JPH0442729B2 - - Google Patents
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- JPH0442729B2 JPH0442729B2 JP3869483A JP3869483A JPH0442729B2 JP H0442729 B2 JPH0442729 B2 JP H0442729B2 JP 3869483 A JP3869483 A JP 3869483A JP 3869483 A JP3869483 A JP 3869483A JP H0442729 B2 JPH0442729 B2 JP H0442729B2
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- magnetic recording
- thin film
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は磁気録音、録画等の民生分野、情報の
記録等のコンピユータ等の産業分野に於て、磁気
記録の高密度化を果す磁気記録媒体の製造方法に
関する。 従来例の構成とその問題点 近年、バインダをもたない金属薄膜型の磁気記
録媒体が高密度記録の達成に不可欠となり、各方
面で開発が活発に進められている。現在実用に最
も近いレベルにあるのは、酸素中で蒸着された
Co−Ni合金薄膜から成る面内磁化膜であるが、
更に高密度化を図るにはCo−Cr系の垂直磁化膜
が有望視されているものの、これらの媒体を実用
環境での耐久性能の面から評価すると充分とは言
い難い。端的な例は、これらの媒体を65℃、95%
RHの環境に1ケ月放置した後、薄膜を構成する
Bs(飽和磁束密度)が10〜50%も減少する点であ
る。かかる性能の向上のために、合金成分の検
討、オーバーコートの検討等が行われ、各方面か
ら数多くの提案がなされているが、決定的な方法
が見出されていないのが現状である。 発明の目的 本発明は強磁製薄膜自体の耐久性を著しく改良
できる蒸着法に基づく磁気記録媒体の製造方法を
提供することを目的とする。 発明の構成 本発明の磁気記録媒体の製造方法は、真空雰囲
気下で高分子基板に強磁性蒸気を差し向けて前記
高分子基板上に強磁性薄膜層を形成する際に、蒸
着速度を1000Å/sec以上にすると共に真空雰囲
気の圧力を10-6パスカル以下にして耐久性の改良
された媒体を得ることを特徴とする。蒸発速度と
真空度の兼ね合いは後述する実験例ほか多くの実
験結果をまとめた図面より、耐久性に大きな変化
が見られることより伺える。蒸着速度が1000Å/
secよりも遅いと真空度の存在性が大きくなり生
産品質が不安定になることから、蒸着速度につい
ては1000Å/sec以上を選ぶのが好ましいといえ
る。また、真空度については、10-6Pa以下であ
れば、65℃95%RH環境下で1ケ月間放置時のBs
の変化率は2%以下で無視できることから10-6
Pa以下に管理することが好ましいことがわかる。 これらの臨界が生ずる理由は明らかでないが、
錆の発生がパルクと異なり、薄膜では欠陥に依存
する度合が強いため、非直線的な変化が結果的に
問題になるためと考えられる。 高分子基板は、ポリエステル基板、ポリアミド
基板、ポリイミド基板等が用いられ、本発明の蒸
着に先立ち、グロー処理やイオンボンバード処理
等の前処理を行うこともできる。 強磁性材料は、Fe、Co、Niの単体、Fe−Co、
Co−Ni、Fe−Co−Ni、Co−Cu、Co−Au、Co
−V、Co−Ru、Co−Cr、Co−Sm、Co−Pt、
Mn−Bi、Mn−Al等が用いられるが、これらの
加熱蒸発は、電子ビーム加熱方式が最も優れてい
る。 蒸着方法は、単なる電子ビーム蒸着法は勿論、
イオン化蒸着、電界蒸着等を用いることもでき
る。 10-6Pa以下の圧力は、油拡散ポンプと液体窒
素トラツプの組み合せでも良いし、クライオポン
プ、イオンポンプ等であつても実現できる。10-6
Pa以下の圧力に保持した上で、最大分圧が例え
ば、酸素であるように、外部よりのガス導入と併
用することも可能であるのは勿論である。 蒸着速度については、磁気テープ、磁気デイス
ク等の大量生産に利用する前提から、100Å/sec
〜10,000Å/secの範囲について自由に選択し得
るものであるが本発明では1,000Å/sec以上が
