電流が正常であれば、予め抵抗R5の電圧
降下が＋側入力端子電圧より高く設定されていて
比較器COM2は出力をださず、トランジスタQ4は
オフで故障表示灯LED2は点灯しない。又パルス
ジエネレータPGよりのパルス電圧に従つてヒー
タ線１ａに電圧が印加されない期間には抵抗R3
の電圧降下はなくて、トランジスタQ2はオフで
インバータ回路INVをへてノア回路NORの一端
にはＬが与えられる。又トランジスタQ1は、パ
ルスジエネレータPGの出力を生じない時には抵
抗R1に生じる電圧降下によりオンとなり、ノア
回路NORの他端にＨが与えられ、ノア回路NOR
の出力はＬでこの場合も、比較回路COM2は出力
をださずトランジスタQ4をオフにしたまゝであ
り、故障表示灯LED2も点灯しない。
装置の動作説明を行う。まずガス検知素子１が正
常な場合、パルスジエネレータPGよりのパルス
電圧に従つてヒータ線１ａに電圧が印加される期
間には抵抗R3の電圧降下が発生し、トランジス
タQ2はオンとなるが、トランジスタQ1はオフと
なり、ノア回路NORのトランジスタQ1側の入力
はＬ（ロー）となり、又トランジスタQ2側はオン
で、インバータ回路INVをへてノア回路NORの
他方の入力はＨ（ハイ）となり、ノア回路NORの
出力はＬで比較器COM2の＋側入力端子には電源
電圧を抵抗R14とR13で分割した電圧が加わる。
又比較器COM2の−側入力端子には半導体１ｃに
流れる電流が正常であれば、予め抵抗R5の電圧
降下が＋側入力端子電圧より高く設定されていて
比較器COM2は出力をださず、トランジスタQ4は
オフで故障表示灯LED2は点灯しない。又パルス
ジエネレータPGよりのパルス電圧に従つてヒー
タ線１ａに電圧が印加されない期間には抵抗R3
の電圧降下はなくて、トランジスタQ2はオフで
インバータ回路INVをへてノア回路NORの一端
にはＬが与えられる。又トランジスタQ1は、パ
ルスジエネレータPGの出力を生じない時には抵
抗R1に生じる電圧降下によりオンとなり、ノア
回路NORの他端にＨが与えられ、ノア回路NOR
の出力はＬでこの場合も、比較回路COM2は出力
をださずトランジスタQ4をオフにしたまゝであ
り、故障表示灯LED2も点灯しない。
しかし検知素子１のヒータ線１ａが断線した場
合、トランジスタQ1，Q2は共にオフとなり、ノ
ア回路NORの出力がＨとなつて比較器COM2の
＋側入力端子電圧が高くなり、比較器COM2は出
力をとりだし、トランジスタQ4のゲートに電圧
が加えられてトランジスタQ4はオンとなり、故
障表示灯LED2は点灯し故障を知らせるとともに
故障信号を外部の受信機側に与える。又検知素子
１の半導体１ｃが断線した場合、抵抗R5の電圧
降下はほゞ0Vで比較器COM1は働かないが、比
較器COM2の−側入力端子は低下し＋側入力端子
の抵抗R14とR13による分割電圧より低くなるの
で比較器COM2の出力がとりだされ、トランジス
タQ4のゲート電圧を適当にあげるので、これを
オンとし、故障表示灯LED2を点灯して、故障表
示を行う。尚ガス検知素子のガス検知にあたつて
は半導体１ｃの抵抗値が変わり減じることによ
り、流れる電流は増して抵抗R5の電圧降下が大
となり、比較器COM1の−側入力端子に加わる＋
電源端子より抵抗R8をへた電圧より大となり比
較器COM1は出力をとりだしトランジスタQ3のゲ
ート電圧を上昇せしめて、これをオンとし警報表
示灯LED1を点灯するとともに警報信号を受信機
側に与えるのである。
合、トランジスタQ1，Q2は共にオフとなり、ノ
ア回路NORの出力がＨとなつて比較器COM2の
＋側入力端子電圧が高くなり、比較器COM2は出
力をとりだし、トランジスタQ4のゲートに電圧
が加えられてトランジスタQ4はオンとなり、故
障表示灯LED2は点灯し故障を知らせるとともに
故障信号を外部の受信機側に与える。又検知素子
１の半導体１ｃが断線した場合、抵抗R5の電圧
降下はほゞ0Vで比較器COM1は働かないが、比
較器COM2の−側入力端子は低下し＋側入力端子
の抵抗R14とR13による分割電圧より低くなるの
で比較器COM2の出力がとりだされ、トランジス
タQ4のゲート電圧を適当にあげるので、これを
オンとし、故障表示灯LED2を点灯して、故障表
