JPH0152815B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0152815B2 JPH0152815B2 JP56068105A JP6810581A JPH0152815B2 JP H0152815 B2 JPH0152815 B2 JP H0152815B2 JP 56068105 A JP56068105 A JP 56068105A JP 6810581 A JP6810581 A JP 6810581A JP H0152815 B2 JPH0152815 B2 JP H0152815B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- recording medium
- magnetic recording
- thin film
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
Landscapes
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
- Lubricants (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高密度磁気記録用媒体に関するもので
ある。更に詳しくは、雑音レベルが少なく、かつ
データ読取における信号対雑音比の良い、特に高
密度記録での再生時のノイズレベルの少ない、薄
膜磁気記録媒体に係るものである。
ある。更に詳しくは、雑音レベルが少なく、かつ
データ読取における信号対雑音比の良い、特に高
密度記録での再生時のノイズレベルの少ない、薄
膜磁気記録媒体に係るものである。
現用の磁気記録における普通の記録媒体は、適
当な基材例えば厚さ数μｍ〜数10μｍの可撓性高
分子フイルム（ポリエステルフイルム等）の表面
上にγ−Fe2O3、Co−ドープ処理されたγ−
Fe2O3、CrO2又はFe等の強磁性粉末が有機結合
剤の中に分散したものを数μｍから約10μｍ程度
までの厚さとなるように塗布して磁気記録層を形
成せしめた積層体である。
当な基材例えば厚さ数μｍ〜数10μｍの可撓性高
分子フイルム（ポリエステルフイルム等）の表面
上にγ−Fe2O3、Co−ドープ処理されたγ−
Fe2O3、CrO2又はFe等の強磁性粉末が有機結合
剤の中に分散したものを数μｍから約10μｍ程度
までの厚さとなるように塗布して磁気記録層を形
成せしめた積層体である。
磁気記録技術に要求される改良として、所定面
積当りの記録密度を増加させることが要求されて
いる。デイスク、ドラムまたはテープの記録装置
に使用される磁気メモリー素子において、記録密
度の限界は、保磁界に対する減磁界の比率によつ
てきまる。また減磁界の強さは記録媒体層の飽和
磁化および厚さに関係している。そして、信号対
雑音比の許容水準達成のためには、充分な出力信
号を得ることのできる薄い記録媒体層を得ること
が必要である。記録媒体のＢ−Ｈカーブの飽和磁
束密度および角形比が高くなるにつれて達成が容
易となる。かかる意味において本発明の目的は、
高い保磁力を有し、角形比の良いヒステリシスル
ープをもち、かつ記録媒体層が薄く、しかも高い
残留磁気モーメントを有する磁気記録媒体を提供
しようとするもので、とりわけ雑音レベルが低
く、かつデータ読取時の信号対雑音比が良く、特
に高密度記録での再生時のノイズレベルの少ない
金属薄膜磁気記録媒体を提供しようとするもので
ある。
積当りの記録密度を増加させることが要求されて
いる。デイスク、ドラムまたはテープの記録装置
に使用される磁気メモリー素子において、記録密
度の限界は、保磁界に対する減磁界の比率によつ
てきまる。また減磁界の強さは記録媒体層の飽和
磁化および厚さに関係している。そして、信号対
雑音比の許容水準達成のためには、充分な出力信
号を得ることのできる薄い記録媒体層を得ること
が必要である。記録媒体のＢ−Ｈカーブの飽和磁
束密度および角形比が高くなるにつれて達成が容
易となる。かかる意味において本発明の目的は、
高い保磁力を有し、角形比の良いヒステリシスル
ープをもち、かつ記録媒体層が薄く、しかも高い
残留磁気モーメントを有する磁気記録媒体を提供
しようとするもので、とりわけ雑音レベルが低
く、かつデータ読取時の信号対雑音比が良く、特
に高密度記録での再生時のノイズレベルの少ない
金属薄膜磁気記録媒体を提供しようとするもので
ある。
近年高密度磁気記録用媒体として、バインダー
を用いず、磁気記録層として金属薄膜を真空蒸着
やスパツタリングの如き真空沈着法又はメツキ法
によつて非磁性支持体上に形成して、この強磁性
金属を薄膜磁気記録材としたものが提案されてい
る。例えばCoの蒸着テープ（特開昭54−147010
号公報）、Co−Cr合金からなる垂直磁化膜（特開
昭52−134706号公報）等が開示されている。この
ような蒸着、スパツタ又はイオンブレーテイング
等の薄膜形成手段によつて形成される金属薄膜
は、厚みが1.5μｍ以下で、磁性層の厚みが3μｍ以
上である従来の塗布型記録媒体と同等の性能が得
られる。ところで静的特性である保磁力Hc、ま
たはヒステリシスループの角形比のような磁気特
性は、用いられる非磁性支持体の表面状態にあま
り依存しないと考えられる。このような考えによ
つたものの例として米国特許3787327号明細書に
開示されたような真空蒸着によるCo−Crの多層
構造の例が挙げられる。しかしながら形成される
