JPS607700A - 消去機能付きｒｏｍの書き込み装置 - Google Patents
消去機能付きｒｏｍの書き込み装置Info
- Publication number
- JPS607700A JPS607700A JP58115417A JP11541783A JPS607700A JP S607700 A JPS607700 A JP S607700A JP 58115417 A JP58115417 A JP 58115417A JP 11541783 A JP11541783 A JP 11541783A JP S607700 A JPS607700 A JP S607700A
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- eprom
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プログラマグルｏリード・オンリ・メモリ（
以下ＦＲＯＭという）に記憶情報を書き込むとともに、
書き込まれている記憶情報を消去する消去櫓能全持つ消
去イ府能付きＲＯＭ書き込み装置に関する。
以下ＦＲＯＭという）に記憶情報を書き込むとともに、
書き込まれている記憶情報を消去する消去櫓能全持つ消
去イ府能付きＲＯＭ書き込み装置に関する。
ＦＲＯＭの一例であるイレーザグルＰＲＯＭ（以下ＥＰ
ＲＯＭという）は、書き込捷れている記憶情報を紫外線
等の照射によって消去する。！：うにしている。一般に
、記憶情報の三田き込まれているＥＰＲＯＭに、新たに
ＮＩＬ憶消報ケ用き込むには、ＥＰＲＯＭに書き込まれ
ている配憶清報をＲＯＭ消去器（以下ＲＯＭイレーザと
いう）を用いて消去したのち、ＲＯＭ書き込み器（以下
１（ＯＭライタという）を用いて新たに記憶情報螢１１
：き込むようにしている。
ＲＯＭという）は、書き込捷れている記憶情報を紫外線
等の照射によって消去する。！：うにしている。一般に
、記憶情報の三田き込まれているＥＰＲＯＭに、新たに
ＮＩＬ憶消報ケ用き込むには、ＥＰＲＯＭに書き込まれ
ている配憶清報をＲＯＭ消去器（以下ＲＯＭイレーザと
いう）を用いて消去したのち、ＲＯＭ書き込み器（以下
１（ＯＭライタという）を用いて新たに記憶情報螢１１
：き込むようにしている。
ところで、」二記ＲＯＭイレーザでは、ＥＰＲＯＭに１
ことえば工０分ま７こは２０分程度の間紫外線全照射す
るようにしている。そして、ＲＯＭライタに、ＣＩ）完
全に記憶情報が消去されているかのチェックであるブ２
ンクチェックケ行ない、消去が不完全であることが判明
さ肛ると、再度ＲＯＭイレーザを用いて消去が行なわ扛
る〇 このように、従来、ＥＰ’ＲＯＭに異なる記憶情報ケ新
たに書き込もうとすると、多くの時間が掛かシ、ま１ζ
手数が多く掛かるという難点があったＯまた、ＲＯＭイ
レーザ？用いて多数のＥＰＲＯＭを同時に消去した場合
、数個のＥＦＲＯＭのブランクチェックで不良が判１男
されると、すべてのＥＦＲＯＭをもう一度イレーザに掛
けることとなシ、すでに消去されているＥＰＲＯＭ３再
び消去するということも発生する０このため、不必要に
長時間紫外線を照射することとな、！ｐ、ＥＰＲＯＭの
特性の劣化をまねくという欠点がある。また、すでに消
去されているｍｐＲｏＭｉ再消去する色消去ことは、効
率上好ましくない。さらに、消去不可能な不良のｇｐＲ
ｏＭの検出は、ＲＯＭイレーザに長時間掛け１このぢ、
ＲＯＭライタのブランクチェックで始めて検出されるよ
うになっているため、能率的ではない。
ことえば工０分ま７こは２０分程度の間紫外線全照射す
るようにしている。そして、ＲＯＭライタに、ＣＩ）完
全に記憶情報が消去されているかのチェックであるブ２
ンクチェックケ行ない、消去が不完全であることが判明
さ肛ると、再度ＲＯＭイレーザを用いて消去が行なわ扛
る〇 このように、従来、ＥＰ’ＲＯＭに異なる記憶情報ケ新
たに書き込もうとすると、多くの時間が掛かシ、ま１ζ
手数が多く掛かるという難点があったＯまた、ＲＯＭイ
