JPS6077461A - 高周波半導体素子 - Google Patents
高周波半導体素子Info
- Publication number
- JPS6077461A JPS6077461A JP58186228A JP18622883A JPS6077461A JP S6077461 A JPS6077461 A JP S6077461A JP 58186228 A JP58186228 A JP 58186228A JP 18622883 A JP18622883 A JP 18622883A JP S6077461 A JPS6077461 A JP S6077461A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- high frequency
- diagonal line
- transistor active
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、高周波半導体素子に関するもので、特に素
子が形成される一方表面の対角線上に第１．第２のポン
７’４ング領域を有するものに使用されるものである。
子が形成される一方表面の対角線上に第１．第２のポン
７’４ング領域を有するものに使用されるものである。
従来、この種の高周波半導体素子（高周波トランジスタ
）は、例えば第１図に示すように構成されている。図に
おいて、１ノは半４体素子１１を示し、この牛導体業子
１１内にはトランジスタ能動領域１２が配設されるとと
もに、半導体素子１１の対角線Ａ −Ａ’上にはベース
ボンディング領域１３およびエミッタポンプ′イング領
域１４（第１．第２リボンデイング領域）が形成される
。そして、上記トランジスタ能動領域１２０ペース接続
電極１５はペースボンディング領域１３に、エミッタ接
続電極１６はエミッタがンデ（ング領域１４にそれぞれ
接続形成される。なお、図示しない半導体素子１１の他
方面側には、コレクタ接続電極領域が形成されており、
半導体素子１１の断面結成は通常の縦型バイポーラトラ
ンジスタ構成となっている。
）は、例えば第１図に示すように構成されている。図に
おいて、１ノは半４体素子１１を示し、この牛導体業子
１１内にはトランジスタ能動領域１２が配設されるとと
もに、半導体素子１１の対角線Ａ −Ａ’上にはベース
ボンディング領域１３およびエミッタポンプ′イング領
域１４（第１．第２リボンデイング領域）が形成される
。そして、上記トランジスタ能動領域１２０ペース接続
電極１５はペースボンディング領域１３に、エミッタ接
続電極１６はエミッタがンデ（ング領域１４にそれぞれ
接続形成される。なお、図示しない半導体素子１１の他
方面側には、コレクタ接続電極領域が形成されており、
半導体素子１１の断面結成は通常の縦型バイポーラトラ
ンジスタ構成となっている。
第２図は、上記第１図におけるトランジスタ能動領域１
２の詳細な檎成図で、（２）状のペース電極１７とエミ
ッタ電極１８とが互いに所定間隔離間して嵌合されてい
る。
２の詳細な檎成図で、（２）状のペース電極１７とエミ
ッタ電極１８とが互いに所定間隔離間して嵌合されてい
る。
ところで、上記のような構成の高周波半導体素子の大電
力化を図る場合、従来は第３図に示すようにトランジス
タ能動領域１２の面積を増大させている。この時、第４
図に示すようにトランジスタ能動領域１２の櫛状電極１
７．１８の本数を増加させる。このようにトランジスタ
能動領域１２のパターン面積が増大し、エミッタおよび
ペース電極数が増加すると、能動領域１２の周辺部に対
して中央部での放熱が悪くなる。このため、素子内で不
均一動作を引き起こし、熱暴走し易い状態となる欠点が
ある。また、トランジスタ能動領域１２は素子１１の大
きさにかかわらず、その周辺から所定の距離ａ以上離し
て形成する必要があるため、半導体素子のチップサイズ
ｔ□が大電力化に伴なってｔ、に示すように大きくなる
。従って、１枚のウェハから得られる素子数が減少し、
コスト高となる欠点がある。さらに、大電力化すると接
続電極が長くなり接地インダクタンスが高くなるため、
高周波特性も悪くなる。
力化を図る場合、従来は第３図に示すようにトランジス
タ能動領域１２の面積を増大させている。この時、第４
図に示すようにトランジスタ能動領域１２の櫛状電極１
７．１８の本数を増加させる。このようにトランジスタ
能動領域１２のパターン面積が増大し、エミッタおよび
ペース電極数が増加すると、能動領域１２の周辺部に対
して中央部での放熱が悪くなる。このため、素子内で不
均一動作を引き起こし、熱暴走し易い状態となる欠点が
