JPS6083314A - 積層セラミツクコンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
積層セラミツクコンデンサおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6083314A JPS6083314A JP19184983A JP19184983A JPS6083314A JP S6083314 A JPS6083314 A JP S6083314A JP 19184983 A JP19184983 A JP 19184983A JP 19184983 A JP19184983 A JP 19184983A JP S6083314 A JPS6083314 A JP S6083314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- ceramic
- thickness
- ceramic capacitor
- internal electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 27
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本元明は積層セラミックコンデンサ及びその製浩”’j
; 六iVr IJJ 117−、−この種の積層セラ
ミックコンデンサは、第1図の斜視断面圀に示す如く、
セラミツク誘電体3内部の層間に、内部電極1が形成さ
れている。説明を容易にするため、第1図から外部電極
zを取り除いて、積層されている1対の層のみを取力出
した分解斜視図を想定し、これを第2図に示す。
; 六iVr IJJ 117−、−この種の積層セラ
ミックコンデンサは、第1図の斜視断面圀に示す如く、
セラミツク誘電体3内部の層間に、内部電極1が形成さ
れている。説明を容易にするため、第1図から外部電極
zを取り除いて、積層されている1対の層のみを取力出
した分解斜視図を想定し、これを第2図に示す。
このような内部電極1を形成したセラミ、り誘電体3の
製造方法については、特開昭53−68853号公報に
従来技術と新しい技術の比較として詳述している。
製造方法については、特開昭53−68853号公報に
従来技術と新しい技術の比較として詳述している。
即ち、従来この種の積層セラミックコンデンサは、焼成
前のグ、リーンシート上に内部電極を被層形成させ、こ
れt積み重ねた後に、高温での焼成処理上行なって、セ
ラミック誘電体を生成させ。
前のグ、リーンシート上に内部電極を被層形成させ、こ
れt積み重ねた後に、高温での焼成処理上行なって、セ
ラミック誘電体を生成させ。
かつ積層物を一体化する工法が一般的に用いられている
。
。
従来のこのような積層セラミ、クコンデンサでは、製造
の一工程で高温焼成全行なうため、内部電極としては、
白金(Pt)、パラジウム(Pd)などの貴金属を使用
しており、内S電極の製造コストに占める割合が高く、
n電MMの大きいものでは非常に高価になるという欠点
があった。この高温(1300℃以上)でしかも空気中
での焼成によ、!17内部電極が、酸化した夕、溶融し
にカ、戒はセラミ、りと反応するなどの問題が先するの
を避ける目的で賞金縞が使用されているので、この焼成
温良を下げる試みがなさit、 900’0程度で焼成
できる鉛系のセラミック組成物がbi]発された。
の一工程で高温焼成全行なうため、内部電極としては、
白金(Pt)、パラジウム(Pd)などの貴金属を使用
しており、内S電極の製造コストに占める割合が高く、
n電MMの大きいものでは非常に高価になるという欠点
があった。この高温(1300℃以上)でしかも空気中
での焼成によ、!17内部電極が、酸化した夕、溶融し
にカ、戒はセラミ、りと反応するなどの問題が先するの
を避ける目的で賞金縞が使用されているので、この焼成
温良を下げる試みがなさit、 900’0程度で焼成
できる鉛系のセラミック組成物がbi]発された。
しかし、このような、比較的低温で焼成を可能としたニ
オブ(Nb入タングステンC四等の原料を含むセラミッ
ク組成物では、内部電極に貴金属を使用づ−るセラミ、
クコンデンザよりは改善されているものの、末だ十分で
はなかった0%に大写盆のセラミックコンデンサでは必
然的に大型化し谷原料の使用量が増えるため5価格は減
には限界がめっ/ζ−この問題を根本的に解決するti
cは原理的に知られている関係式 ここK C: 靜電袢蛍 a: 誘電体の誘電率 S: 対同電極面積 d: 誘電体の厚み によって、誘電体の厚みd2小さくして、材料全節減す
