JPS6076647A - 塗膜乾燥度検知方法 - Google Patents
塗膜乾燥度検知方法Info
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- JPS6076647A JPS6076647A JP18558083A JP18558083A JPS6076647A JP S6076647 A JPS6076647 A JP S6076647A JP 18558083 A JP18558083 A JP 18558083A JP 18558083 A JP18558083 A JP 18558083A JP S6076647 A JPS6076647 A JP S6076647A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/4738—Diffuse reflection, e.g. also for testing fluids, fibrous materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は塗膜の乾燥度、特に詳しくは乾燥完了直前状態
を検知する方法に関するものである。
を検知する方法に関するものである。
従来より、溶媒により溶解された結合剤(バインダー)
中に磁性粒子を分散してなる磁性塗布畝を、例えばポリ
エステルフィルム等の非磁性支持体表面に塗布した磁気
記録媒体が公知となっている。最近ではこのような磁気
記録媒体を製造する際に、例えば特公昭56−3649
6号公報に示されるように、支持体表面に塗布された塗
布液(ml摸)が乾燥、固化する前に該塗膜に対して外
部磁界を印加し、磁性粒子の容易磁化軸を所望方向に配
向させることにより、この塗膜が固化してなる磁性層の
角形性(磁気ヒステリシス曲線の角形形状性)を高める
試みが広(なされている。
中に磁性粒子を分散してなる磁性塗布畝を、例えばポリ
エステルフィルム等の非磁性支持体表面に塗布した磁気
記録媒体が公知となっている。最近ではこのような磁気
記録媒体を製造する際に、例えば特公昭56−3649
6号公報に示されるように、支持体表面に塗布された塗
布液(ml摸)が乾燥、固化する前に該塗膜に対して外
部磁界を印加し、磁性粒子の容易磁化軸を所望方向に配
向させることにより、この塗膜が固化してなる磁性層の
角形性(磁気ヒステリシス曲線の角形形状性)を高める
試みが広(なされている。
上述の磁場配向処理は一般に、塗膜が乾燥、固化する直
前に行なうと効果的であることが知られているので、磁
場配向処理を行なう磁気記録媒体の製造過程においては
この塗膜の乾燥完了直前状態を正確に検知することがめ
られる。また、以上説明したような磁気記録媒体の製造
過程に限らず、例えば各種塗装を行なう際に、塗料塗膜
が乾燥した後に速やかに別の加工を施したい場合等にお
いても、塗膜の乾燥完了直前状態を正確に検知したいと
いう要求が存在する。
前に行なうと効果的であることが知られているので、磁
場配向処理を行なう磁気記録媒体の製造過程においては
この塗膜の乾燥完了直前状態を正確に検知することがめ
られる。また、以上説明したような磁気記録媒体の製造
過程に限らず、例えば各種塗装を行なう際に、塗料塗膜
が乾燥した後に速やかに別の加工を施したい場合等にお
いても、塗膜の乾燥完了直前状態を正確に検知したいと
いう要求が存在する。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、前記磁
性塗布液のように、液体中に固体微粒子が混在する塗亜
液が基体表面に塗布されてなる塗膜の乾燥完了直前状態
を正確に検出しうる塗膜乾燥度検知方法を提供すること
を目的とするものである。
性塗布液のように、液体中に固体微粒子が混在する塗亜
液が基体表面に塗布されてなる塗膜の乾燥完了直前状態
を正確に検出しうる塗膜乾燥度検知方法を提供すること
を目的とするものである。
本発明の盃族乾燥匿検知方法は、上述のような塗J模に
光を照射し、該塗膜からの反射光量を塗膜未乾燥状態か
ら乾燥完了状態までに亘って測定すると、未乾燥状態下
では反射光量は比較的小さなほぼ一定値をとり、乾燥完
了状態において急激に増大し、乾燥完了する発見したこ
とに基づいて得られたものであり、上記反射光量の最大
値を検出することによって乾燥完了直前状態を検知する
こと、を特徴とするものである。
光を照射し、該塗膜からの反射光量を塗膜未乾燥状態か
ら乾燥完了状態までに亘って測定すると、未乾燥状態下
では反射光量は比較的小さなほぼ一定値をとり、乾燥完
了状態において急激に増大し、乾燥完了する発見したこ
とに基づいて得られたものであり、上記反射光量の最大
値を検出することによって乾燥完了直前状態を検知する
こと、を特徴とするものである。
本発明者らのイυ[究によれば、上記のような反射光量
の変化特性は、重膜の厚さには関係無く塗布液の種類に
よって固有のものとなるので、塗415′/f、毎に反
射光量の変化特性をあらかじめ調べており“ば、正確に