ある。また、トランジスタ能動領域１２は素子１１の大
きさにかかわらず、その周辺から所定の距離ａ以上離し
て形成する必要があるため、半導体素子のチップサイズ
ｔ□が大電力化に伴なってｔ、に示すように大きくなる
。従って、１枚のウェハから得られる素子数が減少し、
コスト高となる欠点がある。さらに、大電力化すると接
続電極が長くなり接地インダクタンスが高くなるため、
高周波特性も悪くなる。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、チップサイズを大きくするこ
となく太１ヒカ化が図れ、且つ熱暴走を低減できるとと
もに高周波特性も向上できるすぐれた高周波半導体素子
を提供することである。
その目的とするところは、チップサイズを大きくするこ
となく太１ヒカ化が図れ、且つ熱暴走を低減できるとと
もに高周波特性も向上できるすぐれた高周波半導体素子
を提供することである。
すなわち、この発明においては、素子が形成される一方
の表面の対角線上に形成される第１゜第２のボンディン
グ領域と、上記素子形成される他方面側に形成される第
３のボンディング領域とを有する高周波半導体素子にお
いて、上記第１．第２のボン７’イング領域が形成され
る対角線と線対称な位置に第１．第２のトランジスタ能
動領域を設け、これら第１．第２のトランジスタ能動領
域それぞれを上記第１．第２のボンディング領域に接続
したものである。
の表面の対角線上に形成される第１゜第２のボンディン
グ領域と、上記素子形成される他方面側に形成される第
３のボンディング領域とを有する高周波半導体素子にお
いて、上記第１．第２のボン７’イング領域が形成され
る対角線と線対称な位置に第１．第２のトランジスタ能
動領域を設け、これら第１．第２のトランジスタ能動領
域それぞれを上記第１．第２のボンディング領域に接続
したものである。
以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。第５図において、前記第１図あるいは第３図と同
一構成部には同じ符号を付してその説明は省略する。す
なわち、前記第１図における対角線Ａ −Ａ’ Ｋ対し
て線対称に同−ｉ４ターンの第１．第２のトランジスタ
能動領域１２、．１２２を配設したもので、これらトラ
ンジスタ能動領域” １ ｖ １２１はそれぞれペース
接続電極１５．．１５□を介してペースボンディング領
域１３に接続されるとともにエミッタ接続電極１６Ｘ
、１６□を介してエミッタぎンｒイング領域１４に接続
される。なお、仁こで、ペース接続電極１５□ 、１５
□およびエミッタ接続電極１６□ 、１６□はそれぞれ
、対角線Ａ −Ａ’に対して線対称に形成する。
する。第５図において、前記第１図あるいは第３図と同
一構成部には同じ符号を付してその説明は省略する。す
なわち、前記第１図における対角線Ａ −Ａ’ Ｋ対し
て線対称に同−ｉ４ターンの第１．第２のトランジスタ
能動領域１２、．１２２を配設したもので、これらトラ
ンジスタ能動領域” １ ｖ １２１はそれぞれペース
接続電極１５．．１５□を介してペースボンディング領
域１３に接続されるとともにエミッタ接続電極１６Ｘ
、１６□を介してエミッタぎンｒイング領域１４に接続
される。なお、仁こで、ペース接続電極１５□ 、１５
□およびエミッタ接続電極１６□ 、１６□はそれぞれ
、対角線Ａ −Ａ’に対して線対称に形成する。
このような構成によれば、パターン面積を増 ４大する
ことなくトランジスタ能動領域の面積を増大できる。従
って、１枚のウェハ当シの素子、数が減少することはな
い。１だ、ここで、トランジスタ能動領域は２つに分割
設定されているため、トランジスタ能動領域内での不均
一動作を改善でき、熱暴走の発生レベルを低減できる。
ことなくトランジスタ能動領域の面積を増大できる。従
って、１枚のウェハ当シの素子、数が減少することはな
い。１だ、ここで、トランジスタ能動領域は２つに分割
設定されているため、トランジスタ能動領域内での不均
一動作を改善でき、熱暴走の発生レベルを低減できる。
さらに、トランジスタ能動領域が２１ｉＱｉに分割され
たことによシ、接地インダクタンスを１／２に低減でき
、高周波も・性の向上をは１れる。
たことによシ、接地インダクタンスを１／２に低減でき
、高周波も・性の向上をは１れる。
また、このような構成に」：れげ、トランジスタ能動領
域のマスクを変えるだけで出力レベルの異なる半導体素
子を製造することが可能となシ、製造工程の統一化が図
れる。
域のマスクを変えるだけで出力レベルの異なる半導体素
子を製造することが可能となシ、製造工程の統一化が図
れる。
以上説明したようにこの発明によれば、チップサイズを
