JPS6093448A

JPS6093448A - 光導電部材

Info

Publication number: JPS6093448A
Application number: JP58201229A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Yukihiko Onuki; 大貫　幸彦; Shigeru Ono; 茂大野
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1983-10-27
Filing date: 1983-10-27
Publication date: 1985-05-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

１」視光線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を指す）の様な電
磁波に感受性のある光導電部材に関する。

同体撮像装置、或いは像形成分野における電子写共用像
形成部拐や原槁読取装値における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉ　）
／暗電流（Ｉ、））が高く１照射する電磁阪のスペクト
ル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有するこ
と、光応答性が速く１ル「望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して熱管であること、史には同
体撮像装置においては、残像をル「定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。

殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合に杖、上記
の使用時における無害性はｌ喪な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ　−Ｓｉと表記す）があ
シ、例えは、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、
′Ｊｇｉ国公開第２９３３４１１号公報には光ｆｊＬＫ
換読取装置への応用として記載されている。

百年ら、従来のａ　−Ｓｉで構成された光導電層を有す
る光導電部側は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特
性の点、更にｉＬ経時的安定性の点において、総合的な
特性向上を計るには史に改良される可き点が存するのが
実情でらる。

例えは、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、＾暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
ｉると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生する所謂ゴースト現象を発する様になる、或いは高速
で繰返し使用すると応答性が次第に低下する、等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−別は可視光領域の短波長側に較べて、長波
長側の波長領域よシも長い波長領域の吸収係数が比較的
小さく、現在実用化されている半導体レーデとのマツチ
ングに於いて、又は通常使用されているハロゲンランプ
や螢光灯を光源とする場合に長波長側の光を有効に使用
し得ないという点に於いて、夫々改良される余地が残っ
ている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて充分吸
収されず、支持体に到達する光の湿が多くなると、支持
体自体が光導電層を透過して来る光−に対する反射率が
島い場合には、先導１４Ｌ層内に於いて多重反射による
干渉が起って、１ｉＩＩｉ像の「ボケ」が生ずる一要因
となる。

この影響は、解像度を上げる為に照射スポットを小さく
する程大きくなシ、殊に半導体レーデを光源とする場合
には大きな問題となりている。

更に、ａ−８１材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために水素原子或
いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気伝
導型の制御のために硼素原子や燐原子等、或いはその他
の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として光
導電層中に含有されるが１これ等の構成原子の含有の仕
方如何によって社、形成した層の電気的或いは光導電的
特性に問題が生ずる場合がある。

即ち１例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において支持体側よシの電荷の注入の阻
止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

更には、層厚が十数μ以上にな、ると、層形成用の真空
堆ｓ麿よｌＯ出した後、空気中での放置時間の経過と共
に、支持体表向からの層の浮きや剥離、或いは層に、亀
裂が生ずる等の現象を引起し勝ちでおった。この現象は
、殊に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用さｔし
ているドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安尾
性の点に於いて解決される司き点である。

従ってａ　−Ｓｔ材料そのものの特性改良力ｈ　ｔｌら
れる一方で、光導電部材を設剖する際に、上記した様な
問題の総てが解決される様に工夫される必要がある。

本発明は、上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ　−Ｓ
ｉに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装
置等に使用される光４電部材としての適用性とその応用
性という観点から総括的に鋭意研死検討を続けた結果、
シリコン原子（Ｓｔ）とｒルマニウム原子（Ｇｏ　）と
を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）の
いずれか一方を少なくとも含有するアモルファス材料、
所謂水素化アモルファスシリコンゲルマニウム、ハログ
／化アモルファスシリコンゲルマニウム、或イハハロｒ
ン含有水素化アモルファスシリコンダルマニウム〔以後
これ等の総称的表記としてｒ　ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）
Ｊを使用する〕から構成される光導電性を示す第一の層
を有する光導電部材であって以後に説明される様な物足
化して設計され作成された光４亀部拐は、実用上著しく
優れた特性を示すばかシでなく、従来の光導電部材をあ
らゆる点において凌駕していること、殊に電子写真用の
光導′ＩＩｊ、部材として著しく優れた特性を有してい
ること、及び長波長側に於ける吸収スにクトル特性に優
れていることを見出したことに基いている。

本発明線電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であシ
、長波長側の光感度特性に優れると共に副光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的れ、全ＷＪ視光域に於いて光感度が高
く、殊に半導体レーデとのマツチングに優れ、且つ光応
答の迷い光導％部材を提供するとと本発明の他の目的は
、支持体上に設けられる層と支持体との間および積層さ
れる層の各層間の密着性に優れ、構造配列的に緻密で安
定的であシ、層品質の高い光導電部材を提供することで
ある。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として使
用した場合、通常の電子写真法が極めて鳴動に適用され
得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保持
能が光分あジ、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下が
殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導電
部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が＾く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像胤の為い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、為光感度性。

市ＳＮ比特性及び支持体との匍に良好な電気的接触性を
壱する光導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材紘光尋亀部材用の支持体と１シリコ
ン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質拐料で構成さ
れた光４電性を示す第一の鳩とシリコン原子とＶ素原子
とを含む非晶質材料で楢成さ九た第二の層とで構成され
た光受容網とを有し、前Ｈピ第一の層中にれ伝導性を支
配する物質と炭素原子とが含有されておシ且っ該第−の
層に於けるダルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不
均一である事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性
及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用した場合には、
画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的特
性が安定しておシ、高感度で、高ＳＮ比を有し、耐光疲
労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーン
が鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安定
して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される光受容
網自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に著しく
優れておシ、間遠で長時間連続的に繰返し使用すること
ができる。

更に、本発明のｙｔ導電部拐は、全旬視光城に於いて光
感度が高く、殊に半導体レーデとのマツチングに優れ、
且つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就い詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するための模式的構成図である。

第一１図に示す光導電部材１ｏｏは、光導電部材用とし
ての支持体１０１の上に、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から
成ル、炭素原子を含有し、光導電性を有する第一の層（
１）　１０２と第二の層ω）１ｏ３とを有する。

第一の層（１）　１０２中に含有されるダルマニウム原
子は、第一の層（１）　１０２の層厚方向には連続的で
あって、且つ前記支持体１０１の設けられである側とは
反対の側＠−ｏ／１ｉ（１）　１０２　Ｏ第二ｏ７ｋ（
Ｉｆ）１０３側）の方よシも前記支持体側（第一０層（
１）１０２の支持体１０１との界面側）の方に多く分布
した状態となる様に、前記第一の層（１）　１０２中に
含有される。

本発明の光導′ＲＬ部材においては、第一０層（１）中
に含有されるダルマニウム原子の分布状態は、層厚方向
においては前記の様な分布状態を取ｐ１支持体の表面と
平行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望まし
い。

＃４２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材
の第一の層（１）中に含有されるダルマニウム原子の層
厚方向の分、布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸はダルマニウム原子
の含有ｉｔＣを、縦軸は、光導電性を示す第一の層（１
）の層厚を示し、ｔＢは支持体側の第一の層（１）　Ｏ
界面の位置を、ｔＴは支持体側とは反対側の第一の層（
１）の界面の位置を示す・即ち、ゲルマニウム原子の含
有される帛−の層（１）はｔ、側よりｔＴ側に向って層
形成がなされる。

第２図には、第一の層（１）中に含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態の第ｌの典型例が示される
。

第２図に示される例では、ダルマニウム原子の含有され
る第一の層（１）が形成される支持体表面と該第−の層
（１）の表面とが接する界面位置ｔ、よシｔ１の位置ま
では、ゲルマニウム原子の分布＃度ＣがＣ１なる一定の
値を取シ乍らゲルマニウム原子が、形成される第一の！
　（１）に含有され、位置ｔ１　よシ界面位置ｔＴに至
るまでは分布製置Ｃ１よシ徐々に連続的に減少されてい
る。界面位［１Ｔにおいてはゲルマニウム原子の分布濃
度ＣはＣｓとされる。

第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔ１Ｊ位置ｔＴに至るまで濃
度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置１Ｔにおいて濃
度Ｃ，となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔ、よ多位置ｔ！まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６なる一足値とされ、
位置ｔ、と位置叫との間において除徐に連続的に減少さ
れ、位置ｔ、において分布濃度Ｃは実質的に零とされて
いる（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合であ
る）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
［１，よル位置叫に至るまで濃度Ｃ８よシ連続的に徐々
に減少され、位置叫において実質的に零とされている。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置１Ｂと位置ｔ１間においては濃度Ｃ０の一
定値であシ、位置叫においては濃度ＣＩ（ｌとされる。

位置ｔ、と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ、よ多位置ｔＴに至るまで減少されている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置輸よ
す位置ｔ４　までは濃度Ｃ，・、なる一定値を取ル、位
置ｔ、よ多位置１Ｔまでは濃度Ｃ８，よシ濃度Ｃ１ｓ’
Ｊで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢｘり位置１．ｒに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４
よシ実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置輸より位置ｔ、に至るまではゲ
ルマニウム原子の分布ａ度Ｃは濃度Ｃｌ１ｌよシ讃度Ｃ
１１ｌまで一次関数的に減少され、位置１、と位置ｔＴ
との間においては、濃度Ｃ１６の一定値とされた例が示
されている。

第１θ図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置１Ｂにおいてｍ度ｃｔｙであシ、位置
ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１丁よシ初めはゆっくりと
減少され、ｉ８の位置付近においては、急激に減少され
て位ｔｆｉｆｆｉｔａでは濃度ｃｉｓとされる。

