JPS60742A - マスク欠陥検査装置 - Google Patents
マスク欠陥検査装置Info
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- JPS60742A JPS60742A JP58107723A JP10772383A JPS60742A JP S60742 A JPS60742 A JP S60742A JP 58107723 A JP58107723 A JP 58107723A JP 10772383 A JP10772383 A JP 10772383A JP S60742 A JPS60742 A JP S60742A
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- Japan
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- pattern
- change
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- photomask
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の喝する技術分野〕
本発明は、半導体集積回路の製作時に用いられるフォト
マスクの欠陥の有無およびパターンの正否を検査するマ
スク欠陥検査装置に関する。
マスクの欠陥の有無およびパターンの正否を検査するマ
スク欠陥検査装置に関する。
従来、フォトマスクに形成されているパターンの検査を
行なう場合にはフォトマスクに光を照射してフォトマス
クの透過光を信号検出部により受光して、上記フォトマ
スクに形成されている微細パターンに応じた走査信号を
得て、この走査信号を任意に設定されたスレッショール
ドレベルを基にしてディジタル信号に変換してフォトマ
スクに形成されている微細パターンのパターン信号を生
成して、上記パターン信号とフォトマスクに微細パター
ンを形成する際に用いられる設計データに対応して生成
されるディジタル信号を比較することによりフォトマス
クでの欠陥の有無およびパターンの正否の検査を行なっ
ていた。
行なう場合にはフォトマスクに光を照射してフォトマス
クの透過光を信号検出部により受光して、上記フォトマ
スクに形成されている微細パターンに応じた走査信号を
得て、この走査信号を任意に設定されたスレッショール
ドレベルを基にしてディジタル信号に変換してフォトマ
スクに形成されている微細パターンのパターン信号を生
成して、上記パターン信号とフォトマスクに微細パター
ンを形成する際に用いられる設計データに対応して生成
されるディジタル信号を比較することによりフォトマス
クでの欠陥の有無およびパターンの正否の検査を行なっ
ていた。
しかしながら、このような工程でフォトマスクの検査を
行なう場合、フォトマスクに形成されている微細パター
ンによらず信号検出部で検出した走査信号をディジタル
信号に変換する時のスレッショールドレベルが不変であ
るためフォトマスクに形成されているパターンの微細化
がすすむにつれて、信号検出部でのセンサーの信号の振
幅が小さくなシ、従来の方法では認識できないパターン
が生じる、フォトマスクに付着したゴミなど半透明な物
質が原因で生じる欠陥については゛検出できない場合が
ある。微細パターンが密に形成されているフォトマスク
の時に七〇走育信号がスレッショールドレベルに対して
対称にならないために認識できないパターンがあるなど
の問題があった。
行なう場合、フォトマスクに形成されている微細パター
ンによらず信号検出部で検出した走査信号をディジタル
信号に変換する時のスレッショールドレベルが不変であ
るためフォトマスクに形成されているパターンの微細化
がすすむにつれて、信号検出部でのセンサーの信号の振
幅が小さくなシ、従来の方法では認識できないパターン
が生じる、フォトマスクに付着したゴミなど半透明な物
質が原因で生じる欠陥については゛検出できない場合が
ある。微細パターンが密に形成されているフォトマスク
の時に七〇走育信号がスレッショールドレベルに対して
対称にならないために認識できないパターンがあるなど
の問題があった。
本発明の目的は、フォトマスクに形成されている微細パ
ターンによりその走査信号の振幅が小さくなったときに
認識することができないパターンをなくすことができ、
半透明な物質による欠陥についても著しくその検出精度
を向上することができ、スレッショールドレベルに対し
て走査信号が対称にならない微細パターンにおいても認
識できないパターンをなくしてフォトマスクに存在する