大きくすることなく大電力化が図れ、且つ熱暴走を低減
できるとともに高周波も性も向上できるすぐれ六高周波
半導体素子が得られる。
大きくすることなく大電力化が図れ、且つ熱暴走を低減
できるとともに高周波も性も向上できるすぐれ六高周波
半導体素子が得られる。
第１図は従来の高周波半導体素子のｉ９ターン構成を説
明するための図、第２図は上記第１図におりるトランジ
スタ能動領域とを詳細に示すパターン平■１」図、第３
図は上記第１図の高周波半導体素子を大電力化する場合
のパターン構成を説明するだめの図、第４図は上記第３
図におけるトランジスタ能動領域を詳細に示すパターン
平面図、第５図はこの発明の一実旅例に係る高周波半導
体素子のパターン構成を一説明するための図である。 １ノ・・・半導体素子、Ｊ ２． 、 Ｊ ２．・・・
第１゜第２のトランジスタ能動領域、１３・・・ベース
ビンディング領ｔＪ：Ｌ、（第１のボンディング領域）
、１４・・・エミッタボンアイング領域（第２のボンデ
ィング領域）、１５１ ＋１５ｘ・・・ベース接続５（
極、１６□ 、１６□・・・エミッタ接続電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ４、 第２図 第３ 第４図
明するための図、第２図は上記第１図におりるトランジ
スタ能動領域とを詳細に示すパターン平■１」図、第３
図は上記第１図の高周波半導体素子を大電力化する場合
のパターン構成を説明するだめの図、第４図は上記第３
図におけるトランジスタ能動領域を詳細に示すパターン
平面図、第５図はこの発明の一実旅例に係る高周波半導
体素子のパターン構成を一説明するための図である。 １ノ・・・半導体素子、Ｊ ２． 、 Ｊ ２．・・・
第１゜第２のトランジスタ能動領域、１３・・・ベース
ビンディング領ｔＪ：Ｌ、（第１のボンディング領域）
、１４・・・エミッタボンアイング領域（第２のボンデ
ィング領域）、１５１ ＋１５ｘ・・・ベース接続５（
極、１６□ 、１６□・・・エミッタ接続電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ４、 第２図 第３ 第４図
Claims (1)
- 素子が形成される一方の表面の対角線上に形成される第
１．第２の一一ンディング領域と、上記素子形成される
他方面側に形成される他の接続電極領域とを有する高周
波半導体素子において、上記第１．第２のボンディング
領域が形成される対角線と線対称な位置に同一パターン
のｆ、 １ 、 ｇ％ ２のトランジスタ能動領域を設
け、これら第１．第２のトランジスタ能動領帽らそれぞ
れを上記第１．第２のボンディング領域に接続して成る
ことを特徴とする高周波半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186228A JPS6077461A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 高周波半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186228A JPS6077461A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 高周波半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077461A true JPS6077461A (ja) | 1985-05-02 |
| JPH0534822B2 JPH0534822B2 (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=16184595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58186228A Granted JPS6077461A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 高周波半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077461A (ja) |
-
1983
- 1983-10-05 JP JP58186228A patent/JPS6077461A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0534822B2 (ja) | 1993-05-25 |
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