JPS607351A - 感ガス素子の製造方法 - Google Patents
感ガス素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS607351A JPS607351A JP11423183A JP11423183A JPS607351A JP S607351 A JPS607351 A JP S607351A JP 11423183 A JP11423183 A JP 11423183A JP 11423183 A JP11423183 A JP 11423183A JP S607351 A JPS607351 A JP S607351A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- sensitive
- sensitive body
- catalytic layer
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
- G01N27/16—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature caused by burning or catalytic oxidation of surrounding material to be tested, e.g. of gas
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は感ガス素子の製造方法に関する。
一般に感ガス素子として知られているものに、半導体式
ガスセンサがある。この半導体方式のガスセンサでは、
例えばＳｎＯ２系の半導体を用い、この半導体がＣｏ
、 Ｈ２，Ｃ２Ｈ，ＯＨ、Ｃ１−ｆ、 、 ｉｓｏ Ｃ
Ｊ（１゜等の還元性ガスに接触した時に抵抗Ｍｌが変化
することを利用してガス検出を行なっている。この場合
上記還元性ガスに接触した場合、抵抗値の変化はＰ型半
導体を用いた場合は」９加、ｎ型半導体を用いた場合は
減少と、どちらか一方の挙動しか示さず、ガスの種類を
識別するのは困難なことであった。
ガスセンサがある。この半導体方式のガスセンサでは、
例えばＳｎＯ２系の半導体を用い、この半導体がＣｏ
、 Ｈ２，Ｃ２Ｈ，ＯＨ、Ｃ１−ｆ、 、 ｉｓｏ Ｃ
Ｊ（１゜等の還元性ガスに接触した時に抵抗Ｍｌが変化
することを利用してガス検出を行なっている。この場合
上記還元性ガスに接触した場合、抵抗値の変化はＰ型半
導体を用いた場合は」９加、ｎ型半導体を用いた場合は
減少と、どちらか一方の挙動しか示さず、ガスの種類を
識別するのは困難なことであった。
このような１１」１題を解決するために、栓々の触媒、
添加元素の選択等ビ検関し、特定のガスに対する選択性
を向上させる試みがなされている。しかしながら１一方
向に抵抗値が変化することにはかわりがなく、ガスの選
択性のｒｒ：、ｔ ｗは依然として残っているのが現状
である。特にＣＱ等を測定対象ガスとする場合、Ｈ２ガ
スの影響をｈ去することが問題となっている。
添加元素の選択等ビ検関し、特定のガスに対する選択性
を向上させる試みがなされている。しかしながら１一方
向に抵抗値が変化することにはかわりがなく、ガスの選
択性のｒｒ：、ｔ ｗは依然として残っているのが現状
である。特にＣＱ等を測定対象ガスとする場合、Ｈ２ガ
スの影響をｈ去することが問題となっている。
本発明は以上の点を考應してなされたものであリ、ガス
選択性の向上した感ガス素子、特にＨ７とその他の還元
性ガスのカニ択性のｒ口ｊ上した感ガス素子を得る製造
方法を提供することを目的とする。
選択性の向上した感ガス素子、特にＨ７とその他の還元
性ガスのカニ択性のｒ口ｊ上した感ガス素子を得る製造
方法を提供することを目的とする。
絶縁性基板と、この絶縁性基板上に形成された測定対象
ガスに接触して抵抗値の変化するガス感応体と、このガ
ス感応体が抵抗値を検出するために形成された一対の電
極と、このガス感応体上に形成された触媒層とを備えた
感ガス素子。
ガスに接触して抵抗値の変化するガス感応体と、このガ
ス感応体が抵抗値を検出するために形成された一対の電
極と、このガス感応体上に形成された触媒層とを備えた
感ガス素子。
前記触媒層は、Ａｇ２Ｏ，、５ｉｎ２及びＺｒＯ，から
選ばれた少なくとも一種からなる担体に、少なくともＰ
ｄ を担持させる第１の工程と、少なくともＰｄが担持