位置ｔｏと位置ｔ、との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置１．で
濃度Ｃ１，となシ、位置を丁と位置ｔ＝　との間では極
めてゆつくシと徐々に減少されて位ａ　ｔ　Ｓにおいて
濃度Ｃ３ｏに至る。位ｋ　ｔ　ｓ　と位置１Ｔの間にお
いては、濃度ＣｔＯよシ実質的に零になる様に図に示す
如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図にょシ、第一の層（１）中に
含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典
型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持
体側において、ダルマニウム原子の分布濃度Ｃの為い部
分を有し、界面ｔＴ１１１１においては、前記分布濃度
Ｃは支持体側に較べて可成夛低くされた部分を有するダ
ルマニウム原子の分布状態が第一の層（Ｉ）に設けられ
ている。

本発明に於ける光専電部羽を構成する第一の層（１）は
、好ましくは、上記した様に支持体側の方にゲルマニウ
ム原子が比較的短波長で含有されている局在領域（Ａ）
を有する。

本発明に於いては局在領域（Ａ）杜、第２図乃至Ｍ２Ｏ
図に示す記号を用いて説明すれけ、界面位＠１．よ）５
μ以内に設けられるのか望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ａ）は〜界面位置ｔ
、よシ５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ、ｒ）の一部とするが又鉱
全部とするかは、形成される第一の層（１）に要求され
る特性に従って適宜法められる＠局在領域（Ａ）は、その中に含有されるダルマニウム原
子の層厚方向の分布状態として、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃの最大値Ｃｍ＆Ｘがシリコン原子との和に対し
て、好ましくは１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、
よル好適には５０００　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ以上、最
適にはＩ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とさ
れる様な分布状態となシ得る様に層形成される。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第一の＃（１）は、支持体側からの層厚で５μ以内（
ｔＢから５μ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃｍａ
ｘｆｆｌ”存在する様に形成されるのが好ましいＯ本発明において、第一の層（１）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成さ
れる様に所望に従って適宜法められるが、シリコン原子
との和に対して、好ましくは１〜９．５　Ｘ　１．０’
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、よシ好ましくは１００〜８　
Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　ｓ　最適には５０ｏ
〜７×１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされる。

本発明の光導電部材に於いては、第一０層（１）中に於
けるダルマニウム原子の分布状態は、全層領域にゲルマ
ニウム原子が連続的に分布し、ゲルマニウム原子のｒＶ
Ｉ厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よシ第−〇層（１）の
第二の層（１）　ＩＩＩに向って減少する変化が与えら
れているので、分布濃ｉｃの変化率曲線をハｒ望に従っ
て任意に設置１゛することによって、要求される特性を
持った第一の層（１）を所望通シに実現することが出来
る。例えば、第一の層（１）中に於けるダルマニウムの
分布濃度Ｃを支持体側に於いては充分高め、第一の層（
Ｉ）の第二の層（ＩＩ）側に於いては極力低める様な分
布濃度Ｃの変化を、ダルマニウム原子の分布濃度曲線に
与えることによって、可視光領域を含む比較的短波長か
ら比較的短波長迄の全領域の波長の光に対して光感度化
を計ることが出来る。

又、後述される様に、第一〇＃　（１）の支持体側端部
に於いてダルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きく
することによシ、半導体レーデを使用した場合の、第一
の層（１）のレーデ照射面側に於いて充分吸収し切れな
い長波長側の光を第一の層（１）の支持体側端部層領域
に於いて笑質的に完全に吸収することが出来、支持体面
からの反射による干渉を効果的に防止することが出来る
。

本発明の光導電部材に於いては、尚光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と第一の層（Ｉ）との間の密着性の
改良を計る目的の為に、第一の層（１）史には炭素原子
が含有される。第一の層（１）中に含有される炭素原子
は、第一の層（１）の全層領域に万偏なく含有されても
良いし、或いは第一の層（１）の一部の層領域のみに含
有させて偏在させても良い。

又、炭素原子の分布状態は、分布濃ＩｆＣ（Ｃ）が第一
の層（１）の層厚方向に於いては、均一であってもよい
し、又は第２図乃至第１Ｏ図を用いてＢ！ｉ１．明した
ダルマニウム原子の分布状態と同様に、分布濃度Ｃ（Ｃ
）が層厚方向には不均一であっても良い。

詰シ、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）が層厚方向に不均一
である場合の炭素原子の分布状態は、第２囚乃至第１０
図を用いてダルマニウム原子の場合と同様に説明され得
る。

本発明に於いて、第一の層（１）に設けられる炭素原子
の含有されている層領域（Ｃ）は、光感度と暗抵抗の向
上な主たる目的とする場合には、第一の層（１）の全層
領域を占める様に設けられ、支持体と第一の層（１）と
の間の密着性の強化を計るのを主たる目的とする場合に
は、第一の層（１）の支持体側端部島領域を占める様に
設けられる。

前者の場合、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の含
有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後
者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に計る為
に比較的多くされるのがＷｔしい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高１！度に分布させ、第一の層
（１）の第二の層（Ｉｔ）側に於いて比較的低濃度に分
布させるか、或いは第一の屑（１）の第二の＃（Ｅｌ）
側の界面屑領域には、炭素原子を積極的には含有させな
い様な炭素原子の分布状態をＮ領域（ｑ中に形成すれは
良い。

本発明に於いて、第一の層（１）に設けられる層領域（
Ｃ）に含有される炭素原子の含有量は、層領域（Ｃ）自
体起要求される特性、或いは、該層領域（Ｃ）が支持体
に直に接触して設けられる場合には、該支持体との接触
界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて適
宜選択することが出来る・又、前記層領域（Ｃ）に直に
接触して他の層領域が設けられる場合には、該他の層領
域の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係も考慮されて、酸素原子の含有量が適宜選択され
る。

層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の量は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜法められるが、好ましくは０．００１〜５０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、よル好ましくは０．００２〜４０ａｔｏｍｉ
ｃ％、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるＯ本発明に於いて、層領域（Ｃ）が鶴−の層（１）の全域
を占めるか、或いは第一の層（υの全域を占めなくとも
、層領域（Ｃ）の層厚Ｔ、の第一の層（１）の層厚Ｔに
占める割合が充分多い場合には、層領域（匂に含有され
る炭素原子の含有り、の上限は、前記の値よシ充分少な
くされるのが銀ましい。

本発明においては、層領域（Ｃ）の層厚’ｒｏが第一０
層（１）の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上と
なる様な場合には、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原
子の量の上限は、好ましくは３０ａｔｏ−ｍｌ０％以下
、より好ましくは２０　ａｔｏｍｌｃ％以上最適にｔｅ
ｌ：　１０　ａｔｏｍｌｃ％以下とされる。

本発明において、第一の層（１）を構成する炭素原子の
含有される層領域（Ｃ）は、上記した様に支持体側の方
に炭素原子が比較的＾濃度で含有されている局在領域（
Ｂ）を有するものとして設けられるのが望ましく、この
場合には、支持体と第一の層（１）との間の密着性をよ
シ一層向上させることが出来る・上記局在領域ＣＢ）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれは、界面位（ｆｉｔｌｌよ９５８以内
に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置１
Ｂよシ５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される第一の＃（Ｉ）に要求される
特性に従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される炭素原子の層厚方
向の分布状態として炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）の最大
竺Ｃｍａｘが、好ましくは５００　ａｔｏｍ１ｃｐｐｍ
以上、よシ好適にはＦ３００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以
上、最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とさ
れる様な分布状態となシ得る様に層形成される。

即ち、本発明においては、炭素原子の含有される層領域
（Ｃ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（１，から５
μ厚の層領域）に分布濃度Ｃ（Ｃ）の最大値ｃｍａｚが
存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有される第一の層（１）中には、伝導特性を支配する物
質（Ｃ）を含鳴させることによシ、第一０層（１）の伝
導特性を所望に従って任意に制御することが出来る。

この様な物質（Ｃ）としては、所謂、牛導体分野で云わ
れる不純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形
成される第一の層（１）を構成するａ−８１Ｇｅ　（Ｈ
＃　Ｘ　）に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物
及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出
来る。

へ体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に親す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａｔ（ア
ルミニウム）　、　Ｑａ　（ガリウム）　＊　Ｉｎ（イ
ンジウム）、Ｔｚ（タリウム）等があシ、殊に好適に用
いられるのはＢ　ｓ　Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
■族原子）、例えば、Ｐ（燐）　＃　Ａｓ（砒素）　、
　ｓｂ　（アンチモン）　、　Ｂｉ　（ビスマス）等で
あ）、殊に、好適に用いられるのはＰ　、　Ａｓである
。

本発明に於いて、第一の層（１）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量は、該第−の＃　（１
）に要求される伝導特性、或いは該第−の層（１）が直
に接触して設けられる支持体との接触界面に於ける特性
との関係等、有機的関連性に於いて適宜選択することが
出来る。

又、前記の伝導特性を制御する物質を第一の層（１）中
に含有させるのに、該第−の４（１）の所望される層領
域に局在的に含有させる場合、殊に、第一の層（１）の
支持体側端部層領域（ｇ）に含有させる場合には、該層
領域に直に接触して設けられる他の層領域の特性や、該
他の層領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮さ
れて、伝導特性を制御する物質の含有量が適宜選択され
る〇本発明に於いて、第一の層（１）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量は、好ましくは０．０
１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、よシ好
適には０、５〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
　％最適には１〜５×１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍと
される・本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ
）が含有される層領域に於ける該物質の含有量が１好ま
しくは３　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、よル好過に
は５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１００　
ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以上の場合には、前記物質（Ｃ）は
、第一０層（１）の一部の層領域に局所的に含有させる
のが望ましく、殊に第一の層（りの支持体側端部層領域
（Ｅ）に偏在させるのが望ましい。

