JPS6078979A - チオキサンチルメチルオキシカルボニルジオキシド類を用いるペプチド合成法 - Google Patents
チオキサンチルメチルオキシカルボニルジオキシド類を用いるペプチド合成法Info
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- JPS6078979A JPS6078979A JP59181625A JP18162584A JPS6078979A JP S6078979 A JPS6078979 A JP S6078979A JP 59181625 A JP59181625 A JP 59181625A JP 18162584 A JP18162584 A JP 18162584A JP S6078979 A JPS6078979 A JP S6078979A
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D335/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
- C07D335/04—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom condensed with carbocyclic rings or ring systems
- C07D335/10—Dibenzothiopyrans; Hydrogenated dibenzothiopyrans
- C07D335/12—Thioxanthenes
- C07D335/14—Thioxanthenes with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached in position 9
- C07D335/16—Oxygen atoms, e.g. thioxanthones
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
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- C07K1/00—General methods for the preparation of peptides, i.e. processes for the organic chemical preparation of peptides or proteins of any length
- C07K1/06—General methods for the preparation of peptides, i.e. processes for the organic chemical preparation of peptides or proteins of any length using protecting groups or activating agents
- C07K1/061—General methods for the preparation of peptides, i.e. processes for the organic chemical preparation of peptides or proteins of any length using protecting groups or activating agents using protecting groups
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、新規なチオキサンチルメチルオキシカルボ
ニルジオキシド化合物およびそのペプチド合成上の用途
に関するものである。ざらに詳細１こは、この発明は、
アミ／基に結合してペプチド合成中に不都合な副反応を
こうむるアミ７基を保護する封鎖基として、上記新規化
合物を使用する方法に関するものである。
ニルジオキシド化合物およびそのペプチド合成上の用途
に関するものである。ざらに詳細１こは、この発明は、
アミ／基に結合してペプチド合成中に不都合な副反応を
こうむるアミ７基を保護する封鎖基として、上記新規化
合物を使用する方法に関するものである。
この発明をもたらした研究は、ナショナル・インスティ
テユート・オブ・ヘルスにより一部後援されている。
テユート・オブ・ヘルスにより一部後援されている。
この方法は、アミノ酸を重合させて高分子量のポリペプ
チドを得る方法に関係している。これらの生産物は、繊
維状および球状蛋白質のモデル化合物として有用である
ことが判明している。ペプチド合成はまた、天然に産す
るポリペプチド化合物と同一の化合物の製造に用途を有
する。
チドを得る方法に関係している。これらの生産物は、繊
維状および球状蛋白質のモデル化合物として有用である
ことが判明している。ペプチド合成はまた、天然に産す
るポリペプチド化合物と同一の化合物の製造に用途を有
する。
ペプチド合成における基本問題の１つは、同じアミノ酸
上のカルボキシ基との相互作用がらアミノ基を封鎖また
は保護することに関するものである。このような不都合
な副反応は、１つのアミ７基に−Ｎ Ｉ（２を非反応性
１こし所望の反応を起させる基を結合させることＩこよ
り防止される。アミノ基に保護をもたらすことに加えて
、封鎖基は合成中に作られ得るペプチド結合の破壊を伴
なゎｆ＋ｃ容易に除去できるものであるのが好ましい。
上のカルボキシ基との相互作用がらアミノ基を封鎖また
は保護することに関するものである。このような不都合
な副反応は、１つのアミ７基に−Ｎ Ｉ（２を非反応性
１こし所望の反応を起させる基を結合させることＩこよ
り防止される。アミノ基に保護をもたらすことに加えて
、封鎖基は合成中に作られ得るペプチド結合の破壊を伴
なゎｆ＋ｃ容易に除去できるものであるのが好ましい。
〔一般的には、モリソンおよびボイド、オーガニック・
ケミストリー３版、３６．１０節、ペプチドの合成、１
１４７−１１５０頁（１９７３年）参照〕ペプチド合成
に有用な封鎖化合物を供給するために、従来から研究が