金属薄膜厚さが薄く、非磁性支持体の表面状態
（表面凹凸）がそのまま磁性膜の凹凸として発現
し、それが雑音の原因となることが欠点とされて
いた。
を用いず、磁気記録層として金属薄膜を真空蒸着
やスパツタリングの如き真空沈着法又はメツキ法
によつて非磁性支持体上に形成して、この強磁性
金属を薄膜磁気記録材としたものが提案されてい
る。例えばCoの蒸着テープ（特開昭54−147010
号公報）、Co−Cr合金からなる垂直磁化膜（特開
昭52−134706号公報）等が開示されている。この
ような蒸着、スパツタ又はイオンブレーテイング
等の薄膜形成手段によつて形成される金属薄膜
は、厚みが1.5μｍ以下で、磁性層の厚みが3μｍ以
上である従来の塗布型記録媒体と同等の性能が得
られる。ところで静的特性である保磁力Hc、ま
たはヒステリシスループの角形比のような磁気特
性は、用いられる非磁性支持体の表面状態にあま
り依存しないと考えられる。このような考えによ
つたものの例として米国特許3787327号明細書に
開示されたような真空蒸着によるCo−Crの多層
構造の例が挙げられる。しかしながら形成される
金属薄膜厚さが薄く、非磁性支持体の表面状態
（表面凹凸）がそのまま磁性膜の凹凸として発現
し、それが雑音の原因となることが欠点とされて
いた。
雑音の観点からは、非磁性支持体の表面状態が
出来るだけ平滑であることが好ましい。一方フイ
ルム巻取、巻出しといつたハンドリングの観点か
ら、フイルム表面が平滑であると、フイルム−フ
イルム相互の滑り性が悪くブロツキング現象が発
生し、製品にはなり得ず、ベースフイルム表面が
粗であることが要求される。
出来るだけ平滑であることが好ましい。一方フイ
ルム巻取、巻出しといつたハンドリングの観点か
ら、フイルム表面が平滑であると、フイルム−フ
イルム相互の滑り性が悪くブロツキング現象が発
生し、製品にはなり得ず、ベースフイルム表面が
粗であることが要求される。
電磁変換特性という観点からは非磁性支持体の
表面が平滑であることが要求され、ハンドリング
性の観点からは粗であることが要求される。これ
ら両者の二律相反する性質を同時に満足する非磁
性支持体からなる磁気記録媒体について鋭意検討
した結果本発明に到達したものである。
表面が平滑であることが要求され、ハンドリング
性の観点からは粗であることが要求される。これ
ら両者の二律相反する性質を同時に満足する非磁
性支持体からなる磁気記録媒体について鋭意検討
した結果本発明に到達したものである。
即ち、本発明は、強磁性体金属と非磁性支持体
とからなる磁気記録媒体であつて、該非磁性支持
体は共押出積層された配向ポリエチレンテレフタ
レートのフイルムよりなり、該フイルムの強磁性
体金属と接する表面Ａは表面粗さ〔CLA（単位・
μｍ）〕、最大突起高さ〔PV（単位・μｍ）〕及び
突起物の突起高さ〔ｈ（単位・μｍ）〕の個数〔単
位：個／mm2〕が次式 CLA≦0.008 …………(1) PV≦0.06 …………(2) 0.27＜ｈ≦0.54のもの0.2個／mm2以下
…………(3) を満足し、該フイルムの他の表面Ｂは滑剤層が設
けられていて、かつ該強磁性体金属は該フイルム
の表面Ａに真空沈着又はメツキされていること、
好ましくはこの膜厚が1.5μｍ以下であることを特
徴とする非磁性支持体表面に強磁性金属薄膜を担
持してなる金属薄膜磁気記録媒体である。
とからなる磁気記録媒体であつて、該非磁性支持
体は共押出積層された配向ポリエチレンテレフタ
レートのフイルムよりなり、該フイルムの強磁性
体金属と接する表面Ａは表面粗さ〔CLA（単位・
μｍ）〕、最大突起高さ〔PV（単位・μｍ）〕及び
突起物の突起高さ〔ｈ（単位・μｍ）〕の個数〔単
位：個／mm2〕が次式 CLA≦0.008 …………(1) PV≦0.06 …………(2) 0.27＜ｈ≦0.54のもの0.2個／mm2以下
…………(3) を満足し、該フイルムの他の表面Ｂは滑剤層が設
けられていて、かつ該強磁性体金属は該フイルム
の表面Ａに真空沈着又はメツキされていること、
好ましくはこの膜厚が1.5μｍ以下であることを特
徴とする非磁性支持体表面に強磁性金属薄膜を担
持してなる金属薄膜磁気記録媒体である。
本発明を説明する。
本発明では非磁性支持体としてポリエチレンテ
レフタレートを限定的に用いるものである。
レフタレートを限定的に用いるものである。
ここにポリエチレンテレフタレートは、共重合
されないポリエチレンテレフタレートホモポリマ
ーのみならず、繰り返し単位の数の85％以上がエ
チレンテレフタレート単位よりなり、残りが他の
成分であるような共重合ポリエチレンテレフタレ
ートを含む。
されないポリエチレンテレフタレートホモポリマ
ーのみならず、繰り返し単位の数の85％以上がエ
チレンテレフタレート単位よりなり、残りが他の
成分であるような共重合ポリエチレンテレフタレ
ートを含む。
磁性薄膜形成の手段は従来公知のすべての方法
が用いられるが、殊に真空蒸着法、イオンプレー
テイング法、スパツタ法、無電解メツキ法が好ま
しく使用できる。
が用いられるが、殊に真空蒸着法、イオンプレー
テイング法、スパツタ法、無電解メツキ法が好ま
しく使用できる。
真空蒸着法の場合には、10-4〜10-6Torrの真
空下でタングステンボートやアルミナハース中の
蒸着金属を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加
熱等により蒸発させ、上記支持体上に沈着せしめ
る。蒸着金属としてはFe、Ni、Co及びそれらの
