JPS6084817A - Ｓｏｒ光露光用マスク - Google Patents
Ｓｏｒ光露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS6084817A JPS6084817A JP58192730A JP19273083A JPS6084817A JP S6084817 A JPS6084817 A JP S6084817A JP 58192730 A JP58192730 A JP 58192730A JP 19273083 A JP19273083 A JP 19273083A JP S6084817 A JPS6084817 A JP S6084817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sor light
- film
- mask
- substrate
- sor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の製造工程において用いられるＳ
ＯＲ（Ｓｉｎｃｒｏｔｒｏｎ ０ｒｂｉｔａｌ Ｒａｄ
ｉａｔｉｏｎ）光露光用マスクに関するも６である。
ＯＲ（Ｓｉｎｃｒｏｔｒｏｎ ０ｒｂｉｔａｌ Ｒａｄ
ｉａｔｉｏｎ）光露光用マスクに関するも６である。
最近、例えば１μｍ前後のパターンを形成するためにＸ
線露光技術が注目されている。従来用いられてきたＸ線
露光装置のＸ線発生部は一般的に金属ターゲット及び電
子線発生装置から成っており、電子線を金属ターゲット
に照射することによってＸ線を発生している。ところで
このようなＸ線源の欠点として、 ＋１１ 強度が弱く、そのために露光時間が長くなる （２） 点光源からの発散光であるために、Ｘ線マスク
とウェハとの間隙によりパターンぼけが生じる 等の問題がある。
線露光技術が注目されている。従来用いられてきたＸ線
露光装置のＸ線発生部は一般的に金属ターゲット及び電
子線発生装置から成っており、電子線を金属ターゲット
に照射することによってＸ線を発生している。ところで
このようなＸ線源の欠点として、 ＋１１ 強度が弱く、そのために露光時間が長くなる （２） 点光源からの発散光であるために、Ｘ線マスク
とウェハとの間隙によりパターンぼけが生じる 等の問題がある。
最近従来のＸ線露光用線源の欠点を補う新しい線源とし
てＳＯＲ光が注目されている。このＳＯＲ光は、 （１）Ｘ線強度が非常に強い （２） 線束が平行に近い （３）連続光である 等の特長を備え、Ｘ線露光用線源として理想的であり、
今後のサブミクロンパターン形成に極めて有効である。
てＳＯＲ光が注目されている。このＳＯＲ光は、 （１）Ｘ線強度が非常に強い （２） 線束が平行に近い （３）連続光である 等の特長を備え、Ｘ線露光用線源として理想的であり、
今後のサブミクロンパターン形成に極めて有効である。
このＳＯＲ光を用いたＸ線露光用マスク（以下ＳＯＲ用
マスクと称す）は通常第１図に示すように、ＳＯＲ光透
過基板２およびＳＯＲ光吸収層１から成っている。そし
て通常ＳＯＲ光透過基板２の材料としてはＳｉＮ 、
、ＳｉＣ、ＢＮ等の無機材料やポリイミド等の有機材料
が用いられ、またＳＯ’Ｒ光吸収Ｊｉ＃！ｌの材料とし
ては軟Ｘ線に対して高い吸収係数をもつ金が一般的であ
る。
マスクと称す）は通常第１図に示すように、ＳＯＲ光透
過基板２およびＳＯＲ光吸収層１から成っている。そし
て通常ＳＯＲ光透過基板２の材料としてはＳｉＮ 、
、ＳｉＣ、ＢＮ等の無機材料やポリイミド等の有機材料
が用いられ、またＳＯ’Ｒ光吸収Ｊｉ＃！ｌの材料とし
ては軟Ｘ線に対して高い吸収係数をもつ金が一般的であ
る。
ところが、この吸収層となる金のパターン形成は金が化
学的に安定であるが故に、通常り”ソグラフィ一工程で
用いられるガスプラズマエツチングや反応性イオンエツ
チング等の反応性ガスを用いたドライエツチング技術を
適用することができない。さらに金は各種薬品に対して
も安定であるために、ウェットエツチングを適用するこ
とは困難である。
学的に安定であるが故に、通常り”ソグラフィ一工程で
用いられるガスプラズマエツチングや反応性イオンエツ
チング等の反応性ガスを用いたドライエツチング技術を
適用することができない。さらに金は各種薬品に対して
も安定であるために、ウェットエツチングを適用するこ
とは困難である。
このために金のパターン形成にはリフトオフプロセスを