示を行う。尚ガス検知素子のガス検知にあたつて
は半導体１ｃの抵抗値が変わり減じることによ
り、流れる電流は増して抵抗R5の電圧降下が大
となり、比較器COM1の−側入力端子に加わる＋
電源端子より抵抗R8をへた電圧より大となり比
較器COM1は出力をとりだしトランジスタQ3のゲ
ート電圧を上昇せしめて、これをオンとし警報表
示灯LED1を点灯するとともに警報信号を受信機
側に与えるのである。
第５図はガス検知素子のヒータと電極の一方を
兼用せしめた場合の実施例回路構成図で、第３図
のように受信機送出タイプと異りガス探知器タイ
プのものであるが、勿論受信機送出タイプに用い
ることもできる。
兼用せしめた場合の実施例回路構成図で、第３図
のように受信機送出タイプと異りガス探知器タイ
プのものであるが、勿論受信機送出タイプに用い
ることもできる。
第５図で１は第２図で示すタイプのガス検知素
子で１d3がヒータ兼１方電極、１d2は他方電極で
間に半導体１ｃを介在せしめるものであり、パル
スジエネレータPG、比較器COM1，COM2、ノ
ア回路NOR、警報表示灯LED1、故障表示灯
LED2は便宜上第３図と同じ符号を使用するもの
とする。まずパルスジエネレータPGよりダイオ
ードＤをへてガス検知素子１のヒータ兼一方電極
１d3をへて抵抗R21より電源E1の＋側端子に接続
され抵抗R21の素子１側の接続点は抵抗R23をへ
てトランジスタQ6のベースに与えられる。又パ
ルスジエネレータPGよりダイオードＤをへてト
ランジスタQ5のエミツタに、更にダイオードＤ
をへて抵抗R18，R19をへて接地され、抵抗R18と
R19の接続点はトランジスタQ5のベースに接続さ
れ、トランジスタQ5のコレクタは抵抗R20をへて
接地されるとともにノア回路NORの１方入力端
子に接続される。
子で１d3がヒータ兼１方電極、１d2は他方電極で
間に半導体１ｃを介在せしめるものであり、パル
スジエネレータPG、比較器COM1，COM2、ノ
ア回路NOR、警報表示灯LED1、故障表示灯
LED2は便宜上第３図と同じ符号を使用するもの
とする。まずパルスジエネレータPGよりダイオ
ードＤをへてガス検知素子１のヒータ兼一方電極
１d3をへて抵抗R21より電源E1の＋側端子に接続
され抵抗R21の素子１側の接続点は抵抗R23をへ
てトランジスタQ6のベースに与えられる。又パ
ルスジエネレータPGよりダイオードＤをへてト
ランジスタQ5のエミツタに、更にダイオードＤ
をへて抵抗R18，R19をへて接地され、抵抗R18と
R19の接続点はトランジスタQ5のベースに接続さ
れ、トランジスタQ5のコレクタは抵抗R20をへて
接地されるとともにノア回路NORの１方入力端
子に接続される。
ガス検知素子１の他方電極１d2は、抵抗R22を
へて接地されるとともに比較器COM1の＋入力端
子、比較器COM2の−入力に接続される。トラン
ジスタQ6のコレクタは抵抗R24をへて接地される
とともにノア回路NORの他方端子に接続される。
ノア回路NORの出力は抵抗R30をへて比較器
COM2の＋側入力端子に与えられ、電源E1の電圧
が直列抵抗R25，R26の両端に与えられ、抵抗R25
とR26の接続部は比較器COM1の−側入力端子に
接続される。比較器COM1の出力は抵抗R27，R28
をへて接地され、抵抗R27とR28の接続部はトラ
ンジスタ又はSCRのようなゲート極付半導体Q7
のゲート極に接続され、トランジスタQ7のアノ
ードは警報表示灯LED1抵抗R29をへて電源E1の
＋端子に同カソードは接地される。比較器COM2
の＋側入力端子は、＋電源端子より抵抗R31をへ
て与えられ、比較器COM2の出力側は抵抗R32を
へて故障表示灯LED2より接地に結ばれる。その
他E2はパルスジエネレータPGの電源である。又、
第６図は第５図におけるパルスジエネレータPG
に対するヒータ線兼電極１d3、トランジスタQ5，
Q6、ノア回路NOR、比較器COM2、故障表示灯
LED2の応動波形線図である。尚、本実施例では、
抵抗R21とトランジスタQ6が第１の電流検出手段
を、抵抗R18，R19とトランジスタQ5とダイオー
ドＤが第２の電流検出手段を、ノア回路NORが
ヒータ断線判別手段を、抵抗R22が第３の電流検