行なわれている。このような研究のあるものは、例えは
カルピノ等、ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミス
トリー（Ｊ。
ケミストリー３版、３６．１０節、ペプチドの合成、１
１４７−１１５０頁（１９７３年）参照〕ペプチド合成
に有用な封鎖化合物を供給するために、従来から研究が
行なわれている。このような研究のあるものは、例えは
カルピノ等、ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミス
トリー（Ｊ。
Ｑｒｇ、Ｃｈｅｍ−） ３７巻３４０４−３４０９ｊｊ
（１９７２年）、ケンプ等、テトラヘドロン・レターズ
（ＴｃＬｒａｌｌｃｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ） ５
’１巻４６２９−４６３２頁（１９７５年）、米国特許
第４２６７３４４号（ハルストローム等）、同第４ ’
１５９９７９号（フジノ等）、並びに同第３８３５１７
５号および３９０６０３１号（カルピノ等月こ記載され
ている。上記文献記載の化合物は、これら封鎖化合物を
ペプチドから除（ために脱封鎖剤を一般的に必要とする
ため、応用性が限られていた。脱封鎖剤の使用は不都合
な副反応を起すことがあり、ペプチド結合の破壊と生成
物のラセミ化に寄与することがあるからである。
（１９７２年）、ケンプ等、テトラヘドロン・レターズ
（ＴｃＬｒａｌｌｃｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ） ５
’１巻４６２９−４６３２頁（１９７５年）、米国特許
第４２６７３４４号（ハルストローム等）、同第４ ’
１５９９７９号（フジノ等）、並びに同第３８３５１７
５号および３９０６０３１号（カルピノ等月こ記載され
ている。上記文献記載の化合物は、これら封鎖化合物を
ペプチドから除（ために脱封鎖剤を一般的に必要とする
ため、応用性が限られていた。脱封鎖剤の使用は不都合
な副反応を起すことがあり、ペプチド結合の破壊と生成
物のラセミ化に寄与することがあるからである。
この発明によると、ある種のチオキサンチルメチルオキ
シカルボニルジオキシド類が有効な封鎖基となり、ピリ
ジンのような弱塩基で脱封鎖され分離されることが見出
された。さらに興味あることには、これらの化合物は、
ある種の双極子非プロトン溶媒中室温で放置するだけで
、脱゛封鎖を受けることが判明した。このような比較的
緩和な条件下における脱封鎖は、重合およびペプチド合
成で生成したペプチド結合を分解することなく封鎖基の
除去をもたらす。
シカルボニルジオキシド類が有効な封鎖基となり、ピリ
ジンのような弱塩基で脱封鎖され分離されることが見出
された。さらに興味あることには、これらの化合物は、
ある種の双極子非プロトン溶媒中室温で放置するだけで
、脱゛封鎖を受けることが判明した。このような比較的
緩和な条件下における脱封鎖は、重合およびペプチド合
成で生成したペプチド結合を分解することなく封鎖基の
除去をもたらす。
この発明は、アミノ基を副反応から保護し、また封鎖が
不要になったとき反応性部位から容易に分離される、効
果的な封鎖基としての作用を有する新規化合物を提供す
るものである。
不要になったとき反応性部位から容易に分離される、効
果的な封鎖基としての作用を有する新規化合物を提供す
るものである。
またこの発明は、有機分子中の保護されたアミノ基以外
の部分を修飾する反応中、上記分子中のアミ７基を保護
する方法であって、アミ７基を効果的に保護し、必要な
時には分子から効率的かつ容易に分離して脱封鎖をもた
らす方法を提供するものである。
の部分を修飾する反応中、上記分子中のアミ７基を保護
する方法であって、アミ７基を効果的に保護し、必要な
時には分子から効率的かつ容易に分離して脱封鎖をもた
らす方法を提供するものである。
この発明は、式
（式中、Ｘは低級アルキル基、Ｚは脱離基、またはアミ
ノ酸もしくはペプチドの残基を意味する）で示される化
合物に関するものである。
ノ酸もしくはペプチドの残基を意味する）で示される化
合物に関するものである。
この発明の好ましい態様では、Ｘは第３級ブチルであり
、Ｚはアミノ酸残基である。さらに好ましい態様では、
Ｚはポリマーアミノ酸残基である。
、Ｚはアミノ酸残基である。さらに好ましい態様では、
Ｚはポリマーアミノ酸残基である。
最も好ましくは、Ｚはペプチドもしくはポリペプチド残
基である。
基である。
またこの発明は、式
化合物とアミノ酸（Ｎ１−１２Ｒ）の反応で生成したア
ミノ酸残基を意味する） で示される化合物を包含する。この化合物は、保護され
たアミ／化合物であり、アミノ酸残基のアミノ基はチオ
キサンチルメチルオキシカルボニル（ＴＭＯＣ）ジオキ
シドに結合することにより、別の反応から保護されてい
る。
ミノ酸残基を意味する） で示される化合物を包含する。この化合物は、保護され
たアミ／化合物であり、アミノ酸残基のアミノ基はチオ
キサンチルメチルオキシカルボニル（ＴＭＯＣ）ジオキ
シドに結合することにより、別の反応から保護されてい
る。
この発明はまた、有機分子中の保護されたアミノ基以外
の部分を修飾する反応中、上記分子中のアミノ基を保護
する方法を含むものである。この方法は、（ａ）ジ低級
アルキルＴＭＯＣカルボニル誘導体をアミンと結合させ
、それによりアミノ基を別の反応から保護すること、（
ｂ）有機分子中の保護されたアミ７基以外の部分を、溶
媒／反応混合物を形成する適当な溶媒系中における化学
反応により修飾すること、および（Ｃ）アミノ基から保
護基を分離してアミ７基を脱封鎖し、非保護アミンを再
生すること、の工程からなるものである。
の部分を修飾する反応中、上記分子中のアミノ基を保護
する方法を含むものである。この方法は、（ａ）ジ低級
アルキルＴＭＯＣカルボニル誘導体をアミンと結合させ
、それによりアミノ基を別の反応から保護すること、（
ｂ）有機分子中の保護されたアミ７基以外の部分を、溶
媒／反応混合物を形成する適当な溶媒系中における化学
