JPS6079509A - 磁気抵抗効果型再生ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、電流バイアス方式による磁気抵抗効果型再生
ヘッドに係わシ、特に、磁気シールド部材を通してバイ
アス電流を流すようにした磁気抵抗効果型再生ヘッドに
関する。

〔発明の背景〕

近年、磁気抵抗効果素子を用ｉた再生ヘッドすなわち、
磁気抵抗効果型再生ヘッドが注目されるようになってき
た。これは、磁界の強さに応じて電気抵抗値（以下、単
に抵抗値という）が変化するという、磁気抵抗効果素子
の作用を利用するものでちって、磁気起源媒体上に形成
されたトラック上の磁化パターンに応じて変化する磁界
を、磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化とし、て検出する
ことによシ、該トラックに起源された情報信号を再生す
ることができるようにしたものである。

ところで、磁気抵抗効果素子には、自発磁化（以下、単
に磁化と−う）が生じており、この磁化の方向は、磁気
抵抗効果素子に磁界が加えられていない（以下、無磁界
状態という）ときには、磁気抵抗効果素子の磁化容易軸
に平行である。この場合、磁化容易軸方向の抵抗値をみ
ると、かかる無磁界状態では、大きな値となる。

いま、この磁化容易軸方向と垂直な方向に磁界を印加す
ると、この磁界の強さに応じて磁気抵抗効果素子におけ
る磁化の方向は磁化容易軸に垂直な方向へと変化する。

そして、磁化容易軸方向の抵抗値は、磁化の方向が磁化
容易軸に垂直な方向に近づく＃ｌど小さくなる。

第１図はか力為る磁気抵抗効果素子の磁界−鑞気抵抗特
跣を示す特性図でちって、横軸に磁気抵抗素子の磁化容
易軸に垂直な方向の磁界の強さを、また、縦軸にこの容
易軸方向の抵抗値をとって匹る。

同図から明らかなように、磁界の強さが零のときＫは、
磁気抵抗効果素子は最大の抵抗値を呈し、磁界の強さが
増加するとともに、磁界の方向には関係なく抵抗［１４
減少する。そして、磁界の逢さがある値以上になると、
抵抗値は飽和して最小の抵抗値を呈する。

この抵抗値が飽和するのは、磁気抵抗効果素子の磁化の
方向が磁化容易軸に垂直であることによるものである。

そこで、かかる磁気抵抗効果素子を用−て磁気抵抗効果
素子壺ヘッドを形成し、磁気起源媒体上のトラックを、
その磁化パターンによる磁１界の方向が磁気抵抗効果素
子の磁化容易軸に垂。

直になるようにして再生走査を行なうと、上記磁化パタ
ー／による磁界の強さに応じて磁気抵抗効果素子の抵抗
値が変化し、また、上記の磁化パターンは情報信号に応
じたものであるから磁気抵抗効果素子の磁化容易軸の方
向に電流を流すことにより、上記トラックに記碌されて
ふる情報信号を１流の変化として再生することができる
。

以上が磁気抵抗効果ｎ再生ヘッドの原、１でちる。

ところで、かかる磁気抵抗幼釆塵再生ヘッドにより、磁
気記碌媒体から清＠信号を再生する場合につＡてみると
、磁気起源媒体上のトラックの磁化パターンｔこよる磁
界のみにより、磁気抵抗素子の抵抗値を変化させる場合
には、この磁気をＨｌとすると、第２図において、特注
曲線の点Ａを中心として抵抗値が変化し、Δ帽の抵抗値
変化が得られる。この抵抗値変化ΔＲ＋＋は磁界Ｈ＋の
１周期の変化に対して２周期の変化として表われる。

とれに対して、！ｓ２図におりて、特性曲線の直線部分
の中心点Ｂを中心として、抵抗値が変化するようにする
と、上記磁化）（ターンによる同じ磁界Ｈ１の変化に対
６して、抵抗値変化はΔ几となる。この抵抗値変化ΔＲ
ｔｄ、磁界Ｈ−の１周期の変化に対して同じく、周期の
変化として表われ、かつ、点Ａ　ｔ−、＊作意とした場
合よりもその変化の割合が大き−。

