JPS6074526A - フオトリングラフイ露光装置 - Google Patents
フオトリングラフイ露光装置Info
- Publication number
- JPS6074526A JPS6074526A JP58180480A JP18048083A JPS6074526A JP S6074526 A JPS6074526 A JP S6074526A JP 58180480 A JP58180480 A JP 58180480A JP 18048083 A JP18048083 A JP 18048083A JP S6074526 A JPS6074526 A JP S6074526A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- reflected
- light
- exposure device
- side electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はフォトリソグラフィの露光装置に関するもので
ある。
ある。
フォトリソグラフィは所望の図柄を半導体等の基板上に
転写する技術である。第１図は、フォトリソグラフィの
片面露光装置の構成例を示す。フォトレジスト膜（２）
を形成した基板（１）面上に、所望の図柄を有するマス
ク（３）を乗せ、アライメントスコープ（５）により基
板（１）とマスク（３）の位置合せを行い、その後例え
ば超高圧水銀灯（４）により紫外線露光を行う。その後
、現像、エツチング、フォトレジスト除去を行うと、基
板上ｇ二所望の図柄が転写される。
転写する技術である。第１図は、フォトリソグラフィの
片面露光装置の構成例を示す。フォトレジスト膜（２）
を形成した基板（１）面上に、所望の図柄を有するマス
ク（３）を乗せ、アライメントスコープ（５）により基
板（１）とマスク（３）の位置合せを行い、その後例え
ば超高圧水銀灯（４）により紫外線露光を行う。その後
、現像、エツチング、フォトレジスト除去を行うと、基
板上ｇ二所望の図柄が転写される。
ところで、半導体素子等においては、基板の両面にそれ
ぞれ所望の図柄を転写し、しかも両面の図柄を重ね合せ
る場合がある。この場合、第１図の片面露光装置を用い
れば、まず前述の工程Ｃ：より、基板の一面に所望の図
柄を転写する。その後、基板に基準、たとえば半導体等
Ｃ：おいてはヘキ開面を作って、この基準に合せて前述
と同様に基板の他面へ所望の図柄を転写する。これによ
り基板の両面に所望の図柄を重ね合せて転写することが
出来る。この方法は、従来使用している露光装置を用い
ることが出来る利点がある。しかし、血ね合せに際し基
準を使うので、重ね合せの精度は基準の精度に依存し、
高精度の重ね合せが出来にくい。
ぞれ所望の図柄を転写し、しかも両面の図柄を重ね合せ
る場合がある。この場合、第１図の片面露光装置を用い
れば、まず前述の工程Ｃ：より、基板の一面に所望の図
柄を転写する。その後、基板に基準、たとえば半導体等
Ｃ：おいてはヘキ開面を作って、この基準に合せて前述
と同様に基板の他面へ所望の図柄を転写する。これによ
り基板の両面に所望の図柄を重ね合せて転写することが
出来る。この方法は、従来使用している露光装置を用い
ることが出来る利点がある。しかし、血ね合せに際し基
準を使うので、重ね合せの精度は基準の精度に依存し、
高精度の重ね合せが出来にくい。
一方、基板の両面に、同時に所望の図柄を転写する両面
露光装置も開発されている。第２図は両面転写装置の構
成例を示すもので、フォトレジスト膜＋２１ 、 ＋２
１’を両面に形成した基板（１）の両側に所望この装置
によれば、基板（１）を取り除いた状態でマスク＋３１
、 ｆ３１ ’をアライメントスコープ（５）により
電ね合せることにより、重ね合せの精度を大幅に改善す
ることが出来る。しかし、両面露光装置は、２組の片面
露光装置を組み合せたものであり、高価となる欠点があ
る。
露光装置も開発されている。第２図は両面転写装置の構
成例を示すもので、フォトレジスト膜＋２１ 、 ＋２
１’を両面に形成した基板（１）の両側に所望この装置
によれば、基板（１）を取り除いた状態でマスク＋３１
、 ｆ３１ ’をアライメントスコープ（５）により
電ね合せることにより、重ね合せの精度を大幅に改善す
ることが出来る。しかし、両面露光装置は、２組の片面
露光装置を組み合せたものであり、高価となる欠点があ
る。
本発明の目的は、片面露光装置を用いて、基板の両面に
所望の図柄を転写し、しかも両面の図柄を精度良く重ね
合せる露光装置を提供することにある。
所望の図柄を転写し、しかも両面の図柄を精度良く重ね
合せる露光装置を提供することにある。
本発明は基板の両面への所望の図柄の転写を片面露光装
置を用いて行う場合、基板の一面への転写を行ったのち
に、基板の他面への露光に際して、アライメントにその
基板を透視出来る機構を用いて、−面に転写した図柄を
透視して、その図柄と他面に露光するマスクを位置合せ