反応により修飾すること、および（Ｃ）アミノ基から保
護基を分離してアミ７基を脱封鎖し、非保護アミンを再
生すること、の工程からなるものである。
この発明の方法の好ましい態様では、修飾するための化
学反応を、保護されたアミノ基の脱封鎖が室温で容易に
起らない溶媒系中、室温で行なう。
学反応を、保護されたアミノ基の脱封鎖が室温で容易に
起らない溶媒系中、室温で行なう。
分離工程は、後述のようにアミンを保護基から脱封鎖す
る反応の完了後に溶媒系を変えることからなる。
る反応の完了後に溶媒系を変えることからなる。
この発明の好ましい態様をさらに詳細に説明する。
この発明は、式
（式中、Ｘは低級アルキル基、ｙはアミノ酸もしくはペ
プチドの残基、または脱離基を意味する）で示される化
合物を包含する。好ましくは、Ｘは第３級ブチルであり
、Ｚはアミノ酸残基である。
プチドの残基、または脱離基を意味する）で示される化
合物を包含する。好ましくは、Ｘは第３級ブチルであり
、Ｚはアミノ酸残基である。
特に、Ｚはポリマーアミノ酸残基である。さらに好まし
い態様では、Ｚはペプチド残基である。最も好ましい態
様では、Ｚはポリペプチド残基である。
い態様では、Ｚはペプチド残基である。最も好ましい態
様では、Ｚはポリペプチド残基である。
Ｚは、例えばＺ、、＝ＣＺであるクロロホルメート誘導
体のように、ジ第３級ブチル”１’ Ｍ ＯＣ官能基の
導入に用いられる誘導体の脱離基である。当技術で一般
に知られるように、またこの発明の目的かられかるよう
に、「脱離基」とは炭素原子との結合を容易に破壊され
得る基を示す。この基は、例えば活性水素原子と容易に
結合して、活性水素原子と脱離基を含む化合物を分離す
る化合物である。脱離基は一般に、その電気陰性度のた
めまたは誘起効果を有するため、電子吸引基である。Ｚ
がアミノ酸残基またはペプチド残基の場合、化合物は保
護されたアミノ酸またはペプチドである。
体のように、ジ第３級ブチル”１’ Ｍ ＯＣ官能基の
導入に用いられる誘導体の脱離基である。当技術で一般
に知られるように、またこの発明の目的かられかるよう
に、「脱離基」とは炭素原子との結合を容易に破壊され
得る基を示す。この基は、例えば活性水素原子と容易に
結合して、活性水素原子と脱離基を含む化合物を分離す
る化合物である。脱離基は一般に、その電気陰性度のた
めまたは誘起効果を有するため、電子吸引基である。Ｚ
がアミノ酸残基またはペプチド残基の場合、化合物は保
護されたアミノ酸またはペプチドである。
好ましくは、修飾のための化学反応は、保護されたアミ
ンの脱封鎖が室温で容易に起らない溶媒系中で行なわれ
る。特に、修飾化学反応は、保護されたアミンの脱封鎖
が室温で容易に起らない溶媒系中、室温（約２２’−２
４℃）で行なわれる。
ンの脱封鎖が室温で容易に起らない溶媒系中で行なわれ
る。特に、修飾化学反応は、保護されたアミンの脱封鎖
が室温で容易に起らない溶媒系中、室温（約２２’−２
４℃）で行なわれる。
分離工程は、修飾反応の完了後に、溶媒系を変えてアミ
ンの脱封鎖と保護基の脱離を達成することにより行なわ
れる。
ンの脱封鎖と保護基の脱離を達成することにより行なわ
れる。
用いる溶媒は、好ましくはジメチルホルムアミド（ＤＭ
ＳＯ）である。さらに好ましくは、溶媒はテトラヒドロ
フランとＤＭＳＯの混合物である。
ＳＯ）である。さらに好ましくは、溶媒はテトラヒドロ
フランとＤＭＳＯの混合物である。
ＤＭＳＯを溶媒として用いる場合、保護基からのアミン
の脱封鎖は、溶媒／反応混合物を室温から約４５℃以上
、好ましくは約５０℃以上に僅かに加温して溶媒系を変
えることにより達成される。
の脱封鎖は、溶媒／反応混合物を室温から約４５℃以上
、好ましくは約５０℃以上に僅かに加温して溶媒系を変
えることにより達成される。
溶媒混合物がテトラヒドロフランおよびＤＭＳＯである
場合、テトラヒドロフランは修飾反応工程Ｃ１月こおけ
るアミ７基の脱封鎖を妨げるに有効な量で存在する。好
ましくは、ジメチルスルホキシドに対するテトラヒドロ
フランの溶媒混合量は、室温で約１＝１容とする。保護
基からのアミンの脱封鎖は、溶媒／反応混合物をＪ−１
１気して溶媒混合物のテトラヒドロフラン成分を除き、
溶媒／反応混合物を約４５℃以上に僅かに加η１１１す
ることにより達成される。
場合、テトラヒドロフランは修飾反応工程Ｃ１月こおけ
るアミ７基の脱封鎖を妨げるに有効な量で存在する。好
ましくは、ジメチルスルホキシドに対するテトラヒドロ
フランの溶媒混合量は、室温で約１＝１容とする。保護
基からのアミンの脱封鎖は、溶媒／反応混合物をＪ−１
１気して溶媒混合物のテトラヒドロフラン成分を除き、
溶媒／反応混合物を約４５℃以上に僅かに加η１１１す
ることにより達成される。
この発明の組成物は、効果的な封鎖基であり、ＤＭＳＯ
を溶媒に用いる場合反応混合物の僅かな加温による等、
反応混合物から容易１こ分離できるので、修飾反応中の
アミノ基の保護に特に有効である。ジメチルホルムアミ
ド（１） Ｍ Ｆ ）またはジメチルアセトアミド（Ｄ
ＭＡ）のような他の双極子性非プロトン溶媒を用いても
、同様な結果を得ることができる。特に有利なのは、相
当量のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）が存在すると、Ｄ
ＭＳＯのような溶媒中でも脱封鎖が起らないことである
。ｌ：１のモル比でＤＭＳＯ中にＴ Ｉ−Ｉ Ｆが存在
すると、脱封鎖が起らないことに対して相当の余裕をも
って縮合反応を実施するのに有効であることが見出され
た。脱封鎖を実施するには、排気および反応液を室温よ
り僅かに上へ昇温することのような手段により、反応混
合物からＴ Ｉ−Ｉ Ｆを除去すると、封鎖・基はＤＭ
ＳＯに不溶なので沈殿してくる。
を溶媒に用いる場合反応混合物の僅かな加温による等、
反応混合物から容易１こ分離できるので、修飾反応中の
アミノ基の保護に特に有効である。ジメチルホルムアミ
ド（１） Ｍ Ｆ ）またはジメチルアセトアミド（Ｄ
ＭＡ）のような他の双極子性非プロトン溶媒を用いても
、同様な結果を得ることができる。特に有利なのは、相