合金が通常用いられる。また、本発明には、O2
雰囲気中でFeを蒸着させ酸化鉄薄膜を得る反応
蒸着法も適用できる。イオンプレーテイング法で
は、10-4〜10-3Torrの不活性ガスを主成とする
雰囲気中でDCグロー放電、RFグロー放電を起
し、放電中で金属を蒸発さす。不活性ガスとして
は通常Arが用いられる。スパツタ法では10-3〜
10-1TorrのArを主成分とする雰囲気中でグロー
放電を起し、生じたArイオンでターゲツト表面
の原子をたたき出す。グロー放電を起す方法とし
て直流２極、３極スパツタ法及び高周波スパツタ
法がある。又、マグネトロン放電を利用したマグ
ネトロンスパツタ法もある。無電解メツキ法では
Co−Ｐ、Co−Ni−Ｐメツキ膜がある。
空下でタングステンボートやアルミナハース中の
蒸着金属を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加
熱等により蒸発させ、上記支持体上に沈着せしめ
る。蒸着金属としてはFe、Ni、Co及びそれらの
合金が通常用いられる。また、本発明には、O2
雰囲気中でFeを蒸着させ酸化鉄薄膜を得る反応
蒸着法も適用できる。イオンプレーテイング法で
は、10-4〜10-3Torrの不活性ガスを主成とする
雰囲気中でDCグロー放電、RFグロー放電を起
し、放電中で金属を蒸発さす。不活性ガスとして
は通常Arが用いられる。スパツタ法では10-3〜
10-1TorrのArを主成分とする雰囲気中でグロー
放電を起し、生じたArイオンでターゲツト表面
の原子をたたき出す。グロー放電を起す方法とし
て直流２極、３極スパツタ法及び高周波スパツタ
法がある。又、マグネトロン放電を利用したマグ
ネトロンスパツタ法もある。無電解メツキ法では
Co−Ｐ、Co−Ni−Ｐメツキ膜がある。
本発明による磁気薄膜の厚さは高密度磁気記録
媒体として充分な信号出力を提供するものでなけ
ればならない。従つて磁気薄膜の厚さは薄膜形成
法、用途によつて異なるが、一般に0.02〜1.5μｍ
（200〜15000Å）の間にあることが好ましい。
媒体として充分な信号出力を提供するものでなけ
ればならない。従つて磁気薄膜の厚さは薄膜形成
法、用途によつて異なるが、一般に0.02〜1.5μｍ
（200〜15000Å）の間にあることが好ましい。
オーデイオ、ビデオ、コンピユーター等の長手
記録用磁気薄膜の形成法としては、蒸着（熱蒸
着、電子ーム蒸着等）、スパツタリング（２極直
流スパツタリング、高周波スパツタリング等）の
方法が挙げられる。蒸着の場合磁化容易軸をテー
プ水平方向に発現するようCo等の強磁性体金属
を非磁性のプラスチツク支持体に対し連続的に斜
方蒸着を行い、繰り返し積層することによつて、
結晶磁気異方性、形状異方性をテープ水平方向に
発現させるものである。従つてトータルとしての
金属薄膜厚さは、0.02〜0.5μｍ（200〜5000Å）
程度であることが良い。また、上述の如きオーデ
イオ、ビデオ、コンピユーター等の長手記録用の
他に、高密度デジタル記録が可能な方法として
PCM、フレキシブルデイスク用に、磁化容易軸
を非磁性支持体の垂直方向に発現するよう、例え
ばCoにCrを適当量混入（10〜20％）して、発生
する減磁界を抑えて垂直方向に磁化容易軸を発現
させ、基盤面に対し垂直方向に記録を行う垂直磁
気記録法も適用できる。
記録用磁気薄膜の形成法としては、蒸着（熱蒸
着、電子ーム蒸着等）、スパツタリング（２極直
流スパツタリング、高周波スパツタリング等）の
方法が挙げられる。蒸着の場合磁化容易軸をテー
プ水平方向に発現するようCo等の強磁性体金属
を非磁性のプラスチツク支持体に対し連続的に斜
方蒸着を行い、繰り返し積層することによつて、
結晶磁気異方性、形状異方性をテープ水平方向に
発現させるものである。従つてトータルとしての
金属薄膜厚さは、0.02〜0.5μｍ（200〜5000Å）
程度であることが良い。また、上述の如きオーデ
イオ、ビデオ、コンピユーター等の長手記録用の
他に、高密度デジタル記録が可能な方法として
PCM、フレキシブルデイスク用に、磁化容易軸
を非磁性支持体の垂直方向に発現するよう、例え
ばCoにCrを適当量混入（10〜20％）して、発生
する減磁界を抑えて垂直方向に磁化容易軸を発現
させ、基盤面に対し垂直方向に記録を行う垂直磁
気記録法も適用できる。
通常スパツタ法で0.2〜1.5μｍ厚みのCo〜Cr合
金が用いられる。この時非磁性支持体と、垂直方
向に磁化容易軸を有する磁気記録層の間にパーマ
ロイ（Fe−Ni）、スーパーマロイ等の高透磁率材
料からなる磁束集束体薄膜を配することができ
る。磁束集束体としての高透磁率材料はスパツタ
リングによつて形成され、膜厚は0.1〜1μｍ
（1000〜10000Å）の低保磁力（50Oe以下）薄膜
層である。このときの磁気記録層のCo−Cr膜厚
は、0.2〜1.5μｍ（2000〜15000Å）程度に形成す
るとよい。
金が用いられる。この時非磁性支持体と、垂直方
向に磁化容易軸を有する磁気記録層の間にパーマ
ロイ（Fe−Ni）、スーパーマロイ等の高透磁率材
料からなる磁束集束体薄膜を配することができ
る。磁束集束体としての高透磁率材料はスパツタ
リングによつて形成され、膜厚は0.1〜1μｍ
（1000〜10000Å）の低保磁力（50Oe以下）薄膜
層である。このときの磁気記録層のCo−Cr膜厚
は、0.2〜1.5μｍ（2000〜15000Å）程度に形成す
るとよい。
このように蒸着、スパツター等の手段で形成さ
