JPS6077459A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6077459A JPS6077459A JP58186135A JP18613583A JPS6077459A JP S6077459 A JPS6077459 A JP S6077459A JP 58186135 A JP58186135 A JP 58186135A JP 18613583 A JP18613583 A JP 18613583A JP S6077459 A JPS6077459 A JP S6077459A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window
- electrode
- wiring
- layer
- electrode window
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
- H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は半導体装置、詳しくはアルミニウムシリコン配
線等と接続する電極窓の形成に関する。
線等と接続する電極窓の形成に関する。
（２）技術の背景
半導体デバイスと接続するアルミニウムシリコン（ＡＪ
／Ｓｉ）配線は第１図の平面図に示され、同図において
、１はＡ７！／Ｓｉ配線、２ａ、 ２ｂ、 ２ｃは半導
体装置に形成されたｎ＋型の拡散層、３ａ 、、。
／Ｓｉ）配線は第１図の平面図に示され、同図において
、１はＡ７！／Ｓｉ配線、２ａ、 ２ｂ、 ２ｃは半導
体装置に形成されたｎ＋型の拡散層、３ａ 、、。
３ｅは前記拡散層に形成された電極窓、４ａ、 ４ｂは
配線層をそれぞれ示し、＾ｎ／Ｓｉ配線１によって拡散
層２ａ、、、の構成するデバイスが外部と接続されてい
る。
配線層をそれぞれ示し、＾ｎ／Ｓｉ配線１によって拡散
層２ａ、、、の構成するデバイスが外部と接続されてい
る。
（３）従来技術と問題点
ｉＡ／Ｓｉ配線ｌはシリコン（Ｓｉ）を含むＡＡ／Ｓｉ
合金によって作られる。かかる配線を用いる理由は、純
粋へｌで配線または電極（パッド）を作った場合に、そ
の配線がＳｉ＆板に形成されたｎ＋型不純物拡散層と電
極窓で接続するとき、ｉ中に基板のＳｔが入り込み、他
方＾ｌが基板内に浸入し、かかるｉとＳｉとの界面反応
によって接触抵抗値の増大、接触不良、拡散層の損傷等
の問題が発生ずるからであり、 八ｅにＳｉを加えてＳ
ｔのへａ中への入りをなくして上記した界面反応を抑制
する。
合金によって作られる。かかる配線を用いる理由は、純
粋へｌで配線または電極（パッド）を作った場合に、そ
の配線がＳｉ＆板に形成されたｎ＋型不純物拡散層と電
極窓で接続するとき、ｉ中に基板のＳｔが入り込み、他
方＾ｌが基板内に浸入し、かかるｉとＳｉとの界面反応
によって接触抵抗値の増大、接触不良、拡散層の損傷等
の問題が発生ずるからであり、 八ｅにＳｉを加えてＳ
ｔのへａ中への入りをなくして上記した界面反応を抑制
する。
しかし、 Ａｎ／Ｓｉ配線を使ったときでも後の熱処理
工程において前記の界面反応以外の、すなわちＡｆｆｉ
ドープされたＳｉの固相エビクキシャル成長が発生する
ことが確認された。 ｉ／Ｓｔ配線がｎ“型拡散層と接
触しているとして、界面準位を安定化するために例えば
４５０℃、Ｎ２ ／１１２雰囲気中で３０分のアニール
を行うと、第２図に示される如く、基板とＡｊ２／Ｓｉ
配線の界面にｐ型不純であるＡ７！のドープされたＳｔ
の結晶粒が発生する。（なお第２図において、１１はシ
リコン基板、１２ばｎ１型拡散層、１３は酸化ｌ！％（
５ｉ０２膜）、１４は例えば燐・シリケート・ガラス（
ＩＩＳＧ）の絶縁膜、１５はＡｊ２／Ｓｉ配線、１６は
Ｓｉ結晶粒を示す。）この結晶粒１６はアニールが進む
につれて図に点線１７で示す如くに固相エピタキシャル
