JPS6074326A - 電子管用陰極 - Google Patents
電子管用陰極Info
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- JPS6074326A JPS6074326A JP58183867A JP18386783A JPS6074326A JP S6074326 A JPS6074326 A JP S6074326A JP 58183867 A JP58183867 A JP 58183867A JP 18386783 A JP18386783 A JP 18386783A JP S6074326 A JPS6074326 A JP S6074326A
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- cathode
- oxide layer
- substrate metal
- alkaline earth
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/14—Solid thermionic cathodes characterised by the material
Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ブラウン管あるいは撮像%゛等に使用する電
子管用陰極に関するものである。
子管用陰極に関するものである。
たとえばカラーブラウン管では、出画時間の短縮がめら
れておシ、そのため、第1図ないし第3図に示すような
超速動型の電子管用陰極構体(1)が使用されている。
れておシ、そのため、第1図ないし第3図に示すような
超速動型の電子管用陰極構体(1)が使用されている。
この電子管用陰極構体(1)は、たとえば長円形状に形
成された陰極支持筒体(2)と、この陰極支持筒体(2
)の両側円形部の上側内面に溶接固定された1対の円形
状の筒体(3)と、この各筒体(3)の中心部に接着ガ
ラス(4)々どの絶縁物を介して貫通固定された1対の
円柱状の導電支持部材(5)と、上記長円形状の陰極支
持筒体(2)の対向する平坦状部内面の異なる筒体(3
)に近接した位置の上部に溶接固定されて上方に突設さ
れた1対の支持片(6)と、互いに溶接されて平行状に
固着され上記支持片(6)にその端部近傍を溶接固着さ
れて電子銃軸(Z)に直角となる、 ように支持されか
つ内外面を黒化処理された1対の円形状の陰極スリーブ
(7)と、この各陰極スリーブ(7)の外周上部に電子
銃軸(Z)を中心とするように溶接固定された帽子形の
基体金属(8)と、この基体金属(8)の表面(図示上
面)に被着形成された電子放射酸化物層(9)と、コイ
ル状に形成したフィラメントαQにその両端の脚部α■
を残してアルミナα秒が焼結被覆されかつ上記各陰極ス
リーブ(7)に挿入されてその両端の脚部αめを上記導
電支持部材(5)の上端面に溶接固着した1対のヒータ
(ロ)とで構成されている。
成された陰極支持筒体(2)と、この陰極支持筒体(2
)の両側円形部の上側内面に溶接固定された1対の円形
状の筒体(3)と、この各筒体(3)の中心部に接着ガ
ラス(4)々どの絶縁物を介して貫通固定された1対の
円柱状の導電支持部材(5)と、上記長円形状の陰極支
持筒体(2)の対向する平坦状部内面の異なる筒体(3
)に近接した位置の上部に溶接固定されて上方に突設さ
れた1対の支持片(6)と、互いに溶接されて平行状に
固着され上記支持片(6)にその端部近傍を溶接固着さ
れて電子銃軸(Z)に直角となる、 ように支持されか
つ内外面を黒化処理された1対の円形状の陰極スリーブ
(7)と、この各陰極スリーブ(7)の外周上部に電子
銃軸(Z)を中心とするように溶接固定された帽子形の
基体金属(8)と、この基体金属(8)の表面(図示上
面)に被着形成された電子放射酸化物層(9)と、コイ
ル状に形成したフィラメントαQにその両端の脚部α■
を残してアルミナα秒が焼結被覆されかつ上記各陰極ス
リーブ(7)に挿入されてその両端の脚部αめを上記導
電支持部材(5)の上端面に溶接固着した1対のヒータ
(ロ)とで構成されている。
なお、上述した各部材間の溶接は点溶接で行々い、その
