JPS6087431A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■ 発明の背景
技術分野
本発明は、磁気記録媒体、特に連続薄膜型の磁性層を有
する磁気記録媒体のトップコート膜の改良に関する。
する磁気記録媒体のトップコート膜の改良に関する。
先行技術とその問題点
ビデオ用、オーディオ用等の磁気記録媒体として、テー
プ化して巻回したときのコンパクト性から、連続薄膜型
の磁性層を有するものの開発が活発に行われている。
プ化して巻回したときのコンパクト性から、連続薄膜型
の磁性層を有するものの開発が活発に行われている。
このような連続薄膜型の媒体の磁性層としては、特性上
、基体法線に対し所定の傾斜角にて蒸着を行う、いわゆ
る斜め蒸着法によって形成したCo、Co−Ni、Co
−0、Co−Ni−〇系等の蒸着膜が最も好適である。
、基体法線に対し所定の傾斜角にて蒸着を行う、いわゆ
る斜め蒸着法によって形成したCo、Co−Ni、Co
−0、Co−Ni−〇系等の蒸着膜が最も好適である。
しかし、このような磁性層は、走行摩擦が大きく、膜強
度が低く、ヘッドタッチも悪く、特に、走行耐久性が低
く、くりかえし走行によって出力が低下してしまう。
度が低く、ヘッドタッチも悪く、特に、走行耐久性が低
く、くりかえし走行によって出力が低下してしまう。
また、ビデオ用の媒体では、スチルと称される静止画像
モードでの耐久時間が小さい。
モードでの耐久時間が小さい。
さらに、いわゆるドロップアウトも多い。
このような実状から、従来;斜め蒸着膜磁性層のトップ
コート膜が種々提案されている。
コート膜が種々提案されている。
例えば、直鎖の飽和脂肪酸ないしそのエステルの蒸着膜
や塗布膜(特開昭53−88704号公報、同55−9
3!i33号公報等)等である。
や塗布膜(特開昭53−88704号公報、同55−9
3!i33号公報等)等である。
しかし、従来のトップコート膜はいずれも、上記走行耐
久性、スチル特性、ドロップアウト等の点で、未だ不十
分な結果しかえられていない。
久性、スチル特性、ドロップアウト等の点で、未だ不十
分な結果しかえられていない。
II 発明の目的
本発明は、このような実状に鑑みなされたものであって
、その主たる目的は、走行摩擦が小さく、膜強度、潤滑
性、ヘッドタッチ性にすぐれ、走行耐久性、スチル耐久
性が高く、ドロップアウトの発生の少ない、新規なトッ
プコート膜を有する連続薄膜型の磁性層をもつ磁気記録
媒体を提供することにある。
、その主たる目的は、走行摩擦が小さく、膜強度、潤滑
性、ヘッドタッチ性にすぐれ、走行耐久性、スチル耐久
性が高く、ドロップアウトの発生の少ない、新規なトッ
プコート膜を有する連続薄膜型の磁性層をもつ磁気記録
媒体を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち本発明は、
基体上に連続薄膜型の磁性層を有し、この磁性層上に、
下記式で示される化合物からなる膜を有することを特徴
とする磁気記録媒体である。
下記式で示される化合物からなる膜を有することを特徴
とする磁気記録媒体である。
式
(上記式において、
Rは、炭素原子数6〜20の置換または非置換のアリー
ル基、アルキルアリール基、アリールアルキル基または
アルキルアリールアルキル基を表わし、 YlおよびY2は、互いに同一・であっても異なってい
てもよく、それぞれ、水素原子、カチオンまたは置換も
しくは非置換のアルキル基もしくはアリール基を表わす
が、YlおよびY2がともにカチオンであるときには、
Y、とY2が−Hになって2価のカチオンとなってもよ
い。) なお、本発明者らは、上記式において、Rが直鎖のアル
キル基である化合物をトップコート膜に用いる旨を、こ
の出願の先願として提案している(特願昭57−234
818号)が、上記式で示される化合物は、この先の提
案のものと同等の効果をもつものである。
ル基、アルキルアリール基、アリールアルキル基または
アルキルアリールアルキル基を表わし、 YlおよびY2は、互いに同一・であっても異なってい
