JPS6076818A - テレビチユ−ナの混合回路 - Google Patents
テレビチユ−ナの混合回路Info
- Publication number
- JPS6076818A JPS6076818A JP58184527A JP18452783A JPS6076818A JP S6076818 A JPS6076818 A JP S6076818A JP 58184527 A JP58184527 A JP 58184527A JP 18452783 A JP18452783 A JP 18452783A JP S6076818 A JPS6076818 A JP S6076818A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reception
- uhf
- circuit
- gate
- tuner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
- H03D7/125—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes with field effect transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１年″業にの利用分野）
本発明はテユアルゲ−１・型１ｂ、界効果１−シンノツ
ク（」ラド、ＭＯＳ ］ｌ；Ｔという）を使用したラー
レヒｙ−−１−す用混合回路に関する。
ク（」ラド、ＭＯＳ ］ｌ；Ｔという）を使用したラー
レヒｙ−−１−す用混合回路に関する。
（従来例の構成とその問題点）
プレビジョンチューナにおける性能において特しこ半啓
体素子における非直線歪による混変調の発生口、ＴＶ伝
弓の多ヂャン坏ル化、あるいは判定ｌｌＡ接チャンネル
での混変調の発生にＸＪシ、Ｒｌｉ”増幅素子並びに混
変調特性のすぐれたＭＯＳ ＦＥＴか使用されてきてい
る。第１図にＭＯＳ ＦＥＴを使用した電子同調型テレ
ビチューナの従来例を示す。従来例においては混合用素
子としてのＭＯＳ ＦＥＴ Ｑの直流バイアス電圧は特
に高周波（８号入力用の第１ゲ−１□Ｇ、の電圧につい
て見ればＶＨＦ・ＵＨＦ信号受信時ともに同一ハイアス
条イ４１て使用され、ＶＨＦ受信時の混合回路特性のう
ち変換利得が最大に変換できるバイアス電圧すなわち第
１ゲ−１・と）−ス間の電圧ＶＧ１ｓ〈０の条件となる
よう設定されでいる。
体素子における非直線歪による混変調の発生口、ＴＶ伝
弓の多ヂャン坏ル化、あるいは判定ｌｌＡ接チャンネル
での混変調の発生にＸＪシ、Ｒｌｉ”増幅素子並びに混
変調特性のすぐれたＭＯＳ ＦＥＴか使用されてきてい
る。第１図にＭＯＳ ＦＥＴを使用した電子同調型テレ
ビチューナの従来例を示す。従来例においては混合用素
子としてのＭＯＳ ＦＥＴ Ｑの直流バイアス電圧は特
に高周波（８号入力用の第１ゲ−１□Ｇ、の電圧につい
て見ればＶＨＦ・ＵＨＦ信号受信時ともに同一ハイアス
条イ４１て使用され、ＶＨＦ受信時の混合回路特性のう
ち変換利得が最大に変換できるバイアス電圧すなわち第
１ゲ−１・と）−ス間の電圧ＶＧ１ｓ〈０の条件となる
よう設定されでいる。
（−２かじながらＶＧ Ｓ ＜ Ｏの条件では、ＵＨＦ
受信時＋ｄＭＯ８ＦＥＴにＶＨＦ’受信時と異なりＩ
ＦＡＭＰ増中１増動１が必要となり、利得は充分確保出
来ない。このような使用条件のもとＵＨＦ及びＶＨＦ受
イ、１局の偶性の７・ラノスを確保するためＵＨＦ混合
回路（〕こおい−（（・ｌかイボーラトランジスタ混合
回路が使用◇〕する。このような使用条件においてはｕ
＋ｎｒ受信時の混変調特性の改善が課題であった。
受信時＋ｄＭＯ８ＦＥＴにＶＨＦ’受信時と異なりＩ
ＦＡＭＰ増中１増動１が必要となり、利得は充分確保出
来ない。このような使用条件のもとＵＨＦ及びＶＨＦ受
イ、１局の偶性の７・ラノスを確保するためＵＨＦ混合
回路（〕こおい−（（・ｌかイボーラトランジスタ混合
回路が使用◇〕する。このような使用条件においてはｕ
＋ｎｒ受信時の混変調特性の改善が課題であった。
（発明の目的）
本発明はＵＨＦ受信時の混変調重性を向」いせ、かつ利