レーザ？用いて多数のＥＰＲＯＭを同時に消去した場合
、数個のＥＦＲＯＭのブランクチェックで不良が判１男
されると、すべてのＥＦＲＯＭをもう一度イレーザに掛
けることとなシ、すでに消去されているＥＰＲＯＭ３再
び消去するということも発生する０このため、不必要に
長時間紫外線を照射することとな、！ｐ、ＥＰＲＯＭの
特性の劣化をまねくという欠点がある。また、すでに消
去されているｍｐＲｏＭｉ再消去する色消去ことは、効
率上好ましくない。さらに、消去不可能な不良のｇｐＲ
ｏＭの検出は、ＲＯＭイレーザに長時間掛け１このぢ、
ＲＯＭライタのブランクチェックで始めて検出されるよ
うになっているため、能率的ではない。
そこで、本発明はこのような実情に鑑み提案されたもの
であり、記憶情報がすでに書き込ま汎ているたとえばＥ
ＰＲＯＭに′ｌｆＴたに記憶情報ケ書き込む場合におい
て、必要以上の紫外線全照射しなくとも記憶情報全消去
することができ、寸た消去不可能な不良ＥＰＲＯＭの検
出が容易であシ、シかも記憶情報の消去から書き込みに
至るまでの時間が短時間ですみ、手数の掛からない消去
憬能付きＲＯＭ書き込み装置を提供することケ目的とす
る０ 〔発明の概要〕 この目的ケ達成するために本発明の消去機能伺きＲＯＭ
書き込み装置は、ＲＯＭの記憶情報の消去が完全になさ
れているか否か全判断するブランクチェック手段と、こ
のブランクチェック手段にｘｉ）未消去と判断されたＲ
ＯＭ（１）記憶情報ｒ消去する消去手段と、この消去手
段による消去回数に基づいて、例えば、消去回数がＮ回
置上に達したか否かの判断に応じて消去不可能な不良Ｒ
ＯＭ′？ｆ：検出する不良ＲＯＭ検出手段と、上記ブラ
ンクチェック手段に工９消去されたと判断されたＲＯＭ
に記憶情報を書き込む書き込み手段とを備えて成ること
ｆｔ特徴とする。
であり、記憶情報がすでに書き込ま汎ているたとえばＥ
ＰＲＯＭに′ｌｆＴたに記憶情報ケ書き込む場合におい
て、必要以上の紫外線全照射しなくとも記憶情報全消去
することができ、寸た消去不可能な不良ＥＰＲＯＭの検
出が容易であシ、シかも記憶情報の消去から書き込みに
至るまでの時間が短時間ですみ、手数の掛からない消去
憬能付きＲＯＭ書き込み装置を提供することケ目的とす
る０ 〔発明の概要〕 この目的ケ達成するために本発明の消去機能伺きＲＯＭ
書き込み装置は、ＲＯＭの記憶情報の消去が完全になさ
れているか否か全判断するブランクチェック手段と、こ
のブランクチェック手段にｘｉ）未消去と判断されたＲ
ＯＭ（１）記憶情報ｒ消去する消去手段と、この消去手
段による消去回数に基づいて、例えば、消去回数がＮ回
置上に達したか否かの判断に応じて消去不可能な不良Ｒ
ＯＭ′？ｆ：検出する不良ＲＯＭ検出手段と、上記ブラ
ンクチェック手段に工９消去されたと判断されたＲＯＭ
に記憶情報を書き込む書き込み手段とを備えて成ること
ｆｔ特徴とする。
さらに、上記書き込み手段にり、９ＲＯＭＫ情き込せれ
た記憶情報の読み出し々；行なえるか否か全判断する読
み出しチェック手鞠と、上記書き込み手段による書き込
み回数がＭ回以上に達したか否かの判断に基づいて書き
込み不可能な不良ＲＯＭ全検出する不良ＲＯＭ検出手段
とを付加してもよい０ 〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明する。
た記憶情報の読み出し々；行なえるか否か全判断する読
み出しチェック手鞠と、上記書き込み手段による書き込
み回数がＭ回以上に達したか否かの判断に基づいて書き
込み不可能な不良ＲＯＭ全検出する不良ＲＯＭ検出手段
とを付加してもよい０ 〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明する。
第１図は、本発明に係る消去機能伺きＲＯＭ書き込み装
置の外観斜視図である。この第１図に示すＲＯＭ書き込
み装置は、プログラマブル・リード・オンリ０メモリ（
以下ＦＲＯＭという）の−例であるイレーザブルＰＲＯ
Ｍ（以下ＥＰＲＯＭンにｆ史用される。このＥＰＲＯＭ
は、書き込まれている記憶情報ケ紫外線等の照射によっ