欠陥の検出精度の向上等をはかり得るマスク欠陥検査装
置を提供することにある。
ターンによりその走査信号の振幅が小さくなったときに
認識することができないパターンをなくすことができ、
半透明な物質による欠陥についても著しくその検出精度
を向上することができ、スレッショールドレベルに対し
て走査信号が対称にならない微細パターンにおいても認
識できないパターンをなくしてフォトマスクに存在する
欠陥の検出精度の向上等をはかり得るマスク欠陥検査装
置を提供することにある。
本発明の骨子は、信号検出部で得たフォトマスクの微細
パターンに応じた走査信号をディジタル信号に変換する
際に、信号検出部の隣接するセンサー間での信号の変化
量によシフオドマスクに形成されている微細パターンに
対応したディジタル信号に変換し、より高精度な欠陥検
査を行なうことにある。
パターンに応じた走査信号をディジタル信号に変換する
際に、信号検出部の隣接するセンサー間での信号の変化
量によシフオドマスクに形成されている微細パターンに
対応したディジタル信号に変換し、より高精度な欠陥検
査を行なうことにある。
すなわち本発明は、半導体集猜回路の製作に用いられる
フォトマスクの欠陥の有無およびノくターンの正否を検
査するマスク欠陥検査装置において、上記フォトマスク
に光を照射する光照射部と、上記光の解舒およびフォト
マスク上での光照射位置の移動により得られる上記フォ
トマスクに形成された被検査パターンに対応する走査信
号を検出する信号検出部と、上記被検査パターンを形成
する ′際の設計データに対応するディジタル信号を発
生する基準信号発生部と、上記フォトマスクに形成され
ている黒パターン部に対応する走査信号を信号検出部よ
り得て黒パタ一部におけるノイズレベルを設定すると共
に、上記フォトマスクに形成されている白パターン部に
対応する走査信号を信号検出部より得七白パターン部に
おけるノイズレベ／ｌ／を設定して、上記信号検出部で
得られる被検査パターンに対応する走査信号の信号検出
部において隣接するセンサー間での信号の変化量を認識
して、隣接するセンサーデータが′０”の時にこの変化
量が坩加する方向に前記黒パターン部におけるノイズレ
ベルを基に設定せられる第１の基準変化量より犬なる時
は′１”として小なる時は′０”として、隣接するセン
サーデータが１”の時に上記変化量が減少する方向に前
記白ノ（ターン部におけるノイズレベルを基に設定せら
れる“第２の基準変化量より大なる時は０”として小な
る時は”１″として、前記被検出パターンに対応する走
査信号をディジタル信号に変換して、前記基準信号発生
部により発生されたディジタル信号と比較してフォトマ
スクでの欠陥の有無を判定する欠陥判定部とを設けるよ
うにしたものである。
フォトマスクの欠陥の有無およびノくターンの正否を検
査するマスク欠陥検査装置において、上記フォトマスク
に光を照射する光照射部と、上記光の解舒およびフォト
マスク上での光照射位置の移動により得られる上記フォ
トマスクに形成された被検査パターンに対応する走査信
号を検出する信号検出部と、上記被検査パターンを形成
する ′際の設計データに対応するディジタル信号を発
生する基準信号発生部と、上記フォトマスクに形成され
ている黒パターン部に対応する走査信号を信号検出部よ
り得て黒パタ一部におけるノイズレベルを設定すると共
に、上記フォトマスクに形成されている白パターン部に
対応する走査信号を信号検出部より得七白パターン部に
おけるノイズレベ／ｌ／を設定して、上記信号検出部で
得られる被検査パターンに対応する走査信号の信号検出
部において隣接するセンサー間での信号の変化量を認識
して、隣接するセンサーデータが′０”の時にこの変化
量が坩加する方向に前記黒パターン部におけるノイズレ
ベルを基に設定せられる第１の基準変化量より犬なる時
は′１”として小なる時は′０”として、隣接するセン
サーデータが１”の時に上記変化量が減少する方向に前
記白ノ（ターン部におけるノイズレベルを基に設定せら
れる“第２の基準変化量より大なる時は０”として小な
る時は”１″として、前記被検出パターンに対応する走
査信号をディジタル信号に変換して、前記基準信号発生
部により発生されたディジタル信号と比較してフォトマ
スクでの欠陥の有無を判定する欠陥判定部とを設けるよ
うにしたものである。
本発明によれば、従来の欠陥検丘に比較して、フォトマ
スクに形成されている微細ノくターンの微細化がすすむ
につれて、信号検出部でのセンサーの信号の振幅が小さ
くなった場合でもノくターンの認識が容易であり検出精
度に影響を与えない。さらにゴミやほこりなど半透明な