当量のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）が存在すると、Ｄ
ＭＳＯのような溶媒中でも脱封鎖が起らないことである
。ｌ：１のモル比でＤＭＳＯ中にＴ Ｉ−Ｉ Ｆが存在
すると、脱封鎖が起らないことに対して相当の余裕をも
って縮合反応を実施するのに有効であることが見出され
た。脱封鎖を実施するには、排気および反応液を室温よ
り僅かに上へ昇温することのような手段により、反応混
合物からＴ Ｉ−Ｉ Ｆを除去すると、封鎖・基はＤＭ
ＳＯに不溶なので沈殿してくる。
反応式は、下記のように示される。（式中、ＤＢＤ−Ｔ
ＭＯＣはジ第３級ブチル−ＴＭＯＣ，ＰＮ Ｉ−Ｉ Ｒ
は保護されるべきアミン基含有化合物、Ｈ−ＣＯＮ Ｉ
−Ｉ −Ｒはペプチド化合物を示す。
ＭＯＣはジ第３級ブチル−ＴＭＯＣ，ＰＮ Ｉ−Ｉ Ｒ
は保護されるべきアミン基含有化合物、Ｈ−ＣＯＮ Ｉ
−Ｉ −Ｒはペプチド化合物を示す。
Ｈ−ＰＮＨＲ−ＣＯＮＨ−Ｒ（ポリペプチド生成物）こ
の発明の組成物および方法は、特にペプチド合成に応用
される。またこの発明の化合物および方法は、当技術で
周知のようにポリマー性活性エステルと組み合わせる等
の方法を用い、半自動法によるペプチド合成に適用でき
る。
の発明の組成物および方法は、特にペプチド合成に応用
される。またこの発明の化合物および方法は、当技術で
周知のようにポリマー性活性エステルと組み合わせる等
の方法を用い、半自動法によるペプチド合成に適用でき
る。
シタ力って、この発明の化合物および方法は、特にペプ
チド合成に有用な封鎖用組成物を提供することが明らか
である。ペプチドおよびポリペプチドの製造は当技術で
周知の方法であり、合成した化合物の用途もまた周知で
ある。
チド合成に有用な封鎖用組成物を提供することが明らか
である。ペプチドおよびポリペプチドの製造は当技術で
周知の方法であり、合成した化合物の用途もまた周知で
ある。
以下に示す実施例は、この発明の組成物、並びにペプチ
ドおよびポリペプチド合成に、４ＪＩ’できるアミド封
鎖および脱封鎖の実施法の好ましい実施態様を示すもの
である。製造法を示していない出発原料は、アルドリッ
チ・ゲミカル・カンパニーのような当技術で周知の化学
品供給会社から入手できる市販品である。
ドおよびポリペプチド合成に、４ＪＩ’できるアミド封
鎖および脱封鎖の実施法の好ましい実施態様を示すもの
である。製造法を示していない出発原料は、アルドリッ
チ・ゲミカル・カンパニーのような当技術で周知の化学
品供給会社から入手できる市販品である。
実施例１
この発明のＴＭＯＣ；ジオキシドのクロロホルメートを
、下記連続工程合成法にしたがって製造した。
、下記連続工程合成法にしたがって製造した。
（工程１）
ビス−（４−１３級ブチルフェニル）スルフィド。
フェニルスルフィド９３ｇ、第３級ブチルクロリド９２
．５ｇおよびＣ５２２００−の混合物を水浴中で冷却し
、ＡｌｌＣｌ！３１３３ｇを１時間にわたって加えた。
．５ｇおよびＣ５２２００−の混合物を水浴中で冷却し
、ＡｌｌＣｌ！３１３３ｇを１時間にわたって加えた。
添加完了後、混合物を徐々に室温まで昇温させ、−夜撹
拌した。混合物を氷で分解し、エーテルで抽出し、エー
テル溶液を水、５％Ｎ ａ ■−ＩＣ０３、水および飽
和ＮａＣ１溶液で洗浄し、乾燥（ＭｇＳＯ４）した抽出
液を濃縮して固体を得、これをメタノールから結晶化し
て、白色結晶のスルフィド体１４５ｇ（９７％）を得た
。
拌した。混合物を氷で分解し、エーテルで抽出し、エー
テル溶液を水、５％Ｎ ａ ■−ＩＣ０３、水および飽
和ＮａＣ１溶液で洗浄し、乾燥（ＭｇＳＯ４）した抽出
液を濃縮して固体を得、これをメタノールから結晶化し
て、白色結晶のスルフィド体１４５ｇ（９７％）を得た
。
ｍｐ８３−８４゜
ＩＩＩ−ＮＭＲ（ＣＤＣＪ３） δ１．３２（Ｓ、Ｉ
Ｂ ［１、ＣＩ−リ、７．３５（ｓ、８１−１ 、アリ
ール）（工程２） ２．７一ジ第３級ブチルチオキサンテノン。
Ｂ ［１、ＣＩ−リ、７．３５（ｓ、８１−１ 、アリ
ール）（工程２） ２．７一ジ第３級ブチルチオキサンテノン。
ビス−（４−第３級ブチルフェニル）スルフィド１２ｇ
、乾燥ＣＨ２Ｃｌ２１００ｒｎｌおよびＳ ｎ Ｃｊ’
、１２１ｇの混合物を水浴で３０分間冷却し、α、α
−ジクロロメチルーメチルエーテル９．２’ｌとＣｌ−
ｌ２ＣＩＩ２５０ｄの溶液を滴下した。添加完了後、濃
赤色の混合物を徐々に室温までＪｉ＋、温させ、２時間
撹拌し、徐々に水に注入した。Ｃ１１Ｃｅ３て抽出し、
抽出液をｌ１２０１５％Ｎ ａ ＬＩＣＯ３，１１゜０
および飽和ＮａＣ１溶液で洗浄し、Ｍ ｇ Ｓ ０４で
乾燥し、溶媒を留去して赤色油状物を得、これをシリカ
ゲルクロマトグラフィーに付した。ヘキサン・酢酸エチ
ル（９５１５）で溶離して２．７一ジ第３級ブチルチオ
キサンチン４．６ｇ（３７％）を除いた後、ケトン体４
．６５ｇ（３７％）を得、これをヘキサン・ＣＨ２Ｃｌ
２ から再結晶して黄色結晶のケトン体を得た。
、乾燥ＣＨ２Ｃｌ２１００ｒｎｌおよびＳ ｎ Ｃｊ’
、１２１ｇの混合物を水浴で３０分間冷却し、α、α
−ジクロロメチルーメチルエーテル９．２’ｌとＣｌ−
ｌ２ＣＩＩ２５０ｄの溶液を滴下した。添加完了後、濃
赤色の混合物を徐々に室温までＪｉ＋、温させ、２時間
撹拌し、徐々に水に注入した。Ｃ１１Ｃｅ３て抽出し、
抽出液をｌ１２０１５％Ｎ ａ ＬＩＣＯ３，１１゜０
および飽和ＮａＣ１溶液で洗浄し、Ｍ ｇ Ｓ ０４で
乾燥し、溶媒を留去して赤色油状物を得、これをシリカ
ゲルクロマトグラフィーに付した。ヘキサン・酢酸エチ
ル（９５１５）で溶離して２．７一ジ第３級ブチルチオ
キサンチン４．６ｇ（３７％）を除いた後、ケトン体４
．６５ｇ（３７％）を得、これをヘキサン・ＣＨ２Ｃｌ
２ から再結晶して黄色結晶のケトン体を得た。
ｍＰ１７６−１７８゜
１１−１１１−１−Ｎ：ＤＣ１３） δ１．３５（Ｓ、
Ｉ Ｂ ｔｌ、Ｃｌ−１，、）、７．５（ｍ、４ Ｈ、
アリール）、８．７５ （ｄ、２１−Ｉ、ＣＨＣＣＯ） 元素分析（Ｃ２，１１゜４０Ｓ） 計算値：Ｃ７７，７３、Ｈ７，４６、Ｓ９．８８実験値