塗膜乾燥完了直前状態を俣知可能である。また上記のよ
うに反射光量を測定することによって間接的に産膜乾燥
度を検出しているので、塗膜に影響を及ぼさずしかも1
ハj単な装置によって塗膜乾燥完了直前状態を検知する
ことができる。
の変化特性は、重膜の厚さには関係無く塗布液の種類に
よって固有のものとなるので、塗415′/f、毎に反
射光量の変化特性をあらかじめ調べており“ば、正確に
塗膜乾燥完了直前状態を俣知可能である。また上記のよ
うに反射光量を測定することによって間接的に産膜乾燥
度を検出しているので、塗膜に影響を及ぼさずしかも1
ハj単な装置によって塗膜乾燥完了直前状態を検知する
ことができる。
以下、図面な参l(@シて本発明の実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明の塗膜乾燥度検知方法を実施する装置の
一例を示すものである。検知装置本体20内には例えば
発光ダイオード等の発光素子21と、フオl−)ランジ
スタ等の受光素子(光電差換素子)22が設けられてい
る。発光素子210発光は測定光として用いられるもの
で、オプチカルファイバーチューブ23によって本体2
0外部に導かれるようになっている。上記オプチカルフ
ァイバーチューブ23の先端部は、もう1本のオプチカ
ルファイバーチューブ24の先端部と互いに結束されて
センサー25とされ、双方のファイバーチューブ23.
24の先端面23a。
一例を示すものである。検知装置本体20内には例えば
発光ダイオード等の発光素子21と、フオl−)ランジ
スタ等の受光素子(光電差換素子)22が設けられてい
る。発光素子210発光は測定光として用いられるもの
で、オプチカルファイバーチューブ23によって本体2
0外部に導かれるようになっている。上記オプチカルフ
ァイバーチューブ23の先端部は、もう1本のオプチカ
ルファイバーチューブ24の先端部と互いに結束されて
センサー25とされ、双方のファイバーチューブ23.
24の先端面23a。
24aが同一方向を向くようになって(・る。
ファイバーチューブ24は上記先端面24aと反対側の
端面が、上記受光素子22に対向するよう((配され、
該受光素子22の出力は増幅器26を通して記録#27
に入力され、反射ブC蓋が測定、表示される。
端面が、上記受光素子22に対向するよう((配され、
該受光素子22の出力は増幅器26を通して記録#27
に入力され、反射ブC蓋が測定、表示される。
液体中に固体微粒子が混在する塗布液が基体30上に塗
布されてなる塗膜31の乾燥度を検知する場合、上記セ
ンサー25はその先端面(ファイバーチューブ先端面2
3a、24a)が塗膜31に対向するように配賦され、
必要によっては外光を遮断する遮光部材32が設げられ
る。そして発光素子21を作動させてファイバーチュー
ブ先端面23aから塗膜3]に測定光Leを照射すると
、この測定光Leは塗膜31において反射し、その反射
光Lrはファイバーチューブ先端面24aからファイバ
ーチューブ24内に入射し、該ファイバーチューブ24
を介して受光素子22に導かれる。
布されてなる塗膜31の乾燥度を検知する場合、上記セ
ンサー25はその先端面(ファイバーチューブ先端面2
3a、24a)が塗膜31に対向するように配賦され、
必要によっては外光を遮断する遮光部材32が設げられ
る。そして発光素子21を作動させてファイバーチュー
ブ先端面23aから塗膜3]に測定光Leを照射すると
、この測定光Leは塗膜31において反射し、その反射
光Lrはファイバーチューブ先端面24aからファイバ
ーチューブ24内に入射し、該ファイバーチューブ24
を介して受光素子22に導かれる。
センサー25の先端面と塗膜31との間の距離は一例と
して10間程度に設定される。
して10間程度に設定される。
第2図は上記装置により、オーディオ用磁気テープ(す
なわち上記基体30は高分子非磁性支持体、塗膜31は
有機溶媒により溶解されたバインダー中に磁性粒子が分
散されたものである)の塗膜31からの反射光量を、塗
膜31が未乾燥の状態から乾燥完了まで連続して測定し
、それとともに塗膜31の乾燥度を実際に測定して、双
方の測定結果を合わせて表示したものである。この第2
図に示されるように反射光量は、塗膜31が未乾燥の状
態下では比較的小さなほぼ一定値をとり、乾燥完了直前
に急激に増大して最大値をとり、乾燥が完了すると低下
して再度はぼ一定値を保つ。また第3図はビデオテープ
に対して同様の測定を行なった結果を示すものである。
なわち上記基体30は高分子非磁性支持体、塗膜31は
有機溶媒により溶解されたバインダー中に磁性粒子が分
散されたものである)の塗膜31からの反射光量を、塗
膜31が未乾燥の状態から乾燥完了まで連続して測定し
、それとともに塗膜31の乾燥度を実際に測定して、双
方の測定結果を合わせて表示したものである。この第2
図に示されるように反射光量は、塗膜31が未乾燥の状
態下では比較的小さなほぼ一定値をとり、乾燥完了直前
に急激に増大して最大値をとり、乾燥が完了すると低下
して再度はぼ一定値を保つ。また第3図はビデオテープ