ｐ型層が成長する。
工程において前記の界面反応以外の、すなわちＡｆｆｉ
ドープされたＳｉの固相エビクキシャル成長が発生する
ことが確認された。 ｉ／Ｓｔ配線がｎ“型拡散層と接
触しているとして、界面準位を安定化するために例えば
４５０℃、Ｎ２ ／１１２雰囲気中で３０分のアニール
を行うと、第２図に示される如く、基板とＡｊ２／Ｓｉ
配線の界面にｐ型不純であるＡ７！のドープされたＳｔ
の結晶粒が発生する。（なお第２図において、１１はシ
リコン基板、１２ばｎ１型拡散層、１３は酸化ｌ！％（
５ｉ０２膜）、１４は例えば燐・シリケート・ガラス（
ＩＩＳＧ）の絶縁膜、１５はＡｊ２／Ｓｉ配線、１６は
Ｓｉ結晶粒を示す。）この結晶粒１６はアニールが進む
につれて図に点線１７で示す如くに固相エピタキシャル
ｐ型層が成長する。
従来電極窓は３μｍ〜４μｍ角に形成されていたので、
前記したＳｉの同相エピタキシャル成長が発生したとし
てもそれの影響はさほど大ではなかった。しかし最近半
導体集積回路の集積度が高められ微細パターンが形成さ
れるようになり、それに応じて電極窓の大きさも設計上
の制約から２μｍ角と小になる傾向にある。２μｍ角程
度に小なる電極窓においては、前記したＳｔ固相エピタ
キシャル成長によって電極窓の大部分がＡｆｉドープさ
れたＳｉで埋められ、 Ａβ／Ｓｉ配線とｎ＋拡散層と
の間にオーミックコンタクトがとれなくなる（ノンオー
ミンクコンタクト）問題が発生し、この問題の処理は現
在研究されているものである。
前記したＳｉの同相エピタキシャル成長が発生したとし
てもそれの影響はさほど大ではなかった。しかし最近半
導体集積回路の集積度が高められ微細パターンが形成さ
れるようになり、それに応じて電極窓の大きさも設計上
の制約から２μｍ角と小になる傾向にある。２μｍ角程
度に小なる電極窓においては、前記したＳｔ固相エピタ
キシャル成長によって電極窓の大部分がＡｆｉドープさ
れたＳｉで埋められ、 Ａβ／Ｓｉ配線とｎ＋拡散層と
の間にオーミックコンタクトがとれなくなる（ノンオー
ミンクコンタクト）問題が発生し、この問題の処理は現
在研究されているものである。
なおバイポーラトランジスタにおいては、ミグレーショ
ン（電子遷移）や電流容量の関係で電極窓は比較的大に
形成されるので上記の事実はさほど問題とならないが、
ＭＯＳ ｌ−ランジスタ、特にｎ＋型拡散領域とＡＩ／
Ｓｉ配線の接触が形成されたものにおいて上記の問題は
重大である。
ン（電子遷移）や電流容量の関係で電極窓は比較的大に
形成されるので上記の事実はさほど問題とならないが、
ＭＯＳ ｌ−ランジスタ、特にｎ＋型拡散領域とＡＩ／
Ｓｉ配線の接触が形成されたものにおいて上記の問題は
重大である。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、前記したシリコン基板
に設けた電極窓内部におけるＳｉの固相エピタキシャル
成長が発生したとしても、それの影響を受けることのな
いΔ６／Ｓｉ配線の接続構造を提供することを目的とす
る。
に設けた電極窓内部におけるＳｉの固相エピタキシャル
成長が発生したとしても、それの影響を受けることのな
いΔ６／Ｓｉ配線の接続構造を提供することを目的とす
る。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、半導体装置に設けた
アルミニウムシリコン配線端子ツマ・ノド部と当該装置
のｎ型拡散層電極窓との接続構造において、前記配線端
子バンド部から延びる電極配線を前記ｎ型拡散層電極窓
よりも大の電極窓を介して隣接Ｌ７て設りられた導電性
領域に接触させ、該導電性領域より導出した電極配線を
前記ｎ型拡＋！＆層電極窓を介して該ｎ型拡散層に接続
することを特徴とする半導体装置を提供することによっ
て達成される。
アルミニウムシリコン配線端子ツマ・ノド部と当該装置
のｎ型拡散層電極窓との接続構造において、前記配線端