得においてもＵＨＦ受信時およびＶＨＦ受信［Ｉ４のバ
ランスをとり均一な利得特性をもった混合回路を提供す
るものである。
得においてもＵＨＦ受信時およびＶＨＦ受信［Ｉ４のバ
ランスをとり均一な利得特性をもった混合回路を提供す
るものである。
（発明の構成）
本発明は、デュアルゲート型電界効果トランノスクを使
用したテレビチューすの混合回路において、デュアルゲ
ート型電界効果トランジスタの高周波信号人力用の第１
ゲートの直流ノ・イアスミ圧を、ＶＨＦ受信時とＵＨＦ
受信時とで切換える手段を有する。
用したテレビチューすの混合回路において、デュアルゲ
ート型電界効果トランジスタの高周波信号人力用の第１
ゲートの直流ノ・イアスミ圧を、ＶＨＦ受信時とＵＨＦ
受信時とで切換える手段を有する。
具体的には」−配直流ノ・イアスミ圧は、ＶＨＦ受信時
はＶＧ、Ｓ＜０の条例で変換利得および混変調の良い値
となるよう切換設定り、、ＵＨＦ受信時はＶｃ ３ ＞
。
はＶＧ、Ｓ＜０の条例で変換利得および混変調の良い値
となるよう切換設定り、、ＵＨＦ受信時はＶｃ ３ ＞
。
でかつ利得および混変調特性を最良にするような値に切
換設定す心。
換設定す心。
（実施例の説明）
第２図は本発明の実施例を示すもので、１はＵＨＦ混合
回路、２はＶＨＦ ｎｐ増幅回路、３はＶｌ（Ｆ発１辰
回路、ＡＵ町ＩＦ回路電圧供給端−ｒ１ Ｂはデュアル
ゲ−１・ＭＯＳ ＦＥＴ増幅回路電圧供給端子、ＥはＶ
ＨＦ時ゲートバイアス電圧供給峙ｉ子、Ｑはテコアルゲ
−ｌ・ＭＯＳ ＦＥＴ 、Ｆは出力端子である。ＶＨＦ
受信時においてはＶＨＦ時ゲートバイアス電圧供給端イ
Ｅに所定の電圧を印加するとともにＵＨＦ回路電圧供給
端子ＡはＯＶ捷たけフローティノブとする。そうすると
ダイオードＤ ｕ、 ＯＦＦ状態となる。このときのＭ
ＯＳ ＦＥＴ Ｑの第］ゲーＩＧ、の電圧は電圧供給端
子Ｅの電圧と抵抗Ｒ５，Ｒ８，Ｒ９，ＲｈｏとＫよって
決まるが、これらの電圧値および抵抗値を適当に設定す
ることによりＭＯＳ ＦＥＴ Ｑのソース電圧より低く
なるようにする。即ち第１ヶ−ＩＧ、のバイアス電圧Ｖ
Ｇ４Ｓ がＶＧ、Ｓ＜０となるようにする。従っ−Ｃ１
このＶＧＩＳ ＜ Ｏの条件によってＶ Ｉ−Ｉ Ｆの
変換利得および混変調特性が最も良い状態に設定される
ことになる。次にＵＨＦ受信時にけＵ ＨＦ回路電圧供
給端子ＡＫ所定の電圧を印加し、ＶＨＦ時ゲートバイア
ス電圧供給端子ＥをＱＶｉたけフローティングとする。
回路、２はＶＨＦ ｎｐ増幅回路、３はＶｌ（Ｆ発１辰
回路、ＡＵ町ＩＦ回路電圧供給端−ｒ１ Ｂはデュアル
ゲ−１・ＭＯＳ ＦＥＴ増幅回路電圧供給端子、ＥはＶ
ＨＦ時ゲートバイアス電圧供給峙ｉ子、Ｑはテコアルゲ
−ｌ・ＭＯＳ ＦＥＴ 、Ｆは出力端子である。ＶＨＦ
受信時においてはＶＨＦ時ゲートバイアス電圧供給端イ
Ｅに所定の電圧を印加するとともにＵＨＦ回路電圧供給
端子ＡはＯＶ捷たけフローティノブとする。そうすると
ダイオードＤ ｕ、 ＯＦＦ状態となる。このときのＭ
ＯＳ ＦＥＴ Ｑの第］ゲーＩＧ、の電圧は電圧供給端
子Ｅの電圧と抵抗Ｒ５，Ｒ８，Ｒ９，ＲｈｏとＫよって
決まるが、これらの電圧値および抵抗値を適当に設定す
ることによりＭＯＳ ＦＥＴ Ｑのソース電圧より低く
なるようにする。即ち第１ヶ−ＩＧ、のバイアス電圧Ｖ
Ｇ４Ｓ がＶＧ、Ｓ＜０となるようにする。従っ−Ｃ１
このＶＧＩＳ ＜ Ｏの条件によってＶ Ｉ−Ｉ Ｆの
変換利得および混変調特性が最も良い状態に設定される
ことになる。次にＵＨＦ受信時にけＵ ＨＦ回路電圧供
給端子ＡＫ所定の電圧を印加し、ＶＨＦ時ゲートバイア
ス電圧供給端子ＥをＱＶｉたけフローティングとする。
そうするとダイオ−）Ｄｕ ＯＮとなるので、ゲートＧ
１の電圧は端子への電圧と抵抗Ｒ１゜Ｒ９により決櫨る
。この電圧および抵抗値を第〕ゲートバイアス電圧ＶＣ
，ＳがＶＧ、Ｓｈｏとなるように選定することにより、
ＵＨＦに対して利得、混変調特例を最良にする。なお、
高周波信号はコンデンサＣ１により第１ゲー１−６１に
供給される。
１の電圧は端子への電圧と抵抗Ｒ１゜Ｒ９により決櫨る
。この電圧および抵抗値を第〕ゲートバイアス電圧ＶＣ
，ＳがＶＧ、Ｓｈｏとなるように選定することにより、