：Ｃ７７，８３、Ｉ−１７，５８，５９，７５（工程３
） ２．７−ジー第３級ブチルチオキサンチン。
Ｉ Ｂ ｔｌ、Ｃｌ−１，、）、７．５（ｍ、４ Ｈ、
アリール）、８．７５ （ｄ、２１−Ｉ、ＣＨＣＣＯ） 元素分析（Ｃ２，１１゜４０Ｓ） 計算値：Ｃ７７，７３、Ｈ７，４６、Ｓ９．８８実験値
：Ｃ７７，８３、Ｉ−１７，５８，５９，７５（工程３
） ２．７−ジー第３級ブチルチオキサンチン。
上記工程の方法でビス−（４−第３級ブチルフェニル）
スルフィド１２７から得た赤色油状物を乾燥エーテル１
００ｍ１．に溶かし、この溶液を、水素化アルミニウム
リチウム２，５ｙと乾燥エーテル１００ｒｎ１．のけん
たく液に水浴で冷却しながら１５分間にわたって滴下し
た。混合物を３時間還流し、冷却し、過剰の水素化物を
飽和塩化アンモニウム溶液で分解した。エーテル層を■
−１２０および飽和ＮａＣ１！溶液で洗浄し、Ｍ ｇ
Ｓ Ｏ、ｉで乾燥し、濃縮して白色固体を得、これをＣ
Ｈ２Ｃｌ２ ・ヘキサンから再結晶して白色結晶のチオ
キサンチン体９．０ｇ（７２％）を得た。
スルフィド１２７から得た赤色油状物を乾燥エーテル１
００ｍ１．に溶かし、この溶液を、水素化アルミニウム
リチウム２，５ｙと乾燥エーテル１００ｒｎ１．のけん
たく液に水浴で冷却しながら１５分間にわたって滴下し
た。混合物を３時間還流し、冷却し、過剰の水素化物を
飽和塩化アンモニウム溶液で分解した。エーテル層を■
−１２０および飽和ＮａＣ１！溶液で洗浄し、Ｍ ｇ
Ｓ Ｏ、ｉで乾燥し、濃縮して白色固体を得、これをＣ
Ｈ２Ｃｌ２ ・ヘキサンから再結晶して白色結晶のチオ
キサンチン体９．０ｇ（７２％）を得た。
ｍ ｐ １５２−１５４゜
ＩＨ−ＮＭＲ（Ｃ：ＤＣＪ３） δ１．２８（Ｓ、１８
１−１、Ｃｌ−１３）、３．８４ （Ｓ、 ２Ｈ１ＣＩ
−１２）、７．３１（ｍ、６１１、アリール） 元素分析（Ｃ２□Ｈ２６Ｓ） 割算値：Ｃ：８１．２３．１１８，４４．５１０．３３
実験値：Ｃ８１，４５，１１３，６１、Ｓ１０．２’４
（工程４） ２．７一ジ第３級プチルチオキザンテン−９−イルメタ
ノール。
１−１、Ｃｌ−１３）、３．８４ （Ｓ、 ２Ｈ１ＣＩ
−１２）、７．３１（ｍ、６１１、アリール） 元素分析（Ｃ２□Ｈ２６Ｓ） 割算値：Ｃ：８１．２３．１１８，４４．５１０．３３
実験値：Ｃ８１，４５，１１３，６１、Ｓ１０．２’４
（工程４） ２．７一ジ第３級プチルチオキザンテン−９−イルメタ
ノール。
２１７− シ％ ３級ブチルチオキサンテア１５ｇと乾
燥ＴＩ−ＩＦ１５０ｒｎ！の溶液を一７５℃ニ？’ｉ’
ｉ却し、ｎ−ブチルリチウム溶液（２，４５Ｍ）２０ｎ
、！、を滴下した。濃赤色が現れた。−７５°で３０分
間撹拌後、パラホルムアルデヒド５ｇを徐々に加えた。
燥ＴＩ−ＩＦ１５０ｒｎ！の溶液を一７５℃ニ？’ｉ’
ｉ却し、ｎ−ブチルリチウム溶液（２，４５Ｍ）２０ｎ
、！、を滴下した。濃赤色が現れた。−７５°で３０分
間撹拌後、パラホルムアルデヒド５ｇを徐々に加えた。
混合物を室温に昇温させ、３０分間還流した。反応完了
は赤色の消失で判定した。灰色の沈殿を含む混合物を冷
却し、氷と２５％１１２ＳＯ４で分解した。水層をＣｌ
Ｉ２Ｃ１２で抽出し、抽出液をｌ Ｌ２０および飽和Ｎ
ａＣ，ｆ溶液で洗浄し、Ｍ ｇ Ｓ Ｏ４で乾燥し、濃
縮して油状物を得、これをシリカゲルクロマトグラフィ
ーで精製しヘキサン・酢酸エチル（９５１５）で溶離し
た。白色固体のアルコール体が得られた。
は赤色の消失で判定した。灰色の沈殿を含む混合物を冷
却し、氷と２５％１１２ＳＯ４で分解した。水層をＣｌ
Ｉ２Ｃ１２で抽出し、抽出液をｌ Ｌ２０および飽和Ｎ
ａＣ，ｆ溶液で洗浄し、Ｍ ｇ Ｓ Ｏ４で乾燥し、濃
縮して油状物を得、これをシリカゲルクロマトグラフィ
ーで精製しヘキサン・酢酸エチル（９５１５）で溶離し
た。白色固体のアルコール体が得られた。
ｍｐ１５８−１５９゜
元素分析（Ｃ２２ＦＩ２８０Ｓ）
計算値＝７７．６４、Ｈ８，１３、Ｓ９．４１実験値ニ
ア７．７２、Ｈ８，５，２、Ｓ９．２８（工程５） ２．７一ジ第３級ブチルー１０．１０−ジオキソチオキ
サンチン−９−イルメタノール。
ア７．７２、Ｈ８，５，２、Ｓ９．２８（工程５） ２．７一ジ第３級ブチルー１０．１０−ジオキソチオキ
サンチン−９−イルメタノール。
２．７一ジ第３級ブチルチオキサンテニル−９−メタノ
ール１１１１と酢酸５０−の后液に、３０％Ｈ２０゜２
４５ｇを徐々に加え、混合物を１００°で４時間加熱し
た。冷却し、水２００−で希釈し、許過して粗製スルホ
ン体７ｇを得た。Ｃ１１２Ｃｌ ２ ・ヘキサンから再
結晶して、白色結晶のスルホン体６ｇ（５５％）を得た
。
ール１１１１と酢酸５０−の后液に、３０％Ｈ２０゜２
４５ｇを徐々に加え、混合物を１００°で４時間加熱し
た。冷却し、水２００−で希釈し、許過して粗製スルホ
ン体７ｇを得た。Ｃ１１２Ｃｌ ２ ・ヘキサンから再
結晶して、白色結晶のスルホン体６ｇ（５５％）を得た
。
ｍｐ２００ ２０３゜
１１−１−ＮＭＲ（Ｃ１１−１−Ｎ δ１．２５ （ｓ
、 １ｓ）Ｉ。
、 １ｓ）Ｉ。
ＣＨ３）、２．４ （ｂｒ、ｓ 、 ｌ １１． ＯＨ
）、４．０（ｒｎ 、 ３ Ｈ、Ｃｌ−ＩＣｌ−１２）
、 ７．５（ｍ、４１−１、アリール）、８．０ （ｄ
、 ２Ｈ，Ｃｌ−ＩＣ：５０２）（工程６） ２．７− （ジ第３級ブチル−１０，１０−ジオキシチ
オキサンナノ−９−イル）メチル−Ｎ−ｐ−クロロフェ
ニルカルバメート。
）、４．０（ｒｎ 、 ３ Ｈ、Ｃｌ−ＩＣｌ−１２）
、 ７．５（ｍ、４１−１、アリール）、８．０ （ｄ
、 ２Ｈ，Ｃｌ−ＩＣ：５０２）（工程６） ２．７− （ジ第３級ブチル−１０，１０−ジオキシチ
オキサンナノ−９−イル）メチル−Ｎ−ｐ−クロロフェ
ニルカルバメート。
２．７一ジ第３級ブチルー１０．１０−ジオキソチオキ
サンチン−９−イルメタノール１．１ｇとｌ） −クロ
ロフェニルイソシアネート０．４１１ ヲ乾燥ヘンゼン
１５−に溶かした溶液を１０時間還流した。
サンチン−９−イルメタノール１．１ｇとｌ） −クロ