て消去するようになっている。
置の外観斜視図である。この第１図に示すＲＯＭ書き込
み装置は、プログラマブル・リード・オンリ０メモリ（
以下ＦＲＯＭという）の−例であるイレーザブルＰＲＯ
Ｍ（以下ＥＰＲＯＭンにｆ史用される。このＥＰＲＯＭ
は、書き込まれている記憶情報ケ紫外線等の照射によっ
て消去するようになっている。
第１図において、上記ＲＯＭ書き込み装置の制御部等が
収納されている筐体１の上面部には、ｌＣソケット２が
設けら九、該ソケット２にＥＰＲＯＭ３が差し込まれる
ようになっている。また、上記上面部には、ＥＰＲＯＭ
３′？ｆ：ｆｆｌうように、紫外線遮蔽カバー４がヒン
ジ５ヶ支点に開閉自在に設けられている。また、」二記
Ｅ Ｐ ＲＯＭ ３に設けられている紫外線照射用窓部
６の垂直上方位置の上記辿蔽カバー上面底邪には、ＥＰ
ＲＯＭ３に紫外線を照射するたとえばキセノン管７が配
設されるようになっている。このキセノン管７は、上記
ＥＰＲＯＭ３に書き込まれている記憶情報全消去する消
去手段全構成している。上記キセノン管７は、従来のＲ
ＯＭイレーザに使用されている紫外線照射管に比較して
数１０倍の強い紫ＩＡ線発光強度を有している。
収納されている筐体１の上面部には、ｌＣソケット２が
設けら九、該ソケット２にＥＰＲＯＭ３が差し込まれる
ようになっている。また、上記上面部には、ＥＰＲＯＭ
３′？ｆ：ｆｆｌうように、紫外線遮蔽カバー４がヒン
ジ５ヶ支点に開閉自在に設けられている。また、」二記
Ｅ Ｐ ＲＯＭ ３に設けられている紫外線照射用窓部
６の垂直上方位置の上記辿蔽カバー上面底邪には、ＥＰ
ＲＯＭ３に紫外線を照射するたとえばキセノン管７が配
設されるようになっている。このキセノン管７は、上記
ＥＰＲＯＭ３に書き込まれている記憶情報全消去する消
去手段全構成している。上記キセノン管７は、従来のＲ
ＯＭイレーザに使用されている紫外線照射管に比較して
数１０倍の強い紫ＩＡ線発光強度を有している。
また、上記遮蔽カバー４の内面は、キセノン管７から照
射さ牡た紫外線がＥ Ｐ ＲＯＩＶＩ ３の窓部６に集
光するような形状の反射面となっている。また、上記筐
体上面部に遮蔽カバー４の前面部が当接する位置には、
スイッチ８が設けられており、完全に遮蔽カバー４が閉
じられた場合に、該スイッチ８がたとえばオンするよう
になっている。上２７インチ８がオフされているとき、
すなわち遮蔽カバー・４が完全に閉じられていない場合
は、上記キセノン管７は発光しないようになっておシ、
外部に有害な紫外線が漏れ出ないようになっている０ 上述し１ζ工うに上記キ７、七ノン管７は、強い紫外線
発光強度？有している。この１ζめ、上記ＲＯＭ書き込
み装置に設けられているキセノン管発光駆動回路は、Ｅ
ＰＲＯＭ３の記憶情報を消去する後述する消去サイクル
の１サイクルにおいて、キセノン管７をたとえば１秒間
発光する五うになっている。この１回の消去サイクルで
の発光時間は、キセノン管７の発光によってＥＰＲＯＭ
３に書き込まれている記憶情報が消去される最短時間に
設定さｎている。通常のＥ Ｐ 、ＲＯＭは、上記消去
サイクル勿たとえば４回通過させることにｘｆ）完全に
記憶情報が消去される。し１ヒがって、たとえば５回以
上消去したとしても記憶情報ケ消去できないＥＰＲＯＭ
は、消去不可能な不良ＥＰＲＯＭとして排除することが
でき、上ｉｄ ＲＯＭ書き込み装置には、この不良ＥＰ
ＲＯＭ’（ｚ検出する検出手段が設けられている。この
ように、」二言己キセノン管７’（ｒ用いることにニジ
、ＥＰＲＯＭ３の記憶情報の消去を短時間で行なえるよ
うになっている０また、上記ＲＯＭ書き込み装置には、
ブランクチェック手段が設けられ、ＥＰＲＯＭ３に書き
込まれている記憶情報が完全に消去されているかどうか
をチェックするようになっている。丑た、完全に消去さ
れたＥＰＲＯＭ３に肋／ζに記憶情報ｒ書き込む書き込
み手段が設けらｒているｏ’ｊた、読み出しチェック手
段が設けられ、書き込まれブζ記憶情報を読み出すこと