そこで、磁気抵抗効果素子生ヘッドの磁気抵抗効果素子
に、その磁化容易軸に平行Ｖｃ（流（以下、この電流を
検出用電流と＾う）を流したとき、上記の抵抗１を変化
によって検出用電流が変化するが、第２図０点人を責作
意としたと籾には、検出用電流の変化が小さく、かつ、
この変化はトラックに起源された情報信号の周液数の２
倍の周液数となり、この情報８号を忠実に再生すること
はできない。これに対して、ｉｓ２図の点Ｂを動作点と
すると、検出用゛電流の変化は非常に大きく、また、ト
ラックに起源された情報信号を忠実に表わして偽る。

このことから、従来、磁気抵抗効果酸再生ヘッドにおい
ては、＃Ｉ２図に示す点Ｂｆ、最適動作点としている。

この最適動作点Ｂは、磁気抵抗効果素子の異方性磁界を
ＨＫとすると、約０．５ＨＫ　−０，７ＨＫでアク、こ
のとき、磁気抵抗効果素子の磁化の方向は、磁化容易軸
に対して４５″傾いて−る。なお、第２図の磁界が負の
領域の特性曲線の直線部分の中心点Ｂ′も同様に最適動
作点となり、この最適動作点Ｂ′は約−〇、５ＨＫ〜−
ｏ　、　７ＨＫである。

かかる最適動作点Ｂ（あるーはＢ）を設定す・るために
は、磁気抵抗効果素子に予じめその磁化容易軸に垂直な
方向に一定のバイアス磁界Ｈｈ（第２図）を印加しなけ
ればならない。このバイアス磁界を発生させるようにし
た従来からよく知られている代表的な方式は、バイアス
導体にバイアス電流を流し、このバイアス電流によって
生ずる磁界をバイアス磁界とするもの（すなわち、電流
バイアス方式）である。この１流バイアス方式の磁気抵
抗効果型再生ヘッドは、さらに、外部磁界を遮祈するの
に設けられた磁気シールド層をバイアス導体とするもの
と、新。

たにバイアス導体を設けるものとがちる。

第５図は磁気７一ルド層をバイアス導体とした従来のマ
ルチトラック用磁気抵抗効果型再生ヘッドを示すもので
ちって同図（１１）はテープ摺動面側からみた正面図、
同図（Ａ）はテープ摺動面に垂直な断面図であり、１は
磁性基板、２は下部ギャップ、３は磁気抵抗効果素子、
４は上部ギャップ、５は磁気シールド層である。

同図（、＞において、ＮＬ−Ｚ？Ｌ７エライトなどの磁
性材からなる磁性基板１上に、Ｅ３ＬＯｘなどの非磁性
絶縁材からなる下部ギャップ２が形成され、この下部ギ
ャップ２上にトラック幅り、ｔの複数個の磁気抵抗効果
素子３が形成されている。゛この磁気抵抗効果素子３と
しては、膜厚が約０゜μｍで、テープ摺＃面に垂直な方
向の幅が２〜７μ乳のパーマロイ薄膜が用いられ、一般
には、、図示するよう１ｃ１その磁化容易軸Ｍがチーブ
摺動面に平行で、かつ、トラック幅方向に平行になるよ
うに形成されている。また、磁気抵抗効果素子３には、
図示しない導体が接続され、この導体から磁気抵抗効果
素子３に、その磁化容易軸Ｍと平行な方向に検出用電流
りが流される下部ギャップ２上には、さらに、磁気抵抗
効果素子６を完全に覆うように、５ｈｏｔなどの上部ギ
ャップ４が形成され、この上部ギャップ４上に磁気シー
ルド層５が形成されて−る。磁気シールド１５は、膜厚
が約２μｍでチーブ摺動画・に垂直な方向の幅が３０〜
５０μ扉の・（−マロイ薄・膜が用いられ、バイアス導
体も兼ねて一定の〕（・イアスミ流Ｌ４が流される。

バイアス電流↓ｂは、Ｉａ気低抵抗効果素子５ｖラック
幅方向に流れており、いま、第３図Ｈｊ）に示す方向に
流れて−るとすると、バイアス磁界Ｈａは、ａ気ｙ−ル
ド、＠５に凋して図面上反時計方向に生じ、磁気抵抗効
果素子３中テ一プ摺ｉＩｈ面の方向の向きで生ずる。し
たがって、このバイアス磁界、Ｈｈにより、磁気抵抗幼
果素子３の磁化の向きは磁化容易軸Ｍ（第３図（ａ））
に平行な方向からチーブ摺動面の方向に傾き、磁気抵抗
効果素子６の磁化容易軸Ｍの方向の抵抗値が低下する。

