JPS6080130A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6080130A JPS6080130A JP58187965A JP18796583A JPS6080130A JP S6080130 A JPS6080130 A JP S6080130A JP 58187965 A JP58187965 A JP 58187965A JP 18796583 A JP18796583 A JP 18796583A JP S6080130 A JPS6080130 A JP S6080130A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- magnetic layer
- magnetic recording
- medium according
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 14
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- -1 etc.) 1 Chemical group 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 150000004010 onium ions Chemical class 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002441 CoNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100040853 PRKC apoptosis WT1 regulator protein Human genes 0.000 description 1
- 101710162991 PRKC apoptosis WT1 regulator protein Proteins 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004442 acylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005161 aryl oxy carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 125000005472 straight-chain saturated fatty acid group Chemical group 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical group [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
工 発明の背景
技術分野
本発明は、磁気記録媒体、特に連続薄膜型の磁性層を有
する磁気記録媒体のトップコート膜の改良に関する。
する磁気記録媒体のトップコート膜の改良に関する。
先行技術とその問題点
ビデオ用、オーディオ用等の磁気記録媒体として、テー
プ化して巻回したときのコンパクト性から、連続薄■り
型の磁性層を有するものの開発か活発に行われている。
プ化して巻回したときのコンパクト性から、連続薄■り
型の磁性層を有するものの開発か活発に行われている。
このような連続薄膜型の媒体の磁性層としては、特性上
、基体法線に対し所定の傾斜角にて蒸着を行う、いわゆ
る斜め蒸着法によって形成したCo、Co−Ni、Co
−0,Co−Ni−0系等の蒸着膜が岐も好適である。
、基体法線に対し所定の傾斜角にて蒸着を行う、いわゆ
る斜め蒸着法によって形成したCo、Co−Ni、Co
−0,Co−Ni−0系等の蒸着膜が岐も好適である。
゛しかし、このような磁性層は、走行摩擦が大きく、
膜強度が低く、ヘッドタッチも悪く、特に、走行耐久性
が低く、くりかえし走行にょって出力が低下してしまう
。
膜強度が低く、ヘッドタッチも悪く、特に、走行耐久性
が低く、くりかえし走行にょって出力が低下してしまう
。
また、ビデオ用の媒体では、メチルと称される静止画像
モードでの耐久時間が小さい。
モードでの耐久時間が小さい。
さらに、いわゆるドロップアウトも多い。
このような実状から、従来、斜め蒸着膜磁性層のトップ
コート膜が種々提案されている。
コート膜が種々提案されている。
例えば、直鎖の飽和脂肪酸ないしそのエステルの蒸着膜
や塗布膜(特開昭53−88704号公報、同55−9
3533号公報等)等である。
や塗布膜(特開昭53−88704号公報、同55−9
3533号公報等)等である。
しかし、従来のトップコート膜はいずれも。
」二記走行耐久性、スチル特性、ドロップアウト等の点
で、未だ不十分な結果しかえられていなII 発明の目
的 本発明は、このような実状に鑑みなされたものであって
、その主たる目的は、走行摩擦が小さく、膜強度、潤滑