ることが当然検討された。
オブ(Nb入タングステンC四等の原料を含むセラミッ
ク組成物では、内部電極に貴金属を使用づ−るセラミ、
クコンデンザよりは改善されているものの、末だ十分で
はなかった0%に大写盆のセラミックコンデンサでは必
然的に大型化し谷原料の使用量が増えるため5価格は減
には限界がめっ/ζ−この問題を根本的に解決するti
cは原理的に知られている関係式 ここK C: 靜電袢蛍 a: 誘電体の誘電率 S: 対同電極面積 d: 誘電体の厚み によって、誘電体の厚みd2小さくして、材料全節減す
ることが当然検討された。
誘電体の厚みdを小さく、薄くすることは、可能であっ
ても、積層セラミックコンデンサでは。
ても、積層セラミックコンデンサでは。
セラミック誘電体とP3部電極とが一体化物となってい
為ため、相対的に内部電極の厚みが増加することとなり
、焼成時に生ずる体積収縮や、焼成後の熱膨張、収縮の
バランスがくずれることが判明した。その結果、積層物
の層剥れやクラックを生じ、また製品化されても、電圧
を印加すると、圧電効果(ピエゾ効果)と潜在内部応力
が相乗し、微小のクラックを生じて、絶縁破壊に至るな
ど、積層セラミックコンデンサの品質を著しく低下させ
る。
為ため、相対的に内部電極の厚みが増加することとなり
、焼成時に生ずる体積収縮や、焼成後の熱膨張、収縮の
バランスがくずれることが判明した。その結果、積層物
の層剥れやクラックを生じ、また製品化されても、電圧
を印加すると、圧電効果(ピエゾ効果)と潜在内部応力
が相乗し、微小のクラックを生じて、絶縁破壊に至るな
ど、積層セラミックコンデンサの品質を著しく低下させ
る。
したがって、誘電体の厚みの減少と内部電極の厚みの減
少とは、非常に密接な関係にあり、誘電体の厚みの減少
に伴って、内部電極の厚みも減少させなければならない
。
少とは、非常に密接な関係にあり、誘電体の厚みの減少
に伴って、内部電極の厚みも減少させなければならない
。
一方、内部電極I科は、一般的には貴金属を使用してい
るため、これ全出来る限り少なく使用することは、誰も
が童心するところであるが、現状では、焼成後2.0μ
(ミクロン)から6.0μ(ミクロン)の範囲で生産さ
れている。これは、内部電極が、ペースト状材料をスク
リーン印刷して形成されているため、最小厚みは印刷ス
クリーンの厚みによって制限されることに起因している
。第3図はこれt−説明するがト視図であハスクリーン
印刷の原理を示している0図において、スクリーン4の
網目5からセラミックシート7の上にペースト状電極材
料6が供給され被Nする。この被屑されたペースト状電
極制料6の厚みが内部電極の厚みに該当し、スクリーン
4の原みによって大きな影+7を受けている。
るため、これ全出来る限り少なく使用することは、誰も
が童心するところであるが、現状では、焼成後2.0μ
(ミクロン)から6.0μ(ミクロン)の範囲で生産さ
れている。これは、内部電極が、ペースト状材料をスク
リーン印刷して形成されているため、最小厚みは印刷ス
クリーンの厚みによって制限されることに起因している
。第3図はこれt−説明するがト視図であハスクリーン
印刷の原理を示している0図において、スクリーン4の
網目5からセラミックシート7の上にペースト状電極材
料6が供給され被Nする。この被屑されたペースト状電
極制料6の厚みが内部電極の厚みに該当し、スクリーン
4の原みによって大きな影+7を受けている。
通常スクリーン4には、絹やステンレス、ナイロン等が
用いられており、そのI!i AM缶曲でえりはrr(
ミクロン)が必要であり、実際にはこの上にマスクパタ
ーン金形成するための乳剤が約10μ(ミクロンン塗布
されるので、35μ(ミクロ/)以上となる。′ ペースト状電極拐料6は、印刷塗布された後乾燥され、
焼成されるため、その厚みrJ:塗布された時よりも薄
くなるが、ペースト状電極材料の濃度や、電極金−の種
類によって減小率は異なハ焼成後の最小平均厚みは前述
の如く2.0μから60μの範囲となっている。
用いられており、そのI!i AM缶曲でえりはrr(
ミクロン)が必要であり、実際にはこの上にマスクパタ
ーン金形成するための乳剤が約10μ(ミクロンン塗布
されるので、35μ(ミクロ/)以上となる。′ ペースト状電極拐料6は、印刷塗布された後乾燥され、
焼成されるため、その厚みrJ:塗布された時よりも薄
くなるが、ペースト状電極材料の濃度や、電極金−の種
類によって減小率は異なハ焼成後の最小平均厚みは前述
の如く2.0μから60μの範囲となっている。
不発明の目的は、これら従来の欠点を除去し、信耕住品
質が高く、かつコストの安い積lηセラきツクコンデン