上記の中、第一０層（１）の支持体側端部層領域（匂に
前記の数値以上の含有量となる様に前記の伝導特性を支
配する物質を含有させることによって、例えは該含有さ
せる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には、第二の
層Ｑｌ）の自由表面が■極性に帯電処理を受けた際に支
持体側からの第一の層（１）中への電子の注入を効果的
に阻止することが出来、又、前記含有させる物質が前記
のｎ型不純物の場合には、第二の層（１０の自由表面が
■極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から第一の層
（１）中への正孔の注入を効果的に阻止することが出来
る。

この様に、前記端部層領域（Ｅ）に−力の極性の伝導特
性を支配する物質を含有させる場合には、第一の層（１
）の残シの層領域、即ち、前記端部層領域（Ｅ）を除い
た部分の層領域（Ｚ）には、他の極性の伝導特性を支配
する物質を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導
特性を支配する物質を、端部層領域（Ｅ）に含有される
実際の■よシも一段と少ない量にして含有させても良い
ものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有蓋は、端部層領域（Ｅ）に
含有される前記物質の極性や含有量に応じて所望に従っ
て適宜決定されるものであるが、好ましくはＯ，ＯＯ１
〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、よシ好適には０．０
５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には０．１〜
２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされる０本発明に於い
て、端部層領域（Ｅ）及び層領域体）に同種の伝導性を
支配する物質を含有させる場合には、層領域（Ｚ）に於
ける含有量は、好ましくは３０　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ
以下とするのが望ましいものである。上記した場合の他
に、本発明に於いては、第一のＮ（Ｉ）中に、一方の極
性を有する伝導性を支配する物質を含有させ７’Ｃ層領
域と、他方の極性を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に１９ｒ開空乏層を設けることも出来る。つまり、例え
は、第−０Ｍ　（１）中に、前記のｐ型不純物を含有す
る層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に
接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏層
を設けることが出来る。

本発明において、必要に応じて、第一の７１　（１）中
に含有されるハロダン原子（Ｘ）としては、具体的には
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、
塩素を好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される
第一の層（１）を形成するには例えばグロー放電法、ス
パッタリング法、或いはイオンル−ティング法等の放電
現象を利用する真空堆積法によって成される□。例えば
、グロー放電法によりて、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第一の層（１）を形成するに鉱、基本的にはシ
リコン原子（Ｓｌ）を供給し得るＳｔ供給用の原料ガス
と、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供給用
の原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原
料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で
導入して、該堆積室内にグロー放ｔを生起させ、予め所
足位置に設置されである′７５ｒ定の支持体表面上に含
有されるダルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲
線に従って制御し乍らａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる
層を形成させれば良い。又、スノ４　ツタリング法で形
成する場合には、例えはＡｒ　＊　Ｈａ等の不活性ガス
又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中で
Ｓｔで構成されたターグット、或いは、該ターグットと
Ｇｅで構成されたターグットの二枚を使用して、又は、
ＳｉとＧｅの混合されたターグットを使用して、必要に
応じてＨｅ　＋　Ａｒ　７％の稀釈ガスで稀釈されたＧ
ｅ供給用の原料ガスを、必要に応じて、水素原子（１１
）又は／及びハロダン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッ
タリング用の堆積室に導入し、ハｆ望のガスのグラズマ
雰囲気を形成すると共に、前記Ｇｅ供給用の原料ガスの
ガス流量を所望の変化率曲線に従って制御し乍ら、前記
のターグットをスパッタリングしてやれは良い。

イオンル−ティング法の場合には、例えは多結晶シリコ
ン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結晶
グ′ルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着が一トに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロン
ビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発
物を所望のガスノ２ズマ雰囲気中を通過させる以外は、
スパッタリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。

本発明において使用されるｓｉ供給用の原料ガスとなシ
得る物質としては、ＳｉＨ４Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ５Ｈ６，
−、ｓＳ　ｌ　４Ｈ，。等のガス状態の又はガス化し得
る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、ｓｉ供
給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６が好ましい
ものとして挙げられる。Ｇｅ供給用の原料ガスとなり得
る物質としては、Ｇｅｍ４＃　Ｇａ２Ｈ６＊　Ｇｅ５Ｈ
（３ｍＧｅ１４Ｈｔｏ　ａ　Ｇ６５Ｈ１２ａ　Ｇｅ、６
Ｈ１４ｘ　ａｅ、ｕ、６＃　Ｇｅ６Ｈ１＋３　ａＧ６９
　Ｈ２ｇ等のガス状態の又椋ガス化し得る水素化ダルマ
ニウムが有効に使用されるものとして挙げられ、殊に電
層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給幼率の良さ等の点
で、ＧｅＨ４ｙ　Ｇｅ２Ｈ，５、Ｇｅ５ＨＢが好ましい
ものとして挙げられる。

本発明において使用される）１０グン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのハロダン化合物が挙けら
れ、例えはノ・ログンガス、ノ・ログン化物、ハロダン
間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス
状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましいもの
として挙けられる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ノ・ログン原子を
含む水先化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロダン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロゲンガス＊　ＢｒＦ　＃　ＣｔＦ　＊　Ｃ
ｌＦ５　ｔＢｒＦ　、　ＢｒＦ　、ＩＦ　ｒ　ＩＦ、　
、　ＩＣｔｒ　ＩＢｒ等のノ１０５　３　３ダン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、盾部、ノ・ログン原□
子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例え
ばＳｉＦ４　＊　８１２Ｆ６　＃　５ｉＣ１４＊　Ｓｉ
Ｂｒ４等のハロダン化硅素が好ましいものとして挙げる
ことが出来る。

この様なハロダン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部拐を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロダン原子を含むａ　−Ｓｌ’Ｇ
ｅから成る非晶質層を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第一の層（
１）を製造する場合、基本的には、例えは出供給用の原
料ガスとなるハロゲン化硅崇とＧｅ供給用の原料ガスと
なる水素化ゲルマニウムとＡｒ　。

Ｈ２ｏ　ｆｉｇ等のガス等とを所定の混合比とガス泥足
になる様にして第一のＮ（１）を形成する堆積室に導入
し、グロー放ｔを生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲
気を形成することによって、所望の支持体上に第一の層
（１）を形成し得るものであるが、水素原子の導入割合
の制Ｈｆニ一層容易にする為にこれ等のガスに更に水素
ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合
して層形成しても良い。

又、各ガスは単独釉のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである◎スパッタリン
グ法、イオンル−ティング法の何れの場合にも、形成さ
れる層中にハロダン原子を導入するには、前記のハロゲ
ン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガ
スを堆積室中に尋人して該ガスのプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ダルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれは良い。

本発明においては、ハロダン原子樽入用の原料ガスとし
て上記されたノ・ロダン化合物或いは７１０ダンを含む
硅素化合物が有効なものとして使用されるものであるが
、その他に、ＨＦ　ｔ　ＨＣｌ　＊　ＨＢｒ　＊Ｈ［等
のハロゲン化水素、５ＩＨ２Ｆ２．５ＩＨ２１２゜５ｉ
Ｈ２Ｃｔ２　ａ　５ＩＨＣ１５ｔ　５ＩＨ２Ｂｒ２．５
ｉＨＢｒ５等のハロゲン置換水素化硅素、及びＧｅＨＦ
５　、　ＧｓＨ２Ｆ２ｔＧｅＨ，Ｆ　、　ＧｅＨＣｌ、
　ｔ　ＧｅＨ２ＣＡ２　ｊ　ＧｅＨａＣＺ　ｔ　ＧｅＨ
Ｂｒ、５　ｔＧｅ１２Ｂｒ２　ｔ　ＧｅＨ，Ｂｒ　、　
ＧｅＨＩ３　＃　ＧｅＦ２１２　＃　ＧａＨ５Ｉ等の水
素化ハロダン化ゲルマつウム、等の水素原子を構成要素
の１つとするハロダン化物Ｇｅｌ’４．　ＧｅＣｔ４ｓ
ＧｅＢｒ４　ｅ　ＧｅＩ４＃　ＧｅＦ２　ａ　ＧａＣｌ
２　ｔ　Ｇ５Ｂｒ２　＋　ＧｅＩ２等のハ目ダン化ダル
マニウム、等々のガス状態の或い紘ガス化し得る物質も
有効な第一の層（１）形紙用の出発物質として挙げる事
が出来る・これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物は、第一
の層（１）形成の際に層中にハロダン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制′＠１に極めて有効な水
素原子も導入するので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第一の＃（Ｉ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＦ２、或いは５ＩＨ４，８１２Ｈ６，Ｓｉ、
Ｉ（８゜５ｉ４Ｈ，。等の水素化硅素金Ｇｏを供給する
為のダルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いｕｓ
　ＧｅＨ４ｍＧ＠２Ｈ６＊　Ｇｅ５ＨＢ　＊　”４Ｈ１
Ｏｚ　”５Ｈ１２ａ　Ｇｌ！１４Ｈ１４ｍＧ＠７Ｈ１６
ｅ　Ｇｅ６Ｈ１Ｂ　＋　Ｇｅ９Ｆ２ｇ等の水素化ダルマ
ニウムとＳｌを供給する為のシリコン又はシリコン化合
物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも
行う事が出来る・本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第一の層（１）中に含有される水素原子（Ｈ）の魚、又
はハｔｆｆｒン原子（Ｘ）の量、又祉水素原子とハロゲ
ン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は、好ましくは０、０１〜
４０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３　Ｑ
　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｌ
ｃ％とされる。