性、ヘッドタッチ性にすぐれ、走行耐久性、スチル耐久
性か高く、ドロップアウトの発生の少ない、新規なトッ
プコート膜を有する連続薄膜型の磁性層をも′7磁気記
録媒体を提供することにある。
で、未だ不十分な結果しかえられていなII 発明の目
的 本発明は、このような実状に鑑みなされたものであって
、その主たる目的は、走行摩擦が小さく、膜強度、潤滑
性、ヘッドタッチ性にすぐれ、走行耐久性、スチル耐久
性か高く、ドロップアウトの発生の少ない、新規なトッ
プコート膜を有する連続薄膜型の磁性層をも′7磁気記
録媒体を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち本発明は、
基体上に連続薄膜型の磁性層を有し、この磁性層上に、
下記式で示される化合物からなる膜を有することを特徴
とする磁気記録媒体であ式 %式% (上記式において、 Rは、炭素原子数lθ〜22の直鎖のアルキル基を表わ
し。
下記式で示される化合物からなる膜を有することを特徴
とする磁気記録媒体であ式 %式% (上記式において、 Rは、炭素原子数lθ〜22の直鎖のアルキル基を表わ
し。
YおよびY′は、それぞれ、水素またはカチ゛オンを表
わすが、YおよびY′のうちの少なくとも一方は、炭素
原子数10〜22のアルキル基を有するアンモニウムイ
オンである。)なお、本発明者らは、上記式において、
Yが水素であり、Y′が水素、アルカリ金属またはNH
4である化合物をトップコート膜に用いる旨を、この出
願の先願として提案している(@顆間57−23481
6号)が、上記式で示される化合物は、この先の提案の
ものよりも、より一層すぐれた効果を発揮するものであ
る。
わすが、YおよびY′のうちの少なくとも一方は、炭素
原子数10〜22のアルキル基を有するアンモニウムイ
オンである。)なお、本発明者らは、上記式において、
Yが水素であり、Y′が水素、アルカリ金属またはNH
4である化合物をトップコート膜に用いる旨を、この出
願の先願として提案している(@顆間57−23481
6号)が、上記式で示される化合物は、この先の提案の
ものよりも、より一層すぐれた効果を発揮するものであ
る。
■ 発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の磁気記録媒体は、基体上に磁性層を有する。
磁性層は、連続薄膜型の種々のものであってよく、通常
、コ/<ルト、ニッケルあるいはこれらを主成分とする
。
、コ/<ルト、ニッケルあるいはこれらを主成分とする
。
この場合、本発明においては、Goを必須成分とし、C
o 、Co+Ni 、Co+O,またはGo+Ni+O
からなることが好ましい。
o 、Co+Ni 、Co+O,またはGo+Ni+O
からなることが好ましい。
すなわち、Co単独からなってもよく、C。
とNiとからなってもよい。
Co+Niである場合、Co / N iの重量比は、
1.5以」−であることが好ましい。
1.5以」−であることが好ましい。
さらに、CoまたはCo+Niに加え、0が含まれてい
てもよい。 Oか含まれたときには、電磁変換特性や走
行耐久性の点で、より好ましい結果をうる。
てもよい。 Oか含まれたときには、電磁変換特性や走
行耐久性の点で、より好ましい結果をうる。
このような場合、O/Co(Niが含まれない場合)あ
るいはO/(Co+Ni)の原子比は、0.45以下、
特に0.15〜0.4であることか好ましい。
るいはO/(Co+Ni)の原子比は、0.45以下、
特に0.15〜0.4であることか好ましい。
一方、磁性層中には、Co、Co+Ni。
CO+0あるいはCo+Ni+Oに力lえ、Crが含有
されると、より一層好ましい結果を得る。
されると、より一層好ましい結果を得る。
これは、電磁変換特性が向上し、出力およびS/N比が
向上し、さらに膜強度が向上する力λらである。
向上し、さらに膜強度が向上する力λらである。
このような場合、Cr/Co(Niが含まれない場合)
あるいはCr/(Co+Ni)の重11比は、o、oo
i〜o、iであることが好ましい。
あるいはCr/(Co+Ni)の重11比は、o、oo
i〜o、iであることが好ましい。
この場合、Cr / CoあるいはCr/(C。
+Ni)の重量比は、0.005〜0.05であると、
より一層好ましい結果を得る。
より一層好ましい結果を得る。
なお、このような磁性層中には、さらに、他の微量成分
、特に遷移金属元素、例えば、F e 、 M n 、
V 、 Z r 、 N b 、 T a 、 M
o 。
、特に遷移金属元素、例えば、F e 、 M n 、
V 、 Z r 、 N b 、 T a 、 M
o 。
W 、 T i 、 Cu 、 Z n等が含まれてい
てもよい。
てもよい。
このような磁性層は、基体主面の法線に対して傾斜した
柱状結晶構造の粒子の集合体であることか好ましい。
これにより、電磁変換特性が向」ニする。
柱状結晶構造の粒子の集合体であることか好ましい。