された前記担体にさらにＡｇを担持させる第２の工程と
により形成された触媒原料からなることを特徴とする感
ガス素子の製造方法である。
選ばれた少なくとも一種からなる担体に、少なくともＰ
ｄ を担持させる第１の工程と、少なくともＰｄが担持
された前記担体にさらにＡｇを担持させる第２の工程と
により形成された触媒原料からなることを特徴とする感
ガス素子の製造方法である。
なお未発明において絶縁性基板としてはＡｚ２０８゜Ｓ
ｉ、Ｎ、 、ＢＮ 、５ｉｎ２等のセラミック基板等の
耐熱性かつ絶縁性の基板を用い、電極としてはＡｕ、Ｐ
ｔ等を用い、スクリーン印刷法、スパッタリング法、蒸
着法等により形成する。この電極はガス感応体上で対向
して設？すられ、ガス感応体と基板との間、ガス感応体
と触妓層との間どちらに設けても良い。
ｉ、Ｎ、 、ＢＮ 、５ｉｎ２等のセラミック基板等の
耐熱性かつ絶縁性の基板を用い、電極としてはＡｕ、Ｐ
ｔ等を用い、スクリーン印刷法、スパッタリング法、蒸
着法等により形成する。この電極はガス感応体上で対向
して設？すられ、ガス感応体と基板との間、ガス感応体
と触妓層との間どちらに設けても良い。
ガス感ＬＣメ体としては、一般に用いられるＳｎＯ，系
、ＺｎＯ系、Ｆｅ、Ｏｓ系等の測定対象ガスに接触して
その抵抗値の変化する酸化物半尋体を用いる。このＳｎ
Ｏ，系、ＺｎＯ系、Ｆｅ２０ｓ系酸化物半導体は、それ
ぞれＳｎＯ，、ＺｎＯ、Ｆｅ、Ｏｓを生成分とし、必要
に応じＮｂ＋ｌ＋、 Ｓｂ” 、 Ｓｂ” 、Ａｚ”、
Ｃｒ３＋等の副成分が添加されたものである。このガ
ス感応体は、スパッタリング法、蒸着法、塗布焼結、有
機化合物の熱分解法等により形成される。ガス感度、応
答性の点から、スパッタリング法、蒸龜法、熱分解法等
のＮ、Ｂ’にの方が好ましい。
、ＺｎＯ系、Ｆｅ、Ｏｓ系等の測定対象ガスに接触して
その抵抗値の変化する酸化物半尋体を用いる。このＳｎ
Ｏ，系、ＺｎＯ系、Ｆｅ２０ｓ系酸化物半導体は、それ
ぞれＳｎＯ，、ＺｎＯ、Ｆｅ、Ｏｓを生成分とし、必要
に応じＮｂ＋ｌ＋、 Ｓｂ” 、 Ｓｂ” 、Ａｚ”、
Ｃｒ３＋等の副成分が添加されたものである。このガ
ス感応体は、スパッタリング法、蒸着法、塗布焼結、有
機化合物の熱分解法等により形成される。ガス感度、応
答性の点から、スパッタリング法、蒸龜法、熱分解法等
のＮ、Ｂ’にの方が好ましい。
次に本発明素子における触媒層について述べる。
本発明においては、少なくともＰｄが担持されたＡｚ、
０３．５ｉ０２ 、 ＺｒＯ２がら選はれた少なくとも
一種に、さらにＡｇが担持された担体からなる触媒層を
用いる。
０３．５ｉ０２ 、 ＺｒＯ２がら選はれた少なくとも
一種に、さらにＡｇが担持された担体からなる触媒層を
用いる。
すなわちＡｌｔｏｓ微粉体にＰｄ −ｉ担持させた担体
を一旦製造した後、さらにＡｇを担持させることにより
触媒原料の粉末を製造し、適当なバインダーを加え、ガ
ス感応体上に塗布・焼成し触媒層を形成する。
を一旦製造した後、さらにＡｇを担持させることにより
触媒原料の粉末を製造し、適当なバインダーを加え、ガ
ス感応体上に塗布・焼成し触媒層を形成する。
このような触媒層ビ用いると、Ｈ２ガスに対する抵抗値
の変化か゛り例えばＣＤ等の他の還元性ガスに対する抵
抗値の変化と逆の既化な示す。すなわちガス感応体とし
てｎ型半導体を用いた場合、Ｈ。
の変化か゛り例えばＣＤ等の他の還元性ガスに対する抵
抗値の変化と逆の既化な示す。すなわちガス感応体とし
てｎ型半導体を用いた場合、Ｈ。
ガスに対しては抵抗値が増加し、ＣＯ等の他の還元性ガ
スに対しては減少する。ｐｌＪ半４≠体を用いたｓ合は
この逆の変化を示す。このようにＨ！ガスに対しては他
の還元性ガスと逆の抵抗値変化を示すので、Ｈ！ガスに
対する選択性、他のガスを測定対象とする場合にＨ２ガ
スの影台ヲ除去することができ、非常にガス選択性が向
上する。
スに対しては減少する。ｐｌＪ半４≠体を用いたｓ合は
この逆の変化を示す。このようにＨ！ガスに対しては他
の還元性ガスと逆の抵抗値変化を示すので、Ｈ！ガスに
対する選択性、他のガスを測定対象とする場合にＨ２ガ
スの影台ヲ除去することができ、非常にガス選択性が向
上する。
なお本発明素子に係る触媒層ではＰｄの他ＩＪ’ｔ。
Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ 等のＰｔ系の触媒を加えてもよい。
ただしＰｄは必須である。また、担体には先にＰｄを担