溶接点は、可能な範囲で図中にX印で示しである。
溶接点は、可能な範囲で図中にX印で示しである。
上述したような超連動型の電子管用陰極構体(1)は、
ヒータ0通電時における基体金属(8)の温度上昇を極
めて速く行なわせて、電子放射酸化物層(9)からの熱
電子の放出を速かに行ない、これによって、出画時間の
短縮を行なって1いる。
ヒータ0通電時における基体金属(8)の温度上昇を極
めて速く行なわせて、電子放射酸化物層(9)からの熱
電子の放出を速かに行ない、これによって、出画時間の
短縮を行なって1いる。
そのため、基体金属(8)の軽量化つ″?:、シ熱容量
の低減化が行なわれておシ、基体金属(8)は、外径が
1、4 mm程度、中心の電子放射酸化物層(9)が被
着形成される部分の径が1.0=程度、板厚が40μm
程度に形成されているが、このようにすると、連動化は
可能になる反面で陰極寿命が短縮することになってしま
う。
の低減化が行なわれておシ、基体金属(8)は、外径が
1、4 mm程度、中心の電子放射酸化物層(9)が被
着形成される部分の径が1.0=程度、板厚が40μm
程度に形成されているが、このようにすると、連動化は
可能になる反面で陰極寿命が短縮することになってしま
う。
その理由としては、基体金属(8)はニッケル(Ni’
)を主体としてマグネシウム(Mg)、ケイ素(St)
、ジルコニウム(Zr)、アルミニウム(Az)、チタ
ン(T1)等の還元剤全微量含有させ、動作時には電子
放射酸化物層(9)のバリウム(Ba) 、ストロンチ
ウム(Sr)、カルシウム(Ca)等のアルカリ土類金
属の酸化物と徐々に反応し、たとえば酸化バリウム(B
ad)中に酸素(0)の格子欠陥を生成させるが、板厚
の薄い基体金属(8)からは、Mgなどの還元剤が短時
間で消失して電子放出特性が劣化する。とくに、Mgは
還元剤として最も一般的であシ、その還元力と反応後に
おける生成物(中間層)が比較的に抵抗を持ちにくいこ
とから用いられているが、その反面、拡散速度が非常に
速いので、短時間で消失してしまう0 ここで、酸化物層(9)と基体金属(8)の境界にでき
る中間層について説明する。
)を主体としてマグネシウム(Mg)、ケイ素(St)
、ジルコニウム(Zr)、アルミニウム(Az)、チタ
ン(T1)等の還元剤全微量含有させ、動作時には電子
放射酸化物層(9)のバリウム(Ba) 、ストロンチ
ウム(Sr)、カルシウム(Ca)等のアルカリ土類金
属の酸化物と徐々に反応し、たとえば酸化バリウム(B
ad)中に酸素(0)の格子欠陥を生成させるが、板厚
の薄い基体金属(8)からは、Mgなどの還元剤が短時
間で消失して電子放出特性が劣化する。とくに、Mgは
還元剤として最も一般的であシ、その還元力と反応後に
おける生成物(中間層)が比較的に抵抗を持ちにくいこ
とから用いられているが、その反面、拡散速度が非常に
速いので、短時間で消失してしまう0 ここで、酸化物層(9)と基体金属(8)の境界にでき
る中間層について説明する。
酸化物層(9)は、基体金属(8)の表面にアルカリ土
類金属の炭酸塩を被着し、これを排気及び加熱によって
分解して形成するが、この際に発生する炭酸ガス(Co
2)によって、既に中間層の生成が始まシ、基体金属(
8)中のMg + S i等が内部酸化され導体金属(
8)の表面から2〜10μm程度の深さまでのMg+S
t等は全て酸化マグネシウム(MgO) 、二酸化ケイ
累(S10□)等の酸化物の粒子としてNi中に分散し
た状態となる。(以下、基体金属(8)の内部において
MgO,SiO2等の酸化物の粒子が分散分布している
部分を内部酸化層と呼ぶ。)内部酸化層内に存在する結
晶粒は、粒界に沿ってMgO、S i O2等の酸化物
が生成しておシ、基体金属(8)の加熱を続けても結晶
成長ができず、粒界は固定されたままである。
類金属の炭酸塩を被着し、これを排気及び加熱によって
分解して形成するが、この際に発生する炭酸ガス(Co
2)によって、既に中間層の生成が始まシ、基体金属(
8)中のMg + S i等が内部酸化され導体金属(
8)の表面から2〜10μm程度の深さまでのMg+S
t等は全て酸化マグネシウム(MgO) 、二酸化ケイ
累(S10□)等の酸化物の粒子としてNi中に分散し