することにより、基板両面Ｉ：転写される図柄を精度良
く重ね合せるものである。すなわち、片面露光装置であ
りながら基板を透視出来る機構を用いることＩ：Ｊ、す
、従来の基準を使った両面への図柄の転写における重ね
合せの精度を改善した露光装置を提供するものである。
置を用いて行う場合、基板の一面への転写を行ったのち
に、基板の他面への露光に際して、アライメントにその
基板を透視出来る機構を用いて、−面に転写した図柄を
透視して、その図柄と他面に露光するマスクを位置合せ
することにより、基板両面Ｉ：転写される図柄を精度良
く重ね合せるものである。すなわち、片面露光装置であ
りながら基板を透視出来る機構を用いることＩ：Ｊ、す
、従来の基準を使った両面への図柄の転写における重ね
合せの精度を改善した露光装置を提供するものである。
本発明の露光装置が利用されるものに、例えばＧａＡｊ
Ａｓバラス５ＬＥＤの製造工程がある。第３図はバラス
型ＬＦｔＤの構成例を示すもので、引Ｏ１（ハ）で狭窄
されたｐ側電橋罰とｎ型電極（至）の間に電流を流し、
ｐ −Ｇａ ｏ、、 、 Ａｔ 、・、Ａｓ ＠ （２
３で発光した光をｎ −ＧａＡｓＱυにあけた穴四より
外部へ取り出し、レンズ（至）で集光するものである。
Ａｓバラス５ＬＥＤの製造工程がある。第３図はバラス
型ＬＦｔＤの構成例を示すもので、引Ｏ１（ハ）で狭窄
されたｐ側電橋罰とｎ型電極（至）の間に電流を流し、
ｐ −Ｇａ ｏ、、 、 Ａｔ 、・、Ａｓ ＠ （２
３で発光した光をｎ −ＧａＡｓＱυにあけた穴四より
外部へ取り出し、レンズ（至）で集光するものである。
このバラス５ＬｇＤは、ｐ側電極（２７）の８ｉ０．＠
で狭窄された部分とｎ −ＧａＡｓ （２υにあけた穴
の中心が一致しないと、レンズ（至）による集光パター
ンが乱れ、その結果、例えば光伝送用ガラスファイバへ
の光結合が低下する原因ともなる。
で狭窄された部分とｎ −ＧａＡｓ （２υにあけた穴
の中心が一致しないと、レンズ（至）による集光パター
ンが乱れ、その結果、例えば光伝送用ガラスファイバへ
の光結合が低下する原因ともなる。
本発明の露光装置によれば、ｉＪ４図（ａｌ −（ｅｌ
に示すバラス型ＬＩ３Ｄの製造工程により、ｐ側電極（
ハ）の８ ｉｏ、（ハ）で狭窄された部分とｎ −Ｇａ
Ａｓ＠υにあけた穴の重ね合せを精度よく行うことが出
来る。まず８４図（ａ）は、８ ｉ０！（至）に片面露
光装置を用いて、電流狭窄に用いる穴を転写したもので
ある。１８４図（ｂ）は、ｐ側室＆匈として例えばＯｒ
−人Ｕ合金を真空蒸着法により被着したものである。第
４図（Ｃ）は、ｎ −Ｇａλｍ１２１）ｌユあけた穴に
対応する図柄を、ｐ側電極同のＳｔＯ，で狭窄された部
分と精度良く重ね合せて露光したものである。その際、
第５図に示す本発明の片面露光装置を用いる。まず、白
色光源（９）の光を、フォトレジスト（２）の露光を防
止する紫外線カットフィルタ叫を通して、基板ｅυＣ二
照耐照射。照射した光のうち、可視光成分は基板表面で
反射され、赤外光成分はＧａＡｓ 、 ＧａＡｊＡｓを
透過し、ｐ側電極（５）で反射される。そして、別ビジ
コン（７）には可視光カットフィルタ（６）により、赤
外光反射成分のみが入射し、モニターテレビ（８）に赤
外線の反射像、つまり、基板を透視したｐ側室８ｉ＠の
様子が観察される。そこで、マスク（３）と、基板を透
視したｐ側電極（２？）の８１０．（ハ）で狭窄された
部分を精度良く重ね合せ、ｎ −ＧａＡｓ Ｑ９表面に
転写すべき図柄を露光するものである。なお、１１１５
図中、Ｃ３ａ 、 備はハーフミラ−である。第４図（
ｄ）は、その後、現像、エツチング、レジスト除去等を
行い、ｎ −ＧａＡｓ１）１）に穴翰をあけたものであ
る。第４図（ｅ）は、ｎ側電極（至）として、例えば、
Ａｕ −Ｇ ｅ合金を真空蒸着により被着したものであ
る。
に示すバラス型ＬＩ３Ｄの製造工程により、ｐ側電極（
ハ）の８ ｉｏ、（ハ）で狭窄された部分とｎ −Ｇａ
Ａｓ＠υにあけた穴の重ね合せを精度よく行うことが出
来る。まず８４図（ａ）は、８ ｉ０！（至）に片面露
光装置を用いて、電流狭窄に用いる穴を転写したもので
ある。１８４図（ｂ）は、ｐ側室＆匈として例えばＯｒ
−人Ｕ合金を真空蒸着法により被着したものである。第
４図（Ｃ）は、ｎ −Ｇａλｍ１２１）ｌユあけた穴に
対応する図柄を、ｐ側電極同のＳｔＯ，で狭窄された部
分と精度良く重ね合せて露光したものである。その際、
第５図に示す本発明の片面露光装置を用いる。まず、白
色光源（９）の光を、フォトレジスト（２）の露光を防
止する紫外線カットフィルタ叫を通して、基板ｅυＣ二
照耐照射。照射した光のうち、可視光成分は基板表面で
反射され、赤外光成分はＧａＡｓ 、 ＧａＡｊＡｓを
透過し、ｐ側電極（５）で反射される。そして、別ビジ
コン（７）には可視光カットフィルタ（６）により、赤
外光反射成分のみが入射し、モニターテレビ（８）に赤
外線の反射像、つまり、基板を透視したｐ側室８ｉ＠の