によ）記憶消＠の書き込みが正しく行なわ′Ｉｔている
かどうかケチェックするようになっている。さらに、複
数回書き込んだとしても正しく配憶清報全署き込めない
ＥＰＲＯＭ、ｌ検出する不良ＥＰＲＯＭ検出手段が設け
られている。
射さ牡た紫外線がＥ Ｐ ＲＯＩＶＩ ３の窓部６に集
光するような形状の反射面となっている。また、上記筐
体上面部に遮蔽カバー４の前面部が当接する位置には、
スイッチ８が設けられており、完全に遮蔽カバー４が閉
じられた場合に、該スイッチ８がたとえばオンするよう
になっている。上２７インチ８がオフされているとき、
すなわち遮蔽カバー・４が完全に閉じられていない場合
は、上記キセノン管７は発光しないようになっておシ、
外部に有害な紫外線が漏れ出ないようになっている０ 上述し１ζ工うに上記キ７、七ノン管７は、強い紫外線
発光強度？有している。この１ζめ、上記ＲＯＭ書き込
み装置に設けられているキセノン管発光駆動回路は、Ｅ
ＰＲＯＭ３の記憶情報を消去する後述する消去サイクル
の１サイクルにおいて、キセノン管７をたとえば１秒間
発光する五うになっている。この１回の消去サイクルで
の発光時間は、キセノン管７の発光によってＥＰＲＯＭ
３に書き込まれている記憶情報が消去される最短時間に
設定さｎている。通常のＥ Ｐ 、ＲＯＭは、上記消去
サイクル勿たとえば４回通過させることにｘｆ）完全に
記憶情報が消去される。し１ヒがって、たとえば５回以
上消去したとしても記憶情報ケ消去できないＥＰＲＯＭ
は、消去不可能な不良ＥＰＲＯＭとして排除することが
でき、上ｉｄ ＲＯＭ書き込み装置には、この不良ＥＰ
ＲＯＭ’（ｚ検出する検出手段が設けられている。この
ように、」二言己キセノン管７’（ｒ用いることにニジ
、ＥＰＲＯＭ３の記憶情報の消去を短時間で行なえるよ
うになっている０また、上記ＲＯＭ書き込み装置には、
ブランクチェック手段が設けられ、ＥＰＲＯＭ３に書き
込まれている記憶情報が完全に消去されているかどうか
をチェックするようになっている。丑た、完全に消去さ
れたＥＰＲＯＭ３に肋／ζに記憶情報ｒ書き込む書き込
み手段が設けらｒているｏ’ｊた、読み出しチェック手
段が設けられ、書き込まれブζ記憶情報を読み出すこと
によ）記憶消＠の書き込みが正しく行なわ′Ｉｔている
かどうかケチェックするようになっている。さらに、複
数回書き込んだとしても正しく配憶清報全署き込めない
ＥＰＲＯＭ、ｌ検出する不良ＥＰＲＯＭ検出手段が設け
られている。
つぎに、このように構成された上記Ｒ’ＯＭ書き込み装
置にエバＥＰＲＯＭ３の記憶情報を消去し新たに記憶清
報？書き込む一連の動作手順について、第２図の流れ図
を参照しながら説明する。
置にエバＥＰＲＯＭ３の記憶情報を消去し新たに記憶清
報？書き込む一連の動作手順について、第２図の流れ図
を参照しながら説明する。
この第２図の手順１０の開始動作において、ＥＰＲＯＭ
３が上記ＲＯＭ！き込み装置にセントされ、紫外線遮蔽
カバー４が閉じられ、ＲＯＭ書き込み装置のスタートス
イッチがオンされることにより、一連の動作が開始され
る工うになっている。
３が上記ＲＯＭ！き込み装置にセントされ、紫外線遮蔽
カバー４が閉じられ、ＲＯＭ書き込み装置のスタートス
イッチがオンされることにより、一連の動作が開始され
る工うになっている。
続いて、手順１１において、上記ブランクチェック手段
に、１．Ｃ、セントされ１こＥＰＲＯＭ３に書き込まれ
ている記憶情報が完全Ｑて消去されているかどうか判断
される。たとえばセントされたＥＰＲＯＭ３が未使用の
Ｅ Ｐ ＲＯＭ ３であった場合のように、手順１１に
おいてただちに消去が完全であると判断されれば、つぎ
の一連の書き込みサイクルに入るようになっている。ま
た、この手順１１において、消去が不完全であると判断
されると、消去サイクルに入シ）不良ＥＰＲＯＭの検出
ケ行なう手順１２につぎの動作が移るようになっている
。この手順１２においては、上記不良ＥＰＲＯＭ検出手
段によ、？、Ｅ、ＦＲＯＭ３の消去がＮ回たとえば前記
の５回以上行なわれたかどうかが判断される。Ｎ回にみ