た状態となる。(以下、基体金属(8)の内部において
MgO,SiO2等の酸化物の粒子が分散分布している
部分を内部酸化層と呼ぶ。)内部酸化層内に存在する結
晶粒は、粒界に沿ってMgO、S i O2等の酸化物
が生成しておシ、基体金属(8)の加熱を続けても結晶
成長ができず、粒界は固定されたままである。
内部酸化層内に固定された粒界が多い場合には、結果と
して、基体金属(8)は、その素面近傍に、表面とほぼ
平行に、酸化物の存在する結晶粒界が連なった断面構造
となる。
して、基体金属(8)は、その素面近傍に、表面とほぼ
平行に、酸化物の存在する結晶粒界が連なった断面構造
となる。
また、Ni中では、還元剤であるMg、St等よシも、
0の方が拡散が速いこと、MgOp8102等から成る
酸化物中におけるMg、St等の還元剤及び0の拡散速
度は、Ni中におけるそれらの拡散速度と比較して著し
く遅いことが判った。
0の方が拡散が速いこと、MgOp8102等から成る
酸化物中におけるMg、St等の還元剤及び0の拡散速
度は、Ni中におけるそれらの拡散速度と比較して著し
く遅いことが判った。
これは、陰極の動作時に生ずる還元剤の酸化現象が、N
i中のMg+St等の還元剤が基体金属(8)の内部か
ら基体金属(8)と電子放射酸化物層(9)の界面に拡
散して起こる表面酸化よシは、むしろ酸化物層(9)か
ら熱解離したOが基体金属(8)中に固溶、拡散して内
部酸化となることを理由づけるものであり、基体金属(
8)の表面近傍に、表面とほぼ平行に、酸化物層が連な
っていれば、この層がMg、St等の還元剤及び0の拡
散制御層となることを示してい本第1図ないし第3図に
示した電子管用成極構体(1)では、電子放射酸化物層
(9)と接している基体金属(8)の表面(図示上面)
には内部酸化層及び拡散制御層ができるが、酸化物層(
9)が被着形成されてい々い基体金属(8)の裏面(図
示下面)には内部酸化層及び拡散制御層が顕著には発生
しない。したがって、基体金属(8)の裏面には、Mg
、St等の還元物の顕著な拡散を制御する機能はない。
i中のMg+St等の還元剤が基体金属(8)の内部か
ら基体金属(8)と電子放射酸化物層(9)の界面に拡
散して起こる表面酸化よシは、むしろ酸化物層(9)か
ら熱解離したOが基体金属(8)中に固溶、拡散して内
部酸化となることを理由づけるものであり、基体金属(
8)の表面近傍に、表面とほぼ平行に、酸化物層が連な
っていれば、この層がMg、St等の還元剤及び0の拡
散制御層となることを示してい本第1図ないし第3図に
示した電子管用成極構体(1)では、電子放射酸化物層
(9)と接している基体金属(8)の表面(図示上面)
には内部酸化層及び拡散制御層ができるが、酸化物層(
9)が被着形成されてい々い基体金属(8)の裏面(図
示下面)には内部酸化層及び拡散制御層が顕著には発生
しない。したがって、基体金属(8)の裏面には、Mg
、St等の還元物の顕著な拡散を制御する機能はない。
基体金属(8)は、陰極の動作中に、徐々にその結晶粒
が成長して粗大化し、ついには結晶粒が表裏まで抜ける
大きさとなシ、粒界に沿って表裏まで抜ける貫通粒界を
発生する。このため、基体金属(8)の内部の還元剤と
くにMgは、粒界沿いに顕著々拡散制御層のない基体金
属(8)の裏面に拡散して裏面から蒸発し、基体金属(
8)は、その内部までMgを消失して還元能力を失ない
、基体金属(8)の板厚の薄い場合、たとえば、この例
のように40μm程反の板厚の場合、この現象が2,0
00時間以内で起シ、要求される寿命を満足しない結果
となっていた。
が成長して粗大化し、ついには結晶粒が表裏まで抜ける
大きさとなシ、粒界に沿って表裏まで抜ける貫通粒界を
発生する。このため、基体金属(8)の内部の還元剤と
くにMgは、粒界沿いに顕著々拡散制御層のない基体金
属(8)の裏面に拡散して裏面から蒸発し、基体金属(
8)は、その内部までMgを消失して還元能力を失ない
、基体金属(8)の板厚の薄い場合、たとえば、この例
のように40μm程反の板厚の場合、この現象が2,0
00時間以内で起シ、要求される寿命を満足しない結果
となっていた。
本発明は、上述したような点に鑑みなされたもので、基
体金属の裏面からの還元剤の蒸発を抑制し、これによっ