持しておくことが必要であり、例えばＡｇを担持させた
担体にＰｄを担持させても本発明の効果を得ることはで
きない。これは、担体にＰｄ 、Ａｇの２層が近接して
担持され、内側からＰｄ−Ａｇの鴫の２層となることが
必要であるためと考えられる。
持しておくことが必要であり、例えばＡｇを担持させた
担体にＰｄを担持させても本発明の効果を得ることはで
きない。これは、担体にＰｄ 、Ａｇの２層が近接して
担持され、内側からＰｄ−Ａｇの鴫の２層となることが
必要であるためと考えられる。
例えばＰｄ担持の触媒層を形成した後、Ａｇ層を形成し
てもＰｄ−Ａｇの２層部分の領域が界面だけであるので
、本発明の効果を得ることはできない。
てもＰｄ−Ａｇの２層部分の領域が界面だけであるので
、本発明の効果を得ることはできない。
本発明においてはＰｄが内地でかつＰｄとＡｇとが近接
した状態で位置することが必要であると考えられ、この
ような構造をとることにより、ガス選択性が向上すると
考えられる。
した状態で位置することが必要であると考えられ、この
ような構造をとることにより、ガス選択性が向上すると
考えられる。
また一般に感ガス素子は、ガス応答性、選択性の向上の
ためガス感応体加熱用のヒータを備えているが、触媒層
中の担体は、Ｐｄ 、 Ａｇ等の触媒が加熱により凝集
するのを防止する。また触媒層はガス感応体への測定雰
囲気の接触を妨げないように多孔質となるように形成さ
れている。
ためガス感応体加熱用のヒータを備えているが、触媒層
中の担体は、Ｐｄ 、 Ａｇ等の触媒が加熱により凝集
するのを防止する。また触媒層はガス感応体への測定雰
囲気の接触を妨げないように多孔質となるように形成さ
れている。
この触媒１１〃中のＰｄ層はＡｊ！ ！ Ｏｓ等の担体
世に対し、０．０５〜２０ｗｔ％の範囲が好ましい。０
．０５ｗｔ％未満ては感度向上の効果があまり現われず
、２層ｗｔ％を越えると、むしろ触媒効果が損なわれ、
また初期経時変化が大となってしまう。同様にＡｇも０
．０５〜２０ｗｔ％程度が好ましい。Ｐｄの他に前記Ｐ
ｔ 系触媒を冶加する場合も、Ｐｄとあわせて０．０５
〜２Ｑｗｔ％の範囲が好ましい。
世に対し、０．０５〜２０ｗｔ％の範囲が好ましい。０
．０５ｗｔ％未満ては感度向上の効果があまり現われず
、２層ｗｔ％を越えると、むしろ触媒効果が損なわれ、
また初期経時変化が大となってしまう。同様にＡｇも０
．０５〜２０ｗｔ％程度が好ましい。Ｐｄの他に前記Ｐ
ｔ 系触媒を冶加する場合も、Ｐｄとあわせて０．０５
〜２Ｑｗｔ％の範囲が好ましい。
このようなガス選択性を生ずる原因はさだかではないか
、 Ａｇの酸化還元反応なＰｄが促進するためと考えら
れる。
、 Ａｇの酸化還元反応なＰｄが促進するためと考えら
れる。
また銀酸化物Ａｇ２Ｏは１５０℃〜２５０℃程度で分解
することが知られているが、本発明に係る感ガス素子は
、２００℃以上の詞温とすると本発明におけるガスに対
する逆方向のガス応答性があられれなくなることから考
えてもＡｇの酸化還元反応が何らかの影響をおよぼして
いると考えられる。
することが知られているが、本発明に係る感ガス素子は
、２００℃以上の詞温とすると本発明におけるガスに対
する逆方向のガス応答性があられれなくなることから考
えてもＡｇの酸化還元反応が何らかの影響をおよぼして
いると考えられる。
以上説明したように、本発明によればＨ！ガスに対する
抵抗値変化がＣρ等の他の還元性ガスと逆の変化を示す
ため、Ｈｚガスと他の還元性ガスとの識別が容易になり
、ガス選択性が向上する。
抵抗値変化がＣρ等の他の還元性ガスと逆の変化を示す
ため、Ｈｚガスと他の還元性ガスとの識別が容易になり
、ガス選択性が向上する。
本発明の実施例を以下説明する。
第１１は本発明の実施例を示すための図であり、感ガス
素子のＷｉ面図である。
素子のＷｉ面図である。
７ ｔｒｖｒ Ｘ ４ ！Ｉｌｌ Ｘ Ｑ、 ３ ｍ１
ｌＩｔ のＡｚ、０．基板（１）の表面を鏡面研厚し、
スクリーン印刷法を用い電極（２）としてＡｕからなる
一対のくし形電極を設ける。ＡＪ ！ Ｏｊ基板（１）
の裏面にはスクリーン印刷法によりＲｕｂ、からなるヒ
ータ（３）を設ける。電枝（２）及びヒータ（３）には
それぞれリード（２１’ 、（３１’を設ける。また電
極を蒸着法による薄膜とした場合は、リード接続部を厚
膜としリード接続部における基板との接着強度を増すこ
ともできる。
ｌＩｔ のＡｚ、０．基板（１）の表面を鏡面研厚し、