様子が観察される。そこで、マスク（３）と、基板を透
視したｐ側電極（２？）の８１０．（ハ）で狭窄された
部分を精度良く重ね合せ、ｎ −ＧａＡｓ Ｑ９表面に
転写すべき図柄を露光するものである。なお、１１１５
図中、Ｃ３ａ 、 備はハーフミラ−である。第４図（
ｄ）は、その後、現像、エツチング、レジスト除去等を
行い、ｎ −ＧａＡｓ１）１）に穴翰をあけたものであ
る。第４図（ｅ）は、ｎ側電極（至）として、例えば、
Ａｕ −Ｇ ｅ合金を真空蒸着により被着したものであ
る。
この露光装置によれば、ｐ側電極＠のｓｉｏ、（４）で
狭窄された部分とｎ −ＧａＡｓｃ！ｌにあけた穴の重
ね合せの精度は、従来の±１０ｆｉｍから±３μｍに改
善された。
狭窄された部分とｎ −ＧａＡｓｃ！ｌにあけた穴の重
ね合せの精度は、従来の±１０ｆｉｍから±３μｍに改
善された。
本発明は以上説明したように、片面露光装置を用いて基
板の両面に所望の図柄を転写する場合に、両面の図柄の
重ね合せの精度を改善する効果゛があリ、例えばバラス
型ＬＢＤの製造に用いた場合には、ガラスファイバへの
光結合が向上した。また、本発明の露光装置は両面露光
装置と比べ安価である。
板の両面に所望の図柄を転写する場合に、両面の図柄の
重ね合せの精度を改善する効果゛があリ、例えばバラス
型ＬＢＤの製造に用いた場合には、ガラスファイバへの
光結合が向上した。また、本発明の露光装置は両面露光
装置と比べ安価である。
第１図は片面露光装置を示す構成図、第２図は両面露光
装置を示す構成図、第３図はバラス型ＬＥＤの断面図、
第４図＋ａｌ乃至（６１はバラス型ＬＥＤの製造工程図
、第５図はこの発明の一実施例を示す構成図である。 （１）・・・基板、 （２）、（２）′・・・フォトレ
ジスト膜、（３） 、（３１’・・・マスク、 ＋４）
、ｆ４１’・・・超高圧水銀灯、（５）・・・アライメ
ントスコープ、 （６）・・・可視光カットフィルタ、 （７）・・・Ｓｉビジコン、 （８）・・・モニターテ
レビ、（９）・・・白色光源、 叫・・・紫外線カツト
フィルタ、 Ｑυ−ｎ−ＧａＡｓ基板、 囚、、、 ｎ −Ｇ ａ ｏ、ｓｇＡＡ ６．ＡＩ Ａ
ｓ 、 Ｑ３ ・・・ｐ−Ｇａ ６．ＩＩＩＡＪ Ｑ［
ｌＩ Ａｓ、（至）・・・ｐ Ｇａ （Ｌ６１ＡＪ （
Ｈ督Ａｓ 、 Ｃ１５”・ｐ−Ｇ状ｓ、Ｑｅｊｒ・・・
５ｌｏｔ、 ＠・・・Ｉ） 側１１Ｌｍ、（財）・・・
ｎ側電極、 翰・・・穴、（至）・・・レンズ、 Ｃ＋
ａ、（至）・・・ハーフミラ−０代理人 弁理士 則
近 恵 佑 （ほか１名） 第１ＩＩＡ 第２図 第３図 第４図 （０Ｌ）
装置を示す構成図、第３図はバラス型ＬＥＤの断面図、
第４図＋ａｌ乃至（６１はバラス型ＬＥＤの製造工程図
、第５図はこの発明の一実施例を示す構成図である。 （１）・・・基板、 （２）、（２）′・・・フォトレ
ジスト膜、（３） 、（３１’・・・マスク、 ＋４）
、ｆ４１’・・・超高圧水銀灯、（５）・・・アライメ
ントスコープ、 （６）・・・可視光カットフィルタ、 （７）・・・Ｓｉビジコン、 （８）・・・モニターテ
レビ、（９）・・・白色光源、 叫・・・紫外線カツト
フィルタ、 Ｑυ−ｎ−ＧａＡｓ基板、 囚、、、 ｎ −Ｇ ａ ｏ、ｓｇＡＡ ６．ＡＩ Ａ
ｓ 、 Ｑ３ ・・・ｐ−Ｇａ ６．ＩＩＩＡＪ Ｑ［
ｌＩ Ａｓ、（至）・・・ｐ Ｇａ （Ｌ６１ＡＪ （
Ｈ督Ａｓ 、 Ｃ１５”・ｐ−Ｇ状ｓ、Ｑｅｊｒ・・・
５ｌｏｔ、 ＠・・・Ｉ） 側１１Ｌｍ、（財）・・・
ｎ側電極、 翰・・・穴、（至）・・・レンズ、 Ｃ＋
ａ、（至）・・・ハーフミラ−０代理人 弁理士 則
近 恵 佑 （ほか１名） 第１ＩＩＡ 第２図 第３図 第４図 （０Ｌ）
Claims (2)
- （１） 基板を透視出来る機構を備えたフォトリングラ
フィ露光装置。 - （２） 前記基板を透視出来る機構は、前記基板に前記
基板を透過する波長の光を照射する手段と、前記光の反
射光を観察する手段とを備えることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のフォトリソグラフィ露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58180480A JPS6074526A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | フオトリングラフイ露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58180480A JPS6074526A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | フオトリングラフイ露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074526A true JPS6074526A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16083955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58180480A