出手段を、比較器COM2と抵抗R30，R31が半導体
断線判別手段を、それぞれ構成している。次に第
５図における本案装置の実施例の動作説明を行う
と、まずガス検知素子１が正常な場合ヒータにパ
ルスジエネレータPGよりパルス電圧が印加され
ている期間には、抵抗R18には電圧降下が生じな
いためにトランジスタQ5はオフにされて抵抗R20
つまりノア回路NORの一方の入力にはＬ（ロー）
となるが、トランジスタQ6のベースには抵抗R21
の電圧降下により所定の電圧が与えられてオンと
なり、ノア回路NORの他方入力はＨとなり、ノ
ア回路NORの出力はＬであり、比較器COM2の
＋側入力端子には電源電圧を抵抗R31とR30で分
割した電圧が加わつており、−側入力端子に加わ
る抵抗R22の両端電圧は＋側入力端子電圧より高
く設定されていて、比較器COM2は出力をとりだ
さず故障表示灯LED2を点灯しない。又パルスジ
エネレータPGがパルス出力を生じていない時、
つまりヒータに電圧が印加されていない期間には
トランジスタQ6はオフでノア回路NORの一方入
力端子にはＬが加わるが、トランジスタQ5は抵
抗R18に生じる電圧降下によりオンとなりノア回
路NORの他方入力端子にはＨが加わり、ノア回
路NORの出力はＬで前述と同様故障表示灯LED2
は点灯しない。次にヒータ線１d3が断線した場
合、トランジスタQ5，Q6はともにオフとなり、
ノア回路NORの２入力にＬが加わつて出力はＨ
となり、比較器COM2の出力がとりだされ故障表
示灯LED2は点灯して故障を知らせる。又、ガス
検知素子の半導体１ｃが断線すると抵抗R22の両
端電圧はほゞ０となり、比較器COM2の−側入力
端子は当然＋側入力端子より低くなつて比較器
COM2は出力をとりだし、故障表示灯LED2を点
灯して故障を知らせる。又ガス検知素子が正常状
態にあつてガス吸着が行われると、半導体１ｃの
抵抗値が減じて電流が増し、抵抗R22の電圧降は
増して比較器COM1の＋側入力端子に加わる電圧
が大となつて比較器COM1より出力をとりだし、
トランジスタQ7のゲート電圧をあげてこれをオ
ンとし、警報表示灯LED1を点灯することになり、
ガス検出を知らせることができる。
へて接地されるとともに比較器COM1の＋入力端
子、比較器COM2の−入力に接続される。トラン
ジスタQ6のコレクタは抵抗R24をへて接地される
とともにノア回路NORの他方端子に接続される。
ノア回路NORの出力は抵抗R30をへて比較器
COM2の＋側入力端子に与えられ、電源E1の電圧
が直列抵抗R25，R26の両端に与えられ、抵抗R25
とR26の接続部は比較器COM1の−側入力端子に
接続される。比較器COM1の出力は抵抗R27，R28
をへて接地され、抵抗R27とR28の接続部はトラ
ンジスタ又はSCRのようなゲート極付半導体Q7
のゲート極に接続され、トランジスタQ7のアノ
ードは警報表示灯LED1抵抗R29をへて電源E1の
＋端子に同カソードは接地される。比較器COM2
の＋側入力端子は、＋電源端子より抵抗R31をへ
て与えられ、比較器COM2の出力側は抵抗R32を
へて故障表示灯LED2より接地に結ばれる。その
他E2はパルスジエネレータPGの電源である。又、
第６図は第５図におけるパルスジエネレータPG
に対するヒータ線兼電極１d3、トランジスタQ5，
Q6、ノア回路NOR、比較器COM2、故障表示灯
LED2の応動波形線図である。尚、本実施例では、
抵抗R21とトランジスタQ6が第１の電流検出手段
を、抵抗R18，R19とトランジスタQ5とダイオー
ドＤが第２の電流検出手段を、ノア回路NORが
ヒータ断線判別手段を、抵抗R22が第３の電流検
出手段を、比較器COM2と抵抗R30，R31が半導体
断線判別手段を、それぞれ構成している。次に第
５図における本案装置の実施例の動作説明を行う
と、まずガス検知素子１が正常な場合ヒータにパ
ルスジエネレータPGよりパルス電圧が印加され
ている期間には、抵抗R18には電圧降下が生じな
いためにトランジスタQ5はオフにされて抵抗R20
つまりノア回路NORの一方の入力にはＬ（ロー）
となるが、トランジスタQ6のベースには抵抗R21
の電圧降下により所定の電圧が与えられてオンと
なり、ノア回路NORの他方入力はＨとなり、ノ