て、電子管用陰極の長寿命化を引ることを目的とするも
のである。
体金属の裏面からの還元剤の蒸発を抑制し、これによっ
て、電子管用陰極の長寿命化を引ることを目的とするも
のである。
本発明の電子管用陰極は、ヒータと、このヒータと直接
的に対向しないように配置された基体金属と、この基体
金属の表面に被着形成され上記ヒータによシ加熱されて
熱電子を放出する電子放射酸化物層とを備えた電子管用
陰極であって、上記基体金属の裏面にアルカリ土類金属
の垣類を加熱分解したアルカリ土類金属の酸化物層を形
成して基体金属の裏面に内部酸化層及び基体金属の内部
の還元剤の拡散を抑制する拡散制御層を形成したことを
特徴とするものである。
的に対向しないように配置された基体金属と、この基体
金属の表面に被着形成され上記ヒータによシ加熱されて
熱電子を放出する電子放射酸化物層とを備えた電子管用
陰極であって、上記基体金属の裏面にアルカリ土類金属
の垣類を加熱分解したアルカリ土類金属の酸化物層を形
成して基体金属の裏面に内部酸化層及び基体金属の内部
の還元剤の拡散を抑制する拡散制御層を形成したことを
特徴とするものである。
本発明の電子管用陰極の実施例を説明する。
実施例1
この実施例は、2種以上のアルカリ土類金属の塩類によ
って基体金属(8)の裏面にアルカリ土類金属の酸化物
層を形成し、基体金属(8)の裏面に内部酸化層及び拡
散制御層を形成するものである。
って基体金属(8)の裏面にアルカリ土類金属の酸化物
層を形成し、基体金属(8)の裏面に内部酸化層及び拡
散制御層を形成するものである。
壕ず、Niを主体として、還元剤にMgを0.01〜0
.20%、同じ<siを0.01〜0.20%含ませた
合金を40μmの板厚に圧延し、これから第1図々いし
第3図に示したのと同様な帽子形の基体金属(8)ヲプ
レス加工によって作る。
.20%、同じ<siを0.01〜0.20%含ませた
合金を40μmの板厚に圧延し、これから第1図々いし
第3図に示したのと同様な帽子形の基体金属(8)ヲプ
レス加工によって作る。
ついで、この基体金属(8)全水素炉で600〜900
℃で熱処理した後、その裏面にBa、Srの炭酸複合塩
((BaSr)CO3)あるいはBa 、Sr 、Ca
の三元炭酸塩(Ba 、Sr 、Ca(CO3,))等
を1〜5m9/crn程度、塗布し、これを真空中で加
熱分解させて基体金属(8)の裏面にBa、Srの酸化
物((Ba、5r)O) 17>るいはB a I S
r +(aの酸化物((Ba 、Sr 、Ca)O)
から成る酸化物層を作る。
℃で熱処理した後、その裏面にBa、Srの炭酸複合塩
((BaSr)CO3)あるいはBa 、Sr 、Ca
の三元炭酸塩(Ba 、Sr 、Ca(CO3,))等
を1〜5m9/crn程度、塗布し、これを真空中で加
熱分解させて基体金属(8)の裏面にBa、Srの酸化
物((Ba、5r)O) 17>るいはB a I S
r +(aの酸化物((Ba 、Sr 、Ca)O)
から成る酸化物層を作る。
なお、この実施例の場合、基体金属(8)の裏面に対す
る上記炭酸塩の塗布は、基体金属(8)を陰極スリーブ
(7)に溶接する前に行なうが、これとともに、基体金
属(8)の素面にも電子放射酸化物層(9)を形成する
だめのアルカリ土類金属の炭酸塩を被着しておき、基体
金属(8)の両面の炭酸塩を同時に分解させる。そして
、この分解の工程は、従来と同様に、陰極構体(1)を
組立てた後、陰極構体(1)を電子銃(1v体に組付け
、さらに、この電子銃構体をバルブのネック部に組付け
て封止した後の排気及び活性化の工程において行なわれ
る。
る上記炭酸塩の塗布は、基体金属(8)を陰極スリーブ
(7)に溶接する前に行なうが、これとともに、基体金
属(8)の素面にも電子放射酸化物層(9)を形成する
だめのアルカリ土類金属の炭酸塩を被着しておき、基体
金属(8)の両面の炭酸塩を同時に分解させる。そして
、この分解の工程は、従来と同様に、陰極構体(1)を
組立てた後、陰極構体(1)を電子銃(1v体に組付け
、さらに、この電子銃構体をバルブのネック部に組付け
て封止した後の排気及び活性化の工程において行なわれ
る。
このように形成した陰極は、4第4図及び第5図に示す