ＵＨＦに対して利得、混変調特例を最良にする。なお、
高周波信号はコンデンサＣ１により第１ゲー１−６１に
供給される。
（発明の効果）
以」−のように、本発明はＶＨＦ受信時とＵＨＦ受侶時
とで第１ゲートバイアス電圧を切換えるように１７だの
で、利得および混変調喝性をいずれの受信時においても
最適にすることができる。とくにＵＨＦ混合回路にダイ
オードニキづ方式を採用したテレビチューナにおいで有
用である。
とで第１ゲートバイアス電圧を切換えるように１７だの
で、利得および混変調喝性をいずれの受信時においても
最適にすることができる。とくにＵＨＦ混合回路にダイ
オードニキづ方式を採用したテレビチューナにおいで有
用である。
第１図は従来例、第２し１は本発明の実施例をそノ１ぞ
れ示すものである。 １ ・・・・・ＵＩ■Ｆ混合回路、 ２ ・−・・・Ｖ
ＨＦ ＲＦ増幅回路、 ３・・・・−・ＶＨＦ発振回路
、 Ａ ・・ ・ＵＨＦ回路電圧供給端子、 Ｂ−・・
・・・・増幅回路電圧供給端子、 Ｅ ・−・・ＵＨＦ
受信時ゲートバイアス電圧供給端％Ｘ Ｆ ・・・・・
・・出力端子。
れ示すものである。 １ ・・・・・ＵＩ■Ｆ混合回路、 ２ ・−・・・Ｖ
ＨＦ ＲＦ増幅回路、 ３・・・・−・ＶＨＦ発振回路
、 Ａ ・・ ・ＵＨＦ回路電圧供給端子、 Ｂ−・・
・・・・増幅回路電圧供給端子、 Ｅ ・−・・ＵＨＦ
受信時ゲートバイアス電圧供給端％Ｘ Ｆ ・・・・・
・・出力端子。
Claims (1)
- デュアルゲート型電界効果トランジスタを使用したテレ
ビチコ−すの混合回路において、デュアルグー１型電界
効果トランジスタの高周波信号人力用の第１ゲ−１・の
直流）・イアスミ圧を、■■■Ｆ受イ１１時とＵＩＩＦ
受信時とで切換える手段を有すること４！特徴とするテ
レビチューナの混合回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184527A JPS6076818A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | テレビチユ−ナの混合回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184527A JPS6076818A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | テレビチユ−ナの混合回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076818A true JPS6076818A (ja) | 1985-05-01 |
Family
ID=16154753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58184527A Pending JPS6076818A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | テレビチユ−ナの混合回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076818A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933708B1 (ja) * | 1968-09-19 | 1974-09-09 | ||
| JPS5719608B2 (ja) * | 1977-10-20 | 1982-04-23 |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP58184527A patent/JPS6076818A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933708B1 (ja) * | 1968-09-19 | 1974-09-09 | ||
| JPS5719608B2 (ja) * | 1977-10-20 | 1982-04-23 |
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