第一の層（１）中に含有される水素原子（Ｉ（）又は／
及びハロダン原子（Ｘ）の弁を制御する棹は、例えば支
持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはノ・ロダン
原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積
装置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良
い。

本発明に於いて、第一の層（１）に炭素原子の含有され
た層領域（Ｃ）を設けるには、第一の７１（１）の形成
の際に炭素原子導入用の出発物質を前記した第−の層（
１）形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中
にその量を制御し乍ら含有してやれは良い。

層領域（Ｃ）を形成するのにグ四−放電法を用いる場合
には、前記した第一の層（１）形成用の出発物質の中か
ら所望に従って選択されたものに炭素原子導入用の出発
物質が加えられる。その様な炭素原子導入用の出発物質
としては、少なくとも炭素原子を構成原子とするガス状
の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（８１）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロダン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを１９ｒ望の混合比で混合
して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原
子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ
）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｌ）を構成
原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｔ）　、炭素
原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする
原料ガスとを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに炭素原子（Ｃ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

ＣとＨとを構成原子とするものとしては、例えは炭素数
１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化
水素、炭素数２〜４のアセチレン糸炭化水素等が挙げら
れる。− 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
　、エタン（Ｃ２ｆ（６）　、グロパン（Ｃ５Ｈ６）　
＊　ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ４゜）、ペンタ７　（Ｃ５
Ｈ１２）　＊エチレン系炭化水素としては、エチレン（
Ｃ２Ｈ４）　＃プロピレン（Ｃ３Ｈ６）　ｅブテン−１
（０４Ｈ８）　、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）イソブチレン
（Ｃ４Ｈ８）　ｅ（ブテン（Ｃ５Ｈ１（１）　ｒアセチ
レン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ，Ｈ２）　、
メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）　ａブチン（Ｃ４Ｈ６）
等が挙げられる。

これ等の他に８１とＣとＨとを構成原子とする原料ガス
として、８１（ＣＨ，）４．８１（Ｃ２Ｈ５）４等のケ
イ化アルキルを挙げることが出来る。

本発明に於いては、層領域（Ｃ）中に鉱炭素原子で得ら
れる効果を更に助長させる為に、炭素原子・に加えて、
更に酸素原子又は／及び窒素原子を含有することが出来
る。酸素原子と層領域（Ｃ）に導入する為の酸氷原千尋
入用の原料ガスとしては、例えば酸素（０□）、オゾン
Ｃｏ５）　ａ−酸化窒素（Ｎｏ）　に酸化窒素（Ｎｏ２
）−−二酸化窒素（Ｎ２０）　、三二酸化窒素（Ｎ２０
３）　＃四三酸化窒素（Ｎ２０４）　ａ五二酸化窒素（
Ｎ２０５）　ｅ三酸化窒素（Ｎｏ、）　、シリコン原子
（Ｓｉ　）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成
原子とする、例えば、やシロキサン（Ｈ，ＱＳｉＯ８Ｉ
Ｈ，）　、　）リシ四キサン（Ｈ５ＳＩＯ８ｉＨ２０Ｓ
ｌｆ（、）等の低級シロキサン等を挙げることが出来る
。

層領域（Ｃ）を形成する際に使用される窒素原子（Ｎ）
導入用の原料ガスに成）得るものとして有効に使用され
る出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮ、！：Ｈと
を構成原子とする例えば輩２４　（Ｎ２）　＊アンモニ
ア（ＮＨ，）　、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　＃アソ
化水素（ＨＮ、）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ、
）　等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びア
ジ化物等の窒素化合物を挙けることが出来る・この他に
１窒素原子（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）
の導入も行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ、Ｎ）　
、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を
挙げることが出来る。

スノ４　ツタリング法によって、炭素原子を含有する層
領域（Ｃ）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウ
ェーハーはＣウェーハー、又はｓｌとＣが混合されて含
有されているウェーハーをターゲットとして、これ等を
種々のガスｙ囲気中でスノＪ？ツタリングする°ことに
よりて行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれに
、炭素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロダン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーを
スパッタリングすれは良い。

又１別にｕｚｓｉとＣとは別々のターゲットとして、又
は別とＣの混合した一枚のターゲットを使用することに
よって、スパッタ用のガスとしての稀釈ガスの雰囲気中
で又は少なくとも水泳原子（１１又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）を構成原子として含有するガスｙ囲気中てスパ
ッタリングすることによって成される。酸素原子導入用
の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示した
原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガスが、スパッタ
リングの場合にも有効なガスとして使用され得る。

本発明に於いて、第一の＃　（１）の形成の隙に、炭素
原子の含有される層領域（Ｃ）を設ける場合、該層領域
（Ｃ）に含有される炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）をＡＩ
層厚方向変化させて、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅ
ｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ　）を有する層領域ＣＣ）を形
成するに杖、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ（Ｃ）
を変化させるべき炭素原子導入用の出発物質のガスを、
そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ
乍ら、堆積室内に導入することによって成される。例え
は手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられている
伺らかの方法にょシ、ガス流路系の途中ゝに設けられた
所定のニードルパルプの開口を漸次変化させる操作を行
えは良い。このとき、流量の変化率は線型である必委杖
なく、例えはマイコン等を用いて、あらかじめ設計され
た変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲線
を得ることもできる。

層領域（Ｃ）をスパッタリング法によって形成する場合
、炭素原子の層厚方向の分布＃度Ｃ（Ｃ）を層厚方向で
変化させて、炭素原子の層厚方向の所望の分布状態（ｄ
ｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｌｌｅ　）を形成するには、第一に
は、グロー放電法による場合と同様に、炭素原子導入用
の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ導
入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させること
によって成される。

第二には、スパッタリング用のターゲットを、例えばＳ
ｉとＣとの混合されたターゲットを使用するのであれｒ
Ｊ：、ｓｉとＣとの混合比をターゲットの層厚方向に於
いて予め変化させておくことによって成される。

第一の層（１）中に、伝導４！性を制御する物質、例え
ば、第■族原子或いは第ｖ１＃ｃ原子を構造的に導入す
るに鉱、層形成の際に、第■族原千尋入用の出発物負或
いは第■族原千尋入用の出発物質をガス状態で堆積室中
に、第一の層（１）を形成する為の他の出発物質と共に
導入してやれｔユ良い。この様な第ｍ族原千尋入用の出
発物質と成シ侍るものとしては、常温常圧でガス状の又
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。その様な第■族原千尋入用
の出発物質として具体的に鉱硼素原千尋入用としてはＢ
２Ｈ６ｍ　Ｂ４Ｈ１ｇ　ｅ　Ｂ５Ｈ９＊　Ｂ５Ｈ１１ｅ
　Ｂ６馬Ｅｌ　ｌ　Ｂ６Ｈ１２＃Ｂ６Ｈ１４等の水素化
硼素、ＢＦ、　、　ＢＣｌ３　、　ＢＢｒ３等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｔＣｔ、。

ＧａＣｌ３　、　Ｇａ（ＣＨ，）、　、　ＩｎＣ１，、
ＴｔＣｌ、等も挙けることが出来る・第Ｖ族原千尋入用の出発物質として本発明において有効
に使用されるのは、燐原子尋人用として昧、ＰＨ，、Ｐ
２）１４等の水素北隣Ｉ　Ｐ）１４１　、　ＰＦ５　ａ
　ＰＦ５ａｐｃｔｓ　ａ　ＰＣｔ５　＃　ＰＢｒ６　ｅ
　ＰＢｒ３　ａ　ＰＩ、　％のハロゲン比隣が挙げられ
る。この他、ＡｓＨ２ｓ　ＡｓＦ３　ａ　ＡｓＣ２５ｓ
ＡｓＢｒｌＩ、　ＡｓＦ５ｅ　ＳｂＨ，＄　ＳｂＦ５　
ｓ　５ｂＦ５ｒ　５ｂＣ１５ａＳｂＣｌｓ　、　ＢｉＨ
ｓ　、　ＢｉＣｌ２．　Ｂ１Ｂｒ、等も１１４　Ｖ族原
千尋入用の出発物質の有効なものとして挙けることが出
来る。

本発明の光４一部材に於ける第一の層（夏ンの層厚は、
第一の層（１）中で発生されるフォトキャリアが効率良
く輸送される様に所望に従って適宜法められ、好ましく
は１〜１００μ、よシ好適には１〜８０μ、最適には２
〜５０μとされる。

第１図に示される光導電部側１００に於いては第一の層
（１）　１０２上に形成される第二の層Ｑｌ）１０３は
自由表面１０４を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特
性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性に於いて本発
明の目的を達成する為に設りられるＯ又、本発明に於いては、第一の層（１）　１０２と第二
の１９１ｉ０１）１０３とを摘取する非ム負拐料の各々
がシリコン原子という共通の桁成要素を有しているので
、板層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成され
ている。

本発明に於ける北二〇ｍ（ＩＤは、シリコン原子（Ｓｉ
）七酸素原子（０）と、必要に応じて水素原子ＣＨ）又
は／及びハロダン原子（Ｘ）とを含む非晶負羽料（以後
、ｒ　ａ　−（８１ＸＯ，−Ｘ）、（Ｈｅ　Ｘ　）、−
、Ｊと配す。但し、０　（Ｘ　＃　ｙ　（１）で構成さ
れる。

ａ　−（Ｓ　１ｘ０１−ｘ）μＨ，Ｘ）、−、で構成さ
れる第二の／％　（ＩＩ）の形成はグロー放電法、ス・
ぐツタリング法、エレクトロンビーム法、イオンインｆ
ランテーシ璽ン法、イオンシレーティング法等によって
成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下
の負荷程度、製造規模、作製される光４電部材にＢｒ望
される特性等の要因によって適宜選択されて採用される
が、所望する特性を有する光導電部材を製造するだめの
作製条件の制御が比較的容易である、シリコン原子と共
に酸素原子及びハロダン原子を作製する第二の層（ＩＩ
）中に導入するのが容易に行える、等の利点からグロー
放電法或はスパッターリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第二の層（ＩＱを形
成してもよい。

グロー放電法によって第二の層（ＩＩ）を形成するには
ａ　−（５ｉｘＯ４−ｘ）、（Ｈ、Ｘ　）、−、形成用
の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比
で混合して、支持体の股鈑しである具空堆私室に導入し
、尋人されたガスを、グロー放電全生起させることでガ
スプラズマ化して、前記支持体上に既に形成されである
第一の層（１）上にａ　−（８１ｘ０１−ｘ）パＨ，Ｘ
）、−。

を堆積さぜれは良い。

本発明に於いて、ａ−（Ｓｉ　Ｏ）　（Ｈ＝Ｘ）＊−、
形Ｘ　１−Ｘ　７成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓｉ）、酸津
原子（０）、水素原子（Ｈ）、ハロダン原子（Ｘ）の中
の少なくとも一つを構成原子とするガス状の物質又はガ
ス化し得る物質をガス化したものの中の大概のものが使
用され得る。

Ｓｔ、Ｏ，Ｈ，Ｘの中の一つとして５ｉｔ−構成原子と
する原料ガスを使用する場合は、例えはＳｔを構成原子
とする原料ガスと、０を構＆原子とする原料ガスと、必
要に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又はＳｔを構成原子とする原料ガスと、０及
びＨを構成原子とする原料ガス又は／及び０及びＸを構
成原子とするＪＪＡ科ガスとを、これも又、所望の混合
比で混合するか、或い鉱、ｓｉを構成原子とする原料ガ
スと、Ｓｉ、Ｑ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス
又は、ｓｉ、ｏ及びＸの３つを構成原子とする原料ガス
とを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｌとＨとを構成原子とする原料ガスにＯ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、８１とＸとを構成原子とする原料ガスにＯを構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いてＳ第二〇Ｎω）中に含有される・・ロダ
ン原子（Ｘ）として好適なのはＦ＊　ｃｔａ　Ｂｒ　＃
工であシ、殊にＦ　、　Ｃ１が望ましい。

本発明に於いて、第二〇＃　（Ｉｔ）を形成するのに有
効に使用される原料ガスとなル得るものとしては、常温
常圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物
質を挙げることができる。

又、スパッタリング法で第二の層（Ｉｔ）を形成する場
合には、例えは次の様にされる。

第一には、例えはＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉｔ
”構成されたターゲットをスパッタリングする際、酸素
原子（０）導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子
（■（）導入用の又は／及びノ・ロダン原子（Ｘ）　２
ｉ？−入用の原料ガスと共にスパッタリングを行う真空
堆積室内に導入してやれは良い。

第二には、スパッタリング用のターゲットとしてＳｉＯ
２で構成されたターゲットか、或いはＳｉで４”〜成さ
れたターゲットと５ｉｏ２で構成されたターゲットの二
枚か、又は８１と８１０２とで構成されたターゲットを
使用することで形成される第二の層（ｎ）中へ酸素原子
（０）を導入することが出来る。この際、前記の酸素原
子（０）導入用の原料ガスを併せて使用すれはその流量
を制御することで第二の層ω）中に導入される酸素原子
（０）の量を仁慈に１ｊｌＪ御することが容易である。

Ｕ↓二の層（Ｕ）中へ導入される酸素原子（０）の含有
量は、酸素原子（０）導入用の原料ガスが堆積室中へ導
入される際の流量を制御するか、又は酸素原子（０）導
入用のターグツト中に含有される酸素原子（０）の割合
を、該ターグットを作成する除に１整するか、或いは、
この両者を行うことによって、所望に従って任意に制御
することが出来る。

本発明において使用される８１供給用の原料ガスとなる
出発物質としては、５ｉｎ４．　Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ、Ｉ
Ｉ８゜５１４Ｈ，。笠のガス状態の又はガス化し得る水
系化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして皐
げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｔ供給効率の
良さ等の点でＳｉＨ４，８１２Ｈ６が好ましいものとし
て挙げられる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって形成δれる第二の層（ＩＩ）中に８
１と共にＨも導入し得る。

Ｓｔ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
□上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子（イ）を含む
硅素化合物、所醐、ハロゲン原子で一換されたシシン訪
導体、具体的には例えばＳｉＦ４＃５ｔ２Ｆ６．５ｉＣ
ｔ４　ｔ　ＳｉＢｒ４等０ハロゲン化硅素が好ましいも
のとして挙げることが出来る。

更には、ＳｉＨ２Ｆ２．５ＩＲ２Ｉ２　ｅ　５ｉｎ２ｃ
ｚ２Ｌ　５ＩＨＣ１５ａＳｉＨ２Ｂｒ２．５ＬＨＢｒ、
等のハロゲンに換水巣孔硅素、等々のガス状態の或いは
ガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとするノ・ロ
グン化物も、有効な第二の層（Ｉｆ）の形成の為のｓｉ
供帖用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等のハロダン原子（Ｘ）を含む硅素化合物を使用す
る場合にも前述した様に層形成条件の適切な選択によっ
て、形成される第二の層（Ｉｔ）中に８１と共にＸを導
入することが出来る。

上記した出発物質の中で水素原子を含むハロダン化硅素
化合物は、第二の層（１０の形成の際に層中にハロダン
原子（Ｘ）の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制
御に極めて有効な水素原子（）Ｉ）も導入するので、本
発明においては好適なハロゲン原子（Ｘ）導入用の出発
物質として使用上れる。

本発明において第二０層（ＩＩＪを形成する際に使用さ
れるハロダン原子（Ｘ）４人用の原料ガスとなる有効な
出発物質としては、上記したものの他に、例えば、フッ
素、塩素、臭素２ヨウ素のノ・ログンガス、ＢｒＦ　＃
　Ｃ１Ｆ　ａ　ＣｌＦ５　ｅ　ＢｒＦ５．　ＢｒＦ、　
、　ＩＦ５゜ＩＰ、　、　ＩＣｔ、　ＩＢｒ等のハロゲ
ン間化合物、町。

ＨＣｔ、ＨＢｒ　＃　ＨＩ等のハロダン化水素を挙げる
ことが出来る。

第二の層（Ｉｆ）を形成する際に使用される酸素原子（
０）導入用の原料ガスにな夛得るものとして有効に使用
される出発物質は、０を構成原子とする或いはＮと０と
を構成原子とする例えば酵素（ｏ２）　ｒオゾン（０３
）　＃−酸化窒素（Ｎｏ）　＃二酸化窒素（Ｎｏ２）　
。

−二酸化窒素（Ｎ、Ｏ）　、三二酸化窒素（Ｎ、０３）
　、四二酸化窒素（Ｎ２０４）　ｅ三二酸化窒素（Ｎ２
０５）　、三酸化蟹素（Ｎｏ、）　、シリコン原子（Ｓ
ｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子と
する、例えは、ジシロキサン（ｆ（，５ｉＯ８ｉＨ，）
　、　）ジシロキサンａｔ３ｓｔｏｓｕｔ２ｏｓｔ曳）
等の低級シロキサン等を挙げることが出来る。

本発明に於いて、第二〇Ｎ（１０をグロー放電法又はス
ノｆツターリング法で形成する際に使用される稀釈ガス
としては、所謂、希ガス、例えはＨｅ　。

Ｎｏ、　Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る
◎本発明に於ける第二の層（Ｉｔ）は、その要求される
特性が所望辿９に与えられる様に注意深く形成ちれる。

即ち、Ｓｉ、０、必要に応じてＨ又は／及びＸｋ構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取シ、電気物性的には専
電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導電
的性質から非光導電的性質を、各々示すので本発明に於
いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Ｓｔｘ
Ｏ４−ｘ）ｙ（Ｈ＋Ｘ）　１−７が形成される様に、所
望に従ってその作成条件の選択がＩ＄、密に成される。

例えは、第二の層（Ｉｔ）　ｔ−電気的耐圧性の向上を
主な目的として設けるにはａ’−（ｓｔｘｏ、−Ｘ）、
（Ｈｅ　Ｘ　）、−ｙは使用環境に於いて電気絶縁性的
挙動の組着な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の層ψ）が設けられる場会には、上記の
電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に
対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ　−
（Ｓ　ｉ　ＸＯ、−ｘ）μＨ，Ｘ）、−、が作成される
。

第一の層（１）の表面にａ　−（Ｓ　１ｘＯ、−ｘ　）
パａ　ｐ　ｘ　）　、−ｙから成る第二の屑ＱＩ）を形
成する際、層形成中の支持体温度は、形成される層の構
造及び特性を左右する重要な因子であって、本発明に於
いては１目的とする特性を有するａ　−（Ｓ　１０−　
）　（Ｈ−Ｘ）　１−　ｙＩＸ７が所望通シに作成され得る様に層９作成時の支持体温度
が厳密に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の第二〇ｉ　（ＩＩ）の形成法に併せて適宜最適Ｂ度範
囲が選択されて、第二の層Ｑｌ）の形成が実行されるが
、好ましくは２０〜４００℃、よシ好遇には５０〜３５
０℃、最適には１００〜３００℃とされる◎第二の層（
［Ｉ）の形成には、層を構成する原子の組成比の微妙な
制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である
事等のために、グロー放電法やスパッターリング法の採
用が准利であるが、これ等の層形成法で第二の層（１０
を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層形成
の際の放１Ｍ、パワーが作成される＆−（ＳｉｘＯ，−
ｘ）、（Ｈ＃Ｘ）、−。