バイアス電流ｊｚ４の大きさは、磁気抵抗効果素子３の
動作点が第２図に示した最適動作点ＢあるいはＢ′とな
るようなノ（イアス磁界Ｈａが生ｒるように、設定され
る。

以上のようにして、上記従来の磁気抵抗効果型再生ヘッ
ドにおいては、歪みがなくて忠実に大きい再生出力信号
が得られる。

しかし、かかる従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドにお“
＾ては、磁気抵抗効果素子３の動作点を最適動作屯Ｂあ
る一ｆｄ　Ｂ’に設定するためにはバイアス電流ｊｒ４
として、１５０〜２ｓｏＷＬＡと非常に大きな電流でな
ければならず、このために、磁気シールド層５が発熱し
て磁気抵抗効果型再生ヘッド自体が加熱される。この加
熱よって磁気抵抗効果素子３などに熱雑音が生じ、この
結果、再生信号のＳ／Ｎが劣化することになる。

これは、磁気７−ルドＮＪ５の反磁界によるものであっ
て、この磁性７一ルド層５に生じたテープ摺ａｒｆＪに
垂直な方向の反磁界が）くイアスミ流Ｌ４によるバイア
ス磁界Ｈｈを一部打消すことによるものである。本発明
等の電流バイアス方式磁気抵抗効果型再生ヘッドに関す
る系統的研究の結果、最適動作点Ｂちるいはｄにバイア
スするために必要なバイアス電ｉＬＪは、磁気シー。

ルド層５０反磁界（ちるＬＡは反磁界係数）に密接に関
係して−ることかわかった。

第４図は磁気シールド層のチーブ摺動面に垂直な方向の
反磁界係数と磁気抵抗効果素子を最適動作点に設定する
ためのバイアス電流密度との関係を示すグラフ図であっ
て、横軸に上記反磁界係数Ａｄ、縦軸に上記バイア□ス
電流育度し４同図ムら明らかなように、磁気シールド層
５の上記反磁界係数（したがって、反磁界）が大きい程
、磁気抵抗−果素子を最適動作点に設定するためのバイ
アス電流密度Ｌ　ｂ　ａ’が大きくなる傾向があること
がわかる。

ところで、一般に、短冊状薄膜試料の反磁界係数は、こ
の試料の幅をＷ５膜厚をｌとすると近似的に２７ｗで与
えられる。したがって、第３図（、＞、ＦＡ）にお−て
、磁気７一ルド層５のテープ摺−助面に垂直な方向の幅
を大きくすることにより、磁気シールド層５０反磁界係
数を小さくす□ることができ、磁気抵抗効果素子６を最
適、動作点に設定するための磁気シールド層５のバイア
ス電流密度Ｌｈｏを減少させることができる。

しかし、一方では、磁気シールド層５は、そのテープ摺
動面方向の幅を増加させたことにより、その断面積ゆ増
加し、結局、バイアス電流・密度ＬＡ’ａとこの断面１
の積であるバイアス電流↓ｂはほとんど減少して−な−
ことになる。

このように、従来の磁気抵抗効果屋再生ヘッドにお−で
は、バイアス電流を大きくせざるを得す、仁のために、
再生信号の８／Ｎが劣化するという欠点がありた。　□ （発明の目的〕　□ 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き最適−作点
く設定するためのバイアス電流が小さく、良好な８７Ｈ
の再生信号を褥ることができるようにした磁気抵抗効果
屋再生ヘッドを提供するにある。

〔発明の概要〕

この目的を達成するために、本発明は、磁気シールド層
のテープ摺動面方向の幅を等測的に拡大して核磁気シー
ルド層の反磁界係数を減少せしめるようにした点に特徴
がある。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を図面について説明する。

第５図は本発明に上る・磁気抵抗、効果臘再生ヘッドの
一実施例を示す１析面図でありて、６は非磁性絶縁ギャ
ップ、７は磁性層でちり、、第３図（邊）に対応する部
分には同一符号をつけて−る。

