JPS608304B2 - 真空蒸着法 - Google Patents
真空蒸着法Info
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- JPS608304B2 JPS608304B2 JP16010279A JP16010279A JPS608304B2 JP S608304 B2 JPS608304 B2 JP S608304B2 JP 16010279 A JP16010279 A JP 16010279A JP 16010279 A JP16010279 A JP 16010279A JP S608304 B2 JPS608304 B2 JP S608304B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、移動する高分子成形物などの可榛’性テープ
状基体に磁性膜などを真空蒸着して磁気記録体などを製
造するための真空蒸着法に関する。
状基体に磁性膜などを真空蒸着して磁気記録体などを製
造するための真空蒸着法に関する。
従来より磁気記録媒体としては、非磁性基体上にｙ一Ｆ
ｅ２０３、Ｃｏをドープしたｙ−Ｆｅ２０３、Ｆｅ３０
４、ＣｏをドープしたＦｅ３０４、ｙ一Ｆｅ２０３とＦ
ｅ３０４のベルトラィド化合物、Ｃｏをドープしたベル
トラィド化合物、Ｃの２等の酸化物磁性粉末あるいはＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等を主成分とする合金磁性粉末等の粉末
磁性材料を塩化ビニール酢酸ビニル共重合体，スチレン
ーブタジェン共重合体，ヱポキシ樹脂，ポリウレタン樹
脂等の有機バインダー中に分散せしめ、塗布、乾燥させ
る塗布型のものが広く使用されてきている。近年高密度
磁気記録への要求の高まりと共に、真空蒸着，スパッタ
リング，イオンプレーテング等の方法により形成される
強磁性金属薄膜はバインダーを使用しない、いわゆる非
バインダー型の磁気記録媒体として注目を浴びており実
用化への努力が種々行なわれている。
ｅ２０３、Ｃｏをドープしたｙ−Ｆｅ２０３、Ｆｅ３０
４、ＣｏをドープしたＦｅ３０４、ｙ一Ｆｅ２０３とＦ
ｅ３０４のベルトラィド化合物、Ｃｏをドープしたベル
トラィド化合物、Ｃの２等の酸化物磁性粉末あるいはＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等を主成分とする合金磁性粉末等の粉末
磁性材料を塩化ビニール酢酸ビニル共重合体，スチレン
ーブタジェン共重合体，ヱポキシ樹脂，ポリウレタン樹
脂等の有機バインダー中に分散せしめ、塗布、乾燥させ
る塗布型のものが広く使用されてきている。近年高密度
磁気記録への要求の高まりと共に、真空蒸着，スパッタ
リング，イオンプレーテング等の方法により形成される
強磁性金属薄膜はバインダーを使用しない、いわゆる非
バインダー型の磁気記録媒体として注目を浴びており実
用化への努力が種々行なわれている。
これらの中でも磁性金属の蒸発ビームを基体表面に対し
斜めに入射させて蒸着する斜方入射真空蒸着法は、工程
，装置機構も比較的簡単であると同時に、良好な磁気特
性の膜が得られるため実用化上すぐれている。従来の斜
方入射真空蒸着法では直線状にあるいはシリンダー状キ
ャンの周面に沿って曲線状に移動するテープ状基体上に
１個の蒸発源からはただ１度のみ所定の入射角あるいは
入射角範囲で強磁性体物質等が蒸着されるが、基体面が
蒸発源に対して斜めに位置している為に、基板面が蒸発
入射ビームに対して直角（入射角零に相当）の場合と比
較して入射角の余弦（ｃｏｓｉｎｅ）倍の蒸着膜厚とな
り、入射角が大となるに従って葵着効率は著しく劣って
くる。その上テープ状基体と蒸発源の幾何学的配置の関
係から入射角が大となるに従って基体面と蒸発源の距離
が大きくならギるを得ず、これも蒸着効率低下の原因と
なっていた。本発明の目的は、従来の方法よりも蒸着効
率を高め実用上すぐれた斜方入射真空蒸着法を提供する
ことにある。
斜めに入射させて蒸着する斜方入射真空蒸着法は、工程
，装置機構も比較的簡単であると同時に、良好な磁気特
性の膜が得られるため実用化上すぐれている。従来の斜
方入射真空蒸着法では直線状にあるいはシリンダー状キ
ャンの周面に沿って曲線状に移動するテープ状基体上に
１個の蒸発源からはただ１度のみ所定の入射角あるいは
入射角範囲で強磁性体物質等が蒸着されるが、基体面が
蒸発源に対して斜めに位置している為に、基板面が蒸発
入射ビームに対して直角（入射角零に相当）の場合と比
較して入射角の余弦（ｃｏｓｉｎｅ）倍の蒸着膜厚とな
り、入射角が大となるに従って葵着効率は著しく劣って
くる。その上テープ状基体と蒸発源の幾何学的配置の関
係から入射角が大となるに従って基体面と蒸発源の距離
が大きくならギるを得ず、これも蒸着効率低下の原因と
なっていた。本発明の目的は、従来の方法よりも蒸着効
率を高め実用上すぐれた斜方入射真空蒸着法を提供する
ことにある。
すなわち本発明は真空雰囲気内でシリンダー状キャンの
