JPS608251A - 2−シアノ−4−アルキルフエノ−ルのエステル誘導体 - Google Patents
2−シアノ−4−アルキルフエノ−ルのエステル誘導体Info
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- JPS608251A JPS608251A JP11658683A JP11658683A JPS608251A JP S608251 A JPS608251 A JP S608251A JP 11658683 A JP11658683 A JP 11658683A JP 11658683 A JP11658683 A JP 11658683A JP S608251 A JPS608251 A JP S608251A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
ルのエステル誘導体に関するもので、負の訪電異方性を
有する新規な液晶化合物及びそれを含有する液晶組成物
に係わるものである。
有する新規な液晶化合物及びそれを含有する液晶組成物
に係わるものである。
液晶表示素子は液晶物質が持つ光学異方性及び誘電異方
性全利用したもので、その表示様式によてンてTN型(
ねじれネマチック型)、DB型(動的散乱型)、ゲスト
・ホスト型、DABmAど各種の方式に分けられ、夫々
の使用に適する成品物質の性質は異なる。いずれの液晶
物質も水分、空気、熱、光等に安定であることが必要で
あることは共通しており、又、室温を中心として出来る
だけ広い温度範囲で液晶相を示すものがめられている。
性全利用したもので、その表示様式によてンてTN型(
ねじれネマチック型)、DB型(動的散乱型)、ゲスト
・ホスト型、DABmAど各種の方式に分けられ、夫々
の使用に適する成品物質の性質は異なる。いずれの液晶
物質も水分、空気、熱、光等に安定であることが必要で
あることは共通しており、又、室温を中心として出来る
だけ広い温度範囲で液晶相を示すものがめられている。
現在のところ単一化合物ではこの様な条件を満たす物質
はなく、数種の数品化合物や非液晶化合物を混合して得
られる液晶組成物を使用している。
はなく、数種の数品化合物や非液晶化合物を混合して得
られる液晶組成物を使用している。
最近、特にカラー液晶表示方法の一方式であるゲスト・
ホスト型液晶表示素子が注目される様になって来た。こ
れは液晶と色素の混合物を使用するもので、ポジ型のゲ
スト・ホスト型表示累子には負の誘電異方性を有する液
晶が使用され、その液晶の構成成分としているいろな特
性、例えば相溶性のよい誘電異方性値負の液晶化合物が
められている。
ホスト型液晶表示素子が注目される様になって来た。こ
れは液晶と色素の混合物を使用するもので、ポジ型のゲ
スト・ホスト型表示累子には負の誘電異方性を有する液
晶が使用され、その液晶の構成成分としているいろな特
性、例えば相溶性のよい誘電異方性値負の液晶化合物が
められている。
本発明の目的はこの様な用途に適した相溶性が良く、負
の訪1に異方性を示し、ネマチック−透明点が高い新規
な数品化合物及びその組成物全提供することにある。
の訪1に異方性を示し、ネマチック−透明点が高い新規
な数品化合物及びその組成物全提供することにある。
即ち、本発明は一般式
(上式中R及びR′はそれぞれ炭素数1〜15の−0−
のいずれかであることヶ示す。)で衣わされる、2−シ
アノ−4−アルキルフェノールのエステル誌導体及びそ
れを含冷することを特徴とする液晶組成′吻である。
のいずれかであることヶ示す。)で衣わされる、2−シ
アノ−4−アルキルフェノールのエステル誌導体及びそ
れを含冷することを特徴とする液晶組成′吻である。
本発明の化合物は高い透明点を有し、例えば本発明の化
合物の一つである4−(トランス−4−ペンチルシクロ
ヘキシル)ビフェニリル−4′−カルボン戚−2−シア
ノ−4−へブチルフェニルエステルの結晶−ネマチック
点(以下、C−N点と略記する)は74.2℃、ネマチ
ック−透明点(以下、N−1点と略記する)は24a5
′Cと広い温度範囲で液晶相葡示し、これ全液晶に11
成吻の1成分として加えることによりその液晶粗放物の
粘度tそれほど高くぜずに透明点を上げることが出来る
。又本発明の化合物の誘電異方性値(以下、△eと略記
する)は−3程度であるので他のネマチック成品と混合
することにより、ゲスト・ホスト型表示素子用に使用で
きる1″tの訪tL異方性を有する〆1に晶組成物を得
ることが出来る。又誘電異方性が正のものと組合わせる
ことにより二周波型表示素子に用いることが出来る。
合物の一つである4−(トランス−4−ペンチルシクロ
ヘキシル)ビフェニリル−4′−カルボン戚−2−シア
ノ−4−へブチルフェニルエステルの結晶−ネマチック
点(以下、C−N点と略記する)は74.2℃、ネマチ
ック−透明点(以下、N−1点と略記する)は24a5
′Cと広い温度範囲で液晶相葡示し、これ全液晶に11
成吻の1成分として加えることによりその液晶粗放物の
粘度tそれほど高くぜずに透明点を上げることが出来る
。又本発明の化合物の誘電異方性値(以下、△eと略記
する)は−3程度であるので他のネマチック成品と混合
することにより、ゲスト・ホスト型表示素子用に使用で
きる1″tの訪tL異方性を有する〆1に晶組成物を得