てもよく、それぞれ、水素原子、カチオンまたは置換も
しくは非置換のアルキル基もしくはアリール基を表わす
が、YlおよびY2がともにカチオンであるときには、
Y、とY2が−Hになって2価のカチオンとなってもよ
い。) なお、本発明者らは、上記式において、Rが直鎖のアル
キル基である化合物をトップコート膜に用いる旨を、こ
の出願の先願として提案している(特願昭57−234
818号)が、上記式で示される化合物は、この先の提
案のものと同等の効果をもつものである。
■ 発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成についてi;T細に説明する
。
。
本発明の磁気記録媒体は、基体キに磁性層を有する。
磁性層は、連続薄膜型の種々のものであってよく1通常
、コバルト、ニッケルあるいはこれらを主成分とする。
、コバルト、ニッケルあるいはこれらを主成分とする。
この場合、本発明においては、COを必須成分とし、C
o 、Co十Ni 、Co+O,またはCo+Ni+O
からなることが好ましい。
o 、Co十Ni 、Co+O,またはCo+Ni+O
からなることが好ましい。
すなわち、Co単独からなってもよく、C。
とNiとからなってもよい。
Co+Niである場合、Co / N i (7)重量
比は、1゜5以上であることが好ましい。
比は、1゜5以上であることが好ましい。
さらに、COまたはCo+Niに加え、0が含まれてい
てもよい。 ○が含まれたときには、電磁変換特性や走
行耐久性の点で、より好ましい結果をうる。
てもよい。 ○が含まれたときには、電磁変換特性や走
行耐久性の点で、より好ましい結果をうる。
このような場合、O/Co(Niか含まれない場合)あ
るいはO/(Co+Ni)の原子比は、0.45以下、
特に0.15〜0.4であることが好ましい。
るいはO/(Co+Ni)の原子比は、0.45以下、
特に0.15〜0.4であることが好ましい。
一方、磁性層中には、Co、Co+Ni。
Co+OあるいはCo+Ni+Oに加え、Crが含有さ
れると、より一層好ましい結果を得る。
れると、より一層好ましい結果を得る。
これは、電磁変換特性が向上し、出力およびS/N比が
向上し、さらに1り強度が向上するからである。
向上し、さらに1り強度が向上するからである。
このような場合、Cr / Co (N iが含まれな
い場合)あるいはCr/(Co+Ni)の重量比は、0
.001〜0.1であることが好ましい。
い場合)あるいはCr/(Co+Ni)の重量比は、0
.001〜0.1であることが好ましい。
この場合、Cr / CoあるいはCr/(C,。
+Ni)の重、量比は、0.005〜0.05であると
、より一層好ましい結果を得る。
、より一層好ましい結果を得る。
なお、このような磁性層中には、さらに、他の微量成分
、特に遷移金属元素、例えば。
、特に遷移金属元素、例えば。
F e 、 M n 、 V 、 Z r 、 N b
、 T a 、 M o 。
、 T a 、 M o 。
W 、 T i 、 Cu 、 Z n等が含まれてい
てもよい。
てもよい。
このような磁性層は、基体主面の法線に対して傾斜した
柱状結晶構造の粒子の集1合体であることが好ましい。
柱状結晶構造の粒子の集1合体であることが好ましい。
これにより、電磁変換特性が向上する。
このような場合、柱状結晶構造の粒子は、基体の主面の
法線に対して、20〜60°の範囲で傾斜していること
が好ましい。
法線に対して、20〜60°の範囲で傾斜していること
が好ましい。
また、各柱状結晶粒子は1通常、磁性層の厚さ方向全域
に亘る長さをもち、その短径は一般に、50〜500人
程1負とされる。
に亘る長さをもち、その短径は一般に、50〜500人
程1負とされる。
そして、COと必要に応じ添加されるNi。
Cr等は、この柱状結晶自体を構成するものであり、0
が添加されたとき、Oは通常、各柱状結晶粒子の表面に
、主として酸化物の形で存在している。
が添加されたとき、Oは通常、各柱状結晶粒子の表面に
、主として酸化物の形で存在している。