ロフェニルイソシアネート０．４１１ ヲ乾燥ヘンゼン
１５−に溶かした溶液を１０時間還流した。
溶媒を留去し、残留物をＣｌ１゜−ＣＩ！２・ヘキサン
から再結晶して、白色結晶のウレタン体を理論収率て得
た。
から再結晶して、白色結晶のウレタン体を理論収率て得
た。
Ｉｎ Ｐ １５０゜
（工程７）
２．７一ジ第３級ブチルー１０，１．０−ジオキシチオ
キサンチン−９−イルメチルクロロホルメート。
キサンチン−９−イルメチルクロロホルメート。
ホスゲン５ｇの乾燥Ｔ Ｈｌｉ’ １５０ 、、／中溶
液に、撹拌下、２，７一ジ第３級ブチルー１０．１０−
ジオキシチオキサンチン−９−イルメタノール８．７ｇ
を水浴で冷却しながら徐々に加えた。溶液を水浴で２時
間撹拌し、室温で４時間撹拌した。過剰のホスゲンをＮ
２気流で除き、ｒｏｔｓを蒸発させて白色固体を得、こ
れをエーテルから再結晶して、白色結晶のクロロホルメ
ート体８．８５ ｆｌ （８７％）を得た。
液に、撹拌下、２，７一ジ第３級ブチルー１０．１０−
ジオキシチオキサンチン−９−イルメタノール８．７ｇ
を水浴で冷却しながら徐々に加えた。溶液を水浴で２時
間撹拌し、室温で４時間撹拌した。過剰のホスゲンをＮ
２気流で除き、ｒｏｔｓを蒸発させて白色固体を得、こ
れをエーテルから再結晶して、白色結晶のクロロホルメ
ート体８．８５ ｆｌ （８７％）を得た。
ｍｐ２００−２０１゜
ＩＨ−ＮＭＲ（ＣＤＣ：Ｊ３） δ１．３５ ＣＳ、
１８ｉ−Ｉ。
１８ｉ−Ｉ。
ＣＨ３）、４．７ （ｍ、 ３１１、（、ＨＣＩ−１，
）、７．６（ｍ、４Ｈ、アリール）、８．１（ｄ、２１
′ｌ、ＣＨＣ５Ｏ２） 元素分析（Ｃ２３Ｈ２７ＣＩＯ４Ｓ） 計算値：Ｃ６３，５１、Ｉ−Ｉ ６．２６、Ｓ７．３７
実験値：Ｃ６３，６８、Ｉ−１６，４８，５７，０８実
施例２ Ｄ Ｂ Ｄ −Ｔ Ｍ ＯＣ−Ｐ ｈ ｅ −０１−１
Ｌ−フェニルアラニン１．２９を１０％Ｎ ａ ｌ−Ｉ
ＣＯ３２０−およびＴＨＦ２０ｒｎｔに溶かした溶液
を水浴で冷却し、２．７一ジ第３級ブチルー１０．１０
−ジオキソチオキサンチン−９−イルメチルクロロホル
メート（ＤＢ Ｄ−ＴＭＯＣニーＣ： ｆ ） ３．５
ｆｌのＴＨＦ５Ｑ−溶液を徐々に加えた。混合物を０
０で１時間撹拌し、室温で１時間撹拌し、水２０〇−に
注入した。エーテルで抽出して過剰のクロロホルメート
と生成し得るアルコール体を除いた。
）、７．６（ｍ、４Ｈ、アリール）、８．１（ｄ、２１
′ｌ、ＣＨＣ５Ｏ２） 元素分析（Ｃ２３Ｈ２７ＣＩＯ４Ｓ） 計算値：Ｃ６３，５１、Ｉ−Ｉ ６．２６、Ｓ７．３７
実験値：Ｃ６３，６８、Ｉ−１６，４８，５７，０８実
施例２ Ｄ Ｂ Ｄ −Ｔ Ｍ ＯＣ−Ｐ ｈ ｅ −０１−１
Ｌ−フェニルアラニン１．２９を１０％Ｎ ａ ｌ−Ｉ
ＣＯ３２０−およびＴＨＦ２０ｒｎｔに溶かした溶液
を水浴で冷却し、２．７一ジ第３級ブチルー１０．１０
−ジオキソチオキサンチン−９−イルメチルクロロホル
メート（ＤＢ Ｄ−ＴＭＯＣニーＣ： ｆ ） ３．５
ｆｌのＴＨＦ５Ｑ−溶液を徐々に加えた。混合物を０
０で１時間撹拌し、室温で１時間撹拌し、水２０〇−に
注入した。エーテルで抽出して過剰のクロロホルメート
と生成し得るアルコール体を除いた。
水層を００に冷却し、濃１−Ｉ Ｃ７？を徐々に加えて
中和した。油状物質をＣｌ−Ｉ２Ｃ７？２ で抽出し、
有機層をＦ１２０、飽和Ｎａｐ／溶液で洗浄し、Ｍ ｇ
Ｓ Ｏ４で乾燥した。溶媒を蒸発させて油状物を得、
これをＣＦ■２Ｃ７３２から再結晶し、保護アミノ化合
物（１） １３１） −１’ＭＯＣ−Ｐ ｈ ｃ −０
１−１） ２．７一ジ第３級ブチルー １０．１０−ジ
オキシチオキサンチン−９−イルメチルオキシカルボニ
ルフェニルアラニン４．１８ｇ（９６％）を得た。
中和した。油状物質をＣｌ−Ｉ２Ｃ７？２ で抽出し、
有機層をＦ１２０、飽和Ｎａｐ／溶液で洗浄し、Ｍ ｇ
Ｓ Ｏ４で乾燥した。溶媒を蒸発させて油状物を得、
これをＣＦ■２Ｃ７３２から再結晶し、保護アミノ化合
物（１） １３１） −１’ＭＯＣ−Ｐ ｈ ｃ −０
１−１） ２．７一ジ第３級ブチルー １０．１０−ジ
オキシチオキサンチン−９−イルメチルオキシカルボニ
ルフェニルアラニン４．１８ｇ（９６％）を得た。
ｍ ｐ ７４゜
元素分析（Ｃ３２■−■３７０６ＮＳ）計算値：Ｃ６８
，１８，１１６，５１、Ｓ５．６８実験値：Ｃ５８，５
６、ｌ［６，９２，５５５７実施例３ ＤＢＤ−ＴＭＯＣ−Ｇ １ ｙ −Ｇ Ｉγ−０１ｌフ
工ニルアラニン誘導体の製法と同様にして、２．７一ジ
第３級ブチルー１０．１０−ジオキシチオキサンチン−
９−イルメチルオキシカルボニルグリシルグリシン（Ｄ
ＢＤ−ＴＭＯＣ−Ｇｌｙ −Ｇｌｙ−ＯＨ）を９０％の
収率で得る。
，１８，１１６，５１、Ｓ５．６８実験値：Ｃ５８，５
６、ｌ［６，９２，５５５７実施例３ ＤＢＤ−ＴＭＯＣ−Ｇ １ ｙ −Ｇ Ｉγ−０１ｌフ
工ニルアラニン誘導体の製法と同様にして、２．７一ジ
第３級ブチルー１０．１０−ジオキシチオキサンチン−
９−イルメチルオキシカルボニルグリシルグリシン（Ｄ
ＢＤ−ＴＭＯＣ−Ｇｌｙ −Ｇｌｙ−ＯＨ）を９０％の
収率で得る。
ｍｐ７４°（ＣＨ２Ｃ１２から結晶化）実施例４
ＤＢＤ−ＴＭＯＣ−Ｐｂｅ−Ｌｅｕ−ＯＣＭｅ３゜Ｄ
Ｂ Ｄ−ＴＭＯＣニーＰｌｔｃ −０１１１，１２ｆｌ
の乾燥Ｔ ＨＦ ２５ 、ｄ溶液に、１−１− Ｌｅ
ｕ −ＯＣＭｅ ３０．３５２ｙおよびジシクロへキシ
ルカルボジイミド０．３８５ｇを加えた。混合物を一２
０°で１時間、次いで室温で１時間撹拌した。混合物を
ｔ濾過してジシクロヘキシル尿素を除き、溶媒を減圧留
去した。油状残渣をシリカゲルクロマトグラフィーに付
し、ヘーテル・ヘキサン（１：１）で溶離した。溶媒を
留去して油状物を得、これをＣｌＩ２Ｃ１２から再結晶
してジペプチドエステルである２、７一ジ第３級ブチル
ー１０．１０−ジオキシチオキサンチン−９−イルメチ
ルオキシカルボニルフェニルアラニルロイシン第３級／
チルエステル１．４ ］ ！ （９４，６％）を得た。
Ｂ Ｄ−ＴＭＯＣニーＰｌｔｃ −０１１１，１２ｆｌ
の乾燥Ｔ ＨＦ ２５ 、ｄ溶液に、１−１− Ｌｅ