子バンド部から延びる電極配線を前記ｎ型拡散層電極窓
よりも大の電極窓を介して隣接Ｌ７て設りられた導電性
領域に接触させ、該導電性領域より導出した電極配線を
前記ｎ型拡＋！＆層電極窓を介して該ｎ型拡散層に接続
することを特徴とする半導体装置を提供することによっ
て達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面を参照して詳説する。
前記したｊｉｆｆ／Ｓｉ配線中−のＡｌまたはＳｔが不
純物拡散層と反応し、前記の界面反応およびＳｉの固相
エピタキシャル成長が発止する程度は、電４４ｉ窓の形
成された部分に供給される八β／Ｓｉの量が多いほど激
しいことを本願発明ｔｆは確かめた。そこで、 ／ｌｊ
！／Ｓｉ配線と接触する部分の前記した反応を他の電極
窓部分における反応と同程度に下げるためには、八βお
よびＳｉの供給源であるＡβ／Ｓｉ配線と直接接触する
ことを避けるようにした。
純物拡散層と反応し、前記の界面反応およびＳｉの固相
エピタキシャル成長が発止する程度は、電４４ｉ窓の形
成された部分に供給される八β／Ｓｉの量が多いほど激
しいことを本願発明ｔｆは確かめた。そこで、 ／ｌｊ
！／Ｓｉ配線と接触する部分の前記した反応を他の電極
窓部分における反応と同程度に下げるためには、八βお
よびＳｉの供給源であるＡβ／Ｓｉ配線と直接接触する
ことを避けるようにした。
第３図に本発明にかかる接触部分が平面図で示され、同
図において第１図に示した部分と同じ部分は同一符号を
付して表示する。
図において第１図に示した部分と同じ部分は同一符号を
付して表示する。
１１ｊ！／Ｓｉ配線１とデバイスを構成する拡散層のう
ち配線１の接続端部分に最も近い拡散層２ａとの間には
Ｂ重層１２を形成し、この緩衝ＩＷ１２のＡｌ／Ｓｉ配
線１と接続する部分には、拡散層に設けた電極窓３ａ、
３ｂ、、、よりは十分に大なる電極窓１３を形成し、
緩衝１日１２の他方の電極窓１３ａは前記した電極窓３
ａ、、、と同じ大きさに形成する。
ち配線１の接続端部分に最も近い拡散層２ａとの間には
Ｂ重層１２を形成し、この緩衝ＩＷ１２のＡｌ／Ｓｉ配
線１と接続する部分には、拡散層に設けた電極窓３ａ、
３ｂ、、、よりは十分に大なる電極窓１３を形成し、
緩衝１日１２の他方の電極窓１３ａは前記した電極窓３
ａ、、、と同じ大きさに形成する。
このような大寸法の電極窓１３を形成すると、Ａｊ！／
Ｓｉ配線工から供給される＾ｌおよびＳｔは電極窓１３
の６１４分にほとんど県中し、電極窓１３の部分で前記
したＳｔＯ固相エピタキシャル成長が発生したとしても
、電極窓１３の寸法は十分に大であるから、エピタキシ
ャル成長の発生していない部分でＡ＃／Ｓｉ配線１との
接続が形成され、この接続は電極窓１３ａ、配線層１４
、電極窓３ａ、 ３ｂ、配線層４ａ８９．に従来技術で
経験された障害なしに導かれる。
Ｓｉ配線工から供給される＾ｌおよびＳｔは電極窓１３
の６１４分にほとんど県中し、電極窓１３の部分で前記
したＳｔＯ固相エピタキシャル成長が発生したとしても
、電極窓１３の寸法は十分に大であるから、エピタキシ
ャル成長の発生していない部分でＡ＃／Ｓｉ配線１との
接続が形成され、この接続は電極窓１３ａ、配線層１４
、電極窓３ａ、 ３ｂ、配線層４ａ８９．に従来技術で
経験された障害なしに導かれる。
緩衝層１２は電極窓１３と１３ａとの間の導通をとるた
めだｔノに設けられるのであるから、それは通常の技術
で形成されうる。なお第３図において、■で示す部分は
緩衝層領域、■で示す部分が本来の接触部分となる。
めだｔノに設けられるのであるから、それは通常の技術
で形成されうる。なお第３図において、■で示す部分は
緩衝層領域、■で示す部分が本来の接触部分となる。
上記においてはｉ／Ｓｉ配線について説明したが、本発
明の適用範囲はその場合に限定されるものでなく、 ｉ
／Ｓｉ電極（バンド）の場合にも及ぶものである。