スクリーン印刷法を用い電極（２）としてＡｕからなる
一対のくし形電極を設ける。ＡＪ ！ Ｏｊ基板（１）
の裏面にはスクリーン印刷法によりＲｕｂ、からなるヒ
ータ（３）を設ける。電枝（２）及びヒータ（３）には
それぞれリード（２１’ 、（３１’を設ける。また電
極を蒸着法による薄膜とした場合は、リード接続部を厚
膜としリード接続部における基板との接着強度を増すこ
ともできる。
このＡｉ、０．基板（１）上で電極（２）に接するよう
にガス感応体層（４）を形成する。本実施例のガス感応
体（４）は、Ｓｎを含有する有１幾化合物又はＮｂ若し
くはｓｂを含有する有機化合物と８ｎン含有する有機化
合物との混合物を、熱分解して作成されたＳｎＯ，薄膜
又はＮｂ、Ｓｂを含有する８ｎＯ２薄膜である。この薄
膜は次のようにして作成される。
にガス感応体層（４）を形成する。本実施例のガス感応
体（４）は、Ｓｎを含有する有１幾化合物又はＮｂ若し
くはｓｂを含有する有機化合物と８ｎン含有する有機化
合物との混合物を、熱分解して作成されたＳｎＯ，薄膜
又はＮｂ、Ｓｂを含有する８ｎＯ２薄膜である。この薄
膜は次のようにして作成される。
まず、スズ（Ｓｎ）の金属石鹸（例えば２−エテルヘキ
サン酸スズ）あるいは、ａｎを含有する樹脂塩、スズの
アルコキシド（ＩＩ（Ｏ８ｎ ；ただし、Ｒはアルキル
基）、さらにはスズの有様金属化合物（Ｒａｎ；ただし
、几はアルキル基あるいはアリール基）などのＳｎを含
有する有機化合物又は、これにＮｂあるいはＳｂｉ含有
゛ｒる有機化合物を所定量添加した混合物をトルエン、
ベンゼン、ｎ−プ１チルアルコールなどの適宜な溶剤を
用いて溶解し、Ｓｎ の所定濃度の試料溶液をＪＭ製す
る。本実施例では１０ｗｔ％ブチノール溶液を用いた。
サン酸スズ）あるいは、ａｎを含有する樹脂塩、スズの
アルコキシド（ＩＩ（Ｏ８ｎ ；ただし、Ｒはアルキル
基）、さらにはスズの有様金属化合物（Ｒａｎ；ただし
、几はアルキル基あるいはアリール基）などのＳｎを含
有する有機化合物又は、これにＮｂあるいはＳｂｉ含有
゛ｒる有機化合物を所定量添加した混合物をトルエン、
ベンゼン、ｎ−プ１チルアルコールなどの適宜な溶剤を
用いて溶解し、Ｓｎ の所定濃度の試料溶液をＪＭ製す
る。本実施例では１０ｗｔ％ブチノール溶液を用いた。
Ｓｎ濃度は１．０〜２０重−％の範囲にあることが好ま
しい。
しい。
つぎに、この試料溶液を一対の１−６ ＭＪＡ（２）を
有するＡＡ ２０ ｇ基板（１）に塗布し、全気中で所
定時間（通常３０分〜１時間）数社した後、適宜な温度
（通常約１２０℃）に加熱して用いた溶剤を気化せしめ
る。しかる後に、全体な寞気中で３０分〜１時間に亘９
４００〜７００℃の温度で焼成すると、 Ｓｎを含有す
る有機化合物は熱分解しあわせてＳｎは酸化されて、こ
こにガス感応体（４）として５ｎ０２ 薄膜が形成され
る。用いる試料溶液のＳｎＶ：ａ度によって異なり一義
的には定められないが、この塗布−焼成の工程を１〜４
回程度反復して所定の膜厚の５ｎ０２ 薄膜を形成する
。
有するＡＡ ２０ ｇ基板（１）に塗布し、全気中で所
定時間（通常３０分〜１時間）数社した後、適宜な温度
（通常約１２０℃）に加熱して用いた溶剤を気化せしめ
る。しかる後に、全体な寞気中で３０分〜１時間に亘９
４００〜７００℃の温度で焼成すると、 Ｓｎを含有す
る有機化合物は熱分解しあわせてＳｎは酸化されて、こ
こにガス感応体（４）として５ｎ０２ 薄膜が形成され
る。用いる試料溶液のＳｎＶ：ａ度によって異なり一義
的には定められないが、この塗布−焼成の工程を１〜４
回程度反復して所定の膜厚の５ｎ０２ 薄膜を形成する
。
不純物としてＮｂ、Ｓｂ ケ添加した５ｎＯ２１λを作
成した場合、このとき、Ｎｂ、Ｓｂはいずれもドナーと
して機能する。Ｎｂ、Ｓｂ は、Ｓｎ に対する原子比
（Ｎｂ／Ｓｎ又はＳｂ／Ｓｎ）で０．００５〜０．０５
のｆＩ囲内の鼠であることが好ましい。
成した場合、このとき、Ｎｂ、Ｓｂはいずれもドナーと
して機能する。Ｎｂ、Ｓｂ は、Ｓｎ に対する原子比
（Ｎｂ／Ｓｎ又はＳｂ／Ｓｎ）で０．００５〜０．０５
のｆＩ囲内の鼠であることが好ましい。
このようにして設けられたガス感応体（４）の上に、そ
れを被覆して以下の方法により触媒層（５）を形成する
。
れを被覆して以下の方法により触媒層（５）を形成する
。
触媒層は以下のようにして製造する。
まず、例えばＨ２ＰｔＣｚ、・６Ｈ２０からなる塩化物