に対して同様の測定を行なった結果を示すものである。
この場合、反射光量の変化特性は前記第2図のものと異
なるが、塗膜3」の乾燥完了直前に反射光量が急激に増
大して最大値を示す傾向は同様に認められる。このよう
な傾向はその他、液体中に固体微粒子が混在する塗布液
が基体表面上に塗布されてなる塗膜の多くについて同様
に認められる。なお反射光量変化特性は塗膜厚さに関係
なく、塗膜種類毎に共通している。
なるが、塗膜3」の乾燥完了直前に反射光量が急激に増
大して最大値を示す傾向は同様に認められる。このよう
な傾向はその他、液体中に固体微粒子が混在する塗布液
が基体表面上に塗布されてなる塗膜の多くについて同様
に認められる。なお反射光量変化特性は塗膜厚さに関係
なく、塗膜種類毎に共通している。
したがって上述のようにして塗膜31がらの反射光量を
測定して最大値を検出すれば、その時塗膜31が乾燥完
了直前状態にあることが分かる。そこで、前述したよう
に磁気記録媒体の製造過程において磁性塗膜の乾燥完了
直前に磁場配向処理をしたい場合には、孝布液が塗布さ
れて連続移送される基体(非磁性支持体)の長手方向に
活って前記第1図の装置を多数配置し、これら装置の反
射光量測定結果、すなわち多数個の装置のうちどの装置
で反射光量最大値が検出されるのか、または上記最大値
がすべての装置の前(基体移送方向上流側)あるいは後
(基体移送方向下流側)にあるのかの情報に基づいて乾
燥条件や基体移送速度、あるいは移動可能にした磁場配
向手段の設定位置を制御することによって、より正確に
塗膜乾燥完了直前に磁場配向処理をすることが可能とな
る。
測定して最大値を検出すれば、その時塗膜31が乾燥完
了直前状態にあることが分かる。そこで、前述したよう
に磁気記録媒体の製造過程において磁性塗膜の乾燥完了
直前に磁場配向処理をしたい場合には、孝布液が塗布さ
れて連続移送される基体(非磁性支持体)の長手方向に
活って前記第1図の装置を多数配置し、これら装置の反
射光量測定結果、すなわち多数個の装置のうちどの装置
で反射光量最大値が検出されるのか、または上記最大値
がすべての装置の前(基体移送方向上流側)あるいは後
(基体移送方向下流側)にあるのかの情報に基づいて乾
燥条件や基体移送速度、あるいは移動可能にした磁場配
向手段の設定位置を制御することによって、より正確に
塗膜乾燥完了直前に磁場配向処理をすることが可能とな
る。
さらに別の例として、各種塗料を基体に塗付し該塗料が
乾燥したならば速やかに基体に別の加工を施したい場合
等においては、第1図の装置を用いて塗料塗膜からの反
射光量を測定し、反射光量最大値を検出してから所定時
間後に別の加工を施せば、塗料塗膜乾燥完了直後の基体
に上記別の加工がなされることになる。なお上記所定時
間は実験、経験によってめることが可能である。
乾燥したならば速やかに基体に別の加工を施したい場合
等においては、第1図の装置を用いて塗料塗膜からの反
射光量を測定し、反射光量最大値を検出してから所定時
間後に別の加工を施せば、塗料塗膜乾燥完了直後の基体
に上記別の加工がなされることになる。なお上記所定時
間は実験、経験によってめることが可能である。
以上詳細に説明した通り本発明の塗膜乾燥就検知方法に
よれば、反射光量の測定により塗膜乾燥完了直前状態が
正確かつ瞬時に検知されるから、塗膜の乾燥度に応じて
行なわれる処理を正確に制御することが可能になる。
よれば、反射光量の測定により塗膜乾燥完了直前状態が
正確かつ瞬時に検知されるから、塗膜の乾燥度に応じて
行なわれる処理を正確に制御することが可能になる。
第1図は本発明方法を実施する装置の一例を示す概略図
、 第2図、第3図は本発明に係わる、塗膜の反射光量と乾
繰贋との関係の例を示すグラフである。 21・・・発光累子 22・・・受光素子27・・・記
録 計 30・・・基 体31・・・塗 膜
、 第2図、第3図は本発明に係わる、塗膜の反射光量と乾
繰贋との関係の例を示すグラフである。 21・・・発光累子 22・・・受光素子27・・・記
録 計 30・・・基 体31・・・塗 膜
Claims (1)
- 液体中に固体微粒子が混在する塗布液が基体表面に塗布
されてなる塗膜に対して測定光を照射するとともにこの
照射光の塗膜からの反射光量を測定し、該反射光量の最
大値を検出することにより塗膜乾燥完了直前状態を検知
することを特徴とする塗膜乾燥度検知方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18558083A JPS6076647A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 塗膜乾燥度検知方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18558083A JPS6076647A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 塗膜乾燥度検知方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076647A true JPS6076647A (ja) | 1985-05-01 |