サおよびその製造方法を提供することにある。
質が高く、かつコストの安い積lηセラきツクコンデン
サおよびその製造方法を提供することにある。
すなわち、不発明の積層セラミックコンデンサは、高温
焼成して形成されるセラミック誘電体からなるコンデン
サ素子の内部電極の平均厚みが積層1/#当りO11μ
(ミクロンフ以上、1.5μ(ミクロン)以下ヤあるこ
と全特徴としており、またその製造方法は減圧を伴り瑯
浩儲着〒鉗W雀響什しない媒体上に所定の電極を形成さ
せた後、この電極金セラミックグリーンシート上に転写
して内部電極t一層形成ること全特徴とする。
焼成して形成されるセラミック誘電体からなるコンデン
サ素子の内部電極の平均厚みが積層1/#当りO11μ
(ミクロンフ以上、1.5μ(ミクロン)以下ヤあるこ
と全特徴としており、またその製造方法は減圧を伴り瑯
浩儲着〒鉗W雀響什しない媒体上に所定の電極を形成さ
せた後、この電極金セラミックグリーンシート上に転写
して内部電極t一層形成ること全特徴とする。
以下1本発明を実施例によって図面音用いて詳細に説明
する。
する。
第4図は、本発明の一実施例を説明するために電極パタ
ーン全簡略化した斜視図である。減圧雰囲気中で組成が
変化しない媒体、例えばポリエステルフィルムなどのM
機フィルムからなるキャリアシート9の上にテフロンや
7リコン等のNi型剤金薄く塗布しく図示省略)、その
上に蒸着又はスパッタリング等の薄膜形成手段によって
0.1μ〜1.5μ の′電極薄膜8を形成させる。こ
りようにして出来た電極薄j鵡1」きキャリアシート9
を第6図にボ丁グリーンシー)10の上に反転させて重
ね、キャリアシート9の電極薄膜80面がグリーンシー
トioと接触ツーるようにする。セラミックグリーンシ
ート10は第5図に示す如く、予めキャリアシート9か
ら剥して利用する。電極薄膜8とグリーンシート10と
を@着させるには、熱プレス等の適当な手段を用いる1
次に、第8図にボす如く、キャリアシート9を剥して電
極薄膜8の付着したグリーンシート10を得る。こうし
て得られた電極薄膜付きのグリーンシート全積み重ねて
熱プレスをして、第7図(a)の如き積層体とする・第
7図(a)の積層体A−A’の断面は、帛7図fbJの
ように電極薄膜8(内部電極)が交互に配置されている
のでB −B’の位置全切断し、焼成することによって
積層セラミックコンデンサ素子(第1図から外部電極2
を除いた構成の索子)(以降積層セラミックチップと略
称)となる。
ーン全簡略化した斜視図である。減圧雰囲気中で組成が
変化しない媒体、例えばポリエステルフィルムなどのM
機フィルムからなるキャリアシート9の上にテフロンや
7リコン等のNi型剤金薄く塗布しく図示省略)、その
上に蒸着又はスパッタリング等の薄膜形成手段によって
0.1μ〜1.5μ の′電極薄膜8を形成させる。こ
りようにして出来た電極薄j鵡1」きキャリアシート9
を第6図にボ丁グリーンシー)10の上に反転させて重
ね、キャリアシート9の電極薄膜80面がグリーンシー
トioと接触ツーるようにする。セラミックグリーンシ
ート10は第5図に示す如く、予めキャリアシート9か
ら剥して利用する。電極薄膜8とグリーンシート10と
を@着させるには、熱プレス等の適当な手段を用いる1
次に、第8図にボす如く、キャリアシート9を剥して電
極薄膜8の付着したグリーンシート10を得る。こうし
て得られた電極薄膜付きのグリーンシート全積み重ねて
熱プレスをして、第7図(a)の如き積層体とする・第
7図(a)の積層体A−A’の断面は、帛7図fbJの
ように電極薄膜8(内部電極)が交互に配置されている
のでB −B’の位置全切断し、焼成することによって
積層セラミックコンデンサ素子(第1図から外部電極2
を除いた構成の索子)(以降積層セラミックチップと略
称)となる。
こうして得られる積層セラミックコンデンサ素子の内部
電極の厚みは、第4図のキャリアシート9上に形成され
る電極薄膜8の厚みによって決まるので、既に公知のメ
タライズドプラスチ、クフイルムの電極、+f+j[技
術や薄膜ハイプリ、ドIeの抵抗材料のスパッタリング
技術を利用することにより、内部電極の厚みを比較的容
易にコントロールすることができる。この厚みが0.l
μJ:り薄くなると電極断線による容蓋抜けが多くなり
、15μを超えると焼成はんだ付は等の熱衝撃に弱くな
って良品率が低下する。特にセラミックグリーンシート
の厚みが1.5μ以下のものでは、内部電極の厚みによ
って、良品率が著しく異なハ コンデンサの品質が左右
される。
電極の厚みは、第4図のキャリアシート9上に形成され
る電極薄膜8の厚みによって決まるので、既に公知のメ
タライズドプラスチ、クフイルムの電極、+f+j[技
術や薄膜ハイプリ、ドIeの抵抗材料のスパッタリング
技術を利用することにより、内部電極の厚みを比較的容
易にコントロールすることができる。この厚みが0.l
μJ:り薄くなると電極断線による容蓋抜けが多くなり
、15μを超えると焼成はんだ付は等の熱衝撃に弱くな
って良品率が低下する。特にセラミックグリーンシート
の厚みが1.5μ以下のものでは、内部電極の厚みによ
って、良品率が著しく異なハ コンデンサの品質が左右
される。
以上、不発明の如く、蒸着又はスパッタリング等の範膜
形成手段によって内部電極(電極薄膜)の焼成後の平均
厚みヲO1μ以上1.5μ 以下とすることがb」能と
な勺、その結果セラミック誘電体の薄膜化による品買低
丁を防止出来、かつ高価な内部電極材料の使用量も少な
くできる。さらにセラミックS−を体り薄膜化(換言1
−れはセラミックグリーンシートの薄膜化)は、同一の
対同電極面積であれば%誘電体の厚みが薄くなるのに比
例して、静電秤量が大きくなることt慧味する・したが
って%積層セラミックコンデンサの小型化に大きく寄与
する。
形成手段によって内部電極(電極薄膜)の焼成後の平均
厚みヲO1μ以上1.5μ 以下とすることがb」能と
な勺、その結果セラミック誘電体の薄膜化による品買低
丁を防止出来、かつ高価な内部電極材料の使用量も少な
くできる。さらにセラミックS−を体り薄膜化(換言1
−れはセラミックグリーンシートの薄膜化)は、同一の
対同電極面積であれば%誘電体の厚みが薄くなるのに比
例して、静電秤量が大きくなることt慧味する・したが
って%積層セラミックコンデンサの小型化に大きく寄与
する。
このように不発明の冥施により、積層セラミックコンテ
ンサを安価に、詞品質でかつ小屋に生M。
ンサを安価に、詞品質でかつ小屋に生M。
供給できる利点がある。
第1区は、槓盾セラミックコンデンサの断面斜視図、第
2図は、第1図から一対の層のみを想足して取り出した
斜視図、第3図は電極印刷の原理′f:下す説明斜視図
、第4図乃至第8図は不発明の詳細な説明する図であり
、第4図は電極パターンを簡略化した斜視図、第5図は
キャリアシートからのセラミックグリーンシート全剥離
する状態を示す斜視図、第6図は、′(社)極薄膜付き
の有極フィルムをセラミックグリーンシートに重ねた状
態を示す斜視図%第7図fan、 (b)は積み重ねた
積層体金示す断面図及び斜視図、第8図は、電極薄膜付
きのセラミックグリーンシートからキャリアシートを剥
離する状態を示す斜視図である。 (符号の説明) 1・・・・・・内部電極、2・・・・・・外部電極、3
・・・・・・セラミック誘電体、4・・・・・・スクリ
ーン、5・・・・・・(スクリーン)網目、6・・・・
・・ペースト状箪極材料、8・・・・・・電極薄膜、9
・・・・・・キャリアシート、10・・・・・セラミッ
クグリーンシート、11・・・・・・有aAフィルhソ
ート。 l L l 図 を 笑 ? 図 箭 3 図 θ z 4 図 萬汐図 お 6 図 β’ a’ a’ 釣 7 図 躬 θ 図 手続補正書(自発) 特許庁長官 殿 1、事件の表示 昭和58年特 許 願第191849
号2、発明の名称 積層セラミ、クコンテンサおよびそ
の製造方法3、補正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目33番1号 (423) 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 4、代理人 〒108 東工;〔都港区芝五丁目37番8号 住友三
田ビル(連絡先 日本i気株式貧社持許部)−5補止の
対象 (1)明細1の「発明の詳細な説明」の欄。 (2)図面 6、補正の内容 (2)同頁18行の「せる」を「ぜていた」に引止。 (3)第7頁9〜10行の「フィルムからなるキャリア
シート」ヲ「フィルムシート」に引止。 (4) 同頁10行の[シート9Jを「シートIIJに
訂正〇 (5)同頁14行および16行と第8頁2行および13
〜14行の「キャリアシート9」を「有機フィルムシー
ト11Jにそれぞれ「J正。 (6)第7貝19竹の「彫」用する」を「おく」に引止
0 +71 第8負3行の「こうして」の前Krなお、セラ
ミックグリーンシート10は、電極簿膜8を付着させて
からキャリアシート9よシ剥して形成させてもよいのは
当然でるる。Jを追加0(8)同頁10〜11行の[(
以降積階セラミックチップと略称)Jを削除。 (9)第9負3行のrl、5Jを「15」に引止。 四 図面の第4図の参照数字「9」を「11」に1ll
J正(添付図面の朱MP訂正参照)。 7″F−〜、 代理人 弁理士 内 原 (5、 【−
2図は、第1図から一対の層のみを想足して取り出した
斜視図、第3図は電極印刷の原理′f:下す説明斜視図
、第4図乃至第8図は不発明の詳細な説明する図であり
、第4図は電極パターンを簡略化した斜視図、第5図は
キャリアシートからのセラミックグリーンシート全剥離
する状態を示す斜視図、第6図は、′(社)極薄膜付き
の有極フィルムをセラミックグリーンシートに重ねた状
態を示す斜視図%第7図fan、 (b)は積み重ねた
積層体金示す断面図及び斜視図、第8図は、電極薄膜付
きのセラミックグリーンシートからキャリアシートを剥
離する状態を示す斜視図である。 (符号の説明) 1・・・・・・内部電極、2・・・・・・外部電極、3
・・・・・・セラミック誘電体、4・・・・・・スクリ
ーン、5・・・・・・(スクリーン)網目、6・・・・
・・ペースト状箪極材料、8・・・・・・電極薄膜、9
・・・・・・キャリアシート、10・・・・・セラミッ
クグリーンシート、11・・・・・・有aAフィルhソ
ート。 l L l 図 を 笑 ? 図 箭 3 図 θ z 4 図 萬汐図 お 6 図 β’ a’ a’ 釣 7 図 躬 θ 図 手続補正書(自発) 特許庁長官 殿 1、事件の表示 昭和58年特 許 願第191849
号2、発明の名称 積層セラミ、クコンテンサおよびそ
の製造方法3、補正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目33番1号 (423) 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 4、代理人 〒108 東工;〔都港区芝五丁目37番8号 住友三
田ビル(連絡先 日本i気株式貧社持許部)−5補止の
対象 (1)明細1の「発明の詳細な説明」の欄。 (2)図面 6、補正の内容 (2)同頁18行の「せる」を「ぜていた」に引止。 (3)第7頁9〜10行の「フィルムからなるキャリア
シート」ヲ「フィルムシート」に引止。 (4) 同頁10行の[シート9Jを「シートIIJに
訂正〇 (5)同頁14行および16行と第8頁2行および13
〜14行の「キャリアシート9」を「有機フィルムシー
ト11Jにそれぞれ「J正。 (6)第7貝19竹の「彫」用する」を「おく」に引止
0 +71 第8負3行の「こうして」の前Krなお、セラ
ミックグリーンシート10は、電極簿膜8を付着させて
からキャリアシート9よシ剥して形成させてもよいのは
当然でるる。Jを追加0(8)同頁10〜11行の[(
以降積階セラミックチップと略称)Jを削除。 (9)第9負3行のrl、5Jを「15」に引止。 四 図面の第4図の参照数字「9」を「11」に1ll
J正(添付図面の朱MP訂正参照)。 7″F−〜、 代理人 弁理士 内 原 (5、 【−
Claims (2)
- (1)高温焼成して形成されるセラミック鍔電体からな
る=ンデンサ累子の内部電極の平均厚みが積層1層当り
0.l(ミクロン)以上1.5μ(、ミクロン)以下で
あることをす徴とする積層セラミツ、クコンテンサ。 - (2)減圧全件う製造環境で組成が変化しない媒体上に
所定の電極髪形成させた後、この電極上セラミックグリ
ーン7−ト上に転写して内部電極を形成することを特徴
とするA負層セラミックコンデンブの製造方法。 。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19184983A JPS6083314A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 積層セラミツクコンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19184983A JPS6083314A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 積層セラミツクコンデンサおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083314A true JPS6083314A (ja) | 1985-05-11 |
| JPH0221649B2 JPH0221649B2 (ja) | 1990-05-15 |
Family