好ましいといえる。 実施例の説明 以下、本発明の製造方法を具体的な実験例に基
づいて説明する。 ベーキング可能な内容積4m3のステンレス製の
角型真空容器内に、直径50cmの回転キヤンを中心
とした高分子基板の巻取り系を配し、回転キヤン
の直下20cmの位置に電子ビーム蒸発源を配し排気
速度70,000/secの排気系を配設した。また蒸
着が実施される近くに電離真空計を配設して、圧
力測定を行えるようにした。 〔実験例 1〕 蒸発源にCo82%、Ni18%を装着し、入射角47°
以上で斜方蒸着法により、高分子基板としてのポ
リエチレンテレフタレート基板(厚み9.5μm)上
に0.06μmから0.22μmのCo−Ni薄膜を2000Å/
secで形成して磁気記録媒体を得た。その際、圧
力を残留気体の場合と、強制的に純度99.99%ア
ツプの酸素を導入して酸素を最大分圧とする場合
にわけて実施した。 比較例として、5×10-6Pa、1×10-5Paでも
蒸着を行つた値を代表的に示したが、他の結果
は、図面に範囲として示した通りである。試料番
号と、製造時の圧力条件は第1表のようである。
記録等のコンピユータ等の産業分野に於て、磁気
記録の高密度化を果す磁気記録媒体の製造方法に
関する。 従来例の構成とその問題点 近年、バインダをもたない金属薄膜型の磁気記
録媒体が高密度記録の達成に不可欠となり、各方
面で開発が活発に進められている。現在実用に最
も近いレベルにあるのは、酸素中で蒸着された
Co−Ni合金薄膜から成る面内磁化膜であるが、
更に高密度化を図るにはCo−Cr系の垂直磁化膜
が有望視されているものの、これらの媒体を実用
環境での耐久性能の面から評価すると充分とは言
い難い。端的な例は、これらの媒体を65℃、95%
RHの環境に1ケ月放置した後、薄膜を構成する
Bs(飽和磁束密度)が10〜50%も減少する点であ
る。かかる性能の向上のために、合金成分の検
討、オーバーコートの検討等が行われ、各方面か
ら数多くの提案がなされているが、決定的な方法
が見出されていないのが現状である。 発明の目的 本発明は強磁製薄膜自体の耐久性を著しく改良
できる蒸着法に基づく磁気記録媒体の製造方法を
提供することを目的とする。 発明の構成 本発明の磁気記録媒体の製造方法は、真空雰囲
気下で高分子基板に強磁性蒸気を差し向けて前記
高分子基板上に強磁性薄膜層を形成する際に、蒸
着速度を1000Å/sec以上にすると共に真空雰囲
気の圧力を10-6パスカル以下にして耐久性の改良
された媒体を得ることを特徴とする。蒸発速度と
真空度の兼ね合いは後述する実験例ほか多くの実
験結果をまとめた図面より、耐久性に大きな変化
が見られることより伺える。蒸着速度が1000Å/
secよりも遅いと真空度の存在性が大きくなり生
産品質が不安定になることから、蒸着速度につい
ては1000Å/sec以上を選ぶのが好ましいといえ
る。また、真空度については、10-6Pa以下であ
れば、65℃95%RH環境下で1ケ月間放置時のBs
の変化率は2%以下で無視できることから10-6
Pa以下に管理することが好ましいことがわかる。 これらの臨界が生ずる理由は明らかでないが、
錆の発生がパルクと異なり、薄膜では欠陥に依存
する度合が強いため、非直線的な変化が結果的に
問題になるためと考えられる。 高分子基板は、ポリエステル基板、ポリアミド
基板、ポリイミド基板等が用いられ、本発明の蒸
着に先立ち、グロー処理やイオンボンバード処理
等の前処理を行うこともできる。 強磁性材料は、Fe、Co、Niの単体、Fe−Co、
Co−Ni、Fe−Co−Ni、Co−Cu、Co−Au、Co
−V、Co−Ru、Co−Cr、Co−Sm、Co−Pt、
Mn−Bi、Mn−Al等が用いられるが、これらの
加熱蒸発は、電子ビーム加熱方式が最も優れてい
る。 蒸着方法は、単なる電子ビーム蒸着法は勿論、
イオン化蒸着、電界蒸着等を用いることもでき
る。 10-6Pa以下の圧力は、油拡散ポンプと液体窒
素トラツプの組み合せでも良いし、クライオポン
プ、イオンポンプ等であつても実現できる。10-6
Pa以下の圧力に保持した上で、最大分圧が例え
ば、酸素であるように、外部よりのガス導入と併
用することも可能であるのは勿論である。 蒸着速度については、磁気テープ、磁気デイス
ク等の大量生産に利用する前提から、100Å/sec