の特性を左右する１をな因子の一つである。

本発明に於ける目的が達成されるための特性を有するｈ
−（Ｓ　１ｘ０１−ｘ）ｙ（”　−Ｘ　）　１−ｙが生
産性良く効果的に作成されるための放電パワー条件は好
ましくは１．０〜３００Ｗ、よシ好適には２．０〜２５
０Ｗ１最逸には５．０〜２００Ｗとされる。

堆積室内のガス圧は好ましくは０．０１　％　Ｉ　Ｔｏ
ｒｒｌよシ好適には０．１〜０．５　Ｔｏｒｒ程度とさ
れる。

本発明に於いては第二の層（ＩＩ）を作成するための支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記し
た範囲の値が挙げられるが、これ等の屑作成ファクター
は、独立的に別々に決められるものではなく、所望特性
のａ　−（Ｓ　ｉ　ｘｏｌ−Ｘ）ｙ　（Ｈｔ　Ｘ　）　
１−ｙから成る第二の層（田が形成される様に相互的有
機的関連性に基づいて各層作成ファクターの最遇値が次
められるのが望ましい＠本発明の光導電部側に於ける第二の層（ＩＩ）に含有さ
れる＃Ｒ水素原子量は、第二の層（２）の作成条件と同
様、本発明の目的を達成する所望の％性が得られる第二
の層（Ｉｔ）が形成される１要な因子である。

本発明に於ける第二の層叩に含有される酸素原子の量は
、第二０層（１）を構成する非晶質材料の極類及びその
特性に応じて適宜所望に応じて決められるものである。

即ち、前記一般式ａ　−（Ｓ　１ｘ０１−ｘ　）ｙ　（
”　ｅ　Ｘ）１−　ｙで示される非晶質材料は、大別す
ると、シリコン原子と酸素原子とで構成される非晶質材
料（以後、ｒ　ａ　−Ｓ　１　ａｏｌ−＠　Ｊと記す。

但し、０＜ａ＜１　）、シリコン原子と酸素原子と水素
原子とで構成される非晶質材料（以後、ｒ　ａ　−（Ｓ
ｉ、Ｏ，−、）ｃＨ５−、Ｊと記す。但し、０〈ｂ、ｃ
〈１）、シリコン原子と酸素原子とハｏ　／ｌ”　ン原
子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶質Ｉ料（
以後、ｒ　ａ　”’　（８１，１０１−，１）。

（ａ＊ｘ）、−、Ｊと記す。但し０（ｄ　、ａ（１）％
に分類される。

本発明に於いて、第二〇層■がａ　−５ｔａｏ、−ａで
構成される場合、第二の＃（ＩＩ）に含鳴される酸素原
子の量は％　ａ−８ｉ、０１−、　のａの表示で行えは
、ａが好ましくは０．３３〜０．９９９９９、よシ好適
には０．５〜０．９９、最適に祉０．６〜０．９でおる
。

本発明に於いて、第二の＃　（ＩＩ）がａ　−（Ｓｌｂ
ｏｌ−ｂ）ｃＨｌ−（、で構成逼れる場合、第二の層ω
）に含有もれる酸素原子の量ｔよ、”　−（Ｓｉｂｏｌ
−ｂ）ｃ’ｌ−ｃの表示で行えば、ｂが好ましｌｊ：０
．３３〜０．９９９９９、よシ好適には０．　ｓ　〜０
．９　、最適には０．６〜０．９、ｃが好ましくは０．
６〜０．９９、より好適には０．６５〜０、９８　、最
適には０．７〜０．９５である。

第二のＭ　（ＩＩ）が、”　−”ｄＯｌ−ｄ）ｅ（Ｈ’
　Ｘ）１−ｅで構成される場合には、第二のＭ　（ＩＩ
）中に含有される酸素原子の含有量としては、ａ　−”
”ｄｏｌ−ｄ）ｓ（Ｈ＊　Ｘ　）　１−８のｄａｅの表
示で行えに、ｄが好ましくは０．３３〜０．９９９９９
、よシ好適には０．５〜０．９９、最適には０．６〜０
．９、ｅが好ましくは０．８〜０．９９、よシ好適には
０．８２〜０，９９、最適に祉０．８５〜０．９８であ
る。

本発明に於ける第二の層（ＩＩ）の層厚の数値範囲は、
本発明の目的を効果的に達成するための１像な因子の一
つであ）、本発明の目的を効果的に達成する様に所期の
目的に応じて適宜所望に従って決められる。

又、第二の層（１０の層犀は、該層（匂中に含有もれる
酸素原子の魚や第一の層（１）のＪｖＩ厚との関詠に於
いても、各々の層領域に要求される特性に応じた有機的
な関連性の下に所望に従りて適宜決定妊れる必要がある
。

更に加えるに、生産性や量産性を加味した経済性の点に
於いても考慮されるのが望ましい。

木兄りＪに於ける第二の層ω）の）Ｎｉ厚は、好ましく
は０．００３〜３０μ、よシ好適には０．００４〜２０
μ、最適には０．００５〜ｌＯμとされる。

本発明において使用される支持体は、導電性でも電気絶
縁性であっても良い。４電性支持体としては、例えば、
ＮｉＣｒ　ｐステンレスａ　Ａｔ　ｔ　Ｃｒ　、　Ｍｏ
　ａＡｕ　＃　Ｎｂ　ｍ　Ｔａ　ａ　Ｖ　＃　Ｔ１　ｓ
　Ｐｔ　ｔ　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられ
る。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セル四−スアセテート、ポリゾ
ロピレン、ポリ塙化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくと゛もその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれは、その表面に、ＮｉＣｒ　＋Ａ
ｔ　＊　Ｃｒ　＊　Ｍｏ　＊　Ａｕ　＃　Ｉｒ　ｒ　Ｎ
ｂ　＃　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　ａ　Ｐｔ　ｒＰｄ　
、　Ｉｎ２Ｏ，、ＳｎＯ２，ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋５ｎ
Ｏ２）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付
与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれは、ＮｉＣｒ　＊　Ａｔ　＊　Ａｇ　＃　Ｐ
ｂ　＃　Ｚｎ　、　Ｎｉ　、　ＡｕｇＣｒ　ａ　Ｍｏ　
、Ｉｒ　、Ｎｂ　＋　Ｔａ　ａ　Ｖ　ａ　Ｔｉ　ａ　Ｐ
ｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム黒酒、スパッ
タリング等でその表面に設け、又は前記金ｈ′４でその
表面をラミネート処理して、その表向に導電性が付与さ
れる。支持体の形状としては円筒状、ベルト状。

板状等任意の形状とし得％　Ｊ９ｒ望によって、その形
状は決定されるが、例えは、第１図の光導篭部拐１００
を電子写真用像形成部側として使用するのであれば、連
続＾速複写の場合に杜、無端ベルト状又は円筒状とする
のが望ましい。支持体の辱さは、所望通シの光導電部材
が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材として
可撓性が要求される場合に杜、支持体としての機能か光
分発掘される範囲内であれれ可能な限ル薄くされる。百
年ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械
的強度等の点から、好ましくは１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガス？ンベには、本発明の
光導を部材を形成するだめの原料ガスが密封されておシ
、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈され
た５ＩＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下８　ｉ　Ｈ
ａ　／　）Ｉｓと略す。）ぎンベ、１１０３１１；Ｌ　
Ｈｅで稀釈されたＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９’ｊ
ｔ以下Ｇ６Ｒ４／　Ｈｅと略す。）がンぺ４．１１０４
ｔｊ：Ｈｅで稀釈されたＢ２）Ｉ６ガス（純ＩＭ：、９
９．９９％、以下Ｂ２Ｈ６／　■ｉｅ　と略すＯ）がン
ペ、１１０５はＣ２Ｈ４ガス（純度９９．９９９チ）Ｍ
ンベ、１１０６はＨ２ガス（純度９９．９９９％）がン
べである〇これらのガスを反応１１１０１に流入させるにはガスデ
ンベ１１０２〜１１０６のノ櫂ルブ１１２２〜１１２６
、リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し
、又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１
１７〜１１２１、補助バルブ１１３２゜１１３３がυ１
１かれていることを確認して、先づメインバルブ１１３
４を開いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気す
る。次に真壁計１１３６の読みが約５　Ｘ　１０−’　
ｔｏｒｒになりた時点で補助ノ々ルプ１１３２．１１３
３、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に第一の層（夏）を形
成する場合の１例をあげると、ガスボンペ１１０２より
　８　ｉ　Ｈａ　／　Ｈｅガス、ガスｄｅ７ベ１１０３
よシＧｅＨ４／　Ｈｅガス、ガスがンベ１１０４よ＃）
　Ｂ２Ｈ６／　Ｈｅガス、〃スボンペ１１０５よりＣ２
１（４ガスを）９ルプ１１２２〜１１２５を開いて出口
圧ゲージ１１２７〜１１３０の圧を１　ｋｇ／ＣＩ／Ｉ
に調整し、流入バルブ１１１２〜１ｔｔｓｔ−徐々ＶＣ
Ｒケて、マスフロコントローラ１１０７〜１１１０１７
：に夫々流入させる。引き続いて流出パルプ１１１７〜
１１２０、補助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガ
スを反応室１１０１に流入させる。このときのＳｉＦ４
ガス（ｅガス流量とＧ＠）１４／　Ｒｅガス流量とＢ２
Ｈ６／　Ｈｅガス流量とＣ２Ｈ４，ｆｆガス流量の比が
所望の値になるように流出パルプ１１１７〜１１２０を
調整し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の値になる
ように真空計１１３６の読みを見ながらメインパルプ１
１３４の開口を調整する。そして基体１１３７の温度が
加熱ヒーター１１３８にょシ５０〜４００℃の範囲の温
度に設定されていることを確認した後、電源１１４０を
所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー放電を
生起させ、同時にあらかじめ設Ｈされた変化率曲線に従
ってＧｅＨ４／　Ｈ”ガスの流量を手動あるいは外部駆
動モータ等によってパルプ１１１８の開口を漸次変化さ
せる操作を行なって形成される層中に含有されるダルマ
ニウム原子の分布濃度を制御する＠この様にして、基体
１１３７上Ｋ　ＲＪｌ素原子ＣＢ）とか４１子（Ｃ）と
が含有され、前記の変化率曲線に従りたダルマニウム原
子の分布状態が形成されている、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ
）で構成されたノ曽領域Ｃ５ｅＣ）がｈ「望の層ルに形
成される。

