JPS6074811A - 半導体回路装置 - Google Patents
半導体回路装置Info
- Publication number
- JPS6074811A JPS6074811A JP58182021A JP18202183A JPS6074811A JP S6074811 A JPS6074811 A JP S6074811A JP 58182021 A JP58182021 A JP 58182021A JP 18202183 A JP18202183 A JP 18202183A JP S6074811 A JPS6074811 A JP S6074811A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- gate
- source
- voltage
- state
- Prior art date
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- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/46—One-port networks
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１＞発明の技術分野
本発明は、半導体集積回路装置に係り、特にトランジス
タをオン状態に保つことにより小面積で高抵抗となるこ
とを特徴とする半導体回路装置に関する。
タをオン状態に保つことにより小面積で高抵抗となるこ
とを特徴とする半導体回路装置に関する。
（２）技術の背景
近年、半導体集積回路装置は急激に進歩してきており、
大規模集積回路装置そして超大規模集積回路装置とその
集積度は一段と増してきている。
大規模集積回路装置そして超大規模集積回路装置とその
集積度は一段と増してきている。
それぞれの用途に適した半導体回路装置がつぎつぎと考
え出されていき、かつ集積度が増加し得る種々の回路が
望まれている。
え出されていき、かつ集積度が増加し得る種々の回路が
望まれている。
（３）従来技術と問題点
従来、集積回路装置における高抵抗の素子には、抵抗体
が用いられていた。
が用いられていた。
しかしこれは半導体集積回路装置上で実現するとき大き
な面積を必要とする欠点があった。また、トランジスタ
を用いる場合においては、ゲート−ソース間の電圧レベ
ルをある一定の電圧値に設定して使用されている。しか
しながら前述のトランジスタがＯＮであったりＯＦＦで
あったりして理想的な抵抗素子としては不充分であった
。
な面積を必要とする欠点があった。また、トランジスタ
を用いる場合においては、ゲート−ソース間の電圧レベ
ルをある一定の電圧値に設定して使用されている。しか
しながら前述のトランジスタがＯＮであったりＯＦＦで
あったりして理想的な抵抗素子としては不充分であった
。
（４）発明の目的
本発明は、上記問題点を解決するものであり、その目的
とするところはトランジスタをオン状態に保つことによ
り小面積で高抵抗となることを特徴とした半導体回路装
置を提供することにある。
とするところはトランジスタをオン状態に保つことによ
り小面積で高抵抗となることを特徴とした半導体回路装
置を提供することにある。
（５）発明の構成
本発明の特徴とするところは第１トランジスタと第２ト
ランジスのソースが共通接続され前記第２トランジスタ
のゲートとドレインが共通接続されて抵抗素子を介して
前記第１トランジスタのゲートに接続されており前記第
１トランジスタのソース−ドレインの電圧レベルと等し
くすることによって前記第１トランジスタをオン状態に
保つことを特徴とする半導体回路装置にある。
ランジスのソースが共通接続され前記第２トランジスタ
のゲートとドレインが共通接続されて抵抗素子を介して
前記第１トランジスタのゲートに接続されており前記第
１トランジスタのソース−ドレインの電圧レベルと等し
くすることによって前記第１トランジスタをオン状態に
保つことを特徴とする半導体回路装置にある。
（６）発明の実施例
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図に本発明に用いられるトランジスタの記号を示す
。第１図のトランジスタにはドレイン１、ソース２、ゲ
ート３、バックゲート４があり、ソース２、ゲート３の
間の電圧ＶＧεがある一定以上の電圧値をもつときにド
レイン１、ソース２の間が導通する。すなわちＯＮ状態
となる。
。第１図のトランジスタにはドレイン１、ソース２、ゲ
ート３、バックゲート４があり、ソース２、ゲート３の
間の電圧ＶＧεがある一定以上の電圧値をもつときにド
