JPS6079528A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、磁気記録媒体、特にいわゆる斜め蒸着法によ
る連続薄膜型の磁性層を有する磁気−記録媒体に関する
。　。

先行技術とその問題点 ビデオ用、オーディオ用等の磁気記録媒体として、テー
プ化して巻回したときのコンパクト性から、連続薄膜型
の磁性層を有するものの開発が活発に行われている。

このような連続薄膜型の媒体の磁性層としては、特性上
、基体法線に対し所定の傾斜角にて蒸着を行う、いわゆ
る斜め蒸着法によって形成したＣ０１Ｃｏ−’Ｎｉ、Ｃ
ｏ−０、Ｃｏ−Ｎｉ−０系等の蒸着膜が最も好適である
。

しかし、このような磁性層は、走行摩擦が大きく、膜強
度が低く、ヘッドタッチも悪く、特に走行耐久性が低く
、くりかえし走行によって出力が低下してしまう。

また、ビデオ用の媒体では、スチルと称される静止画像
モードでの耐久時間が小さい。

さらに、いわゆるドロップアウトも多い。

このような実状から、従来、斜め蒸着膜磁性層のトップ
コート膜が種々提案されている。

例えば、直鎖の飽和脂肪酸−いしそのエステルの蒸着膜
や塗布膜（特開昭５３−８８７０４号公報、同５５−Ｅ
１３５３３号公報等）等であ・る。

しかし、従来のトップコート膜はいずれも、上記走行耐
久性、スチル特性、ドロップアウト等の点で、未だ不十
分な結果しかえられていな□ い。

■　発明の目的 本発明は、このような実状に鑑みなされたものであって
、その主たる目的は、走行摩擦が小れ、走行耐久性、ス
チル耐久−一高く１、ドロップアウトの発生の少ない、
新規なトップコート膜を有する連続薄膜型の磁性層をも
つ磁気記録媒体を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち本発明は、 基体上に連続薄膜型の磁性層を有し、この磁性層上に、
下記式で示される化合物からなる膜を有すること”を特
徴とする磁気記録媒体である。

式　Ｒ２ Ｒ１−Ｎ−Ｒ３ （上記式において。

Ｒ１は、炭素原子数１０〜２２のアルキル基であり、′ Ｒ２は、アルキル基であり、 Ｒ３は、水素またはアルキル基である。）なお、本発明
者らは上記式において、Ｒ１＝Ｒ２＝Ｈのモノ直鎖飽和
アルキルアミンをトップコート膜に用いる旨を、この出
願の先願として提案しているが、本発明は、この先の提
案と同等の効果を有するものである。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の磁気記録媒体は、基体上に磁性層を有する。

磁性層は、連続薄膜型の種々のものであってよく、通常
、コバルト、ニッケルあるいはこれらを主成分とする。

この場合、本発明においては、Ｃｏを必須成分とし、Ｃ
ｏ　、Ｃｏ＋Ｎｉ　、Ｃｏ＋Ｏ，またはＣｏ＋Ｎｉ＋Ｏ
からなることが好ましい。

すなわち、Ｃｏ単独からなってもよく、Ｃ。

とＮｉとからなってもよい。

Ｃｏ＋Ｎ　ｉである場合、Ｃｏ　／　Ｎ　ｉの重量比は
、１．５以上であることが好ましい。

さらに、ＣｏまたはＣｏ＋Ｎｉに加え、０が含まれてい
てもよい、　０が含まれたときには、電磁変換特性や走
行耐久性の点で、より好このような場合、Ｏ／Ｃｏ（Ｎ
ｉが含まれない場合）あるいはＯ／（Ｃｏ＋Ｎｉ）の原
子比は、０．４５以下、特に０．１５〜０．４−１？あ
ることが好ましい。