たない場合、には、消去動作でおるつぎの手＋１ｊｌ
１３に移り、上記キセノン管７が発光さ、１１．、紫外
線がＥＰＲＯＭ３に照射さｇるようになっている。この
紫外線の照射は前記のように、たとえば１秒間という短
時間で行なわれるようになっている。手順１３の消′去
動作において、ＥＰＲＯＭ３に紫外線の照射が行なわれ
たのちは、動作は上記手順１１に戻り、再びフランクチ
ェックが行なわ乳るよう（でなっている。このブランク
チェックにおいて、記憶情報の消去が不完全であると判
１ｇｌさ汎ると、」二連し１ζ一連の消去サイクルに再
び人υ、上記手順１２を通過したのち、ＥＰＲＯＭ３に
キセノン管７から紫外線が照射さｎＸ配憶情報の消去が
行なわれるようになっている０このように消去サイクル
が繰勺返され、ＥＰＲＯＭ３の消去かＮ回以上に達する
と、上記手順１２の不良ＥＰＲＯＭＩ（ｆｉ出手段によ
り、記憶情報の消去が不ｂ」能なＥＰＲＯＭ３であると
判断され、不良Ｅ １） ＲＯＭが検出されるようにな
っている。
に、１．Ｃ、セントされ１こＥＰＲＯＭ３に書き込まれ
ている記憶情報が完全Ｑて消去されているかどうか判断
される。たとえばセントされたＥＰＲＯＭ３が未使用の
Ｅ Ｐ ＲＯＭ ３であった場合のように、手順１１に
おいてただちに消去が完全であると判断されれば、つぎ
の一連の書き込みサイクルに入るようになっている。ま
た、この手順１１において、消去が不完全であると判断
されると、消去サイクルに入シ）不良ＥＰＲＯＭの検出
ケ行なう手順１２につぎの動作が移るようになっている
。この手順１２においては、上記不良ＥＰＲＯＭ検出手
段によ、？、Ｅ、ＦＲＯＭ３の消去がＮ回たとえば前記
の５回以上行なわれたかどうかが判断される。Ｎ回にみ
たない場合、には、消去動作でおるつぎの手＋１ｊｌ
１３に移り、上記キセノン管７が発光さ、１１．、紫外
線がＥＰＲＯＭ３に照射さｇるようになっている。この
紫外線の照射は前記のように、たとえば１秒間という短
時間で行なわれるようになっている。手順１３の消′去
動作において、ＥＰＲＯＭ３に紫外線の照射が行なわれ
たのちは、動作は上記手順１１に戻り、再びフランクチ
ェックが行なわ乳るよう（でなっている。このブランク
チェックにおいて、記憶情報の消去が不完全であると判
１ｇｌさ汎ると、」二連し１ζ一連の消去サイクルに再
び人υ、上記手順１２を通過したのち、ＥＰＲＯＭ３に
キセノン管７から紫外線が照射さｎＸ配憶情報の消去が
行なわれるようになっている０このように消去サイクル
が繰勺返され、ＥＰＲＯＭ３の消去かＮ回以上に達する
と、上記手順１２の不良ＥＰＲＯＭＩ（ｆｉ出手段によ
り、記憶情報の消去が不ｂ」能なＥＰＲＯＭ３であると
判断され、不良Ｅ １） ＲＯＭが検出されるようにな
っている。
また、上記手順１１のフランクチェックにおいて、記憶
情報の消去が完全であると判断されると、動作はつぎの
手順１４に移ハＥＰＲＯＭ３に新たに書き込む記憶情報
の書き込みが従来よシ知られるＲＯＭライタと同様に行
なわれるようになっている。書き込みが終わると、手順
１５に移り、上記読み出しチェック手段において、書き
込まれた記憶情報の読み出しが行なわれ、記憶情報の書
き込みか正しく行なわれているかどうか判断されるよう
になってｂる。この読み出しチェックにおいて、書き込
みが完全であると判断さ九れば、上記ＥＰＲＯＭ３への
記憶情報の書き込みが完了し、消去から書き込みに至る
一連の動作が終了するようになっている。また、±ｄ己
手順１５の読み出しチェックにおいて、書き込みが不完
全であると判断されると、手順１６に移るようになって
いる。
情報の消去が完全であると判断されると、動作はつぎの
手順１４に移ハＥＰＲＯＭ３に新たに書き込む記憶情報
の書き込みが従来よシ知られるＲＯＭライタと同様に行
なわれるようになっている。書き込みが終わると、手順
１５に移り、上記読み出しチェック手段において、書き
込まれた記憶情報の読み出しが行なわれ、記憶情報の書
き込みか正しく行なわれているかどうか判断されるよう