レイン１、ソース２の間が導通する。すなわちＯＮ状態
となる。
第２図に本発明の半導体回路装置を示し、これは、トラ
ンジスタ６、トランジスタ７、抵抗素子５から成り、ト
ランジスタ６とトランジスタ７のバンクゲート及びソー
スはそれぞれ共通に接続されている。トランジスタ７の
ドレインとゲートは７２で短絡し、抵抗素子５を介して
トランジスタ６のゲートと接続している。トランジスタ
６のゲートは端子６３に、ドレインは端子６１に接続さ
れている。トランジスタ６．７のソースは端子６２に接
続されている。 この回路はトランジスタ７と抵抗素子
５を用いることによって、トランジスタ６を常に導通状
態、すなわちＯＮ状態となるようになされている。換言
するならばＯＮ状態を保つには、トランジスタ６のゲー
ト−ソース間電圧Ｖへｓがある一定値以上の電圧でなけ
ればならないから、ある一定値以上の電圧を供給できる
ようになされている。
ンジスタ６、トランジスタ７、抵抗素子５から成り、ト
ランジスタ６とトランジスタ７のバンクゲート及びソー
スはそれぞれ共通に接続されている。トランジスタ７の
ドレインとゲートは７２で短絡し、抵抗素子５を介して
トランジスタ６のゲートと接続している。トランジスタ
６のゲートは端子６３に、ドレインは端子６１に接続さ
れている。トランジスタ６．７のソースは端子６２に接
続されている。 この回路はトランジスタ７と抵抗素子
５を用いることによって、トランジスタ６を常に導通状
態、すなわちＯＮ状態となるようになされている。換言
するならばＯＮ状態を保つには、トランジスタ６のゲー
ト−ソース間電圧Ｖへｓがある一定値以上の電圧でなけ
ればならないから、ある一定値以上の電圧を供給できる
ようになされている。
ここで、同じ製造工程で作られたトランジスタ６とトラ
ンジスタ７において、バンクゲートを共通にする。そし
て抵抗素子５とトランジスタ７に電流が流れていれば、
トランジスタ７はＯＮ状態であり、このトランジスタ７
のゲート−ソース間電圧Ｖｃｓよりも高い電圧をトラン
ジスタ６のゲート−ソース間に供給すれば常にＯＮ状態
となる。抵抗素子５により、電流が流れることによる電
圧降下を考えれば結節点７２よりも結節点６３の方が電
圧が高く、すなわちトランジスタ７のゲートルソース間
電圧よりトランジスタ６のゲート−ソース間電圧の方が
高くなりトランジスタ６はＯＮ状態が保たれる。 ここ
で抵抗素子５はトランジスタ６とトランジスタ７のゲー
ト幅／ゲート長の違いの影響により、適度な数値に設定
する必要がある。
ンジスタ７において、バンクゲートを共通にする。そし
て抵抗素子５とトランジスタ７に電流が流れていれば、
トランジスタ７はＯＮ状態であり、このトランジスタ７
のゲート−ソース間電圧Ｖｃｓよりも高い電圧をトラン
ジスタ６のゲート−ソース間に供給すれば常にＯＮ状態
となる。抵抗素子５により、電流が流れることによる電
圧降下を考えれば結節点７２よりも結節点６３の方が電
圧が高く、すなわちトランジスタ７のゲートルソース間
電圧よりトランジスタ６のゲート−ソース間電圧の方が
高くなりトランジスタ６はＯＮ状態が保たれる。 ここ
で抵抗素子５はトランジスタ６とトランジスタ７のゲー
ト幅／ゲート長の違いの影響により、適度な数値に設定
する必要がある。
次に第３図に本発明の応用例の回路図、第４図に第３図
の等価回路図を示す。第３図の応用回路の例は第２図の
回路の端子６１を容量結合させたものである。すなわち
第２図に示した本発明の実施例の端子６１にコンデンサ
１１を接続し、コンデンサ１１の他端を端子に接続した
ものである。
の等価回路図を示す。第３図の応用回路の例は第２図の
回路の端子６１を容量結合させたものである。すなわち
第２図に示した本発明の実施例の端子６１にコンデンサ
１１を接続し、コンデンサ１１の他端を端子に接続した
ものである。
そしてさらに端子６２に可変電圧源１３を接続したもの
である。第３図の回路は抵抗と等価であるので第４図の
等価回路に示すようにコンデンサ１１、抵抗１２、電源
１３によって表わすことができる。そして前述の第３図
の回路はバイパスフィルタとして動作する。すなわち第
３図の回路によって入力端子８から入力された交流成分
のみを出力端子９から取り出すことができる。そして、
可変電圧源１３の電圧値Ｖ＋の直流レベルに乗せて出力
することができる。ここで高抵抗素子１２の両端の電圧
は直流的には等しい電圧となっている。
である。第３図の回路は抵抗と等価であるので第４図の
等価回路に示すようにコンデンサ１１、抵抗１２、電源
１３によって表わすことができる。そして前述の第３図
の回路はバイパスフィルタとして動作する。すなわち第