ｕ −ＯＣＭｅ ３０．３５２ｙおよびジシクロへキシ
ルカルボジイミド０．３８５ｇを加えた。混合物を一２
０°で１時間、次いで室温で１時間撹拌した。混合物を
ｔ濾過してジシクロヘキシル尿素を除き、溶媒を減圧留
去した。油状残渣をシリカゲルクロマトグラフィーに付
し、ヘーテル・ヘキサン（１：１）で溶離した。溶媒を
留去して油状物を得、これをＣｌＩ２Ｃ１２から再結晶
してジペプチドエステルである２、７一ジ第３級ブチル
ー１０．１０−ジオキシチオキサンチン−９−イルメチ
ルオキシカルボニルフェニルアラニルロイシン第３級／
チルエステル１．４ ］ ！ （９４，６％）を得た。
ｍｐ７９゜
元素分析（Ｃ、ｉ□Ｈｓ ６Ｎ ２０□Ｓ）計算値：Ｃ
６８，８５、Ｉ’ｌ ７．６５、へ３．８２、Ｓ４．３
７ 実験値：Ｃ６８，４０，１１８，０２、Ｎ３．４０．５
４．３７ 実施例５ Ｄ Ｂ Ｄ −Ｔ Ｍ ＯＣ−Ｇ ｌ ｙ −Ｇ Ｉ
ｙ−門１ｃｍＬｃｕ−ＯＣＭ ｅ ３゜ Ｄ’Ｂ Ｄ −ＴＭＯＣ−Ｇｌ ｙ−Ｇｌ ｙ −０１
ｌ Ｏ，８５ｇの乾燥ＴｌｌＦ２０−溶液に、ｎ−円１
ｃ −Ｌｃｕ −ＯＣＭｅ３０、５３９およびジシクロ
へキシルカルボジイミド０．３８ｇを加えた。混合物を
０°で１時間、室温で２時間撹拌した。尿素をｂ５去し
、’ｌ’ ＋１１＝を留去して得られる残渣を、ヘキサ
ン・酢酸エチル（６ｏ／４０）を用いてシリカゲルクロ
マトグラフィーに付し、保護テトラペプチドエステルで
ある２、７−第３級ブチル−１０，１０−ジオキシチオ
キサンチン−９−イルメチルオキシカルボニルグリシル
グリシルフェニルアラニルロイシン第３級ブチルエステ
ル（ＤＢＤ−ＴＭＯＣ−Ｇｌｙ−Ｇｌｙ−１’ｌｔｅ
−Ｌｅｕ −ＯＣＭｅ３） １．２１ ｇ（８９，６％
）を得た。
６８，８５、Ｉ’ｌ ７．６５、へ３．８２、Ｓ４．３
７ 実験値：Ｃ６８，４０，１１８，０２、Ｎ３．４０．５
４．３７ 実施例５ Ｄ Ｂ Ｄ −Ｔ Ｍ ＯＣ−Ｇ ｌ ｙ −Ｇ Ｉ
ｙ−門１ｃｍＬｃｕ−ＯＣＭ ｅ ３゜ Ｄ’Ｂ Ｄ −ＴＭＯＣ−Ｇｌ ｙ−Ｇｌ ｙ −０１
ｌ Ｏ，８５ｇの乾燥ＴｌｌＦ２０−溶液に、ｎ−円１
ｃ −Ｌｃｕ −ＯＣＭｅ３０、５３９およびジシクロ
へキシルカルボジイミド０．３８ｇを加えた。混合物を
０°で１時間、室温で２時間撹拌した。尿素をｂ５去し
、’ｌ’ ＋１１＝を留去して得られる残渣を、ヘキサ
ン・酢酸エチル（６ｏ／４０）を用いてシリカゲルクロ
マトグラフィーに付し、保護テトラペプチドエステルで
ある２、７−第３級ブチル−１０，１０−ジオキシチオ
キサンチン−９−イルメチルオキシカルボニルグリシル
グリシルフェニルアラニルロイシン第３級ブチルエステ
ル（ＤＢＤ−ＴＭＯＣ−Ｇｌｙ−Ｇｌｙ−１’ｌｔｅ
−Ｌｅｕ −ＯＣＭｅ３） １．２１ ｇ（８９，６％
）を得た。
ｍｐ１５０゜
実施例６
ＤＢＤ−ＴＭＯＣ−Ｐｂｅ −Ｌｅｕ−ＯＣＭｅ３（７
）脱封鎖。
）脱封鎖。
上記保護ジペプチドエステル１．１ｇのＤＭＳ ０５−
溶−液を５０°で４０分間加温し、その間に１０゜１０
−ジオキシ−２，７−第３級ブチル−９−メチレンチオ
キサンチンの沈殿が析出した。ＮＭＲて調べるとフルペ
ンの沈殿が完了し、この化合物が溶液中に全く残ってい
ないことを示した。ざら薯こ、薄層クロマトグラフィー
（ＴＬＣ）でもフルペンが溶液に残っていなかった。沖
過し、ｒ液に水を加工、エーテルで抽出してジペプチド
（Ｄ第３級ブチルエステルを得、標品とＮＭＲおよびＩ
Ｒスペクトルを比較して同定した。
溶−液を５０°で４０分間加温し、その間に１０゜１０
−ジオキシ−２，７−第３級ブチル−９−メチレンチオ
キサンチンの沈殿が析出した。ＮＭＲて調べるとフルペ
ンの沈殿が完了し、この化合物が溶液中に全く残ってい
ないことを示した。ざら薯こ、薄層クロマトグラフィー
（ＴＬＣ）でもフルペンが溶液に残っていなかった。沖
過し、ｒ液に水を加工、エーテルで抽出してジペプチド
（Ｄ第３級ブチルエステルを得、標品とＮＭＲおよびＩ
Ｒスペクトルを比較して同定した。
モｙ’ル＝）レタ７としてＤＢＤ−ＴＭＯＣ−ＮＨＣ６
Ｈ４Ｃ１！−ｐを用い他の脱封鎖条件を調べた。ＤＭＳ
Ｏ中室温中室温石時間０％程度の脱封鎖が起ったことが
ＮＭＲ分析で判明した。ＤＭＳＯ中７５中種５℃４０分
間封鎖が完了した。Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド中室
温１５分ては、全く脱封鎖が見られなかったが、６０分
後には１３．６％）脱封鎖が起ツタ。ＤＭＳＯ−Ｉ’１
ｌＦ（１／ｌ ）まｆニーはＤ Ｍ Ｓ Ｏ−ＣＨＣ：
Ｊ３ （１／ ３ ）では、１６時間後、何れも脱封鎖
が起らなかった。
Ｈ４Ｃ１！−ｐを用い他の脱封鎖条件を調べた。ＤＭＳ
Ｏ中室温中室温石時間０％程度の脱封鎖が起ったことが
ＮＭＲ分析で判明した。ＤＭＳＯ中７５中種５℃４０分
間封鎖が完了した。Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド中室
温１５分ては、全く脱封鎖が見られなかったが、６０分
後には１３．６％）脱封鎖が起ツタ。ＤＭＳＯ−Ｉ’１
ｌＦ（１／ｌ ）まｆニーはＤ Ｍ Ｓ Ｏ−ＣＨＣ：
Ｊ３ （１／ ３ ）では、１６時間後、何れも脱封鎖
が起らなかった。
実施例７
１０．１０−ジオキシ−２，７一ジ第３級ブチルー９−
メチレンチオキサンチン。
メチレンチオキサンチン。
ＤＢＤ−ＴＭＯＣ誘導体を」二記のようにＤＭＳＯ中で
脱封鎖して不辰性沈殿を胃、これをｃ■■２ｃ１２から
再結晶して白色結晶を得た。
脱封鎖して不辰性沈殿を胃、これをｃ■■２ｃ１２から
再結晶して白色結晶を得た。
ｍＰ２４６−２４８゜
元素分析（Ｃ２２１−１２６０２５）
計算値：Ｃ７４，５４，１１７，３ｇ、５９．０５実験
値：Ｃ７４，４８，１１７，６１、ｓ９．１９上記実施
例から明らかなように、この発明の組成物および脱封鎖
法は、封鎖基の脱封鎖または除去に、塩基または他の脱
封鎖剤の添加を必要としない。塩基はポリペプチド鎖に
作用してその中のアミノ酸残基のラセミ化をもたらす可
能性があるため、塩基の欠如は極めて有利である。
