JPS607493Y2 - 半導体装置用ステム - Google Patents
半導体装置用ステムInfo
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- JPS607493Y2 JPS607493Y2 JP10097679U JP10097679U JPS607493Y2 JP S607493 Y2 JPS607493 Y2 JP S607493Y2 JP 10097679 U JP10097679 U JP 10097679U JP 10097679 U JP10097679 U JP 10097679U JP S607493 Y2 JPS607493 Y2 JP S607493Y2
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- stem
- semiconductor device
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Links
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は半導体装置用ステムに関し、特に例えば気密
性が優れたハーメチックシールタイプの半導体装置用ス
テムに関する。
性が優れたハーメチックシールタイプの半導体装置用ス
テムに関する。
一般に、ICなどの半導体装置は、直接外気に触れるこ
とによって生じる整置を防止するために、気密性のステ
ムおよびキャップで構成される密閉容器内に封入して使
用される。
とによって生じる整置を防止するために、気密性のステ
ムおよびキャップで構成される密閉容器内に封入して使
用される。
第1図は従来の半導体装置用ステムの一例の気密端子を
示す図解図であり、aはその平面図であり、aはその平
面図を示し、bはaに示すb −b′に沿う断面図であ
る。
示す図解図であり、aはその平面図であり、aはその平
面図を示し、bはaに示すb −b′に沿う断面図であ
る。
図において、従来の半導体装置用ステム構造を説明する
と、銅などの熱伝導流の優れた放熱板1の一部にリード
端子3を貫通して他方面へ導くためのアイレット2が挿
入固着されている。
と、銅などの熱伝導流の優れた放熱板1の一部にリード
端子3を貫通して他方面へ導くためのアイレット2が挿
入固着されている。
このアイレット2は、鉄(Fe)等の材料から戒るパイ
プ状のものであって、その上端が放熱板1の上面よりも
突出するよううに選ばれている。
プ状のものであって、その上端が放熱板1の上面よりも
突出するよううに選ばれている。
そして、アイレット2内部にはリード線3がガラス4を
介して気密絶縁的に封着されている。
介して気密絶縁的に封着されている。
このガラス4としては、ソーダライム着色ガラス、ソー
ダバリウム着色ガラス等に用いられる。
ダバリウム着色ガラス等に用いられる。
そして、放熱板1とアイレット2とが銀鑞5により固着
されている。
されている。
前記放熱板1の周囲には鉄のフランジ6が銀鑞5′によ
り固着されている。
り固着されている。
このフランジ6の一部(図示では両側)には、放熱フィ
ンもしくはシャーシなとり取付けるための取付孔61,
62が穿設されている。
ンもしくはシャーシなとり取付けるための取付孔61,
62が穿設されている。
第2図は従来の半導体装置用ステムの他の例を示す図解
図であり、aはその平面図を示し、bはaに示すb−b
’に沿う断面図を示す。
図であり、aはその平面図を示し、bはaに示すb−b
’に沿う断面図を示す。
この半導体装置用ステムは第1′図の放熱板1とフラン
ジ6とを銅で一体的に構成した金属ベース(ステム基板
)7であって、その部分に前述の第1図と同様のアイレ
ット2を嵌合して設け、アイレット2とステム基板7と
が銀鑞5で固着されている。
ジ6とを銅で一体的に構成した金属ベース(ステム基板
)7であって、その部分に前述の第1図と同様のアイレ
ット2を嵌合して設け、アイレット2とステム基板7と
が銀鑞5で固着されている。
このステム基板7は、両端部に取付用孔71.72を穿
設し、アイレット2の周辺部の金属キャップ8の固着個
所に段差状凹部73が形成され、この段差状凹部73に
、金属キャップ8を溶接固着するための鉄の溶接リング
9が銀鑞5′で固着されている。
設し、アイレット2の周辺部の金属キャップ8の固着個
所に段差状凹部73が形成され、この段差状凹部73に
、金属キャップ8を溶接固着するための鉄の溶接リング
9が銀鑞5′で固着されている。
ところで、従来では、第1図または第2図の半導体装置
用ステムに用いられるアイレット2を製作する場合、長
尺のパイプを所定の長さに切断したものを利用したり、
無空棒の中心を中ぐり孔あけしてパイプ状に形成したも
のを切断することによって作られる。
用ステムに用いられるアイレット2を製作する場合、長
尺のパイプを所定の長さに切断したものを利用したり、
無空棒の中心を中ぐり孔あけしてパイプ状に形成したも
のを切断することによって作られる。
ところが、アイレット2において長手方向に巣が生じて
いる場合、銀縁5でアイレット2と放熱板1またはステ
ム基板7との段差部分を鑞付けしても、アイレット2の
巣によって放熱板1またはステム基板7の一方面と他方
面とが貫通状態となる。
いる場合、銀縁5でアイレット2と放熱板1またはステ