物質が原因で生じる欠陥の検出精度が著しく向上する。
スクに形成されている微細ノくターンの微細化がすすむ
につれて、信号検出部でのセンサーの信号の振幅が小さ
くなった場合でもノくターンの認識が容易であり検出精
度に影響を与えない。さらにゴミやほこりなど半透明な
物質が原因で生じる欠陥の検出精度が著しく向上する。
またスレッシロールドレベルに対して非対称な走査信号
にふ・いてもパターンの認識に影響は著しく低下するの
で欠陥の検出精度が向上する笠の効果を奏する。
にふ・いてもパターンの認識に影響は著しく低下するの
で欠陥の検出精度が向上する笠の効果を奏する。
第１図（ａ）は設計データに応じたパターンを示す平面
図、同図（ｂ）は欠陥の存在す実際の被検査パターンを
示す平面図であシ、図中１は正規のパターン、２は白系
欠陥、３は熱系欠陥を示している。
図、同図（ｂ）は欠陥の存在す実際の被検査パターンを
示す平面図であシ、図中１は正規のパターン、２は白系
欠陥、３は熱系欠陥を示している。
第２図は本発明の一実施例に係わるマスク欠陥検査装置
の概略構成を示すブロック図である。図中１１はフォト
マスク１２を載置する試料台であや、この試料台１１は
計算機】３から指令を受けたステージ駆動制御部１４に
よりＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向
）に移動されるものとなっている。そして、試料台１１
の移動位置は、例えばレーザー干渉計からなるステージ
位置測定部１５によシ測定されるものとなっている。
の概略構成を示すブロック図である。図中１１はフォト
マスク１２を載置する試料台であや、この試料台１１は
計算機】３から指令を受けたステージ駆動制御部１４に
よりＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向
）に移動されるものとなっている。そして、試料台１１
の移動位置は、例えばレーザー干渉計からなるステージ
位置測定部１５によシ測定されるものとなっている。
一方、試料台１１の上方には、光源（光照射部）１６が
配置されている。光源１６からの光は、試料台１１上に
載置されるフォトマスク１２上にスポット照射され、そ
の透過光が信号検出部１７の受光面に照射される。ここ
で、上記光照射と共に試料台１１を連続移動させること
により、信号検出部１７ではフォトマスク１２の被検査
ノくターンに対応した走査信′号（第１１の走ＩＥ イ
ｉ号）が検出される。そして、この検出走査信号は、基
準信号発生部１８により上記被検査パターンを形成する
際の設計データに基づいて発生された走査信号（第２の
走査信号）と共に、欠陥判定部１９に供給されるものと
なっている。
配置されている。光源１６からの光は、試料台１１上に
載置されるフォトマスク１２上にスポット照射され、そ
の透過光が信号検出部１７の受光面に照射される。ここ
で、上記光照射と共に試料台１１を連続移動させること
により、信号検出部１７ではフォトマスク１２の被検査
ノくターンに対応した走査信′号（第１１の走ＩＥ イ
ｉ号）が検出される。そして、この検出走査信号は、基
準信号発生部１８により上記被検査パターンを形成する
際の設計データに基づいて発生された走査信号（第２の
走査信号）と共に、欠陥判定部１９に供給されるものと
なっている。
欠陥判定部１９は、第３図に示す如く熱系ノイスハタフ
ァ２１、白糸ノイズバッファ ２２ 、第１係数バツフ
ア２３、第２係数バツフア２４、第１基準バツフア２５
、第２ｇ準／（ツファ２６、ｍ１センサーデータ変換回
路２７、信号変化認識回路２８、信号変化レベルバッフ
ァ２９、）くターン信号発生回路３０、欠陥判定回路３
１から構成きれている。すなわち前記イ１号検出部１７
からの第１の走査信号の中の第１番目のセンサーの信号
は第１センザーデータ変換回路２７により特定のスレッ
ショールドレベルを基にディジタル信号に変換されパタ
ーン信号発生回路３０に送られる。また前記信号検出部
１７からの嬉１の走査信号は信号変化認識回路２８によ
り２番目以降のセンサーの出力信号について１つ前のセ
ンサーの出力信号との差分を認識して差分信号を信号変
化レベルバッファ２９に信号検出部１７を構成するセン
サーの個数より１つ少ない数だけ登録きれ、パターン信
号発生回路３０に順次送られる。
ァ２１、白糸ノイズバッファ ２２ 、第１係数バツフ
ア２３、第２係数バツフア２４、第１基準バツフア２５
、第２ｇ準／（ツファ２６、ｍ１センサーデータ変換回
路２７、信号変化認識回路２８、信号変化レベルバッフ
ァ２９、）くターン信号発生回路３０、欠陥判定回路３