ることが出来る。又誘電異方性が正のものと組合わせる
ことにより二周波型表示素子に用いることが出来る。
次に本発明の化合物の製造法金示す。
式(1)でXKXが0であるエステル1体を製造する方
法を示すと、4−アルキルテルフェニル−41−カルボ
ン酸(化合*(1) ) ′に塩化チオニルと反応させ
酸クロリド(化合*(n))とし、ピリジンの存在下で
2−シアノ−4−アルキルフェノールと反応させ、目的
の4−アルキルテルフェニル−41−カルボンct−2
−シアノー4−フルキルフェニルエステル(化合物(I
ll) ) k !’造することが出来る。
法を示すと、4−アルキルテルフェニル−41−カルボ
ン酸(化合*(1) ) ′に塩化チオニルと反応させ
酸クロリド(化合*(n))とし、ピリジンの存在下で
2−シアノ−4−アルキルフェノールと反応させ、目的
の4−アルキルテルフェニル−41−カルボンct−2
−シアノー4−フルキルフェニルエステル(化合物(I
ll) ) k !’造することが出来る。
式(1)で−+がXXであるエステル1体4体を製造す
る方法r示すと、4−()ランス−4−アルキルシクロ
ヘキシル)ビフェニリル−4′−カルボン酸(化合物α
))′fr、塩化チオニルと反応させ酸クロリド(化合
物(■))とし、ピリジンの存在下で2−シアノ−4−
アルキルフェノールと反応させ、目的の4−(トランス
−4−アルキルシクロヘキシル)ビフェニリル−4′−
カルボン酸−2−シアノ−4−アルキルフェニルエステ
ル(化合ql(VD)k製造することが出来る。
る方法r示すと、4−()ランス−4−アルキルシクロ
ヘキシル)ビフェニリル−4′−カルボン酸(化合物α
))′fr、塩化チオニルと反応させ酸クロリド(化合
物(■))とし、ピリジンの存在下で2−シアノ−4−
アルキルフェノールと反応させ、目的の4−(トランス
−4−アルキルシクロヘキシル)ビフェニリル−4′−
カルボン酸−2−シアノ−4−アルキルフェニルエステ
ル(化合ql(VD)k製造することが出来る。
以上を化学式で示すと、
(財) (V)
N
(Vl)
(R及びR′は前記に同じである)
以下実施例により本発明の化合物につき更に詳細に説明
する。
する。
実施例1
4−ペンチルテルフェニル−4“−カルボン酸−2−シ
アノ−4−へブチルフェニルエステル(化合efa (
m) テRがn’5H11、Rzがn ’7H15であ
るもの)の製造 4−ペンチルテルフェニル−4’−カルボン酸(化合物
(1)) 0.96 t*塩化チオニル10ゴと共に8
0℃に加熱した。反応牧は2時間で均一になり、丈に1
時間反応を続けた。次いで過剰の塩化チオニル勿減圧下
にて留去して結晶の酸塩化物(化合物(■))が残った
。別に2−シアノ−4−へブチルフェノール0.649
kピリジン5ゴに溶かしておき、これにトルエン10
−に清かした前記の酸塩化物(化合物(■))金掘り混
ぜながら加えた。反応後−晩装置してからトルエン50
−を加え水にあけた。層状可分離したトルエン層に61
J塩酸、2 N 7J(酸化ナトリウム心奴欠いて水で
洗飾し、最後に無水硫畝す)IJウム奮用いて乾燥した
。次いでトルエン定減圧下で留去して結晶物ケ得、それ
r酢tソエテルで再結晶し目的“吻である4−ペンチル
テルフェニル−41−カルボン岐−2−シアノー4−ヘ
プチルフェニルエステル(化合41) ) 0.769
(収率50.1%)を得た。このもののC−N点は6
6.4℃、N−1点け220.2℃であった。
アノ−4−へブチルフェニルエステル(化合efa (
m) テRがn’5H11、Rzがn ’7H15であ
るもの)の製造 4−ペンチルテルフェニル−4’−カルボン酸(化合物
(1)) 0.96 t*塩化チオニル10ゴと共に8
0℃に加熱した。反応牧は2時間で均一になり、丈に1
時間反応を続けた。次いで過剰の塩化チオニル勿減圧下
にて留去して結晶の酸塩化物(化合物(■))が残った
。別に2−シアノ−4−へブチルフェノール0.649
kピリジン5ゴに溶かしておき、これにトルエン10
−に清かした前記の酸塩化物(化合物(■))金掘り混
ぜながら加えた。反応後−晩装置してからトルエン50
−を加え水にあけた。層状可分離したトルエン層に61
J塩酸、2 N 7J(酸化ナトリウム心奴欠いて水で
洗飾し、最後に無水硫畝す)IJウム奮用いて乾燥した
。次いでトルエン定減圧下で留去して結晶物ケ得、それ
r酢tソエテルで再結晶し目的“吻である4−ペンチル
テルフェニル−41−カルボン岐−2−シアノー4−ヘ
プチルフェニルエステル(化合41) ) 0.769
(収率50.1%)を得た。このもののC−N点は6
6.4℃、N−1点け220.2℃であった。
実施例2
4−()9ンスー4−ペンチルシクロヘキシル)ビフェ
ニリル−4′−カルボン酸−2−シアノ−4−へブチル
フェニルエステル(化11(Vl>でRがn−05’l
l、R/がn’7H15であるもの)の製造 実施例1に準じた方法で、4−()2ンスー4−べ芹チ
ルシクロヘキシル)ビフェニリル−4′−カルホン酸(
化合物叡))1.17rと2−シアノ−4−へブチルフ
ェノールO,’i’ 7 F ! !7.4−()ラン
ス−4−ペンチルシクロヘキシル)ビフェニリル−4′
−カルボン+ff−2−シアノ−4−へブチルフェニル
エステル(化合mC局)1.01 SF (収率55.