ように、基体金属(8)の表面にアルカリ土類金属の酸
化物から成る電子放射酸化物層(9)が形成されている
とともに、裏面にもアルカリ土類金属の酸化物からなる
酸化物層つまシこの実施例ではBa、Srの酸化物((
Ba、5r)O)あるいはBa 、 Sr 、Caの酸
化物((Ba、Sr、Ca)O)から成る酸化物層(2
1)が形成され、基体金属(8)の表面及び裏面から2
〜5μmの深さまで内部酸化層H(23)が形成される
とともに、これらの内部酸化層(221HとMg、Si
の還元剤が酸化されていない基体金属(8)内部(2(
イ)との間に表面及び裏面とほぼ平行にBaO,MgO
,5i02(BaSi04を含む)から成る拡散制御(
ハ)(イ)が形成される。
ように、基体金属(8)の表面にアルカリ土類金属の酸
化物から成る電子放射酸化物層(9)が形成されている
とともに、裏面にもアルカリ土類金属の酸化物からなる
酸化物層つまシこの実施例ではBa、Srの酸化物((
Ba、5r)O)あるいはBa 、 Sr 、Caの酸
化物((Ba、Sr、Ca)O)から成る酸化物層(2
1)が形成され、基体金属(8)の表面及び裏面から2
〜5μmの深さまで内部酸化層H(23)が形成される
とともに、これらの内部酸化層(221HとMg、Si
の還元剤が酸化されていない基体金属(8)内部(2(
イ)との間に表面及び裏面とほぼ平行にBaO,MgO
,5i02(BaSi04を含む)から成る拡散制御(
ハ)(イ)が形成される。
この拡散制御層G!5+ (2aは、先に述べたように
Mg。
Mg。
81.0の拡散を抑制するので、基体金属(8)内部C
2,1)からのMg 、S iの消失を防止できる。し
たがって、裏面側の拡散制御層(ハ)によって裏面から
のMgの蒸発が極力押えられ、基体金属(8)内部(2
局の還元剤を有効に利用して陰極の寿命を保つことがで
きる。
2,1)からのMg 、S iの消失を防止できる。し
たがって、裏面側の拡散制御層(ハ)によって裏面から
のMgの蒸発が極力押えられ、基体金属(8)内部(2
局の還元剤を有効に利用して陰極の寿命を保つことがで
きる。
実施例2
この実施例は、Baの塩類によって一基体金属(8)の
裏面にBaの酸化物層(2υを形成し、基体金属(8)
の裏面に内部酸化層(23)及び拡散制御層(26)を
形成するものである。
裏面にBaの酸化物層(2υを形成し、基体金属(8)
の裏面に内部酸化層(23)及び拡散制御層(26)を
形成するものである。
Baの塩類を用いた場合、たとえばBaの炭酸塩(Ba
CO3) f用いた場合には、分解時に2BaCO3−
+ BaO−BaCO3+CO2または3BaCO3→
BaOφ2BaCO3+CO2のように塩基性炭酸塩を
経て、最終的には炭酸塩(Bad)に分解する。ここで
生じた塩基性炭酸塩は低温で溶融するため、電子放射材
料としては使用し難いが、本発明のように、内部酸化層
(ハ)及び拡散制御層(26)をつくるための材料とし
ては、BaCO3の塗付量を0.01〜1 m97cm
2程度の少量にしても加熱分解の過程で溶融して基体金
属(8)の裏面に広がるため、少量で極めて密な塗布層
が得られることと同じ結果となり、また、分解時に発生
するCO2ガスも少量となるので、基体金属(8)の裏
面の内部酸化層(至)の深さを浅くでき、還元剤(Mg
、 S i )が残留した基体金属(8)内部(24
)の厚さを大きくすることができ、還元剤をよシ有効に
利用して陰極の寿命を保つことができる。
CO3) f用いた場合には、分解時に2BaCO3−
+ BaO−BaCO3+CO2または3BaCO3→
BaOφ2BaCO3+CO2のように塩基性炭酸塩を
経て、最終的には炭酸塩(Bad)に分解する。ここで
生じた塩基性炭酸塩は低温で溶融するため、電子放射材
料としては使用し難いが、本発明のように、内部酸化層
(ハ)及び拡散制御層(26)をつくるための材料とし
ては、BaCO3の塗付量を0.01〜1 m97cm
2程度の少量にしても加熱分解の過程で溶融して基体金
属(8)の裏面に広がるため、少量で極めて密な塗布層
が得られることと同じ結果となり、また、分解時に発生
するCO2ガスも少量となるので、基体金属(8)の裏
面の内部酸化層(至)の深さを浅くでき、還元剤(Mg