| JPH0458571B2 JPH0458571B2 (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=16173292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18558083A Granted JPS6076647A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 塗膜乾燥度検知方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076647A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4693038A (en) * | 1985-04-06 | 1987-09-15 | Schaudt Maschinenbau Gmbh | Apparatus for optically monitoring the surface finish of ground workpieces |
| WO2000031516A1 (en) * | 1998-11-20 | 2000-06-02 | Honeywell-Measurex Corporation | Gel point sensor |
| EP3674687A4 (en) * | 2018-01-08 | 2020-11-25 | Lg Chem, Ltd. | METHOD AND APPARATUS FOR MONITORING THE DRY STATE OF AN ELECTRODE SUBSTRATE |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS549689A (en) * | 1977-06-23 | 1979-01-24 | Sony Corp | Dryness detecting method |
| JPS5636496A (en) * | 1980-08-08 | 1981-04-09 | Kao Corp | Hydroxyalkyl etherified glycolipid ester and its preparation |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP18558083A patent/JPS6076647A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS549689A (en) * | 1977-06-23 | 1979-01-24 | Sony Corp | Dryness detecting method |
| JPS5636496A (en) * | 1980-08-08 | 1981-04-09 | Kao Corp | Hydroxyalkyl etherified glycolipid ester and its preparation |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4693038A (en) * | 1985-04-06 | 1987-09-15 | Schaudt Maschinenbau Gmbh | Apparatus for optically monitoring the surface finish of ground workpieces |
| WO2000031516A1 (en) * | 1998-11-20 | 2000-06-02 | Honeywell-Measurex Corporation | Gel point sensor |
| JP2002530669A (ja) * | 1998-11-20 | 2002-09-17 | ハネウエル−メジャレクス・コーポレーション | ゲル化点センサ |
| EP1131619B1 (en) * | 1998-11-20 | 2006-10-18 | Honeywell-Measurex Corporation | Method for monitoring drying speed of a coating |
| EP3674687A4 (en) * | 2018-01-08 | 2020-11-25 | Lg Chem, Ltd. | METHOD AND APPARATUS FOR MONITORING THE DRY STATE OF AN ELECTRODE SUBSTRATE |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0458571B2 (ja) | 1992-09-17 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |