JPS6083213A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS6083213A JPS6083213A JP19072483A JP19072483A JPS6083213A JP S6083213 A JPS6083213 A JP S6083213A JP 19072483 A JP19072483 A JP 19072483A JP 19072483 A JP19072483 A JP 19072483A JP S6083213 A JPS6083213 A JP S6083213A
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- thin film
- film
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- recording
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は高密度磁気記録に適した薄膜磁気ヘッドに係シ
、特に高密度での再生出力が高い垂直磁気記録用薄膜磁
気ヘッドに関する。
、特に高密度での再生出力が高い垂直磁気記録用薄膜磁
気ヘッドに関する。
主磁極１１を磁気抵抗効果を有する薄膜軟磁性体で形成
し、補助磁極」２を励磁することで垂直記録媒体１３に
記録を行ない、再生時には核主磁極の磁気抵抗効果を用
い電流端子１４により主磁極両端の電圧変化を検出し再
生信号を得るものである。しかしながら、本構造のヘッ
ドは媒体を挾持する必要があるため、例えば厚い基板を
もつ磁気ディスクなどに応用することは離しく、実用上
あまシ好ましくないこと、及び主磁極内の反磁界を減少
せしめ記録時に充分な記録磁界を得るためには主磁極の
高さｈを充分高くする必要があるが、この場谷には、再
生時の磁気抵抗変化分が減少し再生出力が低下してしま
うという欠点があった。
し、補助磁極」２を励磁することで垂直記録媒体１３に
記録を行ない、再生時には核主磁極の磁気抵抗効果を用
い電流端子１４により主磁極両端の電圧変化を検出し再
生信号を得るものである。しかしながら、本構造のヘッ
ドは媒体を挾持する必要があるため、例えば厚い基板を
もつ磁気ディスクなどに応用することは離しく、実用上
あまシ好ましくないこと、及び主磁極内の反磁界を減少
せしめ記録時に充分な記録磁界を得るためには主磁極の
高さｈを充分高くする必要があるが、この場谷には、再
生時の磁気抵抗変化分が減少し再生出力が低下してしま
うという欠点があった。
本発明の目的は、充分な記録磁界が得られ、かつ再生感
度も高い、磁気抵抗効果型主磁極薄膜を有する垂直磁気
記録用薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
度も高い、磁気抵抗効果型主磁極薄膜を有する垂直磁気
記録用薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
本発明ｔよ、記録時には反磁界が少なく充分な記録磁界
が得られ、再生時には高出力が得られるように、主磁極
先端部を磁気抵抗効果特性を有する磁性薄膜とし、該薄
膜とは電気的には実質的に絶縁されてはいるが磁気的に
は結合状態で重なっている部分を有する厚い磁性体を後
部とする構造の主磁極と、さらにこの厚い磁性体部とヘ
ッド後端部で磁気的に結合している補助磁極とで薄膜ヘ
ッドを構成したものである。なお、本発明の薄膜磁気ヘ
ッドは、主磁極と補助磁極が磁気記録媒体の一方の同じ
側に位置するものとする。
が得られ、再生時には高出力が得られるように、主磁極
先端部を磁気抵抗効果特性を有する磁性薄膜とし、該薄
膜とは電気的には実質的に絶縁されてはいるが磁気的に
は結合状態で重なっている部分を有する厚い磁性体を後
部とする構造の主磁極と、さらにこの厚い磁性体部とヘ
ッド後端部で磁気的に結合している補助磁極とで薄膜ヘ
ッドを構成したものである。なお、本発明の薄膜磁気ヘ
ッドは、主磁極と補助磁極が磁気記録媒体の一方の同じ
側に位置するものとする。
には０．０５μｍ以上必要であり、さらに１．００ｋＢ
ＰＩという旨記録密度を得るためには、その膜厚は０．
２５μｍ以下とする必要がある。また基板を強磁性で電
気抵抗の高いＭ ｎ −Ｚ ｎフェライことかできる。
ＰＩという旨記録密度を得るためには、その膜厚は０．
２５μｍ以下とする必要がある。また基板を強磁性で電
気抵抗の高いＭ ｎ −Ｚ ｎフェライことかできる。
また、主磁極先端部を形成する前記磁気抵抗性磁性薄膜
の、磁気記録媒体対向面に垂直方向の高さは１．５μｍ
〜１５μｍとする。磁気抵抗性薄膜の高さが、前記ａｉ
［χ囲より犬であると再生時の出力が著しく低下し、ま
た前記範囲よシ小であると磁極後部が媒体対向面に近く
なシすぎ、後部の影響のために記録磁界分布が急１唆で
はなくなるので高密度での記録再生ができなくなシ、い
ずれも好捷しくない。
の、磁気記録媒体対向面に垂直方向の高さは１．５μｍ
〜１５μｍとする。磁気抵抗性薄膜の高さが、前記ａｉ
［χ囲より犬であると再生時の出力が著しく低下し、ま
た前記範囲よシ小であると磁極後部が媒体対向面に近く
なシすぎ、後部の影響のために記録磁界分布が急１唆で
はなくなるので高密度での記録再生ができなくなシ、い
ずれも好捷しくない。
なお、磁気抵抗性薄膜の厚さは、前記のように、０．０
５μｍ以上、０．２５μｍ以下とするが、さらに好まし
くは０．０７５μｍ〜０．２μｍ１最も良好な結果を祷
るには０．１７１ｍ〜０．１７５μｍとする。
５μｍ以上、０．２５μｍ以下とするが、さらに好まし
くは０．０７５μｍ〜０．２μｍ１最も良好な結果を祷
るには０．１７１ｍ〜０．１７５μｍとする。
前記主磁極において、磁気記録媒体側先端部を構成する
磁気抵抗性磁性薄膜とその後方部を構成する厚い磁性体
との磁気的結合を得るための両者の重なり合いは、厚い
磁性体の絶縁性が良好な場合は直接形成してもよいが、
絶縁性が良好でない場合は非磁性絶縁膜を介して形成さ
れる。非磁性絶縁膜の厚さは通常０．２μｍ以下とする
。この厚さが０．２μｍを越える場合は、前記磁気的結
合が充分とならない傾向を生じ、好ましくない。また、
両者の重なり合いの長さは、磁気記録媒体対向面に垂直
な方向に、１μｍ〜５μｍとする。重なシ合いの長さが
この範囲以上であると、磁気抵抗性薄膜の高さが犬にな
シ再生感度の低下を生じ、この範囲以下であると前記磁
気的結合が十分でなくなり、いずれも好捷しくない。
磁気抵抗性磁性薄膜とその後方部を構成する厚い磁性体
との磁気的結合を得るための両者の重なり合いは、厚い
磁性体の絶縁性が良好な場合は直接形成してもよいが、
絶縁性が良好でない場合は非磁性絶縁膜を介して形成さ
れる。非磁性絶縁膜の厚さは通常０．２μｍ以下とする
。この厚さが０．２μｍを越える場合は、前記磁気的結
合が充分とならない傾向を生じ、好ましくない。また、
両者の重なり合いの長さは、磁気記録媒体対向面に垂直
な方向に、１μｍ〜５μｍとする。重なシ合いの長さが
この範囲以上であると、磁気抵抗性薄膜の高さが犬にな
シ再生感度の低下を生じ、この範囲以下であると前記磁
気的結合が十分でなくなり、いずれも好捷しくない。
さらに、前記厚い磁性体とヘッドの磁気記録媒体対向面
との距離は、前記磁気抵抗性磁性薄膜被着部側において
０．５μｍ〜１０μｍとし、さらに好ましくは１μｍ〜
５μｍ、もつとも良好な結果を得るには、２μｍ〜４μ
ｍとする。この距離が前記範囲よシ犬であると再生時の
出力が著しく低下し、また前記範囲より小であると、磁
極後部の影響が大きくなるために記録磁界分布が急峻で
はなくなり、高密度における記録が困難であり、いずれ
も好ましくない。
との距離は、前記磁気抵抗性磁性薄膜被着部側において
０．５μｍ〜１０μｍとし、さらに好ましくは１μｍ〜
５μｍ、もつとも良好な結果を得るには、２μｍ〜４μ
ｍとする。この距離が前記範囲よシ犬であると再生時の
出力が著しく低下し、また前記範囲より小であると、磁
極後部の影響が大きくなるために記録磁界分布が急峻で
はなくなり、高密度における記録が困難であり、いずれ
も好ましくない。
基板に強磁性フェライトを用いる場合は、このフェライ
ト基板を主磁極もしくは補助磁極とすることができる。
ト基板を主磁極もしくは補助磁極とすることができる。
この場合、フェライト基板がそのヘッドの磁気記録媒体
対向面まで延びていない時には、基板と媒体対向面との
間に、ガラス。
対向面まで延びていない時には、基板と媒体対向面との
間に、ガラス。
Ｂ ａ ’ｐ ｔ Ｏ３＋ 非磁性フェライト等の耐摩
耗性のある非磁性体を配設する。
耗性のある非磁性体を配設する。
主磁極と補助磁極との間には、従来の薄膜磁気ヘッドに
おいて周知のように、絶縁層ならびにコイルが設けられ
ている。
おいて周知のように、絶縁層ならびにコイルが設けられ
ている。
主磁極先端部に用いる磁気抵抗性磁性薄膜には、通常、
Ｎｉ−Ｆｅ、Ｇｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ −−−Ｆｅ、
Ｆｅ ’ Ｓ ’等の組成の合金を用いるが、簿膜にす
ることが容易で且つ磁気抵抗効果特性を有する高透磁率
・高飽和磁束密度の磁性材料であれば、上記以外の材料
でも使用できる。
Ｎｉ−Ｆｅ、Ｇｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ −−−Ｆｅ、
Ｆｅ ’ Ｓ ’等の組成の合金を用いるが、簿膜にす
ることが容易で且つ磁気抵抗効果特性を有する高透磁率
・高飽和磁束密度の磁性材料であれば、上記以外の材料
でも使用できる。
前記磁気抵抗性磁性薄膜に磁気的に結合している厚い磁
性体は、強磁性フエライ）、Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｆｅ−Ａ
ｔ−８ｉ合金、Ｃ０−Ｚｒ−Ｎｂ。
性体は、強磁性フエライ）、Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｆｅ−Ａ
ｔ−８ｉ合金、Ｃ０−Ｚｒ−Ｎｂ。
Ｃｏ−Ｚｒ−Ｍｏ非晶質合金等の高透磁率材料で構成さ
れ、また、従来の薄膜磁気ヘッドの磁極用として使用可
能な材料はすべて用いられる。
れ、また、従来の薄膜磁気ヘッドの磁極用として使用可
能な材料はすべて用いられる。
補助磁極誂、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｃ
ｏ−Ｚｒ−Ｗ等の組成の非晶質強磁性合金、Ｎ１−ｐｅ
、ｐｅ−Ａｌ−８ｉ等の組成の多結晶質磁性合金、フェ
ライトなどを用いるが、従来の薄膜磁気ヘッドの磁極用
として使用可能な材料はすべて用いられる。
ｏ−Ｚｒ−Ｗ等の組成の非晶質強磁性合金、Ｎ１−ｐｅ
、ｐｅ−Ａｌ−８ｉ等の組成の多結晶質磁性合金、フェ
ライトなどを用いるが、従来の薄膜磁気ヘッドの磁極用
として使用可能な材料はすべて用いられる。
主磁極における磁気抵抗性磁性薄膜と厚い磁性体とを磁
気的に結合させるために、両者間に非磁性絶縁膜を介在
させる場合には、非磁性絶縁膜としては、ｓｉｏ、Ｓ！
０２ 、Ａｔ２０３１Ｔｊ０２などを用いるのが一般的
であるが、これに限定されない。
気的に結合させるために、両者間に非磁性絶縁膜を介在
させる場合には、非磁性絶縁膜としては、ｓｉｏ、Ｓ！
０２ 、Ａｔ２０３１Ｔｊ０２などを用いるのが一般的
であるが、これに限定されない。
本発明のＮ膜磁気ヘッドにおいて、上記せざる事項につ
いては、当技術分野における従来の知識を用いて差支え
ない。
いては、当技術分野における従来の知識を用いて差支え
ない。
実施例１
以下、本発明の実施例を第２図により説明する。
２１はＭｎ Ｚｎ７−ｒ−ライト、もしくはＮｉ−Ｚｎ
フェライトから成る高比抵抗磁性体基体（本実施例では
厚さが５咽のＭ ｎ 、−７，ｎ単結晶フェライトおよ
びＮ ｉ −７，ｎ多結晶フェライト）、２２はガラス
＊ ＢａＴｊＯ＋ １ 非磁性フェライトなどから成る
非磁性体（本実施例では、イ１領気抵抗性磁性薄膜２７
近傍の厚さが５μｍの非磁性のＺｎ−フェライト）、２
３．２３’はＳｓ Ｑ２ 、 Ａ７２０３ ＋ポリイミ
ド樹脂、ポリイミド・イソインドロキナゾリンジオン樹
脂などの非磁性ギャップ（本実施例テハ、ツレぞれｌ
ｐｍ、３−、ｃｚｍのＳ’０２）、２４は高比抵抗磁性
体基体２１と２５の部分で磁気的に結合しているＣｏ−
Ｚ−ｒ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｗなど
の非晶質磁性合金、も口〈は、Ｎｉ−Ｆｅ＋ Ｆｅ−Ａ
ｔ−５ｉなどの多結晶質磁性合金膜などから成る磁極層
（本実施例では膜厚１５μｍのｃｏ −８ｗ を係７．
ｒ−３Ｗｉ％Ｗ非晶質磁性合金）、２６はＡｔ、Ｃｕな
どからなるコイルで、本実施例では幅２μｍ、簡さ２μ
ｍの２０ターンのＡｔコイルとした（図面では８ターン
で示しである）。２７はＮｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−８ｉなどから成る、磁気抵抗効果
を有する磁性薄膜で、フェライト基板２１とｉ磁気的結
合部２８において膜厚０．２ μｍ以下のＳ ＩＯ２＋
Ａｔ２０３＋ＴｉＯ２カどから成、非磁性−縁膜。９
を介して磁気的に接合しているものであるが、本実施例
では、膜厚０．２５１１ ｍ ｓ高さ６μｍのＮ ｉ
−Ｆｅ合金薄膜とし、絶縁１１Ｕ ２’ ９は設けず、
フェライト基板２１と２μｍの幅（磁気記録媒体対向面
に垂直の方向での重ね合せ長さ）の磁気的結合部２８で
磁気的に接触せしめた。ここで非磁性絶縁膜２９があれ
ば電気的に完全に絶縁キれるが、無くても絶縁膜２１の
方が磁気抵抗性膜２７に比べて極めて比抵抗が高いため
、実゛員的には電気的に絶縁されている。
フェライトから成る高比抵抗磁性体基体（本実施例では
厚さが５咽のＭ ｎ 、−７，ｎ単結晶フェライトおよ
びＮ ｉ −７，ｎ多結晶フェライト）、２２はガラス
＊ ＢａＴｊＯ＋ １ 非磁性フェライトなどから成る
非磁性体（本実施例では、イ１領気抵抗性磁性薄膜２７
近傍の厚さが５μｍの非磁性のＺｎ−フェライト）、２
３．２３’はＳｓ Ｑ２ 、 Ａ７２０３ ＋ポリイミ
ド樹脂、ポリイミド・イソインドロキナゾリンジオン樹
脂などの非磁性ギャップ（本実施例テハ、ツレぞれｌ
ｐｍ、３−、ｃｚｍのＳ’０２）、２４は高比抵抗磁性
体基体２１と２５の部分で磁気的に結合しているＣｏ−
Ｚ−ｒ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｗなど
の非晶質磁性合金、も口〈は、Ｎｉ−Ｆｅ＋ Ｆｅ−Ａ
ｔ−５ｉなどの多結晶質磁性合金膜などから成る磁極層
（本実施例では膜厚１５μｍのｃｏ −８ｗ を係７．
ｒ−３Ｗｉ％Ｗ非晶質磁性合金）、２６はＡｔ、Ｃｕな
どからなるコイルで、本実施例では幅２μｍ、簡さ２μ
ｍの２０ターンのＡｔコイルとした（図面では８ターン
で示しである）。２７はＮｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−８ｉなどから成る、磁気抵抗効果
を有する磁性薄膜で、フェライト基板２１とｉ磁気的結
合部２８において膜厚０．２ μｍ以下のＳ ＩＯ２＋
Ａｔ２０３＋ＴｉＯ２カどから成、非磁性−縁膜。９
を介して磁気的に接合しているものであるが、本実施例
では、膜厚０．２５１１ ｍ ｓ高さ６μｍのＮ ｉ
−Ｆｅ合金薄膜とし、絶縁１１Ｕ ２’ ９は設けず、
フェライト基板２１と２μｍの幅（磁気記録媒体対向面
に垂直の方向での重ね合せ長さ）の磁気的結合部２８で
磁気的に接触せしめた。ここで非磁性絶縁膜２９があれ
ば電気的に完全に絶縁キれるが、無くても絶縁膜２１の
方が磁気抵抗性膜２７に比べて極めて比抵抗が高いため
、実゛員的には電気的に絶縁されている。
Ｃｏ−Ｃｒを垂直磁化膜とし、その下にＣｏ−Ｚｒ−Ｍ
ｏ合金層を設けた周知の垂直低気記球用２層１換媒体に
、周速４０ｍ／ｓａで記′「−１、・再生を行なった場
合の、本実施例の薄Ｍ ｔｉＢ気ヘッドの相対出力と記
録密度との関係を第４図に示した。第４図で、４１．４
２はそれぞれＭｎ−７，ｎ 、 Ｎ ｉ −Ｚｎフェラ
イト基板のヘッドに対して孝牛壬２端子法により磁気抵
抗変化を検出した場合の再生出力、４３．４４Ｕそれぞ
れ両ヘッドでコイル２６を用いて再生した場合の再生出
力を示すが、本発明より成る方法では周速４０ ｒａｎ
／ Ｓｅｃの場合にもいずれのヘッドでも２倍以上の
出力が（４られている□ことが分かる。磁気抵抗変化は
４Ｉ・、ｃｄ子法で測定することによシ、さらに再生出
力は増大し、さらに約１．５倍の再生出力が得られ−Ｃ
いる。ここで、誘導型ヘッドの再生出力は周速に比例す
るから、周速がＩ’ｍ／５ｅａ８度のフロンピディスク
装置では、曲線４３．４４に示した再生出力は約１／４
ｏ程度に低十してしまうのに対して、磁束検知型の本方
式では曲線４１．４２で示される再生出力は周速に依ら
ないため、特に本方式のヘッドは有効である。
ｏ合金層を設けた周知の垂直低気記球用２層１換媒体に
、周速４０ｍ／ｓａで記′「−１、・再生を行なった場
合の、本実施例の薄Ｍ ｔｉＢ気ヘッドの相対出力と記
録密度との関係を第４図に示した。第４図で、４１．４
２はそれぞれＭｎ−７，ｎ 、 Ｎ ｉ −Ｚｎフェラ
イト基板のヘッドに対して孝牛壬２端子法により磁気抵
抗変化を検出した場合の再生出力、４３．４４Ｕそれぞ
れ両ヘッドでコイル２６を用いて再生した場合の再生出
力を示すが、本発明より成る方法では周速４０ ｒａｎ
／ Ｓｅｃの場合にもいずれのヘッドでも２倍以上の
出力が（４られている□ことが分かる。磁気抵抗変化は
４Ｉ・、ｃｄ子法で測定することによシ、さらに再生出
力は増大し、さらに約１．５倍の再生出力が得られ−Ｃ
いる。ここで、誘導型ヘッドの再生出力は周速に比例す
るから、周速がＩ’ｍ／５ｅａ８度のフロンピディスク
装置では、曲線４３．４４に示した再生出力は約１／４
ｏ程度に低十してしまうのに対して、磁束検知型の本方
式では曲線４１．４２で示される再生出力は周速に依ら
ないため、特に本方式のヘッドは有効である。
なお、ここでは従来型ヘッドの特性と対比するためＡＡ
コイルのターン数を２０としたが、当コイルは通常は記
録用であるので、１ターンでも良く、該構造で磁気抵抗
性磁性＃膜２７の膜厚Ｔを変えて周速２．５ ｍ ／ｇ
ｃｂとして記録密度特性を評価した結果を第５図に示す
。Ｔが小さくなシ過ぎると充分な記録磁界が得られない
ため記録密度特性は劣化し、Ｔが犬きくなシ過ぎても記
録磁界分布が急峻ではなくなるため記録密度特性が劣化
し、Ｔが０．０５ないし０．２５ μｍｔＤ領域ｆ １
００ｋＢＰＩの高密度が達成できていることがわかる。
コイルのターン数を２０としたが、当コイルは通常は記
録用であるので、１ターンでも良く、該構造で磁気抵抗
性磁性＃膜２７の膜厚Ｔを変えて周速２．５ ｍ ／ｇ
ｃｂとして記録密度特性を評価した結果を第５図に示す
。Ｔが小さくなシ過ぎると充分な記録磁界が得られない
ため記録密度特性は劣化し、Ｔが犬きくなシ過ぎても記
録磁界分布が急峻ではなくなるため記録密度特性が劣化
し、Ｔが０．０５ないし０．２５ μｍｔＤ領域ｆ １
００ｋＢＰＩの高密度が達成できていることがわかる。
第４図の縦軸は記録密度特性Ｄｓｏ（ｋＢＰＩ）であシ
、最大出力の半分の出力しか得られない記録密度を表わ
している。
、最大出力の半分の出力しか得られない記録密度を表わ
している。
実施例２
本実施例における傳１１１％磁気ヘッドの断面図を第３
図に示す。３１は高比抵抗磁性基板で補助磁極を兼ねて
おシ、本実施例では厚さ１聴のＭ ｎ −７、ｎフェラ
イト多結晶基板を用いた。非磁性体３２には厚さ１ｍの
ＢａＴｊＯ３を用い、磁気抵抗性磁性博！Ｉｉｉ！３７
に対向する側の高さＨは０，２゜５．１０．２０μｍの
５ ｉｎ類とした。非磁性ギャップ３３．３３’はそれ
ぞれ厚さ１．５μｍ、３．５μｍの８１０２膜とした。
図に示す。３１は高比抵抗磁性基板で補助磁極を兼ねて
おシ、本実施例では厚さ１聴のＭ ｎ −７、ｎフェラ
イト多結晶基板を用いた。非磁性体３２には厚さ１ｍの
ＢａＴｊＯ３を用い、磁気抵抗性磁性博！Ｉｉｉ！３７
に対向する側の高さＨは０，２゜５．１０．２０μｍの
５ ｉｎ類とした。非磁性ギャップ３３．３３’はそれ
ぞれ厚さ１．５μｍ、３．５μｍの８１０２膜とした。
３４は高透磁率・高飽和磁束密度の磁性層で、膜厚２μ
ｍのＮｉ−１８，５ｗ１％Ｆｅ合金層からなる厚い磁性
体であり、磁気抵抗性磁性薄膜３７とともに主磁極を形
成し、強磁性フェライト基板からなる補助（ｊＨ極３１
と３５の部分で（磁気的に結合している。３６は９ター
ンのＡｔ−Ｃｕ合金コイ／’ （Ｃｕ 量７．５ Ｗ
ｔ ％）、３７は磁気抵抗効果を有する高透率、高飽和
磁束密度磁性薄膜で、磁気的結合部３８において非磁性
絶縁＃３９を介して磁性層３４と磁気的に結合している
ものであるＣ本実施例においては、膜厚０．１６１ｔｍ
、 的さ１０μｍの９２ｗｔ％ｐｅ−ｃ；ｗｔ％ｓ ｉ
−２ｗｔｚＲｕ合金！鴫とＦｅ二８１Ｗｔ’％Ｎｉ合金
膜との４層膜である。ここで各層の膜厚は０．０４μｍ
である）。非磁性絶縁膜３９は膜厚０．０８ μｍの８
１０２絶縁膜とし、磁気抵抗性磁性薄膜３７と厚い磁性
体３４とが、この非磁性絶縁膜３９を介して、３μｍの
幅（磁気記録媒体対向面に垂直の方向での重ね合せ長さ
）の！・？、Ｅ気的気合結合部３８気的に陽触している
。なお、本構造のヘッドでは、非磁性体３２は無くても
よく、その場け、上記はＨはＯである。
ｍのＮｉ−１８，５ｗ１％Ｆｅ合金層からなる厚い磁性
体であり、磁気抵抗性磁性薄膜３７とともに主磁極を形
成し、強磁性フェライト基板からなる補助（ｊＨ極３１
と３５の部分で（磁気的に結合している。３６は９ター
ンのＡｔ−Ｃｕ合金コイ／’ （Ｃｕ 量７．５ Ｗ
ｔ ％）、３７は磁気抵抗効果を有する高透率、高飽和
磁束密度磁性薄膜で、磁気的結合部３８において非磁性
絶縁＃３９を介して磁性層３４と磁気的に結合している
ものであるＣ本実施例においては、膜厚０．１６１ｔｍ
、 的さ１０μｍの９２ｗｔ％ｐｅ−ｃ；ｗｔ％ｓ ｉ
−２ｗｔｚＲｕ合金！鴫とＦｅ二８１Ｗｔ’％Ｎｉ合金
膜との４層膜である。ここで各層の膜厚は０．０４μｍ
である）。非磁性絶縁膜３９は膜厚０．０８ μｍの８
１０２絶縁膜とし、磁気抵抗性磁性薄膜３７と厚い磁性
体３４とが、この非磁性絶縁膜３９を介して、３μｍの
幅（磁気記録媒体対向面に垂直の方向での重ね合せ長さ
）の！・？、Ｅ気的気合結合部３８気的に陽触している
。なお、本構造のヘッドでは、非磁性体３２は無くても
よく、その場け、上記はＨはＯである。
実施例１と同様にして、周速１．２５ ｍ ／ Ｓ８Ｃ
で記録・再生を行なった場合の、本実施例の薄膜磁気ヘ
ッドの相対出力と記録密度との関係を第６図に示した。
で記録・再生を行なった場合の、本実施例の薄膜磁気ヘ
ッドの相対出力と記録密度との関係を第６図に示した。
第６図において、曲線６１，６２，６３゜６４．６５は
、それぞれ非磁性体３２の主磁極側の高さＨが０．２，
５，１０．２０μｍの場合の特性であり、Ｈが０の場合
のリングヘッドで再生ｊ−だ場合の再生特性６６に比べ
ていずれの場合にも良好な特性が得られていることがわ
かる。
、それぞれ非磁性体３２の主磁極側の高さＨが０．２，
５，１０．２０μｍの場合の特性であり、Ｈが０の場合
のリングヘッドで再生ｊ−だ場合の再生特性６６に比べ
ていずれの場合にも良好な特性が得られていることがわ
かる。
なお、実施例１，２のいずれの場合も、上吉白ミ気抵抗
素子部には、いわゆる反強磁性体と積層して交換バイア
ス方式によりバイアスを印加したが、その他の永久磁石
バイアス、シャントバイアス。
素子部には、いわゆる反強磁性体と積層して交換バイア
ス方式によりバイアスを印加したが、その他の永久磁石
バイアス、シャントバイアス。
バーバーポール方式でも良いことは甘う才でもない。
本発明の簿膜磁気ヘッドによれば、充分な強度を有する
記録磁界を容易に得ることが出来、しかも再生時には、
記録媒体からの漏ｅＭ磁束を効率よく検知すると共に、
磁気抵抗効果によりその強度変化も高効率で電気信号に
変換できるため１．チ密度においても尚出力を得られる
。
記録磁界を容易に得ることが出来、しかも再生時には、
記録媒体からの漏ｅＭ磁束を効率よく検知すると共に、
磁気抵抗効果によりその強度変化も高効率で電気信号に
変換できるため１．チ密度においても尚出力を得られる
。
第１図は磁気抵抗効果を有する磁性体を主磁極とする従
来の磁気ヘッドの斜視図、第２図は本発明の一実施例に
おけるｔｉ？読班気ヘッドの断面図、第３図は本発明の
他の実施例における浩膜磁気ヘッドの断面図、第４図は
本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの記録密度特
性を示すグラフ、第５図は本発明の一実施例における傳
膜磁気ヘッドの記録密度と主磁極先端膜厚との関係を示
すグラフ、第６図は本発明の他の実施例における薄膜磁
気ヘッドの記録密度特性を示すグラフである。 １１・・・磁気抵抗効果を有する磁性薄膜、１２・・・
補助磁極、２１・・・磁性基板、２３．２３’・・・絶
縁層、２４・・・磁性膜、２６・・・コイル、２７・・
・磁気抵抗効果を有する磁性薄膜、３１・・・磁性基板
、３３゜３３′・・・絶縁層、３４・・・磁性Ｌ（１私
３６・・、コイル、第 １ 凶 第Ｚ 口 ２’／ Ｚδ２７ 高 ３ 口 箇 ４ 口 冗 ５ 図 〉西 ろ し〕 詫録磐崖Ｄ （ｋＢＦｔ） 第１頁の続き ０発 明 者 北 １） 正 弘 国分寺市東恋ケ窪央
研究所内 ０発 明 者 品 川 公 成 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内 ０発 明 者 熊 坂 登 行 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内 ０発 明 者 工 藤 實 弘 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内
来の磁気ヘッドの斜視図、第２図は本発明の一実施例に
おけるｔｉ？読班気ヘッドの断面図、第３図は本発明の
他の実施例における浩膜磁気ヘッドの断面図、第４図は
本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの記録密度特
性を示すグラフ、第５図は本発明の一実施例における傳
膜磁気ヘッドの記録密度と主磁極先端膜厚との関係を示
すグラフ、第６図は本発明の他の実施例における薄膜磁
気ヘッドの記録密度特性を示すグラフである。 １１・・・磁気抵抗効果を有する磁性薄膜、１２・・・
補助磁極、２１・・・磁性基板、２３．２３’・・・絶
縁層、２４・・・磁性膜、２６・・・コイル、２７・・
・磁気抵抗効果を有する磁性薄膜、３１・・・磁性基板
、３３゜３３′・・・絶縁層、３４・・・磁性Ｌ（１私
３６・・、コイル、第 １ 凶 第Ｚ 口 ２’／ Ｚδ２７ 高 ３ 口 箇 ４ 口 冗 ５ 図 〉西 ろ し〕 詫録磐崖Ｄ （ｋＢＦｔ） 第１頁の続き ０発 明 者 北 １） 正 弘 国分寺市東恋ケ窪央
研究所内 ０発 明 者 品 川 公 成 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内 ０発 明 者 熊 坂 登 行 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内 ０発 明 者 工 藤 實 弘 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気抵抗効果特性を有する薄膜磁性体を磁極先端と
し該薄膜磁性体と電気的には実質的に絶縁され磁気的に
は結合されている重ね合わせ部分を有する厚い磁性体を
後部とする第１の磁極と、該厚い磁性体とその後部にお
いて磁気的に結合し且つ絶縁層およびコイルを介して該
第１の磁極と対向している第２の磁極を有することを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、上記薄膜磁性体の厚さが、０．０５μｍ以上、０．
２５μｍ以下であることを特徴とする特許請求のＲ＠囲
第１項記載の簿膜磁気ヘッド。 ３、上記厚い磁性体がＭ ｎ’ −７，ｎフェライトも
しくはＮｉ−Ｚｎ；ｙエライトであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項もしくは第２項記載の薄膜磁気ヘ
ッド。 ４、上記第２の磁極がＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトもし
くはｌ’Ｊｉ−７ｎフエライトであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項もしくは第２項記載の薄膜磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19072483A JPS6083213A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19072483A JPS6083213A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083213A true JPS6083213A (ja) | 1985-05-11 |
Family
ID=16262754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19072483A Pending JPS6083213A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6083213A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60145521A (ja) * | 1984-01-05 | 1985-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58114321A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-07 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録再生用薄膜磁気ヘツド |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP19072483A patent/JPS6083213A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58114321A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-07 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録再生用薄膜磁気ヘツド |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60145521A (ja) * | 1984-01-05 | 1985-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
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