、 S i )が残留した基体金属(8)内部(24
)の厚さを大きくすることができ、還元剤をよシ有効に
利用して陰極の寿命を保つことができる。
なお、この効果は水酸化バリウム(Ba(OH)2・8
H20)を用いた場合にも、同様に得られるOすなわち
、水酸化バリウム(na(oH)2−sa20)は、真
空中で約400℃で8H20が解離しB20を発生し、
捷だ、(OH)2の分解が起シ、基体金・属(8)の裏
面を酸化させた上、ガラス状に溶解するので、薄い均一
な塗布状態を示す。
H20)を用いた場合にも、同様に得られるOすなわち
、水酸化バリウム(na(oH)2−sa20)は、真
空中で約400℃で8H20が解離しB20を発生し、
捷だ、(OH)2の分解が起シ、基体金・属(8)の裏
面を酸化させた上、ガラス状に溶解するので、薄い均一
な塗布状態を示す。
実施例3
この実施例は、アルカリ土類金属の硝酸塩によって基体
金属(8)の裏面にアルカリ土類金属の酸化物層C21
)を形成し、基体金属(8)の裏面に内部酸化層(ハ)
及び拡散制御層026)を形成するものである。
金属(8)の裏面にアルカリ土類金属の酸化物層C21
)を形成し、基体金属(8)の裏面に内部酸化層(ハ)
及び拡散制御層026)を形成するものである。
アルカリ土類金属の硝酸塩を用いた場合、たとえばBa
の硝酸塩(Ba(NO3)2) f用いた場合には、B
2、(No 5 )2は595℃で融解するので、上述
した実施例2と同様に、塗布量を0.01〜1 m97
cm2程度の少量としても密な塗布層が得られ、実施例
2と同様な効果が得られる。
の硝酸塩(Ba(NO3)2) f用いた場合には、B
2、(No 5 )2は595℃で融解するので、上述
した実施例2と同様に、塗布量を0.01〜1 m97
cm2程度の少量としても密な塗布層が得られ、実施例
2と同様な効果が得られる。
また、Ba(NO3)2は、分解せずにそのままで融解
し、大気中に取出しても変質しないので、実施例2と同
様な効果の他に、次のような効果が付加される。
し、大気中に取出しても変質しないので、実施例2と同
様な効果の他に、次のような効果が付加される。
つまシ、BIL(NO3)2 を融解して基体金属(8
)の裏面に薄く広げる工程は、Ba(NO3)2の加熱
分解とは別に行なうことができ、基体金属(8)の裏面
にB a (No 3 )2を塗布した後、これを水素
炉で600〜650℃程度で熱融解し、大気中に取出す
ことができる。したがって、基体金属(8)の表面に電
子放射酸化物層(9)全塗布する前に、基体金属(8)
の裏面のBa(NO3)2の塗装状態を検査でき、品質
を安定させることかできる。
)の裏面に薄く広げる工程は、Ba(NO3)2の加熱
分解とは別に行なうことができ、基体金属(8)の裏面
にB a (No 3 )2を塗布した後、これを水素
炉で600〜650℃程度で熱融解し、大気中に取出す
ことができる。したがって、基体金属(8)の表面に電
子放射酸化物層(9)全塗布する前に、基体金属(8)
の裏面のBa(NO3)2の塗装状態を検査でき、品質
を安定させることかできる。
そして、この工程は、基体金R(8)をli’F子形に
J7\;、形した後でも良いが、薄く塗布したものは成
形[)に剥げ落ちないので、成形する前の根*]の状p
j1で行なってもよい。
J7\;、形した後でも良いが、薄く塗布したものは成
形[)に剥げ落ちないので、成形する前の根*]の状p
j1で行なってもよい。
ナオ、基体金属(8) (7) 表m K F、子放R
−j !tニア化Q6U fj (”)を形成するため
のアルカリ土類金属の炭酸坊を被着する工程は従来と同
様でよく、また、壮兵ir」lに酸化物層(9) (2
+)を形成する分解の工程も排気及び活性化の工程にお
いて行なえばよい。
−j !tニア化Q6U fj (”)を形成するため
のアルカリ土類金属の炭酸坊を被着する工程は従来と同
様でよく、また、壮兵ir」lに酸化物層(9) (2
+)を形成する分解の工程も排気及び活性化の工程にお
いて行なえばよい。
また、この効果は、他の硝酸塩つまり5r(No3 )
2を)るいはCa (No 5 )2の場合でも、その
べ巾ガ7ン・101°〔が645℃あるいは561℃で