ア回路NORの出力はＬであり、比較器COM2の
＋側入力端子には電源電圧を抵抗R31とR30で分
割した電圧が加わつており、−側入力端子に加わ
る抵抗R22の両端電圧は＋側入力端子電圧より高
く設定されていて、比較器COM2は出力をとりだ
さず故障表示灯LED2を点灯しない。又パルスジ
エネレータPGがパルス出力を生じていない時、
つまりヒータに電圧が印加されていない期間には
トランジスタQ6はオフでノア回路NORの一方入
力端子にはＬが加わるが、トランジスタQ5は抵
抗R18に生じる電圧降下によりオンとなりノア回
路NORの他方入力端子にはＨが加わり、ノア回
路NORの出力はＬで前述と同様故障表示灯LED2
は点灯しない。次にヒータ線１d3が断線した場
合、トランジスタQ5，Q6はともにオフとなり、
ノア回路NORの２入力にＬが加わつて出力はＨ
となり、比較器COM2の出力がとりだされ故障表
示灯LED2は点灯して故障を知らせる。又、ガス
検知素子の半導体１ｃが断線すると抵抗R22の両
端電圧はほゞ０となり、比較器COM2の−側入力
端子は当然＋側入力端子より低くなつて比較器
COM2は出力をとりだし、故障表示灯LED2を点
灯して故障を知らせる。又ガス検知素子が正常状
態にあつてガス吸着が行われると、半導体１ｃの
抵抗値が減じて電流が増し、抵抗R22の電圧降は
増して比較器COM1の＋側入力端子に加わる電圧
が大となつて比較器COM1より出力をとりだし、
トランジスタQ7のゲート電圧をあげてこれをオ
ンとし、警報表示灯LED1を点灯することになり、
ガス検出を知らせることができる。
以上のようにこの発明によれば、ガス検知素子
のヒータ線に電圧を印加している期間においても
印加していない期間においても、ガス検知素子の
ヒータ並びに半導体の断線を確実に検出して故障
の表示警報を行うことができる。
のヒータ線に電圧を印加している期間においても
印加していない期間においても、ガス検知素子の
ヒータ並びに半導体の断線を確実に検出して故障
の表示警報を行うことができる。
第１図と第２図は、本発明に用いるガス検知素
子の１実施例斜面図と他の実施例略線図、第３
図、第５図は本発明の異る実施例の回路構成図、
第４図、第６図は同第３図、第５図の該当部のパ
ルスジエネレータに対する応動波形線図である。 図で１はガス検知素子、１ａ，１d3はヒータ線
１ｃは半導体、COM1，COM2は比較器、PGは
パルスジエネレータ、Q1〜Q7はトランジスタ、
R1〜R32は抵抗、LED1，LED2は表示灯、INVは
インバータ、NORはノア回路、Ｄはダイオード、
E1は電源、E2はパルスジエネレータ用電源。
子の１実施例斜面図と他の実施例略線図、第３
図、第５図は本発明の異る実施例の回路構成図、
第４図、第６図は同第３図、第５図の該当部のパ
ルスジエネレータに対する応動波形線図である。 図で１はガス検知素子、１ａ，１d3はヒータ線
１ｃは半導体、COM1，COM2は比較器、PGは
パルスジエネレータ、Q1〜Q7はトランジスタ、
R1〜R32は抵抗、LED1，LED2は表示灯、INVは
インバータ、NORはノア回路、Ｄはダイオード、
E1は電源、E2はパルスジエネレータ用電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ パルス電源によりヒータ線の加熱期間と加熱
停止期間を設け、前記加熱停止期間のヒータ線を
加熱しない低温状態でガスを吸着せしめることに
より、金属酸化物半導体の導電度又は抵抗値の変
化を利用してガス漏れ検出を行い、前記加熱期間
のヒータ線の加熱により前記ガス素子より脱着す
るタイプのガス検知素子を警報装置と組合せてガ
ス漏れ警報を行うガス漏れ検知装置において、 前記ヒータ線を通じて流れる加熱用電流を検出
する第１の電流検出手段と、 前記パルス電源による加熱停止期間に、前記ヒ
ータ線に断線検出用の電流を供給するとともに、
該供給電流を検出する第２の電流検出手段と、 前記第１の電流検出手段と第２の電流検出手段
とのいずれもが電流を検出しなくなつた時に前記
ヒータ線の断線を判別して断線信号を出力するヒ
ータ断線判別手段と、 前記金属酸化物半導体を通じて流れる電流を検
出する第３の電流検出手段と、 前記第３の電流検出手段によつて検出される電