になってｂる。この読み出しチェックにおいて、書き込
みが完全であると判断さ九れば、上記ＥＰＲＯＭ３への
記憶情報の書き込みが完了し、消去から書き込みに至る
一連の動作が終了するようになっている。また、±ｄ己
手順１５の読み出しチェックにおいて、書き込みが不完
全であると判断されると、手順１６に移るようになって
いる。
この手順１６においては、上記不良ＥＰＲＯＭ検出手段
により、書き込みの回数がＭ回以上に達しているかどう
か判断さ九、Ｍ回にみ７こない場合、上記手順１４に戻
シ、再び書き込みが行なゎｔｚるようになっている。
により、書き込みの回数がＭ回以上に達しているかどう
か判断さ九、Ｍ回にみ７こない場合、上記手順１４に戻
シ、再び書き込みが行なゎｔｚるようになっている。
このような書き込みサイクルか、Ｍ回以上に達すると、
上記手順１Ｇにおいて、上記不良ＥＰＲＯＭ検出手段に
よム書き込みが不可能な不良ＥＰＲＯＭの検出が行なわ
ｉしるようになっている。
上記手順１Ｇにおいて、上記不良ＥＰＲＯＭ検出手段に
よム書き込みが不可能な不良ＥＰＲＯＭの検出が行なわ
ｉしるようになっている。
このように、本発明による上記消去（・幾能付＠ＲＯＭ
書き込み装置においてはＥＰＲＯＭ３の記憶情報の消去
、ブランクチェック、記憶情報の新たな書き込み、読み
出しチェックの一連の動作ケ、−回の操作に、Ｕ＋連続
的に行なうことができる。
書き込み装置においてはＥＰＲＯＭ３の記憶情報の消去
、ブランクチェック、記憶情報の新たな書き込み、読み
出しチェックの一連の動作ケ、−回の操作に、Ｕ＋連続
的に行なうことができる。
したがって、従来は、ＲＯＭイレーザとＲＯＭライタの
２台の装置を用いて、上記一連の動作を処理していたも
のを、本発明によれば、上述した消去機能を付加した上
記ＲＯＭ嘗き込み装置一台によシ、連続的に処理するこ
とができ、大幅に工数を削減することが可能となってい
る。捷だ、紫外線発光強度の強いたとえば上記キーセノ
ン管７′？ｆ：用いることによｐ１上記一連の動作ケ短
時間で処理することができるとともに、必要以上（／Ｊ
紫外Ａｍｋ照射しなくともよいようになっている。さら
に、記憶情報の消去の不可能な不良ＥＰＲＯＭの検出が
容易に行なえるようになっている。
２台の装置を用いて、上記一連の動作を処理していたも
のを、本発明によれば、上述した消去機能を付加した上
記ＲＯＭ嘗き込み装置一台によシ、連続的に処理するこ
とができ、大幅に工数を削減することが可能となってい
る。捷だ、紫外線発光強度の強いたとえば上記キーセノ
ン管７′？ｆ：用いることによｐ１上記一連の動作ケ短
時間で処理することができるとともに、必要以上（／Ｊ
紫外Ａｍｋ照射しなくともよいようになっている。さら
に、記憶情報の消去の不可能な不良ＥＰＲＯＭの検出が
容易に行なえるようになっている。
なお、上記有き込みサイクルにおいて、最初の紫外線の
照射が行なわ、／Ｌる１回目の書き込みサイクルについ
てのみ、Ｊ二ｒｊｅ Ａ’セノン管７の発光ヲ１回では
なく２回発光するように設定し、書き込みサイクルの循
環の回数葡少なくするようにしてもよい。
照射が行なわ、／Ｌる１回目の書き込みサイクルについ
てのみ、Ｊ二ｒｊｅ Ａ’セノン管７の発光ヲ１回では
なく２回発光するように設定し、書き込みサイクルの循
環の回数葡少なくするようにしてもよい。
ま／こ、上記紫外線遮蔽カバー４の内面形状を照Ω」さ
れた紫外線がＥ Ｐ ＲＯＭ ３の窓部Ｃに集光するよ
うに形成するのでは々く、該カバー４の外形形状ケその
ま１集光に適した形体に形成するととも（７？：内面全
反射面とするＪ、うにしてもよい。
れた紫外線がＥ Ｐ ＲＯＭ ３の窓部Ｃに集光するよ
うに形成するのでは々く、該カバー４の外形形状ケその
ま１集光に適した形体に形成するととも（７？：内面全
反射面とするＪ、うにしてもよい。
さらに、第１図に示す実施例においては、１個のＥＦＲ
ＯＭ′？ｆ：上記ＲＯＭ 、ｉ口き込み装置にセットす
るようになってｂるが、核数個のＥＰＲＯＭを同時に処
理可能なＲＯＭ ｌｊｌき込み袈ｌｔ全構成するように