おることから、同(−モに得ることができる。
2を)るいはCa (No 5 )2の場合でも、その
べ巾ガ7ン・101°〔が645℃あるいは561℃で
おることから、同(−モに得ることができる。
以上の各実施例では、アルカリ土μI <”、’ h−
;とじてBaを代表として説明したが、実施例3ではS
r、Mg等でもよく、また、塩類として硝酸塩、炭酸塩
を代表として説明したが、実施例1では最終的に酸化物
となるものであれば、しゆう酸塩、酒石酸塩等の他の塩
類でもよい。
;とじてBaを代表として説明したが、実施例3ではS
r、Mg等でもよく、また、塩類として硝酸塩、炭酸塩
を代表として説明したが、実施例1では最終的に酸化物
となるものであれば、しゆう酸塩、酒石酸塩等の他の塩
類でもよい。
このように、本発明は、Ba、Sr等のアルカリ土類金
属の塩類であって最終的に酸化物となるものを基体金属
(8)の裏面に塗布し、Ba、Sr等及び0を内部に拡
散させて基体金属(8)の裏面に内部酸化層(2階及び
拡散制御層(26)を発生させ、Mg等の還元剤の蒸発
による損失を防止することに特徴があるが、基体金属(
8)内部(24Jの還元剤を多く残こすことも上述した
ように重要なことである。したがって、基体金属(8)
は主としてNiで構成され、その結晶状態が同時に拡散
制御層C25101%9の深さを決める要因の1つであ
るので、実施に際しては、基体金属(8)の少なくとも
表面は、圧延による加工歪、圧延仕上シ工程におけるス
キンパスロール、絞シ加工時の加圧力等で基体金属(8
)表面の残留歪を調節し、拡散制御層(ハ)を比較的に
浅く、かつ、しっが9と生成させ、基体金属(8)内部
(24)を多く残すことが望ましい。
属の塩類であって最終的に酸化物となるものを基体金属
(8)の裏面に塗布し、Ba、Sr等及び0を内部に拡
散させて基体金属(8)の裏面に内部酸化層(2階及び
拡散制御層(26)を発生させ、Mg等の還元剤の蒸発
による損失を防止することに特徴があるが、基体金属(
8)内部(24Jの還元剤を多く残こすことも上述した
ように重要なことである。したがって、基体金属(8)
は主としてNiで構成され、その結晶状態が同時に拡散
制御層C25101%9の深さを決める要因の1つであ
るので、実施に際しては、基体金属(8)の少なくとも
表面は、圧延による加工歪、圧延仕上シ工程におけるス
キンパスロール、絞シ加工時の加圧力等で基体金属(8
)表面の残留歪を調節し、拡散制御層(ハ)を比較的に
浅く、かつ、しっが9と生成させ、基体金属(8)内部
(24)を多く残すことが望ましい。
なお、基体金属(8)の裏面の酸化物層シυは、tij
子放出材量であるので、ヒータa1との絶縁の点で、基
体金属(8)の裏面に形成することは、一般に禁止項目
とされている。しかしながら、本発明の陰極の構造はヒ
ータ(2)と基体金属(8)が直接的に対向しないこと
が前提となっておシ、実施例のように、ヒータ(2)は
陰極スリーブ(7)内に収納されて基体金属(8)と隔
絶されているので、絶縁には支障がない。
子放出材量であるので、ヒータa1との絶縁の点で、基
体金属(8)の裏面に形成することは、一般に禁止項目
とされている。しかしながら、本発明の陰極の構造はヒ
ータ(2)と基体金属(8)が直接的に対向しないこと
が前提となっておシ、実施例のように、ヒータ(2)は
陰極スリーブ(7)内に収納されて基体金属(8)と隔
絶されているので、絶縁には支障がない。
上述したように、本発明によれば、基体金属の裏面にア
ルカリ土類金属の塩類を加熱分解したアルカリ土類金属
の酸化物層を設け、これからのBa、Sr、Ca等のア
ルカリ土類金属及び0の拡散によシ基体金属の裏面に内
部酸化層及び拡散制御層を設けたので、基体金属の内部
に残留したMg、St。
ルカリ土類金属の塩類を加熱分解したアルカリ土類金属
の酸化物層を設け、これからのBa、Sr、Ca等のア
ルカリ土類金属及び0の拡散によシ基体金属の裏面に内
部酸化層及び拡散制御層を設けたので、基体金属の内部
に残留したMg、St。
Zr、At、Ti等の還元剤が裏面から蒸発するのを防
止でき、還元剤を有効に活用して陰極の長寿命化が達成
できる。
止でき、還元剤を有効に活用して陰極の長寿命化が達成
できる。