〜10,000Å/secの範囲について自由に選択し得
るものであるが本発明では1,000Å/sec以上が
好ましいといえる。 実施例の説明 以下、本発明の製造方法を具体的な実験例に基
づいて説明する。 ベーキング可能な内容積4m3のステンレス製の
角型真空容器内に、直径50cmの回転キヤンを中心
とした高分子基板の巻取り系を配し、回転キヤン
の直下20cmの位置に電子ビーム蒸発源を配し排気
速度70,000/secの排気系を配設した。また蒸
着が実施される近くに電離真空計を配設して、圧
力測定を行えるようにした。 〔実験例 1〕 蒸発源にCo82%、Ni18%を装着し、入射角47°
以上で斜方蒸着法により、高分子基板としてのポ
リエチレンテレフタレート基板(厚み9.5μm)上
に0.06μmから0.22μmのCo−Ni薄膜を2000Å/
secで形成して磁気記録媒体を得た。その際、圧
力を残留気体の場合と、強制的に純度99.99%ア
ツプの酸素を導入して酸素を最大分圧とする場合
にわけて実施した。 比較例として、5×10-6Pa、1×10-5Paでも
蒸着を行つた値を代表的に示したが、他の結果
は、図面に範囲として示した通りである。試料番
号と、製造時の圧力条件は第1表のようである。
蒸発源を、回転キヤン直下をAとし、高分子基
板が回転キヤンに沿つて入つてくる側をBとする
二源とした場合(A,Bの中心間距離は11cmとし
た。)に、A側の材料をCo100%に固定し、B側
の材料をCr,Sm,V、の3種類からひとつずつ
選んで、電子ビームの滞在時間を変えて、夫々の
合金成分でB成分を、全体に対する重量%で10%
〜33%の範囲について可変し、膜厚0.1μmの薄膜
を高分子基板としてのポリアミド基板上に50°以
上の入射角での斜方蒸着にて平均3000Å/secで
形成した。回転キヤンの温度は、250℃に保持し
て蒸着した。蒸着前に回転キヤン温度は300℃で
4時間保持し、圧力条件が長時間蒸着中に、一定
に保持できるように配慮して実施した。 Co−Cr、Co−Sm、Co−V系の夫々の膜につ
いて、共通する圧力条件と試料番号は第2表の如
くである。 比較例として、やはり5×10-6Pa、1×10-5
Paでの蒸着を行つた。
板が回転キヤンに沿つて入つてくる側をBとする
二源とした場合(A,Bの中心間距離は11cmとし
た。)に、A側の材料をCo100%に固定し、B側
の材料をCr,Sm,V、の3種類からひとつずつ
選んで、電子ビームの滞在時間を変えて、夫々の
合金成分でB成分を、全体に対する重量%で10%
〜33%の範囲について可変し、膜厚0.1μmの薄膜
を高分子基板としてのポリアミド基板上に50°以
上の入射角での斜方蒸着にて平均3000Å/secで
形成した。回転キヤンの温度は、250℃に保持し
て蒸着した。蒸着前に回転キヤン温度は300℃で
4時間保持し、圧力条件が長時間蒸着中に、一定
に保持できるように配慮して実施した。 Co−Cr、Co−Sm、Co−V系の夫々の膜につ
いて、共通する圧力条件と試料番号は第2表の如
くである。 比較例として、やはり5×10-6Pa、1×10-5
Paでの蒸着を行つた。
〔実験例2〕と同じ位置関係の二源蒸発源を用
いて、A側をCo100%一定とし、B側として、
Cr、Ru、Wの3種類の中からひとつずつ選び、
〔実験例3〕と同様にし、マスキング方法だけ変
更し、垂直蒸着(入射角は±6°以内となるように
した。)して、垂直磁化膜を得た。 比較例として、高周波二極スパツタ法により
0.1μm同一基板上に作成した。キヤリアガスは
Ar,Heの2種類で、圧力条件は10-1Paとしたも
のと、電子ビーム蒸着による(圧力条件は5×
10-6Pa、1×10-5Pa)ものを作成した。圧力条
件は第3表の如くである。
いて、A側をCo100%一定とし、B側として、
Cr、Ru、Wの3種類の中からひとつずつ選び、
〔実験例3〕と同様にし、マスキング方法だけ変
更し、垂直蒸着(入射角は±6°以内となるように
した。)して、垂直磁化膜を得た。 比較例として、高周波二極スパツタ法により
0.1μm同一基板上に作成した。キヤリアガスは
Ar,Heの2種類で、圧力条件は10-1Paとしたも
のと、電子ビーム蒸着による(圧力条件は5×
10-6Pa、1×10-5Pa)ものを作成した。圧力条
件は第3表の如くである。
【表】
このようにして得られた磁気記録媒体を8mm幅