Pending JPS6074526A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | フオトリングラフイ露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074526A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251032A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Toshiba Mach Co Ltd | レ−ザ描画装置 |
| JPS622590A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | 東芝機械株式会社 | レ−ザ描画装置 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58180480A patent/JPS6074526A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251032A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Toshiba Mach Co Ltd | レ−ザ描画装置 |
| JPS622590A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | 東芝機械株式会社 | レ−ザ描画装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004103702A (ja) | 近接場マスク露光方法及び、近接場マスク露光装置 | |
| JPS61292643A (ja) | ホトマスク | |
| JPH0690507B2 (ja) | ホトマスク，及びそれを用いた投影露光方法、並びにホトマスクの製造方法 | |
| JPH06124872A (ja) | 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法 | |
| JPS6074526A (ja) | フオトリングラフイ露光装置 | |
| US6682858B2 (en) | Method of forming small contact holes using alternative phase shift masks and negative photoresist | |
| JPS5919324A (ja) | 露光装置 | |
| JP3027370B2 (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JPH02269343A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| US20010046776A1 (en) | Method for fabricating a stencil mask | |
| JPH01191416A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2002164280A (ja) | 露光方法 | |
| JP3031728B2 (ja) | レチクルおよび露光装置 | |
| JPH0342660A (ja) | 光学マスク及びそれを使用した露光方法 | |
| JPS5818925A (ja) | マスク合わせの方法 | |
| JPS5839015A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20060121360A1 (en) | Mask, method of manufacturing mask, and lithographic process | |
| JPS6213028A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2689395B2 (ja) | ウエハ周辺部露光装置 | |
| JPH02187013A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPS63104327A (ja) | Ｘ線マスク、およびその製造方法 | |
| JPH0992598A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JPS6123320A (ja) | 光露光装置の露光位置検出機構 | |
| JPS60207339A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS602955A (ja) | ホトマスクの作成方法 |