れる金属薄膜厚さは最大1.5μｍと薄く、非磁性プ
ラスチツク支持体の表面状態がそのまま磁性膜の
凹凸として発現し、雑音の原因となる。雑音の観
点から非磁性プラスチツク支持体の表面が平滑で
あることが好ましい。
れる金属薄膜厚さは最大1.5μｍと薄く、非磁性プ
ラスチツク支持体の表面状態がそのまま磁性膜の
凹凸として発現し、雑音の原因となる。雑音の観
点から非磁性プラスチツク支持体の表面が平滑で
あることが好ましい。
配向ポリエチレンテレフタレート支持体の表面
Ａの平均的表面粗さCLA（単位・μｍ）が0.008μ
ｍ以下、最大突起高さ〔PV（単位・μｍ）〕が
0.06μｍ以下で、同時に突起物の突起高さ〔ｈ（単
位・μｍ）〕0.27＜ｈ≦0.54の範囲のものの個数
が0.2個／mm2以下であれば金属薄膜磁気記録媒体
とした時の雑音が飛躍的に減少し、ノイズレベル
は格段に優れる。好ましくは、平均的表面粗さ
CLAは、0.005μｍ以下、最大突起高さPVは0.05μ
ｍ以下であり、突起物の突起高さ0.27＜ｈ≦0.54
の範囲のものの個数は実質的に０個／mm2である。
CLA及びPVの下限は特に限定されないが、それ
ぞれ通常0.003μｍ及び0.01μｍ程度である。かか
るフイルム表面特性をフイルム表面Ａ、Ｂの両面
に付与した場合には、フイルム巻取・巻出などの
操作においてフイルム−フイルム相互の滑り性が
悪くブロツキング現象が発生して製品となり得な
い。そこで、フイルムの他の表面Ｂに滑り性を付
与するため水或いは溶剤を分散せしめた溶液を塗
布して滑剤層を形成する。
Ａの平均的表面粗さCLA（単位・μｍ）が0.008μ
ｍ以下、最大突起高さ〔PV（単位・μｍ）〕が
0.06μｍ以下で、同時に突起物の突起高さ〔ｈ（単
位・μｍ）〕0.27＜ｈ≦0.54の範囲のものの個数
が0.2個／mm2以下であれば金属薄膜磁気記録媒体
とした時の雑音が飛躍的に減少し、ノイズレベル
は格段に優れる。好ましくは、平均的表面粗さ
CLAは、0.005μｍ以下、最大突起高さPVは0.05μ
ｍ以下であり、突起物の突起高さ0.27＜ｈ≦0.54
の範囲のものの個数は実質的に０個／mm2である。
CLA及びPVの下限は特に限定されないが、それ
ぞれ通常0.003μｍ及び0.01μｍ程度である。かか
るフイルム表面特性をフイルム表面Ａ、Ｂの両面
に付与した場合には、フイルム巻取・巻出などの
操作においてフイルム−フイルム相互の滑り性が
悪くブロツキング現象が発生して製品となり得な
い。そこで、フイルムの他の表面Ｂに滑り性を付
与するため水或いは溶剤を分散せしめた溶液を塗
布して滑剤層を形成する。
本発明フイルムの表面Ａを構成する一成分は例
えばフイルム原料に用いるポリエチレンテレフタ
レート中に不活性無機化合物を添加したり、不溶
性触媒残渣を生成せしめたりする等の方法があ
る。最も好ましくは、光学的にフラツトな表面を
形成するポリエチレンテレフタレート単独が良
い。
えばフイルム原料に用いるポリエチレンテレフタ
レート中に不活性無機化合物を添加したり、不溶
性触媒残渣を生成せしめたりする等の方法があ
る。最も好ましくは、光学的にフラツトな表面を
形成するポリエチレンテレフタレート単独が良
い。
不活性無機化合物は、熱可塑性樹脂に対し不溶
性であり、かつ反応しない物質が含まれる。配合
される物質として、例えばMgO、ZnO、
MgCO3、CaCO3、CaSO4、BaSO4、Al2O3、
SiO2、TiO2、例えば代表例としてシリカ、カオ
リン、陶土、珪藻土、炭酸カルシウム、アルミノ
珪酸塩およびその水和物、テレフタール酸カルシ
ウム、その他カーボンブラツク、燐酸カルシウム
等が挙げられる。
性であり、かつ反応しない物質が含まれる。配合
される物質として、例えばMgO、ZnO、
MgCO3、CaCO3、CaSO4、BaSO4、Al2O3、
SiO2、TiO2、例えば代表例としてシリカ、カオ
リン、陶土、珪藻土、炭酸カルシウム、アルミノ
珪酸塩およびその水和物、テレフタール酸カルシ
ウム、その他カーボンブラツク、燐酸カルシウム
等が挙げられる。
所望とする表面特性は、添加する不活性化合物
の粒度、添加量、製膜条件を適宜組合せることで
得ることができる。粒度は、添加剤の粉砕および
混合操作を含むこの分野に精通した人々により行
うことのできる種々の方法で得ることができる。
例えば炭酸カルシウムの場合は、エチレングリコ
ールのスラリーとして、分級装置（例えば巴工業
社製Ｐ−660スーパーデカンター）等を用いて分
級すると得られる。テレフタール酸カルシウムの
場合は、せん断、圧縮、衝撃等の荷重を加えるこ
とにより適当な大きさの塊状粒子を得、分級する
ことによつて得られる。燐酸カルシウムの場合
は、市販の燐酸塩の分散液を調製し、サンド・ミ
ル中で分散燐酸塩を粉砕する。分散液は粉砕操作
を一回、又はそれ以上の回数反復してスラリ中の
添加剤の粒度を所望の粒度まで下げることにより
得ることができる。
の粒度、添加量、製膜条件を適宜組合せることで
得ることができる。粒度は、添加剤の粉砕および
混合操作を含むこの分野に精通した人々により行
うことのできる種々の方法で得ることができる。
例えば炭酸カルシウムの場合は、エチレングリコ
ールのスラリーとして、分級装置（例えば巴工業
社製Ｐ−660スーパーデカンター）等を用いて分
級すると得られる。テレフタール酸カルシウムの
場合は、せん断、圧縮、衝撃等の荷重を加えるこ
とにより適当な大きさの塊状粒子を得、分級する
ことによつて得られる。燐酸カルシウムの場合
は、市販の燐酸塩の分散液を調製し、サンド・ミ