及び（ＮＨ４）ｔ Ｐ ｄ Ｃ１ａからなるアンモニウ
ム塩を用いて、Ｐｄ、Ｐｔ の所定濃度の水溶液ン調製
する。
及び（ＮＨ４）ｔ Ｐ ｄ Ｃ１ａからなるアンモニウ
ム塩を用いて、Ｐｄ、Ｐｔ の所定濃度の水溶液ン調製
する。
ここにルｒ定鼠のＡ１２０Ｂ微粉体をベーする。
充分両者を撹拌混合した後、例えば１〜２時間減圧含没
し、更（二約１２０℃で加熱乾燥する。これを例えは乳
鉢で粉砕し粉末として、石英ルツボに入れて４００〜６
００℃の温度で焼成する。かくして、所定長のＰｄ −
Ｐｔが担持されたＡｚ２０ｓ担体を形成する。
し、更（二約１２０℃で加熱乾燥する。これを例えは乳
鉢で粉砕し粉末として、石英ルツボに入れて４００〜６
００℃の温度で焼成する。かくして、所定長のＰｄ −
Ｐｔが担持されたＡｚ２０ｓ担体を形成する。
このＰｄ −Ｐｉ Ｋ！持のＡｌ２Ｏ、担体を炭酸銀を
硝酸に所定祉落舶、した水溶液中に再度浸漬し、前述の
同様の工程を繰り返して焼成し、Ｐｄ−Ｐｔ 担持のＡ
ｘ、Ｏ、担体にＡｇを担持した。本実施例ではＰｄ、Ｐ
ｔ、Ａｇ がそれぞれＡｌ２Ｏ、に対し、ｌ ｗｔ％、
０．９ｗｔ％、１ｗｔ％の組成の触媒施用の原料を製造
した。
硝酸に所定祉落舶、した水溶液中に再度浸漬し、前述の
同様の工程を繰り返して焼成し、Ｐｄ−Ｐｔ 担持のＡ
ｘ、Ｏ、担体にＡｇを担持した。本実施例ではＰｄ、Ｐ
ｔ、Ａｇ がそれぞれＡｌ２Ｏ、に対し、ｌ ｗｔ％、
０．９ｗｔ％、１ｗｔ％の組成の触媒施用の原料を製造
した。
このようにして調製された触媒ン、つぎに、例えばバイ
ンダとしてアルミニクムヒドロキシクロライド等の水浴
液を用いて泥漿とし、この泥漿を５ｎ０２薄膜の上に所
定の厚みで領有、乾燥し、その後３００〜４００℃の温
度で焼成して本発明にかかる触媒層（５）を形成した。
ンダとしてアルミニクムヒドロキシクロライド等の水浴
液を用いて泥漿とし、この泥漿を５ｎ０２薄膜の上に所
定の厚みで領有、乾燥し、その後３００〜４００℃の温
度で焼成して本発明にかかる触媒層（５）を形成した。
このようにし″′Ｃ製造した感ガス素子を約２００℃で
数日間エージングし安定化した後に感ガス特性を測定し
た（実施例−１）。その結果を第１表に示す。
数日間エージングし安定化した後に感ガス特性を測定し
た（実施例−１）。その結果を第１表に示す。
ガス感度は、感ガス素子を密閉測定槽中に配置し、大気
雰囲気中の抵抗値（ａ ａｉｒ ）測疋後、測定対（シ
ガスをＵ１定濃度となるように注入し、感ガス素子の抵
抗値が安定化した後にその抵抗値（几ｇａｓ ）を測定
し几ａｉｒ ／ ａ ｇａｓにより表わした。
雰囲気中の抵抗値（ａ ａｉｒ ）測疋後、測定対（シ
ガスをＵ１定濃度となるように注入し、感ガス素子の抵
抗値が安定化した後にその抵抗値（几ｇａｓ ）を測定
し几ａｉｒ ／ ａ ｇａｓにより表わした。
なお素子温度は１５０℃である。
比較例として
ＯＡｇ’（＜担持させないこと以外は同様としたもの
・・・・・・・・・比較例−１ ｏＡｇとＰｄ−Ｐｔの担持工程を逆にしたもの・・・・
・・・・・比較例−２ ０Ｐｄのみを担持させたもの・・・・・・・・・比較例
−３ｏ ｐｔのみを担持させたもの ・・・・・・・・
比較例−４０Ｐｄのみを担持させたもの・・・・・・・
・比較例−５ｏＰｔ担持後Ａｇヲ担持させたもの・・・
比較例−６についても同様の測定を行なった。
・・・・・・・・・比較例−１ ｏＡｇとＰｄ−Ｐｔの担持工程を逆にしたもの・・・・
・・・・・比較例−２ ０Ｐｄのみを担持させたもの・・・・・・・・・比較例
−３ｏ ｐｔのみを担持させたもの ・・・・・・・・
比較例−４０Ｐｄのみを担持させたもの・・・・・・・
・比較例−５ｏＰｔ担持後Ａｇヲ担持させたもの・・・
比較例−６についても同様の測定を行なった。
また実施例−２としてＰｄを担持した候にＡｇを担持し
たものについても同様のよ：ｊ定を行なった。
たものについても同様のよ：ｊ定を行なった。
以下依白
第１表から明らかなごとく、実施例１，２のみがＨ２ガ
スに対して抵抗値が増加する（感度がｌ未ｆＪ４）。そ
れぞれ単独の場合はもちろんのことＰｄとＡｇのノυ持
工程を逆にした場合でもト１２ガスに対しては他の虻゛
へ元性ガスと同様に抵抗値が減少する。
スに対して抵抗値が増加する（感度がｌ未ｆＪ４）。そ
れぞれ単独の場合はもちろんのことＰｄとＡｇのノυ持
工程を逆にした場合でもト１２ガスに対しては他の虻゛
へ元性ガスと同様に抵抗値が減少する。