これにより、電磁変換特性が向」ニする。
このような場合、柱状結晶構造の粒子は、基体の主面の
法線に対して、20〜606の範囲で傾斜していること
が好ましい。
法線に対して、20〜606の範囲で傾斜していること
が好ましい。
また、各柱状結晶粒子は、通常、磁性層の厚さ方向全域
に亘る長さをもち、その短径は一般に、50〜500人
程度とされる。
に亘る長さをもち、その短径は一般に、50〜500人
程度とされる。
そして、COと必要に応し添加されるNi。
Cr%は、この柱状結晶自体を構成するものであり、0
か添加されたとき、0は通常、各柱状結晶粒子の表面に
、主として酸化物の形で存在している。
か添加されたとき、0は通常、各柱状結晶粒子の表面に
、主として酸化物の形で存在している。
このような磁性層は、通常、0.05〜0゜5pmの厚
さに形成される。
さに形成される。
この場合、磁性層は、基体上に直接設けられていてもよ
く、あるいは基体上に下地層を介して設けられていても
よい。
く、あるいは基体上に下地層を介して設けられていても
よい。
また、磁性層は通常、単一の層として形成されるか、場
合によっては中間層を介して、複数の層を積層して形成
されていてもよい。
合によっては中間層を介して、複数の層を積層して形成
されていてもよい。
このような磁性層は1通常、斜め蒸着法によって形成さ
れる。
れる。
用いる斜め蒸着法としては、公知の斜め蒸着法を用いれ
ばよく、基体#5線に対する入射角め最小値は、30°
以上とすることが好ましい。
ばよく、基体#5線に対する入射角め最小値は、30°
以上とすることが好ましい。
なお、蒸着条件および後処理法等は、公知の条件および
方法に従えばよい。 この場合、有効な後処理法として
は、磁性層中への0導入のための公知の各種処理法等が
ある。
方法に従えばよい。 この場合、有効な後処理法として
は、磁性層中への0導入のための公知の各種処理法等が
ある。
このような磁性層」二には、」二記式にて示される直鎖
飽和リン酪モノエステルの11工からなる膜か形成され
る。
飽和リン酪モノエステルの11工からなる膜か形成され
る。
」−記載において、Rは、炭素原子数10〜22の直鎖
の飽和アルキル基である。
の飽和アルキル基である。
Hの炭素原子数が10未満となると、臨界的に走行摩擦
が大きくなってしまい、しかも走行耐久性、スチル耐久
性が臨界的に減少し、ドロップアウトも臨界的に増大し
てしまう。
が大きくなってしまい、しかも走行耐久性、スチル耐久
性が臨界的に減少し、ドロップアウトも臨界的に増大し
てしまう。
また、Hの炭素原子数が22をこえると、臨界的にドロ
ップアウトが増大してしまう。
ップアウトが増大してしまう。
なお、Rの炭素原子数が12〜22どなると、走行摩擦
がさらに減少し、走行耐久性がさら1こ向」二し、ドロ
ップアウトがさらに減少する。
がさらに減少し、走行耐久性がさら1こ向」二し、ドロ
ップアウトがさらに減少する。
一方、YおよびY′は、同一でも異なっていてもよく、
それぞれ、水素またはカチオンを表わす。 カチオンは
、特に1価 − のカチオンである。
それぞれ、水素またはカチオンを表わす。 カチオンは
、特に1価 − のカチオンである。
この場合、1価のカチオンとしては、
Li” 、Na+ 、に+のアルカリ金属イオン、
NH4”。
オニウムイオンがある。
オニウムイオンとしては、
それぞれ1例えばシアノ基、アルキル基、アリール基、
アルコキシ基、アリーロキシ基、アルコキシカルボニル
基、アリーロキシカルボニルツしアシル基、アシルアミ
ノ基、カルバモイル基、アルキルスルホニルアミ7基、
スルファモイル基、スルホニル基などで置換されること
のある メチル)1、エチル基、n−ブチル基、i−アミル基、
n−1’デシル、n−オクタデシル基等の各種アルキル
基、 または、フェニル基、トリル基、ナフチル基等のアリー
ル基を有する 1級〜4級のアンモニウムイオン、1級〜4級のホスホ
ニウムイオンまたは1級〜3級のスルホニウムイオンカ
アル。
アルコキシ基、アリーロキシ基、アルコキシカルボニル
基、アリーロキシカルボニルツしアシル基、アシルアミ
ノ基、カルバモイル基、アルキルスルホニルアミ7基、
スルファモイル基、スルホニル基などで置換されること
のある メチル)1、エチル基、n−ブチル基、i−アミル基、
n−1’デシル、n−オクタデシル基等の各種アルキル
基、 または、フェニル基、トリル基、ナフチル基等のアリー
ル基を有する 1級〜4級のアンモニウムイオン、1級〜4級のホスホ
ニウムイオンまたは1級〜3級のスルホニウムイオンカ
アル。
また、ピリジン、イミダツール、ピロール、2−ピロリ
ン、ピロリジン、ピペリジン、ピラソール、ピラソリン
、イミタッリン等の、5または6員環を有する N−水素、N−アルキルまたはN、N−ジアルキルの環
状の2級〜4級アンモニウムイオンであってもよい。
ン、ピロリジン、ピペリジン、ピラソール、ピラソリン