してもよい。
ＯＭ′？ｆ：上記ＲＯＭ 、ｉ口き込み装置にセットす
るようになってｂるが、核数個のＥＰＲＯＭを同時に処
理可能なＲＯＭ ｌｊｌき込み袈ｌｔ全構成するように
してもよい。
ま１ζ、第２図に示すように、上記実施例では、消去不
可能な不良ＲＯＭ検出手段を消去手段の前段に設けるよ
うにしているが、該検出手段を消去手段の後段に設ける
Ｌうにしてもよい。
可能な不良ＲＯＭ検出手段を消去手段の前段に設けるよ
うにしているが、該検出手段を消去手段の後段に設ける
Ｌうにしてもよい。
ところで、本発明は、ＥＰＲＯＭに適用されるばか］で
なく、消去用ｔｑ圧勿印力ＩＩするこ七にょｐ＝ｉｔキ
込丑れている記憶清報孕消去するエレクトｌ）カリＥＰ
ＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）に適用するようにしてもよい。
なく、消去用ｔｑ圧勿印力ＩＩするこ七にょｐ＝ｉｔキ
込丑れている記憶清報孕消去するエレクトｌ）カリＥＰ
ＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）に適用するようにしてもよい。
この場合、上記消去手段テ消去用電圧印加手段に変更す
ることにより、消去から記憶情報の書き込みに至る一連
の動作を第２図に示されている流れ図の手順に基づいて
行なうことができる。
ることにより、消去から記憶情報の書き込みに至る一連
の動作を第２図に示されている流れ図の手順に基づいて
行なうことができる。
以」二の説明から明らかなように、本発明によれば、紫
外線発光強度の強力な１ことえばキーヒノン管ケ用いた
消去手段、ブランクチェック手段お上ひ書き込み不可能
な不良Ｅ Ｉ） ＲＯＭ金塗１１甘する検出手段を設け
ることによ５、ＦＲＯＭの一例であるたとえばＥＰＲＯ
Ｍに沓き込寸れている記憶情報ケ消去し、新たに記憶情
報を店き込む一連の動作を連続的に行なえる消去機能付
きＲｏＭ書き込み装置全実現することができる。このよ
うに、記憶情報の消去、ブランクチェック、記憶情報の
書き込み、読み出しチェックの一連の動作を少ない工数
に、！ニル上記ＲＯＭ書き込み装置で行なえる。また、
消去手段に上記キセノン管を使用したことにより、上記
一連の動作を短時間で行なえるとともに、記憶情報の消
去に必要以上の紫外線を照射する必要がない。さらに、
不良ＥＰＲＯＭ検出手段が設けら才ｔでいることによシ
、書き込み不可能な不良ＥＰＲＯＭの検出が容易に行な
える。
外線発光強度の強力な１ことえばキーヒノン管ケ用いた
消去手段、ブランクチェック手段お上ひ書き込み不可能
な不良Ｅ Ｉ） ＲＯＭ金塗１１甘する検出手段を設け
ることによ５、ＦＲＯＭの一例であるたとえばＥＰＲＯ
Ｍに沓き込寸れている記憶情報ケ消去し、新たに記憶情
報を店き込む一連の動作を連続的に行なえる消去機能付
きＲｏＭ書き込み装置全実現することができる。このよ
うに、記憶情報の消去、ブランクチェック、記憶情報の
書き込み、読み出しチェックの一連の動作を少ない工数
に、！ニル上記ＲＯＭ書き込み装置で行なえる。また、
消去手段に上記キセノン管を使用したことにより、上記
一連の動作を短時間で行なえるとともに、記憶情報の消
去に必要以上の紫外線を照射する必要がない。さらに、
不良ＥＰＲＯＭ検出手段が設けら才ｔでいることによシ
、書き込み不可能な不良ＥＰＲＯＭの検出が容易に行な
える。
第１図は本発明に係る消去機能付きＲＯＭ書き込み装置
の一部切欠き外観斜視図、第２図は上記ＲＯＭ書き込み
装置の動作音説明する流れ図である０ ２・・・ ＩＣンクント ３・−ＥＰＲＯＭ ４・・・紫外線遮蔽カバー ６・Ｑ・窓部 ７・・・キセノン管 ８・・９スイツチ １１・・・ブランクチェック手段 １２・・・不良ＥＰＲＯＭ検出手段 １３・・・消去手段 １４・・・書き込み手段 １５０・０読み出しチェック手段 １６・・・不良ＥＰＲＯＭ検出手段 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 見 回 １） 村 榮 −