従って、本発明素子に」６いてはｌ−Ｉ２ガスを例えば
ＣＧ等のガスとの品別能力を有するはかりでなく、例影
ヤ（２を除去することも可能である。
ＣＧ等のガスとの品別能力を有するはかりでなく、例影
ヤ（２を除去することも可能である。
第１ν」は本発明素子・の断面図。
■・・・Ａｌ２Ｏ，基板（絶縁性基板）２・・・電極
４・・・ガス感応体
５・・触媒１１−・ｊ
代Ｊ畢人 弁理士 則 近 憲 佑
（ほか１名）
Claims (1)
- 絶縁性基板と、この絶縁性基板上に形成された測定対象
ガスに接触して抵抗値の変化するガス感応体と、このガ
ス感応体の抵抗イｌＬＬヲ検出するために形成された一
対の電極と、このガス感応体上に形成された触媒ｊ曽と
を備えた感ガス素子の製造方法において、前記触媒層は
Ａ３２０８．５ｉｎ２及びＺｒＯ２から選はれた少なく
とも一種からなる担体に、少なくともＰｄ を担持させ
る第１の工程と、少なくともＰｄが担持された１記担体
にさらにＡｇ Ｙ担持させる第２の工程とにより形成さ
れた触媒原料からなることを特徴とする感ガス系子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11423183A JPS607351A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 感ガス素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11423183A JPS607351A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 感ガス素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607351A true JPS607351A (ja) | 1985-01-16 |
| JPH051419B2 JPH051419B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=14632527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11423183A Granted JPS607351A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 感ガス素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607351A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01118759A (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-11 | Toshiba Corp | ガスセンサの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS525880A (en) * | 1975-07-01 | 1977-01-17 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | Metallized duplicates and process for moldinthe same. |
| JPS52111797A (en) * | 1976-03-17 | 1977-09-19 | Yazaki Corp | Gas detecting element |
| JPS5594153A (en) * | 1979-01-11 | 1980-07-17 | Fuigaro Giken Kk | Methane gas detector |
| JPS57154041A (en) * | 1981-03-19 | 1982-09-22 | Toshiba Corp | Gas detecting element |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP11423183A patent/JPS607351A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS525880A (en) * | 1975-07-01 | 1977-01-17 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | Metallized duplicates and process for moldinthe same. |