値：Ｃ７４，４８，１１７，６１、ｓ９．１９上記実施
例から明らかなように、この発明の組成物および脱封鎖
法は、封鎖基の脱封鎖または除去に、塩基または他の脱
封鎖剤の添加を必要としない。塩基はポリペプチド鎖に
作用してその中のアミノ酸残基のラセミ化をもたらす可
能性があるため、塩基の欠如は極めて有利である。
この発明は、上記の説明、実施例および用途に限定され
るものではなく、この発明の要旨から外れずに修正を行
なうことができる。例えば、メチル、エチル、およびイ
ソプロピルＴＭＯＣジオキシドのような他のＴＭＯＣジ
オキシドアルキル誘導体も、上記好適な実施態様と同様
にしてフルペンを生ずることができる。したがって、こ
の発明は、請求の範囲およびその均等範囲内にある限り
、修正および変更を含むものである。
るものではなく、この発明の要旨から外れずに修正を行
なうことができる。例えば、メチル、エチル、およびイ
ソプロピルＴＭＯＣジオキシドのような他のＴＭＯＣジ
オキシドアルキル誘導体も、上記好適な実施態様と同様
にしてフルペンを生ずることができる。したがって、こ
の発明は、請求の範囲およびその均等範囲内にある限り
、修正および変更を含むものである。
特許出願人 リサーチ・コーポレイション代理人弁理士
青山 葆はか１名
青山 葆はか１名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ （式中、Ｘは低級アルキル基、Ｚはアミノ酸もしくはペ
プチドの残基、または脱餅１基を意味する〕で示される
化合物。 （２）Ｘがブチルである、特許請求の範囲第１項記載の
化合物。 （３）Ｚがアミノ酸残基である、特許請求の範囲第１項
記載の化合物。 （４）Ｚがポリマーアミノ酸残基である、特許請求の範
囲第１項記載の化合物。 （５）Ｚがペプチド残基である、特許請求の範囲第１項
記載の化合物。 （６）Ｚがポリペプチド残基である、特許請求の範囲第
１項記載の化合物。 １ （式中、Ｎ Ｉ−Ｉ Ｒはアミノ酸残基を意味するンで
示される化合物。 （８） Ｎ ｌ−Ｉ Ｒがペプチド残基である、特許請
求の範囲第１項記載の化合物。 （９） Ｎ Ｉ−Ｉ Ｒがポリペプチドである、特許請
求の範囲第７項記載の化合物。 （１０１有機分子中の保護されたアミノ基以外の部分を
修飾する反応中、上記分子中のアミノ基を保護する方法
において、ジ低級アルキル−チオキサンチルメチルオキ
シカルボニル誘導体をアミノ基に結合させ、それにより
アミノ基を別の反応から保護する工程からなる方法。 （１１） 別の反応として、 （ａ） 有機分子中の保護されたアミ７基以外の部分を
、適当な溶媒系中における化学反応により修飾すること
、および （ｂ） アミ／基から保護基を分離してアミノ基を脱封
鎖すること、 を含む、特許請求の範囲第１０項記載の方法。 （１２） 修飾するための化学反応を、保護されたアミ
ン基の脱封鎖が容易に室温で起らない溶媒系中で実施す
る、特許請求の範囲第１１項記載の方法。 （１３）分離工程が、上記反応の完了後に溶媒系を変え
てアミ７基の保護基からの脱封鎖を達成することからな
る、特許請求の範囲第１４項記載の方法。 （１４）修飾するための化学反応を、保護されたアミノ
基の脱封鎖が室温で容易に起らない溶媒系中、室温で行
ない、分離工程が、上記脱封鎖反応の完了後に溶媒を変
えることからなるものである、特許請求の範囲第１１項
記載の方法。 （１５）溶媒がジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）であ
る、特許請求の範囲第１４項記載の方法。 （１６ｉ 溶媒カテトラヒドロフランとジメチルスルホ
キシドの混合物である、特許請求の範囲第１５項記載の
方法。 （１り 溶媒がジメチルスルホキシドであり、脱封鎖が
反応混合物を約４５℃以上に加熱して行なわれるもので
ある、特許請求の範囲第１４項記載の方法。 （１８）溶媒系が、溶媒／反応混合物を約５０’Ｃ以上
に加熱することにより変えられる、特許請求の範囲第１
７項記載の方法。 （１９１テトラヒドロフランとジメチルスルホキシドの
溶媒混合物が、修飾反応工程中アミノ基の脱封鎖を妨げ
るに有効な量のテトラヒドロフランを特徴する特許請求
の範囲第１６項記載の方法。 て ■ テトラヒドロフランとジメチルスルホキシドの溶媒
混合物が、室温で約１：１の容量比である、特許請求の
範囲第１６項記載の方法。 （２Ｉ）アミ７基の保護基からの脱封鎖が、テトラヒド
ロフランを排出し溶媒／反応混合物を約４５℃以上に加
熱することにより行なわれる、特許請求の範囲第１９項
記載の方法。
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|---|---|---|---|
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| US527750 | 1983-08-30 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6078979A true JPS6078979A (ja) | 1985-05-04 |
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Family Applications (1)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5141164A (en) * | 1989-12-08 | 1992-08-25 | Nippondenso Co., Ltd. | Fuel injector |
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| US5141164A (en) * | 1989-12-08 | 1992-08-25 | Nippondenso Co., Ltd. | Fuel injector |
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