、イミタッリン等の、5または6員環を有する N−水素、N−アルキルまたはN、N−ジアルキルの環
状の2級〜4級アンモニウムイオンであってもよい。
このような場合、YおよびY′は1 ともに1価のカチ
オンてあっても、−力かカチオンで他方か水素であって
もよい。
オンてあっても、−力かカチオンで他方か水素であって
もよい。
そして、YまたはY′の一方、あるいはYおよびY′の
両名は、炭素151(手数10〜22のアルキル とか必黄である。
両名は、炭素151(手数10〜22のアルキル とか必黄である。
これにより、本発明の諸効果か格段と高くなるものであ
る。
る。
このような場合,アンモニウムイオンは,■または2級
であることが好ましい。
であることが好ましい。
YおよびY′のうちの少なくとも一方が1級のアンモニ
ウムイオンである場合、アルキル基〕1促素原f Kl
ハI O − 2 2、特L: l 2 − t a
−cあることか好ましい。
ウムイオンである場合、アルキル基〕1促素原f Kl
ハI O − 2 2、特L: l 2 − t a
−cあることか好ましい。
まtこ、YおよびY′の一プjまtこは両者が2級゛の
アンモニウムイオンである場合、N原千に結合する一力
のアルキル基の1父素)に(手数が10〜22、特に1
2〜18であり、両方のアルキル基の炭素原子数の総和
が11〜40であることが好ましい。
アンモニウムイオンである場合、N原千に結合する一力
のアルキル基の1父素)に(手数が10〜22、特に1
2〜18であり、両方のアルキル基の炭素原子数の総和
が11〜40であることが好ましい。
なお、これらアルキル基は、前記したように置換されて
いてもよいが1通常は非置換のものがltf適であり、
かつ、直鎖でも分岐でもよいが、直鎖のものであること
が好ましい。
いてもよいが1通常は非置換のものがltf適であり、
かつ、直鎖でも分岐でもよいが、直鎖のものであること
が好ましい。
これら」二記式で示される化合物は、公知の方法に従い
合成して使用したり、あるいは市販のものを用いればよ
い。 この場合、これら化合物は、複数併用して用いて
もよく、あるいは必要に応じ他の化合物と併用して用い
てもよい。
合成して使用したり、あるいは市販のものを用いればよ
い。 この場合、これら化合物は、複数併用して用いて
もよく、あるいは必要に応じ他の化合物と併用して用い
てもよい。
このようなトップコート膜は、単分子層以上0.3pm
以下、より好ましくは0.005〜0.1pmの厚さと
される。
以下、より好ましくは0.005〜0.1pmの厚さと
される。
そして、このようなトップコート膜は、蒸着ないしスパ
ッタリングによって形成することが好ましい。
ッタリングによって形成することが好ましい。
法肩ないしスパッタリングによらず、塗布等によるとき
には、膜厚をうずくして、しかも均一な厚さで設層する
ことがむずかしい。
には、膜厚をうずくして、しかも均一な厚さで設層する
ことがむずかしい。
なお、蒸着ないしスパッタリングの際の条件は、公知の
条件に従えばよい。
条件に従えばよい。
用いるノ、(体には特にFtjl限はないか、特に可ど
う性の基体、特にポリエステル、ポリイミ1z、ポリプ
ロピレン等の樹脂製のものであることが好ましい。
う性の基体、特にポリエステル、ポリイミ1z、ポリプ
ロピレン等の樹脂製のものであることが好ましい。
また、その厚さは1種々のものであってよいか、特に5
〜20 gmであることが好ましい。
〜20 gmであることが好ましい。
そして、その磁性層形成面の裏面の表面あらさ晶さのR
MS値は、005メLl以」−であることか好ましい。
MS値は、005メLl以」−であることか好ましい。
これにより、電磁変換特性が向上する。
■ 発明の具体的作用効果
本発明の磁気記録媒体は、ヒデオ用、オーディオ用等の
磁気記録媒体として有用である。
磁気記録媒体として有用である。
本発明によれば、炭素原子数10〜22の直゛釦のアル
キル基を有するリン酸モノエステルのアンモニウム塩か
らなるトップコート膜を用いるので、走行摩擦が臨界的
に減少する°。
キル基を有するリン酸モノエステルのアンモニウム塩か
らなるトップコート膜を用いるので、走行摩擦が臨界的
に減少する°。
また、その膜強度、潤滑性、ヘッドタッチ性もきわめて
高い。
高い。
このため、走行耐久性、スチル耐久性が臨界的に向上し
、ドロップアウトが臨界的に減少する。
、ドロップアウトが臨界的に減少する。
なお、このような効果は、Y、Y′が、通常の水素、ア
ルカリ金属イオンあるいはアンモニウムイオンであるも
のを用いるときと比較して格段と向上するものである。
ルカリ金属イオンあるいはアンモニウムイオンであるも
のを用いるときと比較して格段と向上するものである。
■ 発明の具体的実施例
以下に本発明の具体的実施例について詳細に説明する。
実施例
(: o / N iの重量比4/lのCoNi合金、
およびCo / N i / Cr (7)重量比75