一方、磁性層中には、　Ｃｏ、Ｇｏ＋Ｎｉ。

Ｃｏ＋ＯあるいはＣｏ＋Ｎｉ＋Ｏに加え、Ｃｒが含有さ
れると、より一層好ましい結果を得る。

これは、電磁変換特性が向上し、出力およびＳ／Ｎ比が
向上し、さらに膜強度が向上するからである。

このような場合、Ｃｒ／Ｃｏ（Ｎｉが含まれない場合）
あるいはＣｒ／（Ｃｏ＋Ｎ１）（７）重量比は、０．０
０１〜０．１であることが好ましい。

この場合、Ｃｒ　／　ＣｏあるいはＣｒ／（Ｃ。

＋Ｎ１）ｃ７）重量比は、ｏ　、００５〜ｏ　、０５で
あると、より一層好ましい結果を得る。

なお、このような磁性層中には、さらに他の微量成分、
特に遷移金属元素、例えば、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｍｏ。

ｗ、Ｔｔ　、Ｃｕ、Ｚｎ等が含まれていてちょこのよう
な磁性層は、通常、基体主面の法線に対して傾斜した柱
状結晶構造の粒子の集合体であることが好ましい。　こ
れにより、電磁変換特性が向上する。

このような場合、柱状結晶構造の粒子は、基体の主面の
法線に対して、２０〜６０°の範囲で傾斜していること
が好ましい。

また、各柱状結晶粒子は１通常、輯磁性層の厚さ方向全
域に亘る長さをもち、その短径は、５０〜５００λ程度
とされる。

そして、Ｃｏと必要に応じ添加されるＮｉ。

Ｃｒ等は、この柱状結晶自体を構成するものであり、０
が添加されたとき、Ｏは通常、各柱状結晶粒子の表面に
、主として酸化物の形で存在している。

このような磁性層は、通常、０．０５〜０゜５弘鵬の厚
さに形成される。

この場合、磁性層は、基体上に直接設けられていてもよ
く、あるいは基体上に下地層を介して設けられていても
よい。

また、磁性層は通常、単一の層として形成されるが、場
合によっては中間層を介して、複数の層を積層して形成
されていてもよい。

このような磁性層は、通常、斜め蒸着法によって形成さ
れる。

用いる斜め蒸着法としては、公知の斜め蒸着法を用いれ
ばよく、基体法線に対する入射角の最小値は、３０°以
上とすることが好ましい。

なお、蒸着条件および後処理法等は、公知の条件および
方法に従えばよい、　この場合、有効な後処理法として
は、磁性層中への０導入のための公知の各種処理法等が
ある。

このような磁性層上には、上記式に示されるジないしト
リアルキルアミンからなる膜が形成上記式において、Ｒ
１は、炭素原子数ｌθ〜２２の直鎖の飽和アルキル基で
ある。

Ｒ１の炭素原子数が１０未満となると、臨界的に走行摩
擦が大きくなってしまい、しかも走行耐久性、スチル耐
久性が臨界的に減少し、ドロップアウトも臨界的に増大
してしまう。

また、Ｒ１の炭素原子数が２２をこえると、臨界的にド
ロップアウトが増大する。

このような条件の下で、Ｒ１およびＲ２（ジアルキルア
ミン）、ならびにＲ１ｐ　Ｒ２およびＲ３（トリアルキ
ルアミン）の炭素原子数の総和は４４以下、すなわち１
１（ジアルキルアミン）または１２（トリアルキルアミ
ン）〜４４であることが好ましい。

総和が１１または１２未満となると、走行摩擦、ドロッ
プアウトが増大し、走行耐久性、スチル耐久性が低下し
、４４をこえると、ドロップアウトが増大する。

このような場合、ジアルキルアミン（Ｒ３＝Ｈ）におい
ては、Ｒ１およびＲ２の炭素原子数また、トリアルキル
アミン（Ｒ３＝アルキル）においては、Ｒ１とＲ２の炭
−原子数の総和が１１〜４０、特に１９〜３４であり、
Ｒ１とＲ２とＲ３の炭素原子数゛の総和□が１１〜４４
、特に２０〜４４であることが好ましい。

なお、これら各アルキル基は、ヒドロキシ基、アルキル
基、アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アル
コキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、アシ
ル基、アシルアミノ基、カルバモイル基、アルキルスル
ホニルアミノ基、スルファモイル基、スルホニル基など
で置換されていてもよいが、通常は非置換のものである
。