ム基板7との段差部分を鑞付けしても、アイレット2の
巣によって放熱板1またはステム基板7の一方面と他方
面とが貫通状態となる。
従って、第1図または第2図に示すような従来の半導体
装置用ステムは、アイレット2の長手方向が巣が生じて
いると、気密性の高いものが得られず、歩留りが悪いと
いう欠点があった。
装置用ステムは、アイレット2の長手方向が巣が生じて
いると、気密性の高いものが得られず、歩留りが悪いと
いう欠点があった。
そこで、より気密性を高めるためには、長手方向に巣の
ないアイレットを作る必要があるが、アイレットの巣を
なくすことはきわめて困難であった。
ないアイレットを作る必要があるが、アイレットの巣を
なくすことはきわめて困難であった。
それゆえに、この考案の主たる目的は、リード線ごガラ
スと介し絶縁して封着するためにアイレットに長手方向
の巣が生じている場合であっても、気密性が優れ、歩留
りを向上できるような、半導体装置用ステムを提供する
ことである。
スと介し絶縁して封着するためにアイレットに長手方向
の巣が生じている場合であっても、気密性が優れ、歩留
りを向上できるような、半導体装置用ステムを提供する
ことである。
この考案を要約すれば、放熱板とフランジとを固着一体
化としてなるあるいは放熱板とフランジと一体化に形成
したステム基板よりなる金属ベースの上面よりもアイレ
ットの上面を低くし、金属ベースのアイレット嵌合孔に
アイレットを嵌合したとき、そのアイレットと金属ベー
スの嵌合孔の上部との段差部分に銀縁と付着し、熱処理
によって銀縁がアイレットの周囲部分と金属ベースの嵌
合孔へ入りかつアイレットの上端面も付着することによ
り、アイレットの長手方向に生じている巣を銀縁で埋め
あるいは銀縁の膜で閉止することにより、気密性を高め
るようにしたものである。
化としてなるあるいは放熱板とフランジと一体化に形成
したステム基板よりなる金属ベースの上面よりもアイレ
ットの上面を低くし、金属ベースのアイレット嵌合孔に
アイレットを嵌合したとき、そのアイレットと金属ベー
スの嵌合孔の上部との段差部分に銀縁と付着し、熱処理
によって銀縁がアイレットの周囲部分と金属ベースの嵌
合孔へ入りかつアイレットの上端面も付着することによ
り、アイレットの長手方向に生じている巣を銀縁で埋め
あるいは銀縁の膜で閉止することにより、気密性を高め
るようにしたものである。
第3図はこの考案の一実施例の半導体装置用ステムの一
例を示す図解図であり、特に第1図に示すような放熱板
とフランジとを固着一体とした場合の半導体装置用ステ
ムの縦断面図である。
例を示す図解図であり、特に第1図に示すような放熱板
とフランジとを固着一体とした場合の半導体装置用ステ
ムの縦断面図である。
なお、この実施例の平面図は第1図と同様であるため、
省略する。
省略する。
この実施例の半導体装置用ステムは、放熱板1を第1図
と同様に形成し、アイレット2′の上端が放熱板1の上
面よりも低くなるようにアイレット2′を形成する。
と同様に形成し、アイレット2′の上端が放熱板1の上
面よりも低くなるようにアイレット2′を形成する。
そして、アイレット2′の内部にガラス4を介してリー
ド線3が気密絶縁的に封着されている。
ド線3が気密絶縁的に封着されている。
そしてアイレット2′の上端面の外周部分に銀縁5′を
付着し、かつ放熱板1とフランジ6の段差部分外周に銀
縁5′を付着する。
付着し、かつ放熱板1とフランジ6の段差部分外周に銀
縁5′を付着する。
その後、高温で熱処理することにより、銀縁5が溶けて
アイレット2の長手方向の外周部と放熱板1の嵌合孔内
周部に沿って流れ込み、アイレット2′を放熱板1とを
気密性を保ちつつ固着されるとともに、アイレット2′
の上端面部分にも銀縁の膜を形成し、これによってアイ
レット2′の上端部と下端部との気密性を一層高めるよ
うに作用する。
アイレット2の長手方向の外周部と放熱板1の嵌合孔内
周部に沿って流れ込み、アイレット2′を放熱板1とを
気密性を保ちつつ固着されるとともに、アイレット2′
の上端面部分にも銀縁の膜を形成し、これによってアイ
レット2′の上端部と下端部との気密性を一層高めるよ
うに作用する。
同時に銀縁5′が溶けて放熱板1とフランジ6とを固着
する。
する。
なお、より好ましくは放熱板1に形成されるアイレット
嵌合孔を、上方位置の内径をアイレット2′の外径より
も大きくし、下部側嵌合孔の内径をアイレット2′の内
径よりも大きくかつ外径よりも小さく形成することによ
り、放熱板1に形成される嵌合孔の上部側内径とアイレ
ット32の外径との製作誤差が大きくても銀縁5が下側
へ漏れるのを防止できる利点がある。
嵌合孔を、上方位置の内径をアイレット2′の外径より
も大きくし、下部側嵌合孔の内径をアイレット2′の内
径よりも大きくかつ外径よりも小さく形成することによ
り、放熱板1に形成される嵌合孔の上部側内径とアイレ
ット32の外径との製作誤差が大きくても銀縁5が下側
へ漏れるのを防止できる利点がある。
第4図はこの考案の他の実施例の半導体装置用ステムの
構造を示す断面図であり、特に第2図に示すような金属
ベースが放熱板とフランジが一体に形成されたステム基
板の場合の例を示す。
構造を示す断面図であり、特に第2図に示すような金属
ベースが放熱板とフランジが一体に形成されたステム基
板の場合の例を示す。