第５図におｉて、上部ギャップ４上には、８１チＮＬの
パーマロイからなる磁気シールド５ととも、このａ気７
−ルド層５と非磁性絶縁ギャップ６を挾み、テープ摺ｆ
ｌ＆［Ｋ！ｉ直を方向に関して磁気シールド層５よシも
広幅の８１−のＮｂのパーマロイからなる磁性層７が、
設けられて−る。

非磁性絶鎌ギャップ６は、下部ギャップ２、上部ギャッ
プ４と同様に、８ＡＯｔからなってギャップ長１がＱ、
５ｉｓｍＫ設定される。

バイアス電流は磁気シールド層５のみに流れる。磁気シ
ールド層５は、磁性層７にょシ、等両的にテープｆＩＩ
＃ｒＭＶｃ垂直な方向の幅が大きくなり、このために、
この方向の反磁界係数が。

磁性層７を設けな一場合よシも減少し、磁気抵抗効果素
子３を最適動作点に設定するためのバイアス電流密度が
小さくなる。バイアス電流は上記やように、磁気シール
ド層′５のみに流れる□ から二結局、磁気抵抗効果素子５を最適動作点□ に設売するための“イア１電流は・磁性層７を設け←場
合よシも、小さくなる。

〒−として、磁気シールド層５のチーブ摺動面にｉ！ｌ
［な方向の幅を４０鯖とし、同じく磁性層７λ幅を約１
３００μ篤とし、また、磁気シールド層＝と磁性層２と
の電なシ部分の幅を約Ｏ，Ｓ□ Ｊｆｉと：したとごろ、上記のバイアス電流は約８０１ ＭＡで１′ｈりで、第５図１１）、（Ａ）に示し九従来
技術□ におシるバイアス電流の７４’７でありた。こノ結果、
磁気シールド層５０発熱【よ゛るノイズは約３〜６ｄＢ
程度減少し、再生信号の８７Ｎが向上した。

第６図は本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドの也の
実施例を示す断面図であって、第５図に対応する部分に
は同一符号をつけている。

この実施例は、上部ギャップ４上に磁気シールド層５と
磁性層７とを間隔１′を設けて形成したものであって、
第５図の実施例と同様に、磁性層７により、磁気７一ル
ド層５の反磁界係数が減少する。バイアス電流は磁気シ
ールド層５のみに流れ、結局、磁気抵抗効果素子３を最
適動作点に設定するための、バイアス電流は、上記従来
技術に比べて櫃めて小さい。

因みに、磁気シールド５と磁性層７との間隔１′を約１
μ賞とし、池の袋外を第５図に示した実施例と同一にし
たとき、第５図に示した実施例。

と同様の再生信号のＳ／Ｎが得られた。

なお、上記第５図および、＠６図に示した実施例におい
て、磁性層７の材料は、軟磁性材片であれば金属、非金
鶴を問わないし、磁気シールド層５と同一材料であって
も、異なる材料であってもよし。また、磁性層７は各磁
気抵抗効果素子に共通となるように形盛しても、各磁気
抵抗効果素子毎に独立に形成してもよい。

第７図は本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドのさら
に他の実施例を示すＩＦｔ面図であって７は磁性層であ
り、第５図に対応する部分には同一符号をつけて−る。

この実施例は、上部ギャップ４上に、磁気シールド層５
と磁性、＠７とを、テープ贋ａ面に垂直方向に互いｌＣ
請合するに、配列−Ｖ成したものであって、磁性層７の
一部が磁気シールド５の一部と重なっている。この磁性
１７′により、磁気シールド層５のテープ摺動面に垂直
な方向の幅が等測的に大きくなって反磁界係数が減少す
る。磁気シールド層５は、比抵抗が磁性層７′の比抵抗
よりも小さね磁性材料カムらなる。このために、バイア
ス電流は主に磁気シールド層５に流れ、上を己のように
、磁気シールド層５の反磁界係数が減少したことから、
磁性層７′を設け、ない場合よシもバイアス電流は小さ
くなる。