ま□た、各アルキル基は、分岐のものであってもよいが
、直鎖のものが好適である。

これら各化合物は、公知の方法に従い合成して用いても
よく、また市販のものを用いてもよい」 また、化合物の２種以上Ｓ−して用し）てもよい。

次に、上記式で示されるジないしドリアフレキルアミン
の具体例を挙げる。

１上　ＬＬ　ＬＬ （１）　ＣＩＯＨ２１ＣｔｏＨ２１Ｈ ＣＨＨ Ｃ２）Ｃ１２Ｈ２５１２２５ （３）　ＣＨＣ１，Ｈ，，８Ｈ ４２Ｂ ＣＭ　Ｈ （４）Ｃ１８”３３　１８　３３ （５）Ｃ１８Ｈ３□　Ｃｌ８Ｈ３７Ｈ ゛（６）Ｃ２ｏＨ４、Ｃ２ｏＨ４、Ｈ ＣＨＨ。

（７）　Ｃｌ８Ｈ３３１４２９ （８）　Ｃｌ８Ｈ３３Ｃ３Ｈ１、Ｈ ＣＨ （９）　Ｃ１６Ｈ３３Ｃ１４Ｈ２８５１１ＣＨＣ１２Ｈ
２５ （１０）Ｃ１２Ｈ２５１２２５ （１１）　Ｃ１６Ｈ３３Ｃ２Ｈ５Ｃ２Ｈ３（１２）　Ｃ
１６Ｈ３３Ｃ３Ｈ７Ｃ３Ｈ７どのようなジないしトリア
ルキルアミンからなるトップコート膜は、単分子層以上
、０．３終ｍ以下、より好ましくは０．００５〜０．Ｉ
ＩＬ鵬の厚さとされる。

そして、このようなトップコート膜は、蒸着ない・しス
パッタリングによって形成することが好ま：しい。

蒸：着ないしスパッタリングによら１ず、塗布等による
ときには、膜厚をうずくして、しかも均一な□厚さで設
層するドとがむずかし□い。

なお、蒸着ないしスパッタリング□の際の条件は、公知
の条件に従えばよい、′ 用いる基体には特に制限はないが□、特に可とう性の基
体、特にポリエステル、ポリイミド。

ポリプロピレン等の樹脂製のもので□あること一一好ま
しい。

また、その厚さは、種々のもので□あってよいが、特に
５〜２０１Ｌ■であることが１好ましい。

そして、その磁性層形成面の裏面□の表面あらさ高さの
ＲＭＳ値は、０．０５ｐ自以上であることが好ましい。

これにより、電磁変換特性が向上する。

■　発明の具体的作用効果 本発明の磁気記録媒体は、ビデオ用、オーディオ用等の
磁気記録媒体として有用である。

本発明によれば、炭素原子数１０〜２２のアルキル基を
有するジないしトリアルキルアミンからなるトップコー
ト膜を用いるので、走行摩擦が臨界的に減少する。

また、その膜強度、潤滑性、ヘッドタッチ性もきわめて
高い。

このため、走行耐久性、メチル耐久性が臨界的に向上し
、ドロップアウトが臨界的に減少する。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例 Ｃｏ／Ｎ　ｉの重量比４／ｌのＣｏＮｉ合金、およびＣ
ｏ　／　Ｎ　ｉ　／　Ｃｒ　１７）重量比が７５／２０
１５のＣｏＮｉＣｒ合金を用い、１１０７Ｌ厚のポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、それぞ
れ斜め蒸着法により、磁性層を０．２ｐｍ厚にて形成し
、サンプルＡ、およびＢ、を作製した。

斜め蒸着における入射角は４５°とし、蒸着雰囲気は、
Ｐ　＝２ＸｌＯ−２Ｐａ、Ｐ　＝ＩＡｒ　０２ Ｘ　１０−２Ｐ　ａとした。

得られた磁性層は、ともに対応する合金の組成をもち、
ともにＯ／　（Ｃｏ＋Ｎ１）＝０．２（原子比）であり
、基体主面法線に対し、約４００傾斜した、短径０　、
０１　ＪＬｍの厚さ方向全域に亘って成長した柱状結晶
粒子の集合体であった。