層領域（Ｂ、Ｃ）が所望層厚に形成された段階に於いて
、流出パルプ１１１９．１１２０の夫々を完全に閉じる
こと、及び必要に応じて放電条件を変えること以外は、
同様な条件と手順に従って、所望時間グロー放電を維持
することで前記層領域（Ｂ、Ｃ）上に、硼素原子ＣＢ）
も炭素原子（Ｃ）も含有されていないが、前記の変化率
曲線に従ったダルマニウム原子の分布状態が形成されて
いる、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成された上部周領域
が形成されて、第一の層（１）の形成が終了される。

上記の第一の層（１）の形成の際に、該層形成開始後１
所望の時間が経過した段階で、堆積室へのＢ２Ｈｂ　／
　Ｈｅガス或いはＣ２Ｈ４ガスの流入を止めることによ
りて、硼素原子の含有された層領域（Ｂ）及び炭素原子
の含有された層領域＜　Ｃ）の各層厚を任意に制御する
ことが出来る。

又、所望の変化率曲線に従って、堆積室１１０１へのＣ
２■４ガスのガス流量を！ＩＩ　’Ｈすることによって
、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の分布状態をノ
ツｒ望通シに形成することが出来る。

上記の様にして所定層厚に形成された第一の層（１）上
に第二の層（ＩＩ）を形成するには、第一の層（１）の
形成の際と同様なパルプ操作によって、例えは５ＩＨ４
ガス、べ０の夫々を必要に応じてＨｅ等の稀釈ガスでヲ
釈して、所望の条件に従って、グロー放電を生起させる
ことによ−て成さ介る・第二の層（１）中にハロダン原
子を含有させるには、例えばＳｉＦ４ガスとＨｅガス、
或いは、これにＳｉＨ４ガスを加えて上記と同様にして
第二の層Φ）を形成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
１１０１内、流出パルプから反応室１１０１内に至るガ
ス配省内に残留することを避けるだめに、流出ノ々ルブ１１
１７〜１１２１を閉じ、補助ノぐルプ１１３２゜１１３
３を開いてメインノぐルブ１１３４を全曲して糸内金一
旦高真空に排気する操作“を必仮に応じて行なう。

第二の層（１）中に含４」される叡素原子の量紘、例え
は、グロー放電による場合はＳｉＨ４＃スと、Ｎ。

ガスの反応室１１０１内に導入される流量比を所望に従
って笈えるか、或いは、スノ４　ｙターリングで層形成
する場合には、ターゲットを形成する除シリコンウエノ
・と５ｉｏ２板のス・ぐツタ面積比率を変えるか、又は
シリコン粉末とＳｔＯ□粉末の混合比率を変えてターゲ
ットを成型することによって所望に応じて制御す厄こと
が出来る。ａ二の層（ＩＮ）中に含有されるノ・ロダン
原子（Ｘ）の蓋は、ノ・ログン原千尋入用の原料ガス、
例えはＳｉＦ４ガスが反応室１１０１内に尋人される際
の流量を向整することによって成される。　□ 又、層形成を行なりている間は層形成の均一化を図るた
め基体１１３７はモータ１１３９によシ一定速度で回転
させてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１第１１図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＡｔ
基体上に第１表に示す条件で第１２図Ｖこ示すガス流量
比の変化率面急に従ってＧｅＨ４／ＨｅガスとＳ　ｉ　
Ｈａ　／　Ｈｅガスのガス流量比ｔ一層作成経過時間と
共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部材を
得た。

こうして得られた像形成部材を帯電比光実験装置に設置
し■５．　ＯｋＶで０．３就間コロナ帯電を行い、直ち
に光像を照射した。光源はタングステンシング光源を用
い、２１ｕｘ−ｓｅｃの光量を透過型のテストチャート
を通して照射させた。

その後直ちに、○荷電性の現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部拐表面にカスフードすることによって
、像形属部材表向上に良好なトナー画像を得た。像形成
部側止のトナー画像を０５、ＯｋＶのコロナ帯電で転写
紙上に転写した所、解１家力に優れ、１偕ＦＡ再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２第１１図に示した製造装置によυ、−２表に示す条件で
第１３図に示すガス６１Ｌ量比の変化率曲線に従ってＧ
ｅＨ４／　ＨｅガスとＳ　ｉ　Ｈ４／　Ｈｅガスのガス
流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件
は実施例１と同様にして、層ル成を行りて電子写真用像
形成ｓｌｉ材を得た。

こうして得られた像形成部利に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例３第１１図に示した製造装め、によシ、ｔＪ′Ｊ３表に示
す条件で第１４図に示すガス流上を比の変化率曲線に従
ってＧｏ　Ｉｆ４／　ｌｉｅＨｅガス　ｉ　ｆＩａ　／
　ｔｉｅＨｅガスス流量比をＩＶ作成経過時間と共に変
化させ、その他の条件は実施例１と同様にして層形成を
行って電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例４ん１１図に示した製造装置によシ、第４表に示す条件で
第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従りてＧｅＨ
４／　Ｈｅガスと８１　Ｈａ　／　Ｈｅガスのガス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実
施例１と同様にして層形成を行って電子写真用像形成部
材を得た。

こうして得られた像形成部祠に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例５２８１１図に示した製造装置によシ、第５表に示す条件
で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＧｅ
Ｉ（、＋　／　ＨｅガスとＳ　Ｉ　Ｈ４／　Ｈｅガスの
ガス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の
条件は実施例１と同様にして層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

実施例６第１１図に示した製造装置によシ、第６表に示す条件で
第１７図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＧｅｍ
４／ＨｅガスとＳ　ｉ　Ｈ４／　Ｈｅガスのガス流量比
を層作成経過時間と共にｍｌ化させ、その他の条件は実
施例１と同様にして層形成を行って電子写真用像形成部
材を得た。

実施例７第１１図に示した製造装置によシ、第７表に示す条件で
記１８図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＧｅＨ
４／　ＨｅガスとＳ　ｉ　Ｈ４／　Ｈｅガスのガス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実
施例１と同様にして、Ｎ形成を行って電子写真用像形成
部材を得た。

実施例８実施例１に於ける第１表の条件を第８表乃至ｈ↓１０表
に示す各条件にした以外は、実施例１と同様の条件にし
て層形成を行って電子写真用像形成部材の夫々（Ｋ料Ａ
３０１〜８０３）を得た。

こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ極めて鮮明な画質が４４４られた〇実施例９第１１図に示した製造装置によ少、シリンダー状のＡｔ
基体上に第１１表に示す条件で記１２図に示すガス流量
比の変化率曲線に従９てＧｅＨ４／　ＨｅガスとＳ　ｉ
　Ｈ４／　Ｈｅ　ｇスのガス流量比を層作成経過時間と
共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部材を
得た。

こうして得られた像ノヒ成部拐を帯電露光実験装置に設
置し０５．　ＯｋＶで０．３（６）間コロナ？ｉｆ亀を
行い１直ちに光像を照射した。光源はタングステン２ン
プ光源を用い、２１ｕｘ”臓の光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材上面にカスケードすることによって
、像形成部材表向上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナーｌｌｌ１像を０５、　ＯｋＶのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階−拘現性
のよい糾明な高改度の画像が得られた。

実施例１０第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ
基体上に第１２表に示す条件であ１２図に示すガス流量
比の変化率曲線に従ってＱｅ　Ｈｓ　／　ＨｅガスとＳ
　ｉ　Ｈ４／　Ｈｅガスのガス流量比を層作成経過時間
と共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部材
を得た。

こうして得られた像形成部側を帯短り菖光実級装鈑に設
置しＣ５，ＯｋＶで０．３就１＆３」コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した。光源はタングステン２ツノ九
掠を用い、２１ｕｘ−□□□の光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部＠表向にカスケードすることによって
、像形成Ｈ羽衣向上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画体１０５、　ＯｋＶ（Ｄコｏす＠ｆｉ
ＩＬで転写紙上に転写した１５Ｌｘ）ｉ（低力に優れ、
階ｌ１ｌＩＪ再現性のよい組、明な尚濃良の画像が得ら
れた。