このような磁性層は、通常、0.05〜0゜5gmの厚
さに形成される。
さに形成される。
この場合、磁性層は、基体上に直接設けられていてもよ
く、あるいは基体上に下地層を介して設けられていても
よい。
く、あるいは基体上に下地層を介して設けられていても
よい。
また、磁性層は通常、単一の層として形成されるが、場
合によっては中間層を介して、複数の層をa層して形成
されていてもよい。
合によっては中間層を介して、複数の層をa層して形成
されていてもよい。
このような磁性層は、通常、斜め蒸着法によって形成さ
れる。
れる。
用いる斜め蒸着法としては、公知の斜め蒸着法を用いれ
ばよく、基体法線に対する入射角の最小値は、306以
上とすることが好ましい。
ばよく、基体法線に対する入射角の最小値は、306以
上とすることが好ましい。
なお、蒸着条件および後処理法等は、公知の条件および
方法に従えばよい。 この場合、有効な後処理法として
は、磁性層中へのO導入のための公知の各種処理法等が
ある。
方法に従えばよい。 この場合、有効な後処理法として
は、磁性層中へのO導入のための公知の各種処理法等が
ある。
このような磁性層上には、上記式にて示されるリン酸エ
ステルからなる膜が形成される。
ステルからなる膜が形成される。
上記式において、Rは、炭素原子数6〜20の置換また
は非置換のアリール基、アルキルアリール基、アリール
アルキル基またはアルキルアリールアルキル基である。
は非置換のアリール基、アルキルアリール基、アリール
アルキル基またはアルキルアリールアルキル基である。
Rの炭素原子数が6未満となると、臨界的に走行庁擦が
大きくなってしまい、しかも走行耐久性、スチル耐久性
が臨界的に誠少し、ドロップアウトも臨界的に増大して
しまう−0また。Hの炭素原子数か20をこえると、臨
界的にドロップアウトが増大してしまう。
大きくなってしまい、しかも走行耐久性、スチル耐久性
が臨界的に誠少し、ドロップアウトも臨界的に増大して
しまう−0また。Hの炭素原子数か20をこえると、臨
界的にドロップアウトが増大してしまう。
なお、Rがアルキルアリール基、アリールアルキル基ま
たはアルキルアリールアルキル基と行摩擦がさらに減少
し、走行耐久性かさらに向」ニし、ドロップアウトかさ
らに減少する。
たはアルキルアリールアルキル基と行摩擦がさらに減少
し、走行耐久性かさらに向」ニし、ドロップアウトかさ
らに減少する。
このような炭素原子数のRは、アリール基であるか、あ
るいはアリール部とアルキル部とを有する基である。
るいはアリール部とアルキル部とを有する基である。
この場合、アリール基ないレアリール部は、フェニルで
あることが好ましい。
あることが好ましい。
また、アルキル部は、アリール部の結合手側あるいはそ
の逆側、さらには両側にあってよい。 そして、アルキ
ル部は、直鎖でも分岐を有するものでもよい。
の逆側、さらには両側にあってよい。 そして、アルキ
ル部は、直鎖でも分岐を有するものでもよい。
このようなアリール基、アルキルアリール基、アリール
アルキル基またはアルキルアリールアルキル基は、非置
換のものであってもよく、また置換体であってもよい。
アルキル基またはアルキルアリールアルキル基は、非置
換のものであってもよく、また置換体であってもよい。
また、置換体である場合、置換基は1つであっても複数
であってもよい。 そして、アリール基、アルキル部、
アリール部のいずれを置換するものであってもよい。
であってもよい。 そして、アリール基、アルキル部、
アリール部のいずれを置換するものであってもよい。
特に好適な置換基としては、塩素、臭素、フン素等のハ
ロゲンや、直接または適当な連結基を介して結合するア
ルキル基やアリール基(フェニル基)や、これらの1種
以上が連結したものなどがある。
ロゲンや、直接または適当な連結基を介して結合するア
ルキル基やアリール基(フェニル基)や、これらの1種
以上が連結したものなどがある。
この場合、適当な連結基としては、オキシ基、カルボニ
ル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基、アミ