また、イオンミリングを行いながらオージェ分光分析を
行ったところ、ＣＯは表面近くで少なく、また０は化学
シフトしており、しかも表面近くに多いプロファイルを
もち、０が柱状粒子の表面に金属と結合した状態で存在
している・ことが確認された。

次いで、上記ＡＯおよびＢＯの磁性層上に、各種有機化
合物を蒸発源として、Ｐ　Ａ　ｒ＝４　Ｘ　１０−３　
Ｐ　ａの雰囲気にて、０　、　Ｏｌ　ｕｓ厚の表１に示
されるトップコート膜を形成して、サンプルＡ１〜Ａｌ
ｊ　およびＢ１〜ＢＹを得た。

これら各サンプルにつき、以下の測定を行った。

ｌ）　走行摩擦 サンプルの動摩擦係数ｐを、４０℃、相対湿度８０％で
、初期と５０パス後に測定した。

２）　走行耐久性 各サンプルに対し、市販のＶＴＲ装置を用いて５０バス
試験を行い、４　ＭＨｚの信号の減少量（ｄＢ）を測定
した。

３）　スチル耐久性 市販のＶＴＲ装置で、スチルモードにて画像が消失する
に至る時間（分）を測定した。

４）　ドロップアウト １分間あたりの１６ｄＢ以上の出力低下（個／分）を測
定した。

これらの結果を表１に示す。

表１に示される結果から、本発明による臨界的効果があ
きらかである。

出願人　ティーディーケイ株式会社 代理人　弁理士　石　井　陽　−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　基体上に連続薄ＩＩＩ型の磁性層を有し、　゛
   この磁性層上に、下記式で示される化合物からなる膜を
   有することを特徴とする磁気記録媒体。 式　Ｒ２ Ｒ１−Ｎ−Ｒ３ （上記式において、 Ｒ１は、炭素原子数１０〜２２のアルキル基であり、 Ｒ２は、アルキル基であり、 Ｒ３は、水素またはアルキル基である。）（２）　ＲＩ
   およびＲ２，またはＲ１，Ｒ２およびＲ３のアルキル基
   の炭素原子数の総和が、４４以下である特許請求の範囲
   第１項に記載の磁気記録媒体。 （３）　Ｒ１のアルキル基が、直鎖である特許請求の範
   囲第１項または第２項に記載の磁気記録媒体。 （４）　、Ｒ’２．またはＲ２およびＲ３が、直鎖のア
   ルキル基である特許請求の範囲第１項ないし第３項のい
   ずれかに記載の磁気記録媒体。 （５）　膜が、蒸着ないしスパッタリング膜である特許
   請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の磁気
   記録媒体。 （６）ｌ！Ｊの厚さが、０．３用ｍ以下である特許請求
   の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の磁気記録
   媒体。 （７）　磁性層が、Ｃｏ、またはＣＯならびにＮｉ　、
   Ｃｒおよび０のうちの１〜３種を含む特許請求の範囲第
   １項ない゛し第６項のいずれかに記載の磁気記録媒体。 （８）　磁性層が、Ｎｉを含み、Ｃｏ　／　Ｎ　ｉの重
   量比が１．５以上である特許請求の範囲第７項に記載の
   磁気記録媒体。 （９）　磁性層が、Ｃｒを含み、Ｃｒ／（Ｃ。 またはＣｏ　＋　Ｎ　ｔ、）の重量比が０．００１〜０
   ．１である特許請求の範囲第７項または第８項に記載の
   磁気記録媒体。 （ｌＯ）　磁性層が、０を含み、Ｏ／（ＣｏまたはＣｏ
   ＋Ｎｉ）の原子比が０．４５以下である特許請求の範囲
   第７項ないし第９項のいずれかに記載の磁気記録媒体。 （１１）　磁性層が、基体法線に対して傾斜した柱状結
   晶構造粒子の集合体である特許請求の範囲第１項ないし
   第１θ項のいずれかに記載の磁気記録媒体。 （１２）　磁性層の厚さが、０．０５〜０．５７Ｌ＋ｉ
   である特許請求の範囲第１項ないし第１１項のいずれか
   に記載の磁気記録媒体。