ル中で分散燐酸塩を粉砕する。分散液は粉砕操作
を一回、又はそれ以上の回数反復してスラリ中の
添加剤の粒度を所望の粒度まで下げることにより
得ることができる。
不活性無機化合物の添加量は、粒径分布に依存
し、一般的に決められないが、通常0.01〜2wt％
が良い。好ましくは0.1〜1wt％が良い。
し、一般的に決められないが、通常0.01〜2wt％
が良い。好ましくは0.1〜1wt％が良い。
不活性無機化合物の粒径分布の好ましい範囲
は、粒径〔ｄ（単位・μｍ）〕比率が以下の式 ｄ＞1.5 ……… 0％ 1.5≧ｄ＞0.5 ……… 0〜 5％ 0.5≧ｄ＞0.2 ………20〜50％ 0.2≧ｄ ………45〜80％ で示される範囲にあることが好ましい。
は、粒径〔ｄ（単位・μｍ）〕比率が以下の式 ｄ＞1.5 ……… 0％ 1.5≧ｄ＞0.5 ……… 0〜 5％ 0.5≧ｄ＞0.2 ………20〜50％ 0.2≧ｄ ………45〜80％ で示される範囲にあることが好ましい。
不溶性触媒残渣は、例えばポリエステルにおい
てエステル交換触媒と安定剤との適当量の組合せ
によつて不溶性触媒残渣を形成し、ポリエステル
フイルム表面に凹凸を形成し、表面特性を制御す
るものである。最も好ましくは光学的にフラツト
な表面を形成するポリエチレンテレフタレート樹
脂を用いることが良い。
てエステル交換触媒と安定剤との適当量の組合せ
によつて不溶性触媒残渣を形成し、ポリエステル
フイルム表面に凹凸を形成し、表面特性を制御す
るものである。最も好ましくは光学的にフラツト
な表面を形成するポリエチレンテレフタレート樹
脂を用いることが良い。
配向ポリエチレンテレフタレートフイルムの他
の表面Ｂを構成する成分は、表面Ａの成分と同等
であつても異つていても良いが、表面粗度として
見た時、表面Ｂは表面Ａより粗であることが好ま
しい。フイルム表面に滑り性を付与するには水或
いは溶剤に滑剤を分散せしめた溶液を塗布するこ
とができる。このような処理により表面Ｂの表面
粗度が粗れている方が、粗れていない場合よりも
ベースフイルム（非磁性支持体）としての走行
性、耐摩耗性に優れている。
の表面Ｂを構成する成分は、表面Ａの成分と同等
であつても異つていても良いが、表面粗度として
見た時、表面Ｂは表面Ａより粗であることが好ま
しい。フイルム表面に滑り性を付与するには水或
いは溶剤に滑剤を分散せしめた溶液を塗布するこ
とができる。このような処理により表面Ｂの表面
粗度が粗れている方が、粗れていない場合よりも
ベースフイルム（非磁性支持体）としての走行
性、耐摩耗性に優れている。
非磁性支持体となるポリエチレンテレフタレー
トフイルムにおいて、表面Ａを構成する樹脂に、
表面Ｂを構成する樹脂を積層させる方法は共押出
方式で積層する方法であり、該共押出方法で押し
出し、二軸延伸することによつて配向フイルムと
することができる。この際表面Ａを構成するフイ
ルムの厚さは、積層フイルム全体の中で占める割
合は特に限定されないが、50〜90％とすることが
できる。
トフイルムにおいて、表面Ａを構成する樹脂に、
表面Ｂを構成する樹脂を積層させる方法は共押出
方式で積層する方法であり、該共押出方法で押し
出し、二軸延伸することによつて配向フイルムと
することができる。この際表面Ａを構成するフイ
ルムの厚さは、積層フイルム全体の中で占める割
合は特に限定されないが、50〜90％とすることが
できる。
共押出法で得られた積層厚膜は通常の方法で逐
次二軸延伸又は同時二軸延伸される。二軸延伸後
の積層フイルム全体の厚さは、用途に応じて異な
るが３〜100μｍ、好ましくは５〜50μｍである。
次二軸延伸又は同時二軸延伸される。二軸延伸後
の積層フイルム全体の厚さは、用途に応じて異な
るが３〜100μｍ、好ましくは５〜50μｍである。
このようにして得られた共押出積層配向ポリエ
チレンテレフタレートフイルムの表面Ｂに、水或
いは溶剤に滑剤を分散せしめた溶液を塗布して易
滑化処理を施す。溶液を塗布して滑り性を付与す
る方法は、従来公知のすべての方法が用いられる
が、例えば（滑剤＋高分子系バインダー十界面活
性剤）の水系或いは溶剤系溶液を未延伸、一軸延
伸又は二軸延伸したフイルムの表面Ｂに製膜時或
いはフイルム製膜後に塗布乾燥して滑り性を付与
することが出来る。
チレンテレフタレートフイルムの表面Ｂに、水或
いは溶剤に滑剤を分散せしめた溶液を塗布して易
滑化処理を施す。溶液を塗布して滑り性を付与す
る方法は、従来公知のすべての方法が用いられる
が、例えば（滑剤＋高分子系バインダー十界面活
性剤）の水系或いは溶剤系溶液を未延伸、一軸延
伸又は二軸延伸したフイルムの表面Ｂに製膜時或
いはフイルム製膜後に塗布乾燥して滑り性を付与
することが出来る。
滑剤としてはソルビタン等の有機滑剤；テトラ
フルオロエチレン、ポリエチレン等の有機高分子
滑剤；アルミナ、カオリン、シリカ、硫化モリブ
デン等の無機滑剤が挙げられる。
フルオロエチレン、ポリエチレン等の有機高分子
滑剤；アルミナ、カオリン、シリカ、硫化モリブ
デン等の無機滑剤が挙げられる。
高分子系バインダーとして、共重合ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリウレタン、ナイロン、メ
ラミン等が挙げられる。特にアクリル酸金属塩と
ポリエチレングリコールとポリエチレングリコー
ルジグリシジルエーテルとからなる水系組成物を
塗布して、反応によつて山脈状の微細な凹凸を有
するヒダを形成せしめたものが走行性、耐摩耗性