/2015cr)CoNiCr合金を用い、10gm厚
のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム」二
に、それぞれ、斜め蒸着法により、磁性層を0.2μm
厚にて形成し、サンプルAOおよびBOを作製した。
およびCo / N i / Cr (7)重量比75
/2015cr)CoNiCr合金を用い、10gm厚
のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム」二
に、それぞれ、斜め蒸着法により、磁性層を0.2μm
厚にて形成し、サンプルAOおよびBOを作製した。
胴め蒸着における入射角は45°とし、蒸着雰囲気はP
AT=2XIO−2Pa、Po2=lX10−2P a
とした。
AT=2XIO−2Pa、Po2=lX10−2P a
とした。
得られた磁性層は、ともに対応する合金の組成をもち、
ともにO/ (Go十N1)=0.2(原子比)であり
、基体主面法線に対し約40°傾斜した、短径0 、0
1 gmの厚さ方向全域に亘って成長した柱状結晶粒子
の集合体であった。
ともにO/ (Go十N1)=0.2(原子比)であり
、基体主面法線に対し約40°傾斜した、短径0 、0
1 gmの厚さ方向全域に亘って成長した柱状結晶粒子
の集合体であった。
また、イオンミリングを行いながらオージェ分光分析を
行ったところ、Coは表面近くで少なく、またOは化学
シフトシており、しかも表面近くに多いプロファイルを
もち、0が柱状粒子の表面に金属と結合した状態で存在
していることが確認された。
行ったところ、Coは表面近くで少なく、またOは化学
シフトシており、しかも表面近くに多いプロファイルを
もち、0が柱状粒子の表面に金属と結合した状態で存在
していることが確認された。
次いで、−に記AOおよびBOの磁性層上に、各種有機
化合物を蒸発源として、PAr−4×10 ’ P a
ノ雰囲気にて、0 、01 p、m厚の表1に示され
るトップコート膜を形成して、サンプルAl−A22お
よびBl−BIOを得た。
化合物を蒸発源として、PAr−4×10 ’ P a
ノ雰囲気にて、0 、01 p、m厚の表1に示され
るトップコート膜を形成して、サンプルAl−A22お
よびBl−BIOを得た。
これら各サンプルにつき、以下の測定を行った。
■) 走行摩擦
サンプルの動摩擦係数ルを、40″C1相対湿度80%
で、初期と50パス後に測定した。
で、初期と50パス後に測定した。
2) 走行耐久性
各サンプルに対し、市販のVTR装置を用いて50パス
試験を行い、4 MHzの信号の減少量(dB)を測定
した。
試験を行い、4 MHzの信号の減少量(dB)を測定
した。
3) スチル耐久性
市販のVTR装置で、スチルモードにて画像が消失する
に至る時間(分)を測定した。
に至る時間(分)を測定した。
4) ドロップアウト
1分間あたりの16dB以上の出力低下(個/分)を測
定した。
定した。
これらの結果を表1に示す。
A11 ll C16H330P03(N4H3C12
H25)20.16A I2 tt C16H330P
O3(N” )(3C18H37)2 0 、13A1
3 ll C,6H330P03(N”H2(C,H2
8)2)20.11A14 // C,6H330P0
3(N’H2(C,cH33)2)20.11A15
ll C16H330P03H・N1H3C16H33
o 12AI6 /I C,6H330PO30,10
・N1H3C16H33・Li Al7 /I C,6H330PO30、l l” ”
H3C1eH33” N a AlB 、 // C,6H330PO30,1,0・
N1H3C16H33・K A19(比較) /I C,8H33COOHO,23
A20(比較) // CHC00C,oH2,0,2
5633 A2巨比較) ll C16H330PO3H20,1
5A22(比較) /I CH0PO3H@N”H40
,13633 0、I6 −1.1 >60 50 Q、13 −1.0 >60 60 0.13 −0.9 >60 60 0.13 − 1.2 >60 50 0.12 −0.9 >60 60 0.11 −1.0 >60 70 0.12 −1.0 >60 70 0.11 −1.2 >60 .70 0.40 −6 20 500 0 50 〜 6 10 800 0.15 −1.2 >60 130 0.13 −2.1 >60 120 表1に示される結果から、本発明による臨界的効果があ
きらかである。
H25)20.16A I2 tt C16H330P
O3(N” )(3C18H37)2 0 、13A1
3 ll C,6H330P03(N”H2(C,H2
8)2)20.11A14 // C,6H330P0
3(N’H2(C,cH33)2)20.11A15
ll C16H330P03H・N1H3C16H33
o 12AI6 /I C,6H330PO30,10