実施例１１第１１図に示した製造装置によ多、第１３表に示す条件
で第１３図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＧＩ
ＩＨ４／　ＨｅガスとＳ　ｉ　Ｈ４／　Ｈｅガスのガス
流」比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件
は実施例１０と同様にして、層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部側に就いて、実施例１０と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例１２第１１図に示した製造装置によシ、第１４表に示す条件
で第１４図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＧｅ
（４４／　ｌｉｅＨｅガス　Ｉ　Ｈ４／　Ｈｅガス、Ｃ
２Ｈ４〃スとＳ　Ｉ　Ｈ４／　Ｈｅガスのガス流量比を
層作成紅過時間と共に変化させ、その他の朱件鑞実り例
１０と同様にして、層形成を行りて電子写真用像形成部
材をイＵた。

こうして得られた像形成部側に就いて、実施例１０と同
様の条件及び手順で転写紙上にＭＷを形成したところ極
めて鮮明な１ｌｊｉｌ質が得られた。

実施例１３泥１１図に示した製造装置により、第ｔｓ表に示す条件
で第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＧｅ
Ｈ４／　ＨｅガスとＳ　ｉ　１１４　／　Ｈｅガス、Ｃ
２Ｈ４ガスと８１　Ｈ４／　Ｉ（ｅガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
１０と同様にしてｍ形成を行って電子写真用像形成部材
を得た。

こうしてイちられた像形成＆ｌ１羽に就いて、実施例１
０と同様の条件及び手順で転与紙上にＩ［ｌＩＩ像を形
成したところ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例１４兜１１図に示した製造装置にょシ、第１６表に示す条件
で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＧｅ
Ｈ４／ＨｅガスとＳ　ｉ　Ｈ４／　Ｈｅ　：ｌｆスのガ
ス流量比を層作欣経過時聞と共に変化させ、その他の条
件は実施例１ｏと同様にして、層形成を行って電子写真
用像形成部材を得た◎ こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１０と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例１５第１１図に示した製造装置にょヤ、第１７表に示す条件
で第１７図に示すガス流量比の変化率曲線ニ従ってＧｅ
ｍ４／　ＨｅガスとＳｉＨ４／Ｈξガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
１０と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成部
材を得た。

こうして得られた像形成部拐に就いて、実施例１０と同
様の条件及びｑＦ順で転写紙上に画像を形成したところ
極めて鮮明な画質が得られた。

実施例１６第１１図に示した製造装置によｐ１第１８表に示す条件
で第１８図に示すガスｋｉ＋を比の変化率曲線に従って
ＧｅＨ４／　Ｈｅ　）ｊ”スとＳ　ｉ　１（４／　Ｈｅ
ガスのガス流振比を層作成経過時間と共に変化させ、そ
の他の条件は実施例１Ｏと同様にして、層形成を行って
電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成都狗に就いて、実施例１０と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明なＩｆ！Ｉ質か拘られた〇実施例１７実施例１０に於ける第１２表の条件を第１９表乃至第２
１表に丞す各条件にした以外は、実施例１０と同様の条
件にして層形成を行って電子写真用像形成部材の夫々（
試料Ａ　Ｉ　９０１〜１９０３）を得た。

こうして鞠られた像形成部相に就いて、実施例１０と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮すｊな画質が得られた。

実施例１８第１１図に示した製造装置によル、シリンダー状のＡｔ
基体上に第２２表に示す条件で第１２図に示すガス流量
比の変化率曲線に従りてＧｅＨ４／ＨｅガスとＳ　ｉ　
Ｈａ　／　Ｈｅガスのガス流量比を層作成経過時間と共
に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部材を得
た。

こうして得られた像形成部材を帯電露光実験装置に設置
し■５．　ＯｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光源社タングステンランプ光源
を用い、２１ｕｘ−ｓｅｃの光量を透過型のテストチャ
ートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材表面にカスケードすることによって
、像形成部材上面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画像を■５、　ＯｋＶのコロナ帯電で転
写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよい
鮮明な高濃良の画像が得られた。

実施例１９実施例１及び１ｏに於いて光源をタングステンランプの
代シに８１０　ｎｍ（７）ＧａＡｓ　４学術２体レーテ
（１０ｍＷ）を用いて、静電像の形成ｔｈりた以外は、
実施例１及び１０と同様のトナー画像形成条件にして、
実施例１及び１０と同様の条件で作成した電子写真用像
形成部材に就いてトナー転写画像の画質評価を行ったと
ころ、解像力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の
画像が得られた。

実施例２０層（ＩＩ）の作成条件を第２３表に示す各条件にした以
外は、実施例２〜１ｏの各実施例とＰ１様の条件と手順
に従って電子写真用像形成部材の夫々（試料Ａ　１５−
２０１〜１５−２０８．１５−３０１〜１５−３０８．
・・−−−・、１５−１００１〜１５−１００８の７２
個の試料）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫夫を個別
に複写装置に設置し、０５ｋＶで０．２ｓｅｅ間コロナ
帯電を行い、光像を照Ｍ：ｌシた。光源はタングステン
ランプを用い、光ｆｉは１．０１ｕｘ−截とした・洛像
は■荷電性の現像剤（トナーとキャリアを含む）によっ
て現像され、通常の紙に転写された。

転写画像は極めて良好なものでめった。転写されないで
電子写真用像形成部拐上に残ったトナー開−ゴムブレー
ドによってクリーニングされた。このような工程をｈル
返しｌＯ万回以上行っても、いずれの場合も画像の劣化
は見られなかった。

各試料の転写画像の総合画質評価と緑返し遅続使用によ
る劇久性の評価の結果を第２３Ａ表に示すＯ実施例２１層（ＩＤの形成時、ＡｒとＮＯの混合ガスとシリコンウ
ェハとＳ量０□のターゲツト面積比を変えて、層ω）に
於けるシリコン原子と酸素原子の含有量比を父化させる
以外は、実施例１と全く同様な方法によって像形成部拐
の夫々を作成した。こうして得られだ像形成部材の夫々
につき、実施例１に述べた如き作像、ｆＡ像、クリーニ
ングの工程を約５刀同繰シ返した後画像評価を行ったと
ころ第２４表の如き結果を得た。

実施例２２層（ｎ）の層の形成時、５ｉｌ１４ガスとＮＯガスの流
量比を変えて層（ＩＩ）に於けるシリコン原子と酸素原
子の含有量比を変化δせる以外は、実施例１と全く同様
な方法によって像形成部拐の夫々ｌＦ−成した。

こうして得られた各像形成部拐につ柱、実施例１に述べ
た如き方法で転写までの工程を約５万回繰シ返した後、
画像評価を行ったところ、第２５表の如き結果を得た。

実施例２３層（ＩＩ）の層の形成時、ＳｉＨ４ガス、Ｓ　ＩＦ４ガ
ス、Ｎ。

ガスの流量比を変えて、層（Ｉｆ）に於けるシリコン原
子と酸素原子の含有量比を変化させる以外は、実施例１
と全く同様な方法によって像形戟部羽の夫夫を作成した
。こうして得られた名家形成部材につき実施例１に述べ
た如き作像、現像、りｙ＝ソング１程を約５万回繰シ返
した後、画像評価を行ったところ第２６表の如き結果を
得た。

実施例２４層（ＩＩ）の層厚を変える以外は、実施例１と全く同様
な方法によって像形成部材の夫々を作成した。

実施例１に述べた如き作像、現像、クリーニングの工程
を繰シ返し第２７表の結果を得た。

以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す０基体温度；　ｒルマニウム原子（Ｇｅ　）含有層・・・
・・・約２００℃ ゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有層・・・・・・約２５
０℃ 放−周波ａ　：　１３．５６　ＭＨｚ反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ第　２７　表

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光２９電部材の層構成を説明する為
の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は、夫々、第一
の層（１）中のゲルマニウム原子の分布状態を説明する
為の説明図、第１１図は、本発明で使用された装置の模
式的説明図で、第１２図乃至第１８図は夫々本発明の実
施例に於けるガス流量比の変化率面＆Ｉ′ｆｃ示す説明
図である。１００・・・光導電部月　１０１・・・支持体１０２・
・・第一の層（１）　１０３・・・第二の層（ＩＩ）０
０一一一一→−Ｃ乙￥７２ノ〃ス１量比　− 栖７５図力゛ス流量比第７７ρ 特１ｆ１６ｉ＋−１手続補正書昭和５９年１１月７ｇ日３、ｈｌｉ正をする者事件との関係　出　願　人４代理人住　所　東に一部千代１１１区丸の内２丁目６番２号丸
の内ノ（重ｆｉｌｌビル３３０８、補歪の内容　別紙の
とおり補　正　書本願明細１中下記事項を補正いたします。記１、第５４頁８行目に「０．５〜０．８」とあるを［０，５〜０．９９Ｊと訂正する。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光導電部材用の支持体と、シリコン原子とゲルマ
ニウム原子とを含む非晶質月別で構成された光導電性を
示す第一の層と、シリコン原子と酸素原子とを含む非晶
質材料で構成された第二の層とを有し、前記第一の層中
には、伝導性を支配する物質と炭素原子とが含有されて
おシ且つ該第−の層に於けるダルマニウム原子の分布状
態が層厚方向に不均一である事を特徴とする光導電部材
。
（２）第一の層中に水素原子が含有されている特許請求
の範囲第１項に記載の光導電部材。
（３）第一の層中にノーロダン原子が含治されている特
許請求の範囲第１項又は同第２項に記載の光導電部材。
（４）ルーの層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態
が前記支持体側の方に多く分布する分布状態である％ｉ
ｆＦ請求の範囲第１項に記載の光導電部材０
（５）伝導性を支配する物質が周期律表第ｍ族にハする
原子である特許請求の範囲第１′９４に記載の光導電部
材。
（６）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に楓する
原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部拐。