に優れているので好ましい。
ンテレフタレート、ポリウレタン、ナイロン、メ
ラミン等が挙げられる。特にアクリル酸金属塩と
ポリエチレングリコールとポリエチレングリコー
ルジグリシジルエーテルとからなる水系組成物を
塗布して、反応によつて山脈状の微細な凹凸を有
するヒダを形成せしめたものが走行性、耐摩耗性
に優れているので好ましい。
以下、不活性無機化合物の粒径構成比、その測
定法及びフイルム表面物性の測定法を示す。
定法及びフイルム表面物性の測定法を示す。
１ 不活性物質の粒径構成比
島津遠心沈降式粒度分布測定装置CP−50を用
いてストークス（Stokes）の式 Ｔ＝18ηh／Ｇ（ρp−ρo）×d2 〔但し、式中Ｔ：沈降時間（sec） η：媒質の粘度（ｇ/cm・sec＝
poise） ｈ：沈降距離（cm） Ｇ：重力の加速度（980cm/sec2） ρp：不活性物質の密度（ｇ/cm2） ρo：媒質の密度（ｇ/cm2） ｄ：不活性物質の粒径（直径・cm）〕 を用いて夫々の粒径に相当する沈降時間を算出
し、夫々の粒径の範囲に相当する沈降時間範囲を
求め、その沈降時間範囲内での不活性物質の重量
を求めて全不活性物質重量に対する割合を％で表
わし構成比とする。
いてストークス（Stokes）の式 Ｔ＝18ηh／Ｇ（ρp−ρo）×d2 〔但し、式中Ｔ：沈降時間（sec） η：媒質の粘度（ｇ/cm・sec＝
poise） ｈ：沈降距離（cm） Ｇ：重力の加速度（980cm/sec2） ρp：不活性物質の密度（ｇ/cm2） ρo：媒質の密度（ｇ/cm2） ｄ：不活性物質の粒径（直径・cm）〕 を用いて夫々の粒径に相当する沈降時間を算出
し、夫々の粒径の範囲に相当する沈降時間範囲を
求め、その沈降時間範囲内での不活性物質の重量
を求めて全不活性物質重量に対する割合を％で表
わし構成比とする。
２ CLA〔センター・ライン・アベレツジ
（Center Line Average・中心線平均粗さ）〕
JIS B0601に準じ、東京精密社(株)製の触針式表面
粗さ計（SURFCOM 3B）を使用して、針の半
径2μｍ、荷重0.07ｇの条件下にチヤートをかか
せ、フイルム表面粗さ曲線からその中心線の方向
に測定長さＬの部分を抜き取り、この抜き取り部
分の中心線をＸ軸、縦倍率の方向をＹ軸として、
粗さ曲線をＹ＝（ｘ）で表わした時、次の式で
与えられた値をμｍ単位で表わす。
JIS B0601に準じ、東京精密社(株)製の触針式表面
粗さ計（SURFCOM 3B）を使用して、針の半
径2μｍ、荷重0.07ｇの条件下にチヤートをかか
せ、フイルム表面粗さ曲線からその中心線の方向
に測定長さＬの部分を抜き取り、この抜き取り部
分の中心線をＸ軸、縦倍率の方向をＹ軸として、
粗さ曲線をＹ＝（ｘ）で表わした時、次の式で
与えられた値をμｍ単位で表わす。
RCLA＝１／Ｌ∫L｜（ｘ）｜dx
この測定は基準長を0.25mmとして８個測定し、
値の大きい方から３個除いた５個の平均値で表わ
す。
値の大きい方から３個除いた５個の平均値で表わ
す。
３ 表面突起数
表面を観察せんとするフイルム表面に400〜500
Å乃至それ以下の厚みにアルミニウムを均一に真
空蒸着し、反対の非蒸着面（フイルム面）にコロ
ジオン貼付けし、乾燥して後、可視単色光多重干
渉反射式顕微鏡（例えば、Carl Zeiss JENA社
製）を用い100倍で任意の10ヵ所を撮り、各写真
中の突起物の突起高さに対応する突起数を求め１
mm2当りに換算する。この時写真10枚の視野は1.55
mm2である。
Å乃至それ以下の厚みにアルミニウムを均一に真
空蒸着し、反対の非蒸着面（フイルム面）にコロ
ジオン貼付けし、乾燥して後、可視単色光多重干
渉反射式顕微鏡（例えば、Carl Zeiss JENA社
製）を用い100倍で任意の10ヵ所を撮り、各写真
中の突起物の突起高さに対応する突起数を求め１
mm2当りに換算する。この時写真10枚の視野は1.55
mm2である。
以下に実施例で説明するが、如何なる理由でも
これらの方法に限定されるものではない。
これらの方法に限定されるものではない。
実施例１〜３及び比較例１〜３
実施例１〜３、比較例１〜３の組成物はジメ
チルテレフタレート100部及びエチレングリコー
ル70部に触媒として酢酸亜鉛0.023部（0.020モル
％対ジメチルテレフタレート）を加え、150〜240
℃で４時間メタノールを留去しつつエステル交換
反応を行い、次いで安定剤（燐化合物のグリコー
ル溶液）を一旦常温まで冷却後、トリメチルホス
フエート換算で0.014部添加する。次に、重縮合
触媒として0.04部の三酸化アンチモンを添加し、
さらに表−１に記載した粒径および構成比を有す
る所定の不活性物質を所定量添加して、１mmHg
以下の高真空で４時間重縮合反応を行い〔η〕＝
0.65（ｏ−クロロフエノール溶媒、25℃測定）の
ポリエチレンテレフタレートを得た。
チルテレフタレート100部及びエチレングリコー
ル70部に触媒として酢酸亜鉛0.023部（0.020モル
％対ジメチルテレフタレート）を加え、150〜240
℃で４時間メタノールを留去しつつエステル交換
反応を行い、次いで安定剤（燐化合物のグリコー
ル溶液）を一旦常温まで冷却後、トリメチルホス
フエート換算で0.014部添加する。次に、重縮合
触媒として0.04部の三酸化アンチモンを添加し、
さらに表−１に記載した粒径および構成比を有す
る所定の不活性物質を所定量添加して、１mmHg
以下の高真空で４時間重縮合反応を行い〔η〕＝
0.65（ｏ−クロロフエノール溶媒、25℃測定）の