| JPS52111797A (en) * | 1976-03-17 | 1977-09-19 | Yazaki Corp | Gas detecting element |
| JPS5594153A (en) * | 1979-01-11 | 1980-07-17 | Fuigaro Giken Kk | Methane gas detector |
| JPS57154041A (en) * | 1981-03-19 | 1982-09-22 | Toshiba Corp | Gas detecting element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01118759A (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-11 | Toshiba Corp | ガスセンサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051419B2 (ja) | 1993-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2702279B2 (ja) | ガス検知素子 | |
| EP1452855A1 (en) | Gas sensor, and production method for gas sensor | |
| Chatterjee et al. | The effect of palladium incorporation on methane sensitivity of antimony doped tin dioxide | |
| EP0130785B1 (en) | Gas detecting element | |
| WO2003040716A1 (en) | Thin film ethanol sensor and a process for the preparation | |
| AU2002216358A1 (en) | Thin film ethanol sensor and a process for the preparation | |
| JP3795944B2 (ja) | 半導体式ガスセンサの製造方法 | |
| KR20190136437A (ko) | 가스 검출용 복합체, 그 제조 방법, 상기 가스 검출용 복합체를 포함하는 가스 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR890000390B1 (ko) | 가스 검지소자(檢知素子) | |
| JPS607351A (ja) | 感ガス素子の製造方法 | |
| EP0115953B1 (en) | Gas sensor | |
| JPH0531104B2 (ja) | ||
| JP2001050923A (ja) | 水素ガス検知素子 | |
| JP3026523B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JPH0380257B2 (ja) | ||
| JP2922264B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JP2573323B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JP2570440B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JP2980290B2 (ja) | ガス検出方法及びそれに用いるガスセンサ | |
| JP3000726B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JPS5938641A (ja) | ガス検知素子 | |
| JPH0259948B2 (ja) | ||
| JPH07104309B2 (ja) | ガスセンサの製造方法 | |
| JPS622145A (ja) | ガス検知素子 | |
| JPS59120946A (ja) | フロンガス検知素子 |