周面に沿って移動するテープ状基体に真空蒸着を行なう
方法において、少なくとも２個のシリンダー状キャンを
極〈狭い隙間を介して隣接せしめ、該シリンダー状キャ
ンを同方向に回転させつつ該隙間を通してテープ状基体
を移動させ、該隙間下方に配置された蒸発源より該テー
プ状基体に斜方入射蒸着を行なうことを特徴とする真空
黍着法である。第１図は、本発明による真空蒸着法の実
施態様を示したものである。
周面に沿って移動するテープ状基体に真空蒸着を行なう
方法において、少なくとも２個のシリンダー状キャンを
極〈狭い隙間を介して隣接せしめ、該シリンダー状キャ
ンを同方向に回転させつつ該隙間を通してテープ状基体
を移動させ、該隙間下方に配置された蒸発源より該テー
プ状基体に斜方入射蒸着を行なうことを特徴とする真空
黍着法である。第１図は、本発明による真空蒸着法の実
施態様を示したものである。
真空室の内部は比較的低真空の上室１と高真空の下室２
に分離されていてそれぞれ独立に真空排気される。上室
１には必要に応じて可視’性テープ状基体３の送出し、
巻取りロール，ダンサーローフー，エキスパンダーロー
フー等（図示されていない）が配設され、シリンダー状
キャン４，５と仕切り板６とで必要な差圧状態を維持す
るようになっている。可榛性テープ状基体３は下室２で
はキヤン４，５の回転によりキャン面に沿って移動する
ようになっている。シリンダー状キャン４，５の間には
極く狭い隙間７が設けられており、キャン４に沿って可
榛Ｉ性テープ状基体３が下から上へ移動し、案内ローラ
−８を経た後キャン５に沿って可榛性テープ状基体３が
上から下へ移動する。隙間７は互いに逆方向に移動する
可榛性テープ状基体３の表面に形成された蒸着膜がこす
れ合わない程度の間隔は有している。キヤン４，５間の
隙間７の下方には蒸発源９が配設されており、キャン４
，５に沿って移動する可擬性テープ状基体３上にマスク
１０，１ １を介して斜方入射蒸着が行なわれる。なお
２個のキャン４，５の間隔を通過する極く少い燕着物に
対向するマスク１２を設けても良い。本発明によれば蒸
発源９からの蒸発ビームがキャン４に沿って移動する可
擬性テープ状基体３およびキャン５に沿って移動する可
携性テープ状基体３の両方に葵着されるために効率が良
い。
に分離されていてそれぞれ独立に真空排気される。上室
１には必要に応じて可視’性テープ状基体３の送出し、
巻取りロール，ダンサーローフー，エキスパンダーロー
フー等（図示されていない）が配設され、シリンダー状
キャン４，５と仕切り板６とで必要な差圧状態を維持す
るようになっている。可榛性テープ状基体３は下室２で
はキヤン４，５の回転によりキャン面に沿って移動する
ようになっている。シリンダー状キャン４，５の間には
極く狭い隙間７が設けられており、キャン４に沿って可
榛Ｉ性テープ状基体３が下から上へ移動し、案内ローラ
−８を経た後キャン５に沿って可榛性テープ状基体３が
上から下へ移動する。隙間７は互いに逆方向に移動する
可榛性テープ状基体３の表面に形成された蒸着膜がこす
れ合わない程度の間隔は有している。キヤン４，５間の
隙間７の下方には蒸発源９が配設されており、キャン４
，５に沿って移動する可擬性テープ状基体３上にマスク
１０，１ １を介して斜方入射蒸着が行なわれる。なお
２個のキャン４，５の間隔を通過する極く少い燕着物に
対向するマスク１２を設けても良い。本発明によれば蒸
発源９からの蒸発ビームがキャン４に沿って移動する可
擬性テープ状基体３およびキャン５に沿って移動する可
携性テープ状基体３の両方に葵着されるために効率が良
い。
蒸発源９からの膜厚分布はＣＯＳｎ分布を示すが、電子
ビーム加熱によって磁性金属材料等を蒸発させる場合に
はｎは２〜３の値で、蒸発源上方に、より多くの蒸発ビ
ームが放出される。本発明によれば蒸発源９の上方に放
出される蒸発ビームを有効に利用できるもので実用化上
も大きな利点を有する。さらに袴開昭５２−１２９，４
０９に開示されている如く、斜方入射葵着による磁気記
録媒体の製造の際基体面の法線に関して対称な方向から
交互に斜方入射蒸着を行なうことが有効であるが本発明
の真空蒸着法によれば容易に実施することができる。
ビーム加熱によって磁性金属材料等を蒸発させる場合に
はｎは２〜３の値で、蒸発源上方に、より多くの蒸発ビ
ームが放出される。本発明によれば蒸発源９の上方に放
出される蒸発ビームを有効に利用できるもので実用化上
も大きな利点を有する。さらに袴開昭５２−１２９，４
０９に開示されている如く、斜方入射葵着による磁気記
録媒体の製造の際基体面の法線に関して対称な方向から
交互に斜方入射蒸着を行なうことが有効であるが本発明
の真空蒸着法によれば容易に実施することができる。
本発明の真空蒸着法によって磁気記録媒体を製造する場
合、磁性薄膜を形成させるための強磁性金属としてはＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属あるいはＦｅ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｎ
ｉ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｒｈ，Ｆｅ
−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｙ，Ｃｏ−Ｌ
ａ，Ｃｏ−Ｐｒ，Ｃｏ−Ｇｄ，Ｃｏ−Ｓｍ，Ｃｏ−Ｐｔ
，Ｎｉ−Ｃｕ，Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ｓｂ，Ｍｎ−Ｎ，Ｆ
ｅ−Ｃｒ，Ｃｏ一Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ
，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ一Ｃｒ等のような強磁性合金が用い
られる。磁性膜の厚さは、磁気記録媒体として充分な出
力を与え得る厚さおよび高密度記録の充分行なえる薄さ
を必要とすることから一般には０．０５仏ｍから１．０
ｒｍ、好ましくは０．１仏ｍから０．４仏ｍである。可
操性基体としてはポリエチレンテレフタレート，ポリィ
ミド，ポリアミド，ポリ塩化ビニル，三酢酸セルロース
，ポリカーポネート，ポリエチレンナフタレートのよう
なプラスチックベース、あるいはＮ，ＡＩ合金、Ｔｉ，
Ｔｉ合金、ステンレス鋼のような金属帯が用いられる。
蒸発源加熱方法としては抵抗加熱法、レーザービーム加
熱法、高周波加熱方法、電子ビーム加熱法等いずれの方
法も用いうる。
合、磁性薄膜を形成させるための強磁性金属としてはＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属あるいはＦｅ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｎ
ｉ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｒｈ，Ｆｅ
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ａ，Ｃｏ−Ｐｒ，Ｃｏ−Ｇｄ，Ｃｏ−Ｓｍ，Ｃｏ−Ｐｔ
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ｅ−Ｃｒ，Ｃｏ一Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ
，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ一Ｃｒ等のような強磁性合金が用い
られる。磁性膜の厚さは、磁気記録媒体として充分な出
力を与え得る厚さおよび高密度記録の充分行なえる薄さ
を必要とすることから一般には０．０５仏ｍから１．０
ｒｍ、好ましくは０．１仏ｍから０．４仏ｍである。可
操性基体としてはポリエチレンテレフタレート，ポリィ
ミド，ポリアミド，ポリ塩化ビニル，三酢酸セルロース
，ポリカーポネート，ポリエチレンナフタレートのよう
なプラスチックベース、あるいはＮ，ＡＩ合金、Ｔｉ，
Ｔｉ合金、ステンレス鋼のような金属帯が用いられる。
蒸発源加熱方法としては抵抗加熱法、レーザービーム加
熱法、高周波加熱方法、電子ビーム加熱法等いずれの方
法も用いうる。
蒸発物質の供給方法として線状材料を加熱源に送り出す
方法も使用できる。第２図は、本発明による真空蒸着法
の別の実施態様を示している。
方法も使用できる。第２図は、本発明による真空蒸着法
の別の実施態様を示している。
真空容器２１の内部は比較的低真空の巻取室２２と高真
空の蒸着室２３とに分離されていてそれぞれ真空排気孔
２４，２５によって独立に真空排気される。巻取室２２
には可操性テープ状基体４６の送出し、巻取ロール２６
，２７等が配設され、シリンダー状キャン２８，２９，
３０，３１と仕切り壁３２によって必要な差圧状態を維
持するようになっている。可孫性テープ状基体４６は同
一方向に回転するキャン２８，２９，３０，３１の回転
と共にキャンの周面に沿つて移動し、キャンとキャンの
間では巻取室２２に設けられた案内ローラー３３，３４
，３５によって案内される。キャン２８と２９の間、キ
ヤン２９と３０の間、キヤン３０と３１の間にはそれぞ
れ隙間３６，３７，３８が設けられている。隙間３６，
３７，３８は極めて狭く設計されているが、互いに逆方
向に移動する可榛’性テープ状基体４６の表面に形成さ
れた蒸着源がこすれ合わない程度に広くなっている。キ
ヤンの隙間３６，３７，３８の下方にはそれぞれ蒸発源
３９，４０，４１が配設されており、キャン２８，２９
，３０，３１に沿って移動する可操性テープ状基体４６
の上にマスク４２，４３，４４，４５を介して斜方入射
蒸着が行なわれる。以上のように本発明の真空蒸着法に
よれば、従来の方法よりも蒸着効率よく斜方入射蒸着が
行なえ、例えば蒸着型磁気記録媒体を製造する上でその
産業性は大なるものである。
空の蒸着室２３とに分離されていてそれぞれ真空排気孔
２４，２５によって独立に真空排気される。巻取室２２