ポリエチレンテレフタレートを得た。
一方実施例１〜３、比較例１〜３の組成物
は、表１の組成物欄に記載の粒径および構成比
を有する所定の不活性物質を所定量添加した以外
は組成物で同様な方法で重縮合反応を行い
〔η〕＝0.65のポリエチレンテレフタレートを得
た。
は、表１の組成物欄に記載の粒径および構成比
を有する所定の不活性物質を所定量添加した以外
は組成物で同様な方法で重縮合反応を行い
〔η〕＝0.65のポリエチレンテレフタレートを得
た。
組成物と組成物の積層物各層の厚さ構成比
が、１：１となるよう共押し出しして厚さ210μ
ｍの未延伸フイルムを作成し、縦方向に90℃で
3.5倍、横方向に100℃で4.0倍、逐次二軸延伸を
行い、更に205℃で30秒間熱固定を行い厚さ15μ
ｍのフイルムを作製した。
が、１：１となるよう共押し出しして厚さ210μ
ｍの未延伸フイルムを作成し、縦方向に90℃で
3.5倍、横方向に100℃で4.0倍、逐次二軸延伸を
行い、更に205℃で30秒間熱固定を行い厚さ15μ
ｍのフイルムを作製した。
なお、２軸延伸フイルムは熱固定前に次の組成
の塗液をフイルム表面Ｂに塗布した（但し、比較
例３を除く）。
の塗液をフイルム表面Ｂに塗布した（但し、比較
例３を除く）。
塗液の組成：
Γアクリル酸アルミ（浅田化学K.K.P−３
）
2wt％溶液……12Kg
Γポリエチレングリコール（日本油脂製 分子量
19.000） 2wt％溶液…… ５Kg Γポリエチレングリコールジグリシジルエーテル （長瀬産業製 NEROIO ）2wt％溶液
……２Kg Γポリオキシエチレンノニルフエニルエーテル 2wt％溶液…… １Kg 塗布量はウエツトで約2.2ｇ/m2であり、固形分
として約0.0126ｇ/m2である。この様にして得ら
れたフイルムの滑り性は良好でブロツキングも発
生せず、良好に巻き取れた。
19.000） 2wt％溶液…… ５Kg Γポリエチレングリコールジグリシジルエーテル （長瀬産業製 NEROIO ）2wt％溶液
……２Kg Γポリオキシエチレンノニルフエニルエーテル 2wt％溶液…… １Kg 塗布量はウエツトで約2.2ｇ/m2であり、固形分
として約0.0126ｇ/m2である。この様にして得ら
れたフイルムの滑り性は良好でブロツキングも発
生せず、良好に巻き取れた。
このようにして得られたフイルムＡ面上に○
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 強磁性体金属と非磁性支持体とからなる磁気
記録媒体であつて、該非磁性支持体は共押出積層
配向ポリエチレンテレフタレートフイルムよりな
り、該フイルムの強磁性体金属と接する表面Ａは
表面粗さ〔CLA（単位・μｍ）〕、最大突起高さ
〔PV（単位・μｍ）〕及び突起物の突起高さ〔ｈ
（単位・μｍ）〕の個数〔単位：個／mm2〕が次式 CLA≦0.008 …(1) PV≦0.06 …(2) 0.27＜ｈ≦0.54のもの0.2個／mm2以下 …(3) を満足し、該フイルムの他の表面Ｂは滑剤層が塗
布されており、かつ該強磁性体金属は該フイルム
の表面Ａに真空沈着又はメツキされていることを
特徴とする非磁性支持体表面に強磁性金属薄膜を
担持した金属薄膜磁気記録媒体。 ２ フイルム表面Ａの表面粗さ、最大突起高さ及
び突起高さｈの突起頻度が次式 CLA≦0.005 （１−ａ） PV≦0.05 （２−ａ） 0.27＜ｈ≦0.54のもの０個／mm2 （３−ａ） で示される範囲にある特許請求の範囲第１項記載
の金属薄膜磁気記録媒体。 ３ 強磁性体金属の膜厚が1.5μｍ以下である特許
請求の範囲第１項又は第２項記載の金属薄膜磁気
記録媒体。 ４ フイルム表面Ｂに塗布された滑剤層がポリエ
チレングリコールとポリエチレングリコールジグ
リシジルエーテルとからなる組成物であつて微細
な凹凸を形成してなる特許請求の範囲第１項記載
の金属薄膜磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56068105A JPS57195321A (en) | 1981-05-08 | 1981-05-08 | Metallic thin film magnetic recording medium |
| EP82102671A EP0061769B1 (en) | 1981-03-30 | 1982-03-30 | Magnetic recording medium |
| DE8282102671T DE3275959D1 (en) | 1981-03-30 | 1982-03-30 | Magnetic recording medium |
| US06/570,435 US4505966A (en) | 1981-03-30 | 1984-01-16 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56068105A JPS57195321A (en) | 1981-05-08 | 1981-05-08 | Metallic thin film magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57195321A JPS57195321A (en) | 1982-12-01 |