１から構成きれている。すなわち前記イ１号検出部１７
からの第１の走査信号の中の第１番目のセンサーの信号
は第１センザーデータ変換回路２７により特定のスレッ
ショールドレベルを基にディジタル信号に変換されパタ
ーン信号発生回路３０に送られる。また前記信号検出部
１７からの嬉１の走査信号は信号変化認識回路２８によ
り２番目以降のセンサーの出力信号について１つ前のセ
ンサーの出力信号との差分を認識して差分信号を信号変
化レベルバッファ２９に信号検出部１７を構成するセン
サーの個数より１つ少ない数だけ登録きれ、パターン信
号発生回路３０に順次送られる。
また、一方においては試料台１１に載置されたフォトマ
スク１２の中のり巳ムパターンの存在する部分に光源１
６からの光がスポット照射されるよう試料台１１の位置
合せを行ない信号検出部１７を駆動して第４図（ａ）に
示す如く走査信号を得てその最大値と最小値の差を計算
機１３により算出して黒糸ノイズレベルとして黒糸ノイ
ズバッファ２１゜に登録され、同様にフォトマスク１２
の中のガラスパターンの存在する部分に光源１６からの
光がスポット照射されるよう試料台１１の位置合わせを
行ない・信号検出部１７を駆動して第４図（ｂ）に示す
如く走査信号を得てその最大値と最小値の差を計算機１
３により算出して白糸ノイズレベルトシて白系ノイズバ
ッファ２２に予め登録されることとなっており、検査を
行なうマスクのパターン幅などから決定される欠陥の許
容最大寸法に相当する処の係数を黒糸欠陥および白糸欠
陥に対応してオヘレータが計算機１３を介して第１係数
バツフア２３と第２係数バツフア２４に登録され、前記
黒糸ノイズレベルに第１係数を乗じて第１基準変化量と
して第１基準バツフア２５に登録し、同様に白糸ノイズ
レベルに第２係数を乗じて第２基準変化量として第２基
準バツフア２６に登録されるものとなっている。なお、
この第１基準変化量はフォトマスク１２のパターンのク
ロムパターン部からガラスパターン部への変化を認識す
るためのスレッショールドレベルに相当するものであり
、第２基準変化量はフォトマスク１２のパターンのガラ
スパターン部からクロムパターン部への変化を認識する
ためのスレッショールドレベルニ相当するものであり、
とのＭ１基準変化量と第２基準変化量がパターン信号発
生回路３ｏに送られる。
スク１２の中のり巳ムパターンの存在する部分に光源１
６からの光がスポット照射されるよう試料台１１の位置
合せを行ない信号検出部１７を駆動して第４図（ａ）に
示す如く走査信号を得てその最大値と最小値の差を計算
機１３により算出して黒糸ノイズレベルとして黒糸ノイ
ズバッファ２１゜に登録され、同様にフォトマスク１２
の中のガラスパターンの存在する部分に光源１６からの
光がスポット照射されるよう試料台１１の位置合わせを
行ない・信号検出部１７を駆動して第４図（ｂ）に示す
如く走査信号を得てその最大値と最小値の差を計算機１
３により算出して白糸ノイズレベルトシて白系ノイズバ
ッファ２２に予め登録されることとなっており、検査を
行なうマスクのパターン幅などから決定される欠陥の許
容最大寸法に相当する処の係数を黒糸欠陥および白糸欠
陥に対応してオヘレータが計算機１３を介して第１係数
バツフア２３と第２係数バツフア２４に登録され、前記
黒糸ノイズレベルに第１係数を乗じて第１基準変化量と
して第１基準バツフア２５に登録し、同様に白糸ノイズ
レベルに第２係数を乗じて第２基準変化量として第２基
準バツフア２６に登録されるものとなっている。なお、
この第１基準変化量はフォトマスク１２のパターンのク
ロムパターン部からガラスパターン部への変化を認識す
るためのスレッショールドレベルに相当するものであり
、第２基準変化量はフォトマスク１２のパターンのガラ
スパターン部からクロムパターン部への変化を認識する
ためのスレッショールドレベルニ相当するものであり、
とのＭ１基準変化量と第２基準変化量がパターン信号発
生回路３ｏに送られる。
パターン信号発生回路３ｏは信号変化レベルバッファ２
９に登録されている２番目以降の各センサーの差分信号
を１つ前のセンサーのディジタル信号の１”、ｌＯ”に
応じて、０″の場合は各センサーの差分信号が１＋”方
向に第１基準変化量よシ大きければ１”小さければ′Ｏ
”に変換し １１１ ｔｌの場合は各センサー差分信号
が−”方向に第２基準変化量より大きければ０″小さけ
ればＮ ＯＴＴに変換してフォトマスク１２に形成され
ている微細パターンに対応するディジタル信号を生成し
て欠陥判定回路３１に送られる。なお上記処理において
各々のセンサーの１つ前のディジタル信号は２番目のセ
ンサーの場合は第１センサーデータ変換回路２７で得ら