用いるのが一般的であるが、この方法は工程が複雑なた
めに安牽゛シたパターン形成が不可能であり、またパタ
ーン欠陥が発生し易い等の問題があり、微細パターンの
形成方法としては不適当である。
用いるのが一般的であるが、この方法は工程が複雑なた
めに安牽゛シたパターン形成が不可能であり、またパタ
ーン欠陥が発生し易い等の問題があり、微細パターンの
形成方法としては不適当である。
またイオンミリング（Ｉｏｎ ＋ｏｉｌｌｉｎｇ）法は
アルゴン等の不活性イオンを試料に照射し、物理反応の
みによってエツチングを行なうドライエツチング技術の
うちの１方法であるが、この方法は金のエッチレイトが
比較的高いということで、金のバターニングに適用され
ている。しかしながら、イオンミリング法によってエツ
チングされた試料のれ難い。
アルゴン等の不活性イオンを試料に照射し、物理反応の
みによってエツチングを行なうドライエツチング技術の
うちの１方法であるが、この方法は金のエッチレイトが
比較的高いということで、金のバターニングに適用され
ている。しかしながら、イオンミリング法によってエツ
チングされた試料のれ難い。
さらに金は基板との接着性が悪いために、基板との間に
タンタルやクロム等の接着性に優れた材料をはさみ込ん
だ多層構造をとる必要があり、マも高くなる。
タンタルやクロム等の接着性に優れた材料をはさみ込ん
だ多層構造をとる必要があり、マも高くなる。
本発明は上記のような従来のものの問題点に鑑みてなさ
れたもので、ＳＯＲ光透過基板上にパターン形成される
Ｓ ’ＯＲ光吸収層材料として、シリコンまたはシリコ
ン化合物を用いることにより、造コストの低減化を図る
ことができるＳＯＲ光露光用マスクを提供することを目
的としている。
れたもので、ＳＯＲ光透過基板上にパターン形成される
Ｓ ’ＯＲ光吸収層材料として、シリコンまたはシリコ
ン化合物を用いることにより、造コストの低減化を図る
ことができるＳＯＲ光露光用マスクを提供することを目
的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明すりの一例
を製造工程順に示したものである。図において、４は露
光用のＳＯＲ光が照射されるＳＯＲ光透過基板となるポ
リイミド膜、５はポリイミドＩ！ｉｉ４上にパターン形
成されＳＯＲ光吸収層となるＳｉ膜、６はレジストパタ
ーン、３はＳｔ基板である。
を製造工程順に示したものである。図において、４は露
光用のＳＯＲ光が照射されるＳＯＲ光透過基板となるポ
リイミド膜、５はポリイミドＩ！ｉｉ４上にパターン形
成されＳＯＲ光吸収層となるＳｉ膜、６はレジストパタ
ーン、３はＳｔ基板である。
次にその製造工程について説明する。
まずＳｔ基板３上にＳＯＲ光透過基板４となるポリイミ
ド膜を４μｍ厚に形成する（第２図（ａ））。
ド膜を４μｍ厚に形成する（第２図（ａ））。
次にポリイミド膜４上にＳｉ膜５をＣＶＤ法により５０
００人厚に形成しく第２図（ｂ）） 、このＳｉｌ費５
上に所望のレジストパターン６を形成する（第２図（ｅ
））。そして更にこのレジストパターン６をマスクにし
てＳｉ膜５をエツチング除去する。この時装置は反応性
イオンエツチング装置を用い、ガスはＣへを用いた（第
２図（ｄ））。この後酸素プラズマによりレジスト６の
剥離を行ない、さらに別基板３の図示中央部をＫＯＨ液
でエツチング除去した（第２図（ｅ））。
００人厚に形成しく第２図（ｂ）） 、このＳｉｌ費５
上に所望のレジストパターン６を形成する（第２図（ｅ
））。そして更にこのレジストパターン６をマスクにし
てＳｉ膜５をエツチング除去する。この時装置は反応性
イオンエツチング装置を用い、ガスはＣへを用いた（第
２図（ｄ））。この後酸素プラズマによりレジスト６の
剥離を行ない、さらに別基板３の図示中央部をＫＯＨ液
でエツチング除去した（第２図（ｅ））。
対し大きな吸収係数をもっているので、５ｉｌｌｉ５は
′吸収層としての役割を十分果たしうる。さらにＳｉ
系膜は弗素あるいは塩素系ガスに対して反応性が大きい
ので、一般に用いられるプラズマエツチングや反応性イ
オンエツチングによってパターン形成を行なうことがで
きる。またＳｔは基板との接着性が大きいので、透過基
板４とＳｉ膜５との間に他の材料をはさみ込む必要がな
い。さらにＳｉは金と比べて廉価であるので、製造コス
トも低減される。
′吸収層としての役割を十分果たしうる。さらにＳｉ
系膜は弗素あるいは塩素系ガスに対して反応性が大きい
ので、一般に用いられるプラズマエツチングや反応性イ
オンエツチングによってパターン形成を行なうことがで
きる。またＳｔは基板との接着性が大きいので、透過基
板４とＳｉ膜５との間に他の材料をはさみ込む必要がな
い。さらにＳｉは金と比べて廉価であるので、製造コス
トも低減される。
なお、上記実施例においては吸収層を５ｉ１９Ｉとした
が、ＳｉＮあるいは５ｉ０２等のＳｔ化合物を用いても
同様な効果をもつことができる。
が、ＳｉＮあるいは５ｉ０２等のＳｔ化合物を用いても
同様な効果をもつことができる。
また上記実施例では基板材料としてポリイミド膜を用い
たが、他の無機、有機材料あるいはそれらの複合膜を用
いてもよい。またＳｉ系膜のパターン形成は他のいかな
る方法で行なってもよい。
たが、他の無機、有機材料あるいはそれらの複合膜を用
いてもよい。またＳｉ系膜のパターン形成は他のいかな
る方法で行なってもよい。
以上のように、本発明によれば、ＳＯＲ光透過基板上に
パターン形成されるＳＯＲ光吸収層材料の簡略化、製造
コストの低減化を図ることができる効果がある。
パターン形成されるＳＯＲ光吸収層材料の簡略化、製造
コストの低減化を図ることができる効果がある。
第１図は従来のＳＯＲ光露光用マスクの構成を示す断面
図、第２図は本発明の一実施例によるＳＯＲ光露光用マ
スクの製造プロセスの一例を示す断面図である。 ４・・・ポリイミド膜（ＳＯＲ光透過基板）、５・・・
Ｓｉ膜（ＳＯＲ光吸収層）。 代理人 大岩増雄
図、第２図は本発明の一実施例によるＳＯＲ光露光用マ
スクの製造プロセスの一例を示す断面図である。 ４・・・ポリイミド膜（ＳＯＲ光透過基板）、５・・・
Ｓｉ膜（ＳＯＲ光吸収層）。 代理人 大岩増雄
Claims (1)
- （１） 露光用のＳＯＲ光を透過させるＳＯＲ光透過基
板と、該ＳＯＲ光透過基板上にパターン形成されたシリ
コンもしくはシリコン化合物からなるＳＯＲ光吸収層と
を備えたことを特徴とするＳＯＲ光露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192730A JPS6084817A (ja) | 1983-10-15 | 1983-10-15 | Ｓｏｒ光露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192730A JPS6084817A (ja) | 1983-10-15 | 1983-10-15 | Ｓｏｒ光露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6084817A true JPS6084817A (ja) | 1985-05-14 |
Family
ID=16296108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58192730A Pending JPS6084817A (ja) | 1983-10-15 | 1983-10-15 | Ｓｏｒ光露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6084817A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005076078A3 (de) * | 2004-02-09 | 2008-12-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Maske zur verwendung in einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage |
-
1983
- 1983-10-15 JP JP58192730A patent/JPS6084817A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005076078A3 (de) * | 2004-02-09 | 2008-12-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Maske zur verwendung in einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage |
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