ID=16281527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19184983A Granted JPS6083314A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 積層セラミツクコンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6083314A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332909A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
| JPH02153512A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層コンデンサ素子 |
| JPH02194511A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミックコンデンサ |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP19184983A patent/JPS6083314A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332909A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
| JPH02153512A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層コンデンサ素子 |
| JPH02194511A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミックコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0221649B2 (ja) | 1990-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6083314A (ja) | 積層セラミツクコンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH05335175A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2008279606A (ja) | サーマルヘッド、印画装置、およびサーマルヘッドの製造方法 | |
| JPS6083315A (ja) | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 | |
| JPS6230114B2 (ja) | ||
| JPS6083316A (ja) | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 | |
| JP3074625B2 (ja) | サーマルプリントヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0256822B2 (ja) | ||
| JPS6083317A (ja) | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 | |
| JP2705069B2 (ja) | 薄膜抵抗器及びその製造方法 | |
| JPS5699680A (en) | Thermal head | |
| JP4680332B2 (ja) | チップコンデンサの製造方法 | |
| JPS5827302A (ja) | 抵抗を含むチツプ形素子 | |
| JP2001246770A (ja) | サーマルプリントヘッド及びその製造方法 | |
| JPS62105645A (ja) | サ−マルヘツドの構造 | |
| JPS6230115B2 (ja) | ||
| JP2789609B2 (ja) | サーマルヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH04243173A (ja) | 電歪効果素子 | |
| JPH056836A (ja) | 積層コンデンサーの製造法およびこれに用いる誘電体ペースト | |
| JPH04169249A (ja) | サーマルプリントヘッド | |
| JPH0232867A (ja) | サーマルヘッドの電極構造 | |
| JP2003289001A (ja) | 厚膜電子部品 | |
| JPH0697711B2 (ja) | セラミツク回路基板の製造方法 | |
| JPH02222512A (ja) | 電極構造体 | |
| JPS63224971A (ja) | サ−マルヘツド |