れた信号が用いられ、３誉目以降のセンサーの場合には
パターン信号発生回路３０で得られた信号が保持畑れ用
いられる。そして、欠陥判定回路３１は、上記パターン
信号発生回路３０から送出されるディジタル信号と基準
信号発生部１８から設計データに基づいて送出プれるデ
ィジタル信号とを比較照合することによりフォトマスク
１−２に存在する欠陥を高精度に検出することができた
。
９に登録されている２番目以降の各センサーの差分信号
を１つ前のセンサーのディジタル信号の１”、ｌＯ”に
応じて、０″の場合は各センサーの差分信号が１＋”方
向に第１基準変化量よシ大きければ１”小さければ′Ｏ
”に変換し １１１ ｔｌの場合は各センサー差分信号
が−”方向に第２基準変化量より大きければ０″小さけ
ればＮ ＯＴＴに変換してフォトマスク１２に形成され
ている微細パターンに対応するディジタル信号を生成し
て欠陥判定回路３１に送られる。なお上記処理において
各々のセンサーの１つ前のディジタル信号は２番目のセ
ンサーの場合は第１センサーデータ変換回路２７で得ら
れた信号が用いられ、３誉目以降のセンサーの場合には
パターン信号発生回路３０で得られた信号が保持畑れ用
いられる。そして、欠陥判定回路３１は、上記パターン
信号発生回路３０から送出されるディジタル信号と基準
信号発生部１８から設計データに基づいて送出プれるデ
ィジタル信号とを比較照合することによりフォトマスク
１−２に存在する欠陥を高精度に検出することができた
。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施すること
ができる。
その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施すること
ができる。
第１図（、）は設計データに対応したパターンを示す平
面図、同図（ｂ）はフォトマスク上の種々の欠陥の存在
する被検査パターンを示す平面図、第２図は本発明の一
実施例に係わるマスク欠陥検査装置の概略構成を示すブ
ロック図、第３図は上記装置の要部構成を具体化して示
すブロック図、第４図（ａ）は黒糸ノイズレベルを決定
する際の走査信号の一例、同図（ｂ）は白糸ノイズレベ
ルを決定する際の走査信号の一例を示す特性図である。 １・・・正規のパターン、２・・・白系欠陥、３・・・
黒糸欠陥、１１・・・試料台、１２・・・フォトマスク
、１３・・・計算機、１４・・−ステージ駆動制御部、
１５・・・ステージ位置測定部、１６・・・光源、１７
・・・侶号検出部、１８・・・基準信号発生部、１９・
・・欠陥判定部、２１・・・黒糸ノイズバッファ、２２
・・・白系ノイズバッファ、２３・・・第１係数バツフ
ア、２４・・・第２係数バツフア、２５・・・第１基準
バツフア、２６・・・第２基準バツフア、２７・・・第
１センサーデータ変換回路、２８・・・信号変化認識回
路、２９・・・信号変化レベルバッファ、３０・・・パ
ターン信号発生回路、３１・・・欠陥判定回路。 代理人 弁理士 則 近 意 佑 （ほか１名）第１図 第２図
面図、同図（ｂ）はフォトマスク上の種々の欠陥の存在
する被検査パターンを示す平面図、第２図は本発明の一
実施例に係わるマスク欠陥検査装置の概略構成を示すブ
ロック図、第３図は上記装置の要部構成を具体化して示
すブロック図、第４図（ａ）は黒糸ノイズレベルを決定
する際の走査信号の一例、同図（ｂ）は白糸ノイズレベ
ルを決定する際の走査信号の一例を示す特性図である。 １・・・正規のパターン、２・・・白系欠陥、３・・・
黒糸欠陥、１１・・・試料台、１２・・・フォトマスク
、１３・・・計算機、１４・・−ステージ駆動制御部、
１５・・・ステージ位置測定部、１６・・・光源、１７
・・・侶号検出部、１８・・・基準信号発生部、１９・
・・欠陥判定部、２１・・・黒糸ノイズバッファ、２２
・・・白系ノイズバッファ、２３・・・第１係数バツフ
ア、２４・・・第２係数バツフア、２５・・・第１基準
バツフア、２６・・・第２基準バツフア、２７・・・第
１センサーデータ変換回路、２８・・・信号変化認識回
路、２９・・・信号変化レベルバッファ、３０・・・パ
ターン信号発生回路、３１・・・欠陥判定回路。 代理人 弁理士 則 近 意 佑 （ほか１名）第１図 第２図
Claims (2)
- （１）半導体集積回路の製作の過程で用いられるフォト
マスクに光を照射する光照射部と、上記光の照射および
フォトマスク上での光照射位置の移動により得られる上
記フォトマスクに形成された被検査パターンに対応する
走査信号を検出する信号検出部と、上記被検査パターン
を形成する際の設計データに対応するディジタル信号を