ド基、カルバモイル基、スルホンアミド基、スルファモ
イル基等がある。
ル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基、アミ
ド基、カルバモイル基、スルホンアミド基、スルファモ
イル基等がある。
そして、このような置換体では、置換基のアルキルない
しアリールの炭素原子数を含めた総炭素原子数が、上記
の範囲でなければならない。
しアリールの炭素原子数を含めた総炭素原子数が、上記
の範囲でなければならない。
他方、YlおよびY2は、互いに同一であっても異なる
ものであってもよく、それぞれ、水素原子、カチオンま
たは置換もしくは非置換のアルキル基もしくはアリール
基を表わす。
ものであってもよく、それぞれ、水素原子、カチオンま
たは置換もしくは非置換のアルキル基もしくはアリール
基を表わす。
YlおよびY2が、水素原子またはカチオンであるとき
には、リン酸モノエステルとなる。
には、リン酸モノエステルとなる。
この場合、カチオンは、通常1価のカチオンであるが、
YlおよびY2かともにカチオンであるときには、Yl
とY2が一緒になって2価の1つのカチオンとなって7
よい。
YlおよびY2かともにカチオンであるときには、Yl
とY2が一緒になって2価の1つのカチオンとなって7
よい。
この場合、1価のカチオンとしては、
Li+ 、Na” 、に÷のアルカリ金属イオン、
NH4”。
オニウムイオンがある。
オニウムイオンとしては、
それぞれ、例えばシアノ基、アルキル基、アリール基、
アルコキシ基、アリーロキシ基、アルコキシカルボニル
基、アリーロキシカルボニル基、アシル基、アシルアミ
/基、カルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、
スルファモイル基、スルホニル基などで置換されること
のある メチル基、エチル基、n−ブチル基、i−アミル基、n
−ドデシル、n−オクタデシル&等の各種アルキル基、 または、フェニル基、トリル基、ナフチル基等のアリー
ル基を有する 1級〜4級のアンモニウムイオン、1級〜4級のホスホ
ニウムイオンまたは1級〜3級のスルホニウムイオンが
ある。
アルコキシ基、アリーロキシ基、アルコキシカルボニル
基、アリーロキシカルボニル基、アシル基、アシルアミ
/基、カルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、
スルファモイル基、スルホニル基などで置換されること
のある メチル基、エチル基、n−ブチル基、i−アミル基、n
−ドデシル、n−オクタデシル&等の各種アルキル基、 または、フェニル基、トリル基、ナフチル基等のアリー
ル基を有する 1級〜4級のアンモニウムイオン、1級〜4級のホスホ
ニウムイオンまたは1級〜3級のスルホニウムイオンが
ある。
また、ピリジン、イミダゾール、ピロール、2−ピロリ
ン、ピロリジン、ピペリジン、ピラゾール、ピラゾリン
、イミダゾール等の、5または6員環を有する N−水素、N−アルキルまたはN、N−ジアルキルの環
状の2級〜4級アンモニウムイオンであってもよい。
ン、ピロリジン、ピペリジン、ピラゾール、ピラゾリン
、イミダゾール等の、5または6員環を有する N−水素、N−アルキルまたはN、N−ジアルキルの環
状の2級〜4級アンモニウムイオンであってもよい。
一方、2価のカチオンとしては、
Mg” 、Ca” 、Sn4+、Ba4+等のイ也、ビ
スアンモニウムイオン、ビスホスホニウムイオンであっ
てもよい0 また、B−(N” R′3 )2で表わされる2価のア
ンモニウムカチオンであってもよい。
スアンモニウムイオン、ビスホスホニウムイオンであっ
てもよい0 また、B−(N” R′3 )2で表わされる2価のア
ンモニウムカチオンであってもよい。
この場合、Bは、炭化水素残基、特にメチレン、エチレ
ン等のフルキレンを表わし、R゛は、置換または非置換
の水素、アルキル基またはアリール基を表わす。
ン等のフルキレンを表わし、R゛は、置換または非置換
の水素、アルキル基またはアリール基を表わす。