3%)を得た。このものの0−N点は74.2℃、八−
1点は246.5℃であった。
ニリル−4′−カルボン酸−2−シアノ−4−へブチル
フェニルエステル(化11(Vl>でRがn−05’l
l、R/がn’7H15であるもの)の製造 実施例1に準じた方法で、4−()2ンスー4−べ芹チ
ルシクロヘキシル)ビフェニリル−4′−カルホン酸(
化合物叡))1.17rと2−シアノ−4−へブチルフ
ェノールO,’i’ 7 F ! !7.4−()ラン
ス−4−ペンチルシクロヘキシル)ビフェニリル−4′
−カルボン+ff−2−シアノ−4−へブチルフェニル
エステル(化合mC局)1.01 SF (収率55.
3%)を得た。このものの0−N点は74.2℃、八−
1点は246.5℃であった。
実施り1j3(使用例)
エステル系のネマチック液晶組成物(チッソ屯9製リク
ソンFパー45)のN −1点は63.4℃、ΔCは−
0,9,20℃における粘度は18.50pである。該
混合物に市販の色素(西独メルク社製G −224)
k、I N、hLチ添加したものケ、対向透明電極の間
隔が10μ7nのセルに封入してゲスト・ホストセル伊
作り、そのしきい電圧をl1ill定したところ3.8
01であった。
ソンFパー45)のN −1点は63.4℃、ΔCは−
0,9,20℃における粘度は18.50pである。該
混合物に市販の色素(西独メルク社製G −224)
k、I N、hLチ添加したものケ、対向透明電極の間
隔が10μ7nのセルに封入してゲスト・ホストセル伊
作り、そのしきい電圧をl1ill定したところ3.8
01であった。
次に本発明の化合物である4−ペンチルテルフェニル−
4′−カルボンl′貸−2−シアノー4−ヘプチルフェ
ニルエステル5 A 景% 及(j 4−(トランス−
4−ペンチルシクロヘキシル)ビフェニリル−4′−カ
ルボ/l[−2−シアノ−4−ヘゲデルフェニルエステ
ル10 MNt% k前記成品組成ql(IP’N−4
5) 85Mm%と混合した成品組成物を調iシした。
4′−カルボンl′貸−2−シアノー4−ヘプチルフェ
ニルエステル5 A 景% 及(j 4−(トランス−
4−ペンチルシクロヘキシル)ビフェニリル−4′−カ
ルボ/l[−2−シアノ−4−ヘゲデルフェニルエステ
ル10 MNt% k前記成品組成ql(IP’N−4
5) 85Mm%と混合した成品組成物を調iシした。
該組成1必のN−1点は84.9℃、△εは−1,2,
20℃における粘度は31.7cpで、これに先と同じ
く色素G−224で1重量係添加したものケs i’+
fT述と同じセルに封入したゲスト・ホスト壓液晶セル
ケ作ってそのしきい′1:i圧(11″狽1j定したと
ころ3.26 Vと大きく低下した。
20℃における粘度は31.7cpで、これに先と同じ
く色素G−224で1重量係添加したものケs i’+
fT述と同じセルに封入したゲスト・ホスト壓液晶セル
ケ作ってそのしきい′1:i圧(11″狽1j定したと
ころ3.26 Vと大きく低下した。
以上
Claims (2)
- (1)一般式 (上式中R及びR′はそれぞれ炭素数1〜15で表わさ
れる2−シアノ−4−アルキルフェノールのエステル誘
導体。 - (2)一般式 (上式中RおよびR′はそれぞれ炭素a1〜15で表わ
される2−シアノ−4−アルキルフェノールのエステル
誘導体を含有することを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11658683A JPS608251A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 2−シアノ−4−アルキルフエノ−ルのエステル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11658683A JPS608251A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 2−シアノ−4−アルキルフエノ−ルのエステル誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS608251A true JPS608251A (ja) | 1985-01-17 |
| JPH045015B2 JPH045015B2 (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=14690797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11658683A Granted JPS608251A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 2−シアノ−4−アルキルフエノ−ルのエステル誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608251A (ja) |
-
1983
- 1983-06-28 JP JP11658683A patent/JPS608251A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH045015B2 (ja) | 1992-01-30 |
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