| JPH0152815B2 true JPH0152815B2 (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=13364120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56068105A Granted JPS57195321A (en) | 1981-03-30 | 1981-05-08 | Metallic thin film magnetic recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57195321A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0109667B1 (en) * | 1982-11-19 | 1987-04-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| JP2646522B2 (ja) * | 1983-03-28 | 1997-08-27 | 東レ株式会社 | 積層フイルム |
| JPS60127523A (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-08 | Toray Ind Inc | 高密度記録媒体用ベ−スフイルム |
| JPS60191430A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-28 | Diafoil Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH0677308B2 (ja) * | 1984-06-19 | 1994-09-28 | 東レ株式会社 | 磁気記録媒体用ポリエステルフイルム |
| JPH0679844B2 (ja) * | 1986-06-11 | 1994-10-12 | 東レ株式会社 | 磁気記録媒体用ポリエステルフイルムならびにその製造方法 |
| JPH01247162A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-03 | Toray Ind Inc | 高密度記録媒体用ベースフィルム |
| JP2001243616A (ja) | 1999-12-24 | 2001-09-07 | Toray Ind Inc | 磁気記録媒体用ポリエステルフィルムおよび磁気記録テープ |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5240848B2 (ja) * | 1972-11-20 | 1977-10-14 | ||
| JPS5644488B2 (ja) * | 1974-05-15 | 1981-10-20 | ||
| JPS585452B2 (ja) * | 1975-08-28 | 1983-01-31 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPS5939308B2 (ja) * | 1976-01-07 | 1984-09-21 | 東レ株式会社 | 表面の改質されたポリエステルフイルム |
| JPS5341355A (en) * | 1976-09-29 | 1978-04-14 | Toray Ind Inc | Biaxilialy streched polyester film |
| JPS5938898B2 (ja) * | 1977-04-15 | 1984-09-19 | 東レ株式会社 | 表面の改質されたポリエステルフイルム |
| JPS5415979A (en) * | 1977-07-06 | 1979-02-06 | Teijin Ltd | Polyester film |
| JPS5417981A (en) * | 1977-07-11 | 1979-02-09 | Teijin Ltd | Oriented polyester film for photosensive recorder |
| JPS5435267A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Juicer |
| JPS6039022B2 (ja) * | 1977-09-06 | 1985-09-04 | 東レ株式会社 | ポリエステルフイルム |
| JPS6035267B2 (ja) * | 1978-01-09 | 1985-08-13 | 東レ株式会社 | 表面の改質されたポリエステルフイルム |
| JPS54123923A (en) * | 1978-03-17 | 1979-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS5515770A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-04 | Kawakami Kagaku Kogyo Kk | Beverage capable of changing its color tone instantaneously, and its container |
-
1981
- 1981-05-08 JP JP56068105A patent/JPS57195321A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57195321A (en) | 1982-12-01 |
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