なお、1価のカチオン2つからなる場合、2つのカチオ
ンは、同一でも異なっていてもよい。
ンは、同一でも異なっていてもよい。
さらに、上記式で示される化合物は、水素やカチオンを
有するリン酸モノエステルの他、ジエステルまたはトリ
エステルであってもよい。
有するリン酸モノエステルの他、ジエステルまたはトリ
エステルであってもよい。
ジないしトリエステルであるときには、Ylおよび/ま
たはY2ば、置換または非置換のアルキル基またはアリ
ール基である。
たはY2ば、置換または非置換のアルキル基またはアリ
ール基である。
この場合、Yl および/またはY2が、置換または非
置換のアルキル基またはアリール基である場合、RとY
lおよび/またはY2の総炭素原子数は44以下である
ことが好ましい。
置換のアルキル基またはアリール基である場合、RとY
lおよび/またはY2の総炭素原子数は44以下である
ことが好ましい。
44をこえるとドロップアウトが多くなるからである。
なお、Ylおよび/またはY2が、置換アンモニウムカ
チオンであるときには、その炭素原子数は算入されない
。
チオンであるときには、その炭素原子数は算入されない
。
Ylおよび/またはY2がなりうるアルキル基としては
、直鎖であっても分岐を含むものであってもよく、さら
に環状部を有していてもよい。
、直鎖であっても分岐を含むものであってもよく、さら
に環状部を有していてもよい。
また、アリール基としてはフェニル基が好ましい。
そして、これらは、前記Rと同様、1つ以上の前記した
ような置換基などで置換されていてもよい。
ような置換基などで置換されていてもよい。
特に好適な置換基としては、塩素、臭素、゛フッ素等の
ハロゲンや、直接または通出な連結基を介して結合する
アルキル基やアリール基(フェニル基)や、これらの1
種以上が連結したものなどがある。
ハロゲンや、直接または通出な連結基を介して結合する
アルキル基やアリール基(フェニル基)や、これらの1
種以上が連結したものなどがある。
この場合の通光な連結基としては、オキシ基、カルボニ
ル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基、アミ
ド基、カルバモイル基、スルホンアミド基、スルファモ
イル基等がある。 これら各化合物は、公知の方法に従
い合成して用いてもよく、また市販のものを用いてもよ
い。
ル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基、アミ
ド基、カルバモイル基、スルホンアミド基、スルファモ
イル基等がある。 これら各化合物は、公知の方法に従
い合成して用いてもよく、また市販のものを用いてもよ
い。
次に、上記式で示される化合物の具体例を挙げる。
U(Jooo(J(J
工 工 匡 匡 工 工 工
υ Q Oυ (JC)(J
Oυ υ 0 の ! の の の 寸 の−へ 0
寸 り Oト の ■ □ 2− 〜 − − − ル
−山 −−−寸凸○ →寸 ^ の 01 、、 。 工 V 工 工 。 。 0 08、 。 工 平 。
寸 り Oト の ■ □ 2− 〜 − − − ル
−山 −−−寸凸○ →寸 ^ の 01 、、 。 工 V 工 工 。 。 0 08、 。 工 平 。
伝 転 抹 伝 ′!:、 ”z 工 証 ”z (J
CJ工 工 O、士 0 寸 大 工 。
CJ工 工 O、士 0 寸 大 工 。
大 。 。 ニ
ー C)(J w 々
υ 、、IC) 本
山 −11LIll+ −四 山 山 山 山 山これ
ら上記式で示される化合物は、公知の方法に従い合成し
て使用したり、あるいは市販のものを用いればよい。
この場合、化合物は複数種併用して用いてもよい。
ら上記式で示される化合物は、公知の方法に従い合成し
て使用したり、あるいは市販のものを用いればよい。
この場合、化合物は複数種併用して用いてもよい。
このようなリン酸エステルからなるトップコート膜は、
単分子層以上0 、3 gm以下、より好ましくは0.
005〜0.1pmの厚さとされる。
単分子層以上0 、3 gm以下、より好ましくは0.