の一部切欠き外観斜視図、第２図は上記ＲＯＭ書き込み
装置の動作音説明する流れ図である０ ２・・・ ＩＣンクント ３・−ＥＰＲＯＭ ４・・・紫外線遮蔽カバー ６・Ｑ・窓部 ７・・・キセノン管 ８・・９スイツチ １１・・・ブランクチェック手段 １２・・・不良ＥＰＲＯＭ検出手段 １３・・・消去手段 １４・・・書き込み手段 １５０・０読み出しチェック手段 １６・・・不良ＥＰＲＯＭ検出手段 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 見 回 １） 村 榮 −
Claims (1)
- ＲＯＭの記憶情報の消去が完全になされているか否かを
判断するブランクチェック手段と、このブランクチェッ
ク手段により未消去と判断されたＲＯＭの記憶情報を消
去する消去手段と、この消去手段による消去回数に基づ
いて消去不可能な不良ＲＯＭｋ検出する不良ＲＯＭ検出
手段と、上記ブランクチェック手段によシ消去されたと
判断されたＲＯＭに記憶情報を書き込み手段とを備えて
成る消去機能利きＲＯＭ１き込み装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115417A JPS607700A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 消去機能付きｒｏｍの書き込み装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115417A JPS607700A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 消去機能付きｒｏｍの書き込み装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607700A true JPS607700A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=14662051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58115417A Pending JPS607700A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 消去機能付きｒｏｍの書き込み装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607700A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993015912A1 (en) * | 1992-02-07 | 1993-08-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Rewritable recording device |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP58115417A patent/JPS607700A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993015912A1 (en) * | 1992-02-07 | 1993-08-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Rewritable recording device |
| US5537138A (en) * | 1992-02-07 | 1996-07-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Recording and erasing system for themoreversible recording medium |
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