そして、アルカリ土類金属にBaの塩類を用いるか、あ
るいは、アルカリ土類金属の硝酸塩を用いるかして、塗
布量を調節すると、拡散制御層を浅く、かつ密に形成で
きるので、基体金属内部の還元剤をよシ多く残すことが
できるとともに、蒸発を抑制する作用もよシ強くなシ、
長寿命化を促進できる。
るいは、アルカリ土類金属の硝酸塩を用いるかして、塗
布量を調節すると、拡散制御層を浅く、かつ密に形成で
きるので、基体金属内部の還元剤をよシ多く残すことが
できるとともに、蒸発を抑制する作用もよシ強くなシ、
長寿命化を促進できる。
第1図ないし第3図は電子管用陰極構体の一例を示し、
第1図はその斜視図、第2図はその平面図、第3図は第
2図における■−■視断面断面図フ、第4図は本発明の
電子管用陰極の一部を断面にした正面図で第1図ないし
第3図に示した電子管用陰極構体に適用できる実施例で
あシ、第5図はその内部を示す拡大図である。 (8)・・基体金属、(9)・・電子放射酸化物層、0
]・・ヒータ、Qυ・0酸化物層、(ハ)・・内部酸化
層、(イ)・・拡散制御層。
第1図はその斜視図、第2図はその平面図、第3図は第
2図における■−■視断面断面図フ、第4図は本発明の
電子管用陰極の一部を断面にした正面図で第1図ないし
第3図に示した電子管用陰極構体に適用できる実施例で
あシ、第5図はその内部を示す拡大図である。 (8)・・基体金属、(9)・・電子放射酸化物層、0
]・・ヒータ、Qυ・0酸化物層、(ハ)・・内部酸化
層、(イ)・・拡散制御層。
Claims (3)
- (1) ヒータと、このヒータと直接的に対向しないよ
うに配置された基体金属と、この基体金属の表面に被着
形成され上記ヒータによシ加熱されて熱電子を放出する
電子放射酸化物層とを備えた電子管用陰極であって、 上記基体金属の裏面にアルカリ土類金属の塩類を加熱分
解したアルカリ土類金属の酸化物層を形成して基体金属
の裏面に内部酸化層及び基体金属の内部の還元剤の拡散
を抑制する拡散制御層を形成したことを特徴とする電子
管用陰極。 - (2)上記アルカリ土類金属の塩類にバリウム(Ba)
の塩類を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の電子管用陰極。 - (3)上記アルカリ土類金属の塩類にアルカリ土類金属
の硝酸塩を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1
項または第2項記載の電子管用陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183867A JPS6074326A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 電子管用陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183867A JPS6074326A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 電子管用陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074326A true JPS6074326A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16143210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58183867A Pending JPS6074326A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 電子管用陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074326A (ja) |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58183867A patent/JPS6074326A/ja active Pending
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