明の適用範囲はその場合に限定されるものでなく、 ｉ
／Ｓｉ電極（バンド）の場合にも及ぶものである。
（７）発明の効果
以上詳細に説明した如く本発明によれば、へβ／５ｉｉ
ｌＬ！線の接続端部分には半導体デバイスに設りた電極
窓よりも大なる電極窓を形成し、この大寸法の電極窓を
導通用の緩衝層領域を経て同領域に設けた小寸法の電極
窓に接続し、前記小寸法の電極窓をデバイスの拡散層に
設けた電極窓と接続することにより、 Ａｊ！／Ｓｉ配
線と＆板との界面における従来の接触不良等の障害が除
去され、半導体集積回路の信頼性向上に効果大である。
ｌＬ！線の接続端部分には半導体デバイスに設りた電極
窓よりも大なる電極窓を形成し、この大寸法の電極窓を
導通用の緩衝層領域を経て同領域に設けた小寸法の電極
窓に接続し、前記小寸法の電極窓をデバイスの拡散層に
設けた電極窓と接続することにより、 Ａｊ！／Ｓｉ配
線と＆板との界面における従来の接触不良等の障害が除
去され、半導体集積回路の信頼性向上に効果大である。
第１図は従来の／ＩＡ／Ｓｉ配線の接続を示す平面図、
第２図は電極窓のＡρ／３４配線を示す断面図、第３図
は本発明の方法によるＡ１／Ｓｉ配線の接続を示す平面
図である。
第２図は電極窓のＡρ／３４配線を示す断面図、第３図
は本発明の方法によるＡ１／Ｓｉ配線の接続を示す平面
図である。
Claims (1)
- 半導体装置に設けたアルミニウムシリコン配線端子パッ
ド部と当該装置のｎ型拡散層電極窓との接続構造におい
て、前記配線端子パッド部から延びる電極配線を前記ｎ
型拡散層電極窓よりも大の電極窓を介して隣接して設け
られた導電性領域に接触させ、該導電性領域より導出し
た電極配線を前記ｎ型拡散層電極窓を介して該ｎ型拡散
層に接続することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186135A JPS6077459A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186135A JPS6077459A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077459A true JPS6077459A (ja) | 1985-05-02 |
| JPH0476216B2 JPH0476216B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=16182981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58186135A Granted JPS6077459A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077459A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4875169A (ja) * | 1972-01-12 | 1973-10-09 | ||
| JPS5817658A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-10-05 JP JP58186135A patent/JPS6077459A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4875169A (ja) * | 1972-01-12 | 1973-10-09 | ||
| JPS5817658A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0476216B2 (ja) | 1992-12-03 |
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