この実施例では、磁性基板１、下部ギャップ２、磁気抵
抗効果素子５および上部ギャップ４は、第５図および第
６図に示した実施例と同様であり、磁気シールド層５は
膜厚的２μｍの８１チＮＬ／＜−マロイ層とし、ｔＢａ
層７′は膜厚２μｍの　□（４％Ｍ６　＋７９９１１Ｎ
ｋ）パーマロイ層とした。

かかる構成くおいて、磁気シールド層５のテープ摺動面
に垂直な方向の幅を３０μｍとし、磁性層７′の同方向
の幅を７０μ乳としたところ、両者の抵抗直比は約１：
２となった。この場合、バイアス・４流の約４が磁気シ
ールド層５を流れることになる。そして、この場合の磁
気抵抗効果素子３を最適動作点に設定するためのバイア
ス電流は約１００ＷＬＡでありて、上記従来技術に比べ
て半威し、磁気シールド層５の発熱によるノ。

イズは約３〜６ｄＢ　４度減少して再生信号の８７Ｎが
大幅に向上した。

第８図に示した実施例は、磁気シールド層５の一部に磁
性層７′の一部を重ねたものであったが、第８図に示す
ように、逆に、磁性層７′の一一部に磁気シールド層５
の一部を重ねるようにし・でも同様の作用効果が得られ
る。

ｌ／Ｅ７図および第８図に示す実施例では、磁気シール
ド層５と磁性層７′とは材料が異なり、前・者の比抵抗
が後者の比抵抗の４以下とする。そして、磁気シールド
層５の抵抗値が磁性層７′の抵抗値よりも小さくなるよ
うに夫々を形成し、バイアス電流が主として磁気シール
ド層５に流れるようにした。

第９図は本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドのさら
に他の実施例を示す断面図でちり、第５図に対応する部
分には同一符号をつけている。

この実施例は、磁気シールド層５を磁性基板１と直接接
合したものでちり、これによって、磁気シールド層５の
テープ摺動面に画直な方向の幅が等測的に大きくなシ、
したがって、磁気シールド層５の反磁界係数は減少する
。パイアスミ流は磁気シールド層５のみに流れ、この虐
めに、＆＆磁気抵抗効果素子を最適動作点に設定するた
めのバイアス電流は、上記従′未技術Ｌ）も充分小さく
なる。

この実施例では、磁性基板１、下部ギャップ２、上部ギ
ャップ４は第５図な匹し第８因に示した実施例と同様で
あシ、磁気抵抗効果素子３は膜厚Ｏ，ＯＳμ鶏の８１％
Ｎｉパーマρイ層とし、磁気シールド層５は膜厚約２μ
属の８１慢ＮＬパ一マＱイ層とした。

かかる構成において、磁気シールド層５のテープ摺４ｈ
面に垂直な方向の幅を約４０β乳としたところ、磁気抵
抗効果素子３を最適動作点に設定するためのバイアス電
流は約ａｏ？ＦＬ人であって上記従来技術の／２〜４に
減少し、磁気７−ルド膚５の発熱によるノイズは３〜６
４Ｂ０３２．少して再生信↑のＳ／Ｎが著しく向上した
。。

以上、本発明の実施例について説明したが、これらの実
施例において、多結晶ＮＡ−Ｚ、、フェライトを磁性基
板１とし、その表面をメカツクばカル研摩して下部ギャ
ップ２を形成した。

５　Ｌ　Ｑ　ｘの下部ギャップ２、上記ギャップ４およ
び非磁性地縁ギャップ６（第５図）は几Ｆスパツタリ／
グ法によシ、８１チＮＡパーマロイの磁気抵抗効果素子
３は真空蒸着法により、また、８１チＮ！パーマロイの
磁気７一ルド層５．８１４ＮＬパーマロイの磁性層７（
第５図、第６図）訃よび（４％ｌＶ１．　＋　７９％Ｎ
Ｌ）パーマａイの磁性／１７′はＤＣ対向スパッタリン
グ法にょシ夫々形成した。各部のパターニングに関して
は、通常のフォトエツチング法を用りた。

なお、上記夫々の実施列に：ｂ−いては、数値、材料、
製造方法などを具体的に示したが、本発明はこれらに特
に制限されるものではなく、また、マルチドアツク用に
限られるものではな−。