・N1H3C16H33・Li Al7 /I C,6H330PO30、l l” ”
H3C1eH33” N a AlB 、 // C,6H330PO30,1,0・
N1H3C16H33・K A19(比較) /I C,8H33COOHO,23
A20(比較) // CHC00C,oH2,0,2
5633 A2巨比較) ll C16H330PO3H20,1
5A22(比較) /I CH0PO3H@N”H40
,13633 0、I6 −1.1 >60 50 Q、13 −1.0 >60 60 0.13 −0.9 >60 60 0.13 − 1.2 >60 50 0.12 −0.9 >60 60 0.11 −1.0 >60 70 0.12 −1.0 >60 70 0.11 −1.2 >60 .70 0.40 −6 20 500 0 50 〜 6 10 800 0.15 −1.2 >60 130 0.13 −2.1 >60 120 表1に示される結果から、本発明による臨界的効果があ
きらかである。
出願人 ティーディーケイ株式会社
代理人 弁理士 石 井 陽 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 基体上に連続薄膜型の磁性層を有し、この磁性
層上に、下記式で示される化合物からなる膜を有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 (−1−記載において、 Rは、炭素原子数10〜22の直鎖のアルキル基を表わ
し、 YおよびY′は、それぞれ、水素またはカチオンを表わ
すか、YおよびY′のうちの少なくとも一力は、炭素原
子910〜22のアルキル基をイ1するアンモニウムイ
オンである。)(2) YおよびY′のうちの少なくと
も一方のアンモニウムイオンの有する炭素原子数lO〜
22のアルキル基が、直鎖である特許請求の範囲第1項
に記載の磁気記録媒体。 (3) YおよびY′のうちの少なくとも一方のアンモ
ニウムイオンが、1級または2級のアンモニウムイオン
である特許請求の範囲第1項または第2項に記載の磁気
記録媒体。 (4) 112が、蒸着ないしスパッタリング膜である
特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の
磁気記録媒体。 (5) 膜の厚さが、0.3gm以下である4、¥、+
’F 請求の範囲第1項ないし第4項のいずれかに記載
の磁気記録媒体。 (6) 磁性層か、Co、またはGoならひにNi、C
rおよびOのうちの1〜3種を含む特許請求の範囲第1
項ないし第5項のいずれかに記載の磁気記録媒体。 (7) 磁性層が、Niを含み、Co / N r (
7)重量比が1.5以上である特許請求の範囲第6rs
+に記載の磁気記録媒体。 (8) 磁性層が、Crを含み、Cr/(C。 またはCo+Ni)の重量比が0.001〜0.1であ
る特許請求の範囲第6項または第7項に記載の磁気記録
媒体。 (9) 磁性層が、Oを含み、O/(CoまたはCo+
Ni)の原子比が0.45以下である特許請求の範囲第
6項ないし第8項のいずれかに記載の磁気記録媒体。 (10) 磁性層が、基体法線に対して傾斜した柱状結
晶構造粒子の集合体である特許請求の範囲第1項ないし
第9項のいずれかに記載の磁気記録媒体。 (11) 磁性層の厚さが、0.05〜0.58Lmで
ある特許請求の範囲第1項ないし第1O項のいずれかに
記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187965A JPS6080130A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 磁気記録媒体 |
| US06/563,502 US4537832A (en) | 1982-12-25 | 1983-12-20 | Magnetic recording medium |
| DE3346535A DE3346535A1 (de) | 1982-12-25 | 1983-12-22 | Magnetischer aufzeichnungstraeger |
| GB08334187A GB2133316B (en) | 1982-12-25 | 1983-12-22 | Magnetic recording medium |
| NL8304422A NL8304422A (nl) | 1982-12-25 | 1983-12-23 | Magnetisch registratiemedium. |
| FR8320645A FR2538593B1 (fr) | 1982-12-25 | 1983-12-23 | Support d'enregistrement magnetique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187965A JPS6080130A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080130A true JPS6080130A (ja) | 1985-05-08 |
Family
ID=16215252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58187965A Pending JPS6080130A (ja) | 1982-12-25 | 1983-10-07 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6080130A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55104461U (ja) * | 1979-01-12 | 1980-07-21 | ||
| JPS5644767U (ja) * | 1979-09-18 | 1981-04-22 |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP58187965A patent/JPS6080130A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55104461U (ja) * | 1979-01-12 | 1980-07-21 | ||
| JPS5644767U (ja) * | 1979-09-18 | 1981-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4592948A (en) | Magnetic recording medium | |
| JPS6080130A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US4621008A (en) | Magnetic recording medium | |
| JPS59119534A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6087431A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2575006B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6079528A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6079530A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6087434A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6079529A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60254420A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0624064B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6087432A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60261029A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60256911A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6246431A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS59119537A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60219634A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60258723A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60258728A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS62117131A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60263329A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS62117128A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60256920A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0762908B2 (ja) | 磁気記録媒体 |