３図の回路によって入力端子８から入力された交流成分
のみを出力端子９から取り出すことができる。そして、
可変電圧源１３の電圧値Ｖ＋の直流レベルに乗せて出力
することができる。ここで高抵抗素子１２の両端の電圧
は直流的には等しい電圧となっている。
（７）発明の効果
ゲート−ソース間にＯＮ状態にするに十分な電圧をかけ
ることによってソース−ドレインに同じ電圧の加わった
トランジスタを高抵抗でＯＮ状態に保つ回路を実現する
ことにより、常にトランジスタをＯＮ状態に保持するこ
とができ、半導体回路装置において高抵抗を小面積で、
製造することができる効果がある。
ることによってソース−ドレインに同じ電圧の加わった
トランジスタを高抵抗でＯＮ状態に保つ回路を実現する
ことにより、常にトランジスタをＯＮ状態に保持するこ
とができ、半導体回路装置において高抵抗を小面積で、
製造することができる効果がある。
第１図は本発明に用いられるトランジスタの記号図、第
２図は本発明の実施例の半導体回路図、第３図は本発明
の応用例の回路図、第４図は第３図の等価回路図である
。 ５・・・抵抗素子 ６．７・・・トランジスタ ８・・
・入力端子 ９・・・ 小力端子 １１・・・コンデンサ １２・・・高抵抗素子 １３・・・可変電圧電源 ６１
，６２．６３・・・端子 第１図 第３ 図 第２図 ６１・ 第４図 １７
２図は本発明の実施例の半導体回路図、第３図は本発明
の応用例の回路図、第４図は第３図の等価回路図である
。 ５・・・抵抗素子 ６．７・・・トランジスタ ８・・
・入力端子 ９・・・ 小力端子 １１・・・コンデンサ １２・・・高抵抗素子 １３・・・可変電圧電源 ６１
，６２．６３・・・端子 第１図 第３ 図 第２図 ６１・ 第４図 １７
Claims (1)
- 第１トランジスタと第２トランジスのソースが共通接続
され前記第２トランジスタのゲートとドレインが共通接
続されて抵抗素子を介して前記第１トランジスタのゲー
トに接続されており前記第１トランジスタのソース−ド
レインの電圧レベルと等しくすることによって前記第１
トランジスタをオン状態に保つことを特徴とする半導体
回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58182021A JPS6074811A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 半導体回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58182021A JPS6074811A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 半導体回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074811A true JPS6074811A (ja) | 1985-04-27 |
| JPH0224409B2 JPH0224409B2 (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=16110949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58182021A Granted JPS6074811A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 半導体回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074811A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH056510U (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-29 | 市光工業株式会社 | 車両用灯具 |
| JPH056511U (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-29 | 市光工業株式会社 | 車両用灯具 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58182021A patent/JPS6074811A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0224409B2 (ja) | 1990-05-29 |
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