005〜0.1pmの厚さとされる。
そして、このようなトップコート膜は、蒸着ないしスパ
ッタリングによって形成することが好ましい。
ッタリングによって形成することが好ましい。
蒸着ないしスパッタリングによらず、塗布等によるとき
には、膜厚をうずくして、しかも均一な厚さで設層する
ことがむずかしい。
には、膜厚をうずくして、しかも均一な厚さで設層する
ことがむずかしい。
なお、蒸着ないしスパッタリングの際の条件は、公知の
条件に従えばよい。
条件に従えばよい。
用いる基体には特に制限はないが、特に可とう性の基体
、特にポリエステル、ポリイミド、ポリプロピレン等の
樹脂製のものであることが好ましい。
、特にポリエステル、ポリイミド、ポリプロピレン等の
樹脂製のものであることが好ましい。
また、その厚さは、種々のものであってよいが、特に5
〜20μmであることが好ましい。
〜20μmであることが好ましい。
そして、その磁性層形成面の裏面の表面あらさ高さのR
MS値は、0.05ルm以上であることが好ましい。
MS値は、0.05ルm以上であることが好ましい。
これにより、電磁変換特性が向上する。
■ 発明の具体的作用効果
本発明の磁気記録媒体は、ビデオ用、オーディオ用等の
磁気記録媒体として有用である。
磁気記録媒体として有用である。
本発明によれば、炭素原子数6〜2oのアリール基、ア
リールアルキル基、アルキルアリール基、アルキルアリ
ールアルキル基を有するリン酸エステルからなるトップ
コート膜を用いるので、走行摩擦が臨界的に減少する。
リールアルキル基、アルキルアリール基、アルキルアリ
ールアルキル基を有するリン酸エステルからなるトップ
コート膜を用いるので、走行摩擦が臨界的に減少する。
また、その膜強度、潤滑性、ヘッドタッチ性もきわめて
高い。
高い。
このため、走行耐久性、スチル耐久性が臨界的に向上し
、ドロップアウトが臨界的に減少する。
、ドロップアウトが臨界的に減少する。
そして、これらの効果は、直鎖のアルキル基を有するリ
ン酸エステルを用いたときと同等である。
ン酸エステルを用いたときと同等である。
■ 発明の具体的実施例
以下に本発明の具体的実施例について詳細に説明する。
実施例
Co / N i (7)重量比4 / l (7)
Co N i合金、およびCo / N i / Cr
(7)重量比75/2015のCoNiCr合金を用
い、io、m厚のポリエチレンテレフタレート(PET
)フィルム上に、それぞれ、斜め蒸着法により、磁性層
を0.2ルm厚にて形成し、サンプルAOおよびBOを
作製した。
Co N i合金、およびCo / N i / Cr
(7)重量比75/2015のCoNiCr合金を用
い、io、m厚のポリエチレンテレフタレート(PET
)フィルム上に、それぞれ、斜め蒸着法により、磁性層
を0.2ルm厚にて形成し、サンプルAOおよびBOを
作製した。
剥め蒸着における入射角は45°とし、蒸着雰囲気はP
= 2 X I 0−2P a 、P o 2= l
Xr 10−2P &とした。
= 2 X I 0−2P a 、P o 2= l
Xr 10−2P &とした。
得られた磁性層は、ともに対応する合金の組成をもち、
ともにO/ (Co+N1)=0.2(原子比)であり
、基体主面法線に対し約40°傾斜した、短径0 、0
1 gmの厚さ方向全域に亘って成長した柱状結晶粒子
の集合体であった。
ともにO/ (Co+N1)=0.2(原子比)であり
、基体主面法線に対し約40°傾斜した、短径0 、0
1 gmの厚さ方向全域に亘って成長した柱状結晶粒子
の集合体であった。
また、イオンミリンクを行いながらオージェ分光分析を
行ったところ、COは表面近くで少なく、またOは化学
シフトしており、しかも表面近くに多いプロファイルを
もち、0が柱状粒子の表面に金属と結合した状態で存在
していることが確認された。
行ったところ、COは表面近くで少なく、またOは化学
シフトしており、しかも表面近くに多いプロファイルを
もち、0が柱状粒子の表面に金属と結合した状態で存在
していることが確認された。
次いで、上記AOおよびBOの磁性層上に、各種有機化
合物を扉発源として、FA、=4xlO−3P aの雰
囲気にて、0 、01 gva厚の表1に示されるトッ
プコート膜を形成して、サンプルA1〜A5およびB1
−B2を得た。
合物を扉発源として、FA、=4xlO−3P aの雰
囲気にて、0 、01 gva厚の表1に示されるトッ
プコート膜を形成して、サンプルA1〜A5およびB1
−B2を得た。
これら各サンプルにつき、以下の測定を行った。
1) 走行庁擦
サンプルの動摩擦係数路を、40 ’0、相対湿度80
%で、初期と50パス後に測定した。
%で、初期と50パス後に測定した。
2) 走行耐久性
各サンプルに対し、市販のVTR装置を用いて50パス
試験を行い、4 MHzの信号の減少量(dB)を測定
した。
試験を行い、4 MHzの信号の減少量(dB)を測定
した。
3) スチル耐久性
市販のVTR装置で、スチルモードにて画像が消失する
に至る時間(分)をに1一定した。
に至る時間(分)をに1一定した。
4) ドロップアウト
1分間あたりの16dB以上の出力低下(個/分)を測
定した。
定した。
これらの結果を表1に示す。 ゛