図において、この実施例の半導体装置用ステムはステム
基板7の上面よりもアイレット2′の上端を低くシ、ス
テム基板7に穿設されたアイレット嵌合孔ヘアイレット
2′を嵌合させたのち、アイレット2′の上端面周囲に
銀縁5を付着し、その後熱処理することにより、アイレ
ットの巣を銀縁の膜で閉塞するとともに、アイレットを
放熱板の嵌合孔内周と銀縁で固着させるものである。
基板7の上面よりもアイレット2′の上端を低くシ、ス
テム基板7に穿設されたアイレット嵌合孔ヘアイレット
2′を嵌合させたのち、アイレット2′の上端面周囲に
銀縁5を付着し、その後熱処理することにより、アイレ
ットの巣を銀縁の膜で閉塞するとともに、アイレットを
放熱板の嵌合孔内周と銀縁で固着させるものである。
なお、上記実施例はアイレット2′内にリード線3をガ
ラス4を介して気密絶縁的に封着したものを銀縁5で放
熱板1またはステム基板7に固着する場合について説明
したが、例えばアイレット2′の表面に無電解ニッケル
メッキ層を形成しておいて、ガラス封着と同時に前記無
電解ニッケルメッキ層を溶融せしめてアイレット2′と
放熱板1またはステム基板7と固着するものにも実施で
きる。
ラス4を介して気密絶縁的に封着したものを銀縁5で放
熱板1またはステム基板7に固着する場合について説明
したが、例えばアイレット2′の表面に無電解ニッケル
メッキ層を形成しておいて、ガラス封着と同時に前記無
電解ニッケルメッキ層を溶融せしめてアイレット2′と
放熱板1またはステム基板7と固着するものにも実施で
きる。
以上のように、この考案によれば、アイレットの長手方
向に巣が入っている場合であっても、気密性が高くかつ
均一のものを製作でき、歩留を向上できるなどの効果が
奏される。
向に巣が入っている場合であっても、気密性が高くかつ
均一のものを製作でき、歩留を向上できるなどの効果が
奏される。
第1図および第2図はこの考案の背景となる半導体装置
用ステムの一例を示す図解図である。 第3図および第4図はこの考案の一実施例の半導体装置
用ステムの図解図である。 図において、1は放熱板、2は従来のアイレット、2′
はこの実施例に用いられるアイレット、3はリード線、
4はガラス、5,5′は銀縁、6はフランジ、7はステ
ム基板、8は金属キャップ、9は溶接リングを示す。
用ステムの一例を示す図解図である。 第3図および第4図はこの考案の一実施例の半導体装置
用ステムの図解図である。 図において、1は放熱板、2は従来のアイレット、2′
はこの実施例に用いられるアイレット、3はリード線、
4はガラス、5,5′は銀縁、6はフランジ、7はステ
ム基板、8は金属キャップ、9は溶接リングを示す。
Claims (3)
- (1) 金属ベースにアイレットを鑞付け、該アイレ
ット内にガラスを介してリード線を金属ベースの一方面
から他方面へ導き出す半導体装置用ステムであって、 前記金属ベースの一方面よりも前記アイレットの端面を
低くシ、該アイレットの端面の層で覆ったことを特徴と
する半導体装置用ステム。 - (2)前記金属ベースは、銅製のステム基板である。 実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の半導体装置用
ステム。 - (3)前記金属ベースは、銅製の放熱板と該放熱板の外
周部に固着される鉄製フランジとを一体化して構成され
た、実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の半導体装
置用ステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10097679U JPS607493Y2 (ja) | 1979-07-20 | 1979-07-20 | 半導体装置用ステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10097679U JPS607493Y2 (ja) | 1979-07-20 | 1979-07-20 | 半導体装置用ステム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5619038U JPS5619038U (ja) | 1981-02-19 |
| JPS607493Y2 true JPS607493Y2 (ja) | 1985-03-13 |
Family
ID=29333704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10097679U Expired JPS607493Y2 (ja) | 1979-07-20 | 1979-07-20 | 半導体装置用ステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607493Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-07-20 JP JP10097679U patent/JPS607493Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5619038U (ja) | 1981-02-19 |
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