に裁断し、100mの長さをリール巻回して、各種
の存在環境に保存する前後の磁気特性の変化を調
べた。飽和磁束密度Bsは、膜厚を測定し、振動
試料束計(VSM)により算出した。試料番号は
実験例で説明したものを用いてあり比較例につい
ては実験例で述べたもののうち、ベストの結果が
得られたもので代表させて示した。環境条件とし
て60℃90%RHに3ケ月保存した結果は第4表の
如くであつた。
に裁断し、100mの長さをリール巻回して、各種
の存在環境に保存する前後の磁気特性の変化を調
べた。飽和磁束密度Bsは、膜厚を測定し、振動
試料束計(VSM)により算出した。試料番号は
実験例で説明したものを用いてあり比較例につい
ては実験例で述べたもののうち、ベストの結果が
得られたもので代表させて示した。環境条件とし
て60℃90%RHに3ケ月保存した結果は第4表の
如くであつた。
【表】
【表】
その他、65℃96%1ケ月、65℃95%3ケ月のテ
スト結果では更に差があきらかとなり、本発明の
製法により得られたものの耐久性は極めて良好で
あり、本発明の製法で得られた磁性層の耐久性の
一層の向上を、有機、無機のオーバーコートによ
り具体化することも、オーバーコート層厚みが
100Å程度でも可能となる点も併せると、その産
業上の価値は大きい。 なお、上記実施例において高分子基板の冷却、
搬送手段は回転キヤンであつたが、これは回転ベ
ルト等であつてもよい。 発明の効果 以上説明のように本発明の磁気記録媒体の製造
方法によると、蒸着速度と形成時の真空雰囲気の
圧力を決められた範囲に設定するだけで従来より
も耐久性の改良された媒体を得ることができるも
のである。
スト結果では更に差があきらかとなり、本発明の
製法により得られたものの耐久性は極めて良好で
あり、本発明の製法で得られた磁性層の耐久性の
一層の向上を、有機、無機のオーバーコートによ
り具体化することも、オーバーコート層厚みが
100Å程度でも可能となる点も併せると、その産
業上の価値は大きい。 なお、上記実施例において高分子基板の冷却、
搬送手段は回転キヤンであつたが、これは回転ベ
ルト等であつてもよい。 発明の効果 以上説明のように本発明の磁気記録媒体の製造
方法によると、蒸着速度と形成時の真空雰囲気の
圧力を決められた範囲に設定するだけで従来より
も耐久性の改良された媒体を得ることができるも
のである。
図面は強磁性薄膜層形成時の蒸着速度と真空度
と飽和磁束密度の環境試験結果の関係図である。
と飽和磁束密度の環境試験結果の関係図である。
Claims (1)
- 1 真空雰囲気下で高分子基板に強磁製蒸気を差
し向けて前記高分子基板上に強磁性薄膜層を形成
する際に、蒸着速度を1000Å/sec以上にすると
共に形成時の真空雰囲気の圧力を10-6パスカル以
下にする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58038694A JPS59165246A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58038694A JPS59165246A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59165246A JPS59165246A (ja) | 1984-09-18 |
| JPH0442729B2 true JPH0442729B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=12532408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58038694A Granted JPS59165246A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59165246A (ja) |
-
1983
- 1983-03-08 JP JP58038694A patent/JPS59165246A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59165246A (ja) | 1984-09-18 |
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