JPS607747A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS607747A
JPS607747A JP58115521A JP11552183A JPS607747A JP S607747 A JPS607747 A JP S607747A JP 58115521 A JP58115521 A JP 58115521A JP 11552183 A JP11552183 A JP 11552183A JP S607747 A JPS607747 A JP S607747A
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JP
Japan
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resin
lead
point
thickness
semiconductor device
Prior art date
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Pending
Application number
JP58115521A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhisa Kobayashi
小林　安久
Takashi Kinoshita
高志 木下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS607747A publication Critical patent/JPS607747A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Landscapes

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は樹脂封止型半導体装置にか力り、とくにこの装
置の内部及び外部リードの構造に関するものである。
一般に樹脂封止Ｕ半導体装置は第１図ｔａ）で示される
ようにリードフレーム３の中央部３′に素子ｌを搭載し
金属線２でリード３と素子１會接続し、これを同（切の
ように樹脂４で封止しこの後同図（Ｃ）のように外部リ
ード３を折り曲げて製造されるものである。ここで使用
されているＪＪ−ドフレームは鉄系の合金が多く、半導
体装置を回路基板等に装着ための機械的特性上、硬度の
高いものが多い。
このため外部リードを折り曲げる工程ではかなり強力な
成形機全使用して成形する必要がある。しかしながら強
力な成形機を使用する以上折り曲げられる外部リード及
びこのリードを支える樹脂に大きな機械的応力が加わる
。この応力により外部リードの変形、或は樹脂のカケ、
ワレ、ヒビ等がしばしば発生することがあったつ又、無
理に曲げるため装置の外形寸法にもバラツキが多くなる
ことがある。
一方このリード３の折り曲げる部分６のみ金薄くし曲げ
やすくした構造（第２図うもあるがこの構造では曲げた
部分に応力が集中し、成形する際装置と成形機との位置
精度を高くしないかぎりリードの強度が低下してしまう
。
本発明の目的は係る欠点を除去した改良されたリードフ
レーム全提供することにある。
本発明は、樹脂内部にあるリードの少なくとも樹脂面よ
り０．２ｍ以上内部から外部リードの折り曲げ完了する
までの部分を好ましくはその厚さを他の部分の厚さの２
／３以下にすることを特徴とする。
以下本発明を実施例に基ずいて説明する。
第３図は本発明の実施例を示す部分断面図である。この
リード７においては、樹脂内部リードの樹脂４の面■よ
す０．２腹内部に八つ几ところから外部リードの曲げ終
わる個所までのリードの部分８をその厚さを２／３にし
たものである。この時樹脂面よ！７０．２　ａｍよりよ
り小の範囲をうすくしたのではこの部分の樹脂０部に折
り曲げの際応力が集中し０部がカケ落ちることがある。
第３図のようなリード７′ｆ：用いると、外部リードを
折り曲げる時の刀が小さくても可能となり外部リードの
変形は勿論、樹脂にかかる応力も少なくなり樹脂部のカ
ケ、ヒ（等の発生を防げ信頼性全向上することが出来る
。又、樹脂封止型半導体装置の欠点である耐湿性という
面でもリード部での水が浸入可能となる面積も少く、浸
入した水も内部リードの段差の部分で浸入しにくくなり
耐湿性という信頼性をも向上することが出来る。さらに
樹脂内部に段があるためリードの引き抜きに対する強度
も増加する。その上、リード折り曲げの際に強力な成形
機を必要としないためより安価な空気式成形機を使用出
来コストダウンを計ることが出来る。
この様にリードの一部金薄くしても装置全基板等に実装
する部分３′は厚いため装置の機械的特性は何ら劣化し
ないことはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術の樹脂封止を半導体装置の一般的製造
方法を示す図である。第２図は他の従来技術の構造金示
す図である。第３図は本発明の実施例を示す図であり（
ａ）は断面図（ｂ）は長さの規定の意味を説明する図で
ある。 尚、各図において、１・・・・・・半導体素子、２・・
・・・・金属細線、３．７・・・・・・リード、３′・
・・・・・リードの素子搭載部、４・・・・・・樹脂、
６．８・・・・・・リードが薄くなった部分である。 準ｌ　辺 第２図 （ｂλ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 樹脂対ＩＥ観半導体装置の外部接続リードにおいて、樹
    脂の外壁より０．２　ａｍ以上樹脂内部に入った範囲の
    部分と該樹脂の外壁から外側のリード折り曲げ部を越え
    る個所までの部分の厚さが他の部分に比較して薄くなっ
    ていることを特徴する樹脂封止型半導体装置。
JP58115521A 1983-06-27 1983-06-27 樹脂封止型半導体装置 Pending JPS607747A (ja)

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JP58115521A JPS607747A (ja) 1983-06-27 1983-06-27 樹脂封止型半導体装置

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JPS607747A true JPS607747A (ja) 1985-01-16

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ID=14664581

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0261145A (ja) * 1988-08-19 1990-03-01 Peruujia:Kk 飾り紐
US5619065A (en) * 1991-09-11 1997-04-08 Gold Star Electron Co., Ltd. Semiconductor package and method for assembling the same
WO2012165568A1 (ja) * 2011-06-02 2012-12-06 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル 発光素子用基板、基板用材料および発光モジュール

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0261145A (ja) * 1988-08-19 1990-03-01 Peruujia:Kk 飾り紐
US5619065A (en) * 1991-09-11 1997-04-08 Gold Star Electron Co., Ltd. Semiconductor package and method for assembling the same
WO2012165568A1 (ja) * 2011-06-02 2012-12-06 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル 発光素子用基板、基板用材料および発光モジュール
JPWO2012165568A1 (ja) * 2011-06-02 2015-02-23 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル 発光素子用基板、基板用材料および発光モジュール

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