には可操性テープ状基体４６の送出し、巻取ロール２６
，２７等が配設され、シリンダー状キャン２８，２９，
３０，３１と仕切り壁３２によって必要な差圧状態を維
持するようになっている。可孫性テープ状基体４６は同
一方向に回転するキャン２８，２９，３０，３１の回転
と共にキャンの周面に沿つて移動し、キャンとキャンの
間では巻取室２２に設けられた案内ローラー３３，３４
，３５によって案内される。キャン２８と２９の間、キ
ヤン２９と３０の間、キヤン３０と３１の間にはそれぞ
れ隙間３６，３７，３８が設けられている。隙間３６，
３７，３８は極めて狭く設計されているが、互いに逆方
向に移動する可榛’性テープ状基体４６の表面に形成さ
れた蒸着源がこすれ合わない程度に広くなっている。キ
ヤンの隙間３６，３７，３８の下方にはそれぞれ蒸発源
３９，４０，４１が配設されており、キャン２８，２９
，３０，３１に沿って移動する可操性テープ状基体４６
の上にマスク４２，４３，４４，４５を介して斜方入射
蒸着が行なわれる。以上のように本発明の真空蒸着法に
よれば、従来の方法よりも蒸着効率よく斜方入射蒸着が
行なえ、例えば蒸着型磁気記録媒体を製造する上でその
産業性は大なるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明による真空蒸着法の実施態様
を示す略図である。 １４，１５，２８，２９，３０及び３１……キャン、３
及び４６・…・・テープ状基体、９，３９，４０及び４
１…・・・蒸発源。 第１図 第２図
を示す略図である。 １４，１５，２８，２９，３０及び３１……キャン、３
及び４６・…・・テープ状基体、９，３９，４０及び４
１…・・・蒸発源。 第１図 第２図
Claims (1)
- １ 真空雰囲気内でシリンダー状キヤンの周面に沿って
移動するテープ状基体に真空蒸着を行なう方法において
、少なくとも２個のシリンダー状キヤンを極く狭い隙間
を介して隣接せしめ、該シリンダー状キヤンを同方向に
回転させつつ該隙間を通してテープ状基体を移動させ、
該隙間下方に配置された蒸発源より該テープ状基体に斜
方入射蒸着を行なう事を特徴とする真空蒸着法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16010279A JPS608304B2 (ja) | 1979-12-10 | 1979-12-10 | 真空蒸着法 |
| DE19803046564 DE3046564A1 (de) | 1979-12-10 | 1980-12-10 | "verfahren und vorrichtung zur vakuum-bedampfung" |
| US06/443,996 US4403002A (en) | 1979-12-10 | 1982-11-23 | Vacuum evaporating apparatus |
| US06/498,441 US4454836A (en) | 1979-12-10 | 1983-05-26 | Vacuum evaporating apparatus utilizing multiple rotatable cans |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16010279A JPS608304B2 (ja) | 1979-12-10 | 1979-12-10 | 真空蒸着法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5684470A JPS5684470A (en) | 1981-07-09 |
| JPS608304B2 true JPS608304B2 (ja) | 1985-03-01 |
Family
ID=15707886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16010279A Expired JPS608304B2 (ja) | 1979-12-10 | 1979-12-10 | 真空蒸着法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608304B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5121638B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2013-01-16 | パナソニック株式会社 | 蒸着装置および蒸着装置を用いた蒸着膜の製造方法 |
-
1979
- 1979-12-10 JP JP16010279A patent/JPS608304B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5684470A (en) | 1981-07-09 |
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