流が所定値以下に低下した時に、前記金属酸化物
半導体の断線あるいは接触不良を判別して断線信
号を出力する半導体断線判別手段と、 を設けてなることを特徴とするガス漏れ検知装
置。 ２ 第１の電流検出手段は、ヒータ線に流れる電
流を検出する検出用抵抗と、前記検出用抵抗に生
じる加熱用電流による電圧降下によりオンする第
１のトランジスタとを有し、第２の電流検出手段
は、パルス電源の加熱停止期間の出力に応答して
前記ヒータ線に断線検出用電流を供給する供給用
抵抗と、前記供給用抵抗に生じる電圧降下により
オンする第２のトランジスタとを有し、前記第１
と第２のトランジスタの出力がヒータ断線判別手
段に接続されてなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のガス漏れ検知装置。 ３ ヒータ断線判別手段は、第１のトランジスタ
の出力が接続されるインバータと、前記インバー
タの出力と第２のトランジスタ出力とが接続され
るノア回路とを有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のガス漏れ検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58178215A JPS6070345A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | ガス漏れ検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58178215A JPS6070345A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | ガス漏れ検知装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2246789A Division JPH03150456A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | ガス漏れ検知装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070345A JPS6070345A (ja) | 1985-04-22 |
| JPH0333225B2 true JPH0333225B2 (ja) | 1991-05-16 |
Family
ID=16044592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58178215A Granted JPS6070345A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | ガス漏れ検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070345A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6189155U (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-10 | ||
| JPS61126458A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 検出器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58178214A (ja) * | 1982-04-12 | 1983-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | 走行情報表示装置 |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP58178215A patent/JPS6070345A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6070345A (ja) | 1985-04-22 |
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