発生する基準信号発生部と、前記フォトマスクに形成さ
れている黒パターン部に対応する走査信号を信号検出部
よシ得て黒パターン部におけるノイズレベルを設定する
と共に、前記フォトマスクに形成されている白パターン
部に対応する走査信号を信号検出部ｘｖｍｃ白パターン
部におけるノイズレベルヲ設定して、前記信号検出部で
得られる被検査パターンに対応する走査信号の信号検出
部において隣接するセンサー間での信号の変化量をＭｌ
ｔＨ＆して、隣接するセンサーデータが１”の場合はこ
の変化量が９＋”する方向に、前記黒パターン部におけ
るノイズレベルを基に設定せられる第１の基準変化量よ
り犬なる時は１”として小なる時は′０”として、隣接
するセンサーデータが“１”の場合は上記変化量が１−
″する方向に前記白パターン部におけるノイズレベルを
基に設定せられる第２の基準変化量より大なる時はＷＯ
パとして小なる時は１”として、前記被検査パターンに
対応する走査信号をディジタル信号に変換して、上記基
準信号発生部により発生されたディジタル信号と比較し
てフォトマスクでの欠陥の有無を判定する欠陥判定部を
具備してなることを特徴とするマスク欠陥検査装置。 - （２）前記欠陥判定部は、フォトマスクの黒バタ一部に
光を照射してそれに対応する走査信号を信号検出部より
得て黒パターン部におけるノイズレベルが保持される黒
糸ノイズバッファ、フォトマスクの白パターン部に光を
照射してそれに対応する走査信号を信号検出部より得て
白パターン部におケルノイズレベルが保持される白系ノ
イズバッファ、信号検出部の１番目のセンサーの出力を
スレッショールドレベルと比較してディジタル信号に変
換して保持する第１センサーデータ変換回路、信号検出
部の隣接するセンサー間での信号の変化量を認識する信
号変化認識回路、それを保持する信号変化レベルバッフ
ァ、前記信号の変化量からフォトマスクの白黒パターン
に対応したディジタル信号に変換する際に黒パターン部
から白パターン部への変化を認識する際に基準となる第
１の基準変化量を保持する第１基準バツフア、白パター
ン部から黒パターン部への変化を認識する際に基準とな
る第２の基準変化量を保持する第２基準バツフア、上記
黒糸ノイズレベルを基に第１の基準変化量を設定する際
に係数となる処のオペレータが任意に設定せられる第１
係数バツフア、白糸ノイズレベルを基に第２の基準変化
量を設定する際に係数となる処のオペレータが任意に設
定せられる第２係数バツフア、前記信号変化レベルバッ
ファに保持烙れた信号の変化量と第１の差薬変化量およ
び第２の基準変化量を比較してディジタル信号を発生す
るパターン信号発生回路、上記パターン信号発生回路か
ら発生されるディジタル信号と前記基準信号発生部より
発生されるディジタル信号を比較して双方のディジタル
信号の間に差異が生じた時に欠陥有シと判定する欠陥判
定回路からなるものである特許請求の範囲第１項記載の
マスク欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58107723A JPS60742A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | マスク欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58107723A JPS60742A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | マスク欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60742A true JPS60742A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14466310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58107723A Pending JPS60742A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | マスク欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60742A (ja) |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP58107723A patent/JPS60742A/ja active Pending
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