フb゛、表1に751丁3本発明のすンプIしのトップ
コートR払べ11、@紅しF化合物の其イ半例のNo、
ぐ゛示ンれろ。
コートR払べ11、@紅しF化合物の其イ半例のNo、
ぐ゛示ンれろ。
表1に示される結果から、本発明による赫善効果があき
らかである。
らかである。
出願人 ティーディーケイ株式会社
代理人 弁理士 石 井 陽 −
Claims (9)
- (1) 基体上に連続薄膜型の磁性層を有し、この磁性
層上に、下記式で示される化合物からなる膜を有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 (上記式において、 Rは、炭素原子数6〜20の置換または非置換のアリー
ル基、アルキルアリール ルアルキル基またはアルキルアリールアルキル基を表わ
し、 YlおよびY芝は、互いに同一であっても異なっていて
もよく、それぞれ、水素原子、カチオンまたは置換もし
くは非置換のアルキル基もしくはアリール基を表わすが
、YlおよびY2かともにカチオンであるときには、Y
l とY2が一緒になって2価のカチオンとなってもよ
い。) - (2) 月りが、蒸着ないしスバ・ンタリングPJであ
る特許請求の範囲第1項に記載の磁気記録媒体。 - (3) 膜の厚さが、0.3μm以下である特許請求の
範囲第1項または第2項に記載の磁気記録媒体。 - (4) 磁性層が,Co、またはCoならひにNi,C
rおよび0のうちの1〜3種を含む特許請求の範囲第1
項ないし第3項のいずれかに記載の磁気記録媒体。 - (5) 磁性層が、Niを含み、C o / N iの
重量比が1.5以上である特許請求の範囲第4項に記載
の磁気記録媒体。 - (6) 磁性層が、Crを含み、Cr/(C。 またはCo+Ni)+7)重量比が0.001〜0.1
である特許請求の範囲第4ゲ1または第5項に記載の磁
気記録媒体。 - (7) 磁性層が、0を含み、O/(CoまたはCo+
Ni)の原子比が0.45以下である特許請求の範囲第
4項ないし第6伯のいずれかに記載の磁気記録媒体。 - (8) 磁性層が、基体法線に対して傾斜した柱状結晶
構造粒子の集合体である特許請求の範囲第1項ないし第
7項のいずれかに記載の磁気記録媒体。 - (9) 磁性層の厚さが、0.05〜0.5μmである
特許請求の範囲第1ダ1ないし第8xJ4のいずれかに
記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19575683A JPS6087431A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 磁気記録媒体 |
| GB08426090A GB2149320B (en) | 1983-10-18 | 1984-10-16 | Magnetic recording medium |
| DE3438237A DE3438237C2 (de) | 1983-10-18 | 1984-10-18 | Magnetaufzeichnungsmedium |
| US06/662,051 US4621008A (en) | 1983-10-18 | 1984-10-18 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19575683A JPS6087431A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6087431A true JPS6087431A (ja) | 1985-05-17 |
Family
ID=16346433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19575683A Pending JPS6087431A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6087431A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62157319A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-13 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS6398824A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP19575683A patent/JPS6087431A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62157319A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-13 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS6398824A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
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