さらに、磁８．！ｔｓ板１は、基板としての機能を有し
て偽るが、磁気シールド層５とともに外部磁界に対する
シールド効果も奏するものである。

しかし、本発明は、かかる構成にとられれることなく、
特にマルチトンツク用の場合、基板を別個のものとし、
該基板上に各磁気抵抗効果素子毎に高透磁率磁性層を設
け、これと磁気シールド層とで各磁気抵抗効果素子毎に
磁気シールドしてもよｉｏ 〔発明の幼果〕 以上説明したように、本発明によれば、磁気シールド層
の反磁界係数を、そのチーブ摺動面に垂直な方向の幅を
等１的に増加させて減少せしめ、かつ、バイアス電流が
主として流れる断面積を小さく制限するものであるから
、該磁気シールド層に流れるバイアス踵流を大幅に小さ
くすることができ、このために、熱雑音の発生を抑圧す
ることができて再生信号のＳ／Ｎが大幅に向上し、上記
従来技術の欠点を除−で、優れた機能の磁気抵抗効果素
子生ヘッドを提供することができる。

４、図面の簡単な説明　・ 第１図は磁気抵抗効果素子の磁界の強さに対する抵抗値
を示す特性図ｓｌ／ｃ２図は電流バイアス方式磁気抵抗
効果戯再生ヘッドの作用を示す説明図、第６図（−）、
ｔｈ＞は従来の磁気抵抗効果素子生ヘッドの一例を示す
正面図〉よび断面図、第４図は第３図−）、（Ａ）の磁
気シールド層の反磁界係数と磁気抵抗効果素子を最適動
作点に設定するためのバイアス電流密度との関係を示す
グラフ図、ｙ８５図は本発明による磁気抵抗効果戴。

再生ヘッドの一実施例を示す断面図、第６図ないし第９
図は夫々本発明による磁気抵抗幼果減再生ヘツ、ドの他
の実施例を示す断面図である。

１・・・磁性基板　２・・・下部ギャップ３・・・磁気
抵抗効果素子　４・・・上部ギャップ５・・・磁気シー
ルド層　６・・・非磁性肥縁線ギャップ ７．７・・・磁性層。

代理人弁理士　高　ａ　ＢＡ　夫 第１　肥 鉋抗） 茅２図 第３図 （ｂ） →及慮岑保截 第　５図 〕ず５　乙　冴ゴ 第　７肥 事件の表示 昭和５８　年特許願第　１８６７５８　号発萌の一名称 磁気抵抗効果型再生ヘットゝ 補正をする者 事件との師　特許出願人 名　称　＋５１０１林式会社　日　立　製　イ乍　断状
　理　人 ２、Ｉ！ｒｌ！１４ｊｉ１１６行Ｏ「１５００Ｊ　ｔ”
　「１３ｏＪ　Ｋ訂正するＯ 五　同第１４貞第１７行の「ｏ、ｓｊを「５」に訂正す
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　高透磁率の？ａ−基板と磁気シールド層との間
   に設けられた磁気抵抗効果素子を最適動作点に設定中る
   ために、磁気シールド層に所定のバイアス電流を流すよ
   うにした磁気抵抗効果型再生ヘッドにおい”Ｃ１核磁気
   シールド層のテープ摺動面に垂直な方向の幅を等測的に
   私大する手段を有し、該磁気シールド層の反磁界係数を
   　３減少することができるように構成したことを特徴と
   する磁気抵抗効果型再生ヘッド。 （２、特許請求の範囲第（１）項において、前記手段は
   磁性層からなシ、該磁性層は、前記磁気シールド層に対
   し、前記テープ摺動面に垂直な方向に所定の間隔で配置
   したことを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。 （３）特許請求の範囲第（１）項において、前記手段は
   前記磁気シールド層よりも抵抗値が大きい磁性層からな
   り、該磁性層は、前記磁気シールド層に対し、前記テー
   プ摺動面に垂直な方向に配置され、ｄ＝り、前記磁気７
   一ルド層と一部重なって直接接合したことを特徴とする
   磁気抵抗効果型再生ヘッド。 （４）特許請求の範囲第（０項において、前記手段は前
   記磁性基板でちって、前記磁気シールド・層の少なぐと
   も一部が直接前記磁性基板に接合されてなることを特徴
   とする磁気抵抗効果を再生ヘッド。