JPS6085562A - サイリスタ - Google Patents
サイリスタInfo
- Publication number
- JPS6085562A JPS6085562A JP58193795A JP19379583A JPS6085562A JP S6085562 A JPS6085562 A JP S6085562A JP 58193795 A JP58193795 A JP 58193795A JP 19379583 A JP19379583 A JP 19379583A JP S6085562 A JPS6085562 A JP S6085562A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- thyristor
- emitter
- layer
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
- H10D62/141—Anode or cathode regions of thyristors; Collector or emitter regions of gated bipolar-mode devices, e.g. of IGBTs
- H10D62/148—Cathode regions of thyristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/101—Integrated devices comprising main components and built-in components, e.g. IGBT having built-in freewheel diode
- H10D84/131—Thyristors having built-in components
- H10D84/133—Thyristors having built-in components the built-in components being capacitors or resistors
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＰＮＰＮ層又はＮＰＮＰＭよりなる市感興サ
イリスタのゲート構造に関するものである。
イリスタのゲート構造に関するものである。
従来の高感にサイリスタは、第１図に示すような構造を
有している。第１図において最下層のｐ型エミクタ層ｌ
は、サイリスタのアノードである。
有している。第１図において最下層のｐ型エミクタ層ｌ
は、サイリスタのアノードである。
ｐ壓エミッタ１曽１の上部にＮ型ベース層２が配置され
、Ｎ型ベース層２の上部にｐ型ベース層３が位置する。
、Ｎ型ベース層２の上部にｐ型ベース層３が位置する。
ｐ型ベース層３内に設けられたＮｕエミッタ層４はサイ
リスタのカソード部である。ｐ塑エミッタ層１０表面に
は、アノード電極１１、Ｎ型エミツタ層４０表面には、
カソード電極１２、ｐｍベース層３には、ゲート電極１
３が、各々設けられている。
リスタのカソード部である。ｐ塑エミッタ層１０表面に
は、アノード電極１１、Ｎ型エミツタ層４０表面には、
カソード電極１２、ｐｍベース層３には、ゲート電極１
３が、各々設けられている。
サイリスタの電気的特性のうち、ゲートトリガ電流（以
下これをＩｙｔと称す）があるが、高感度サイリスタに
おいては、通常：５７ｔは、０．１〜５μＡであり、使
用上手さすぎて僅かの雑音で誤動作を起こし易い。第２
図に示すように、Ｎ型エミツタ層４にｐ型エミッタ短絡
孔５を設けた場合、このままでは、短終孔５を通して、
大ぎな無効電流が流れてＩｇｉは、例えば０．５〜５ｍ
Ａと大巾だ増大してしまう。Ｉｐｔは実用上高感度サイ
リスタとじての特性を失わず、かつ誤動作ｒ起こしにく
いといという点から１０〜５０μＡ程友が望まれるが、
以上に述べた株な従来の技術では、誤動作の起りにくい
１僚のＩｇｔを正しく得ることが困離であった。
下これをＩｙｔと称す）があるが、高感度サイリスタに
おいては、通常：５７ｔは、０．１〜５μＡであり、使
用上手さすぎて僅かの雑音で誤動作を起こし易い。第２
図に示すように、Ｎ型エミツタ層４にｐ型エミッタ短絡
孔５を設けた場合、このままでは、短終孔５を通して、
大ぎな無効電流が流れてＩｇｉは、例えば０．５〜５ｍ
Ａと大巾だ増大してしまう。Ｉｐｔは実用上高感度サイ
リスタとじての特性を失わず、かつ誤動作ｒ起こしにく
いといという点から１０〜５０μＡ程友が望まれるが、
以上に述べた株な従来の技術では、誤動作の起りにくい
１僚のＩｇｔを正しく得ることが困離であった。
本発明は、上述の欠点を解消する為になされたもので、
その目的は実用上型まれるＩｙｔを有するサイリスタを
提供することにある。
その目的は実用上型まれるＩｙｔを有するサイリスタを
提供することにある。
このような目的を実現するため、本発明では、−導電型
の第１の半導体層、他の導電型の第２０牛導体層、−導
電型の第３の半導体層を積層し、第３の半導体層に他の
導ＭＬＭの領域をその内部で第３の半導体Ｉ藝が露出す
るように設け、この他の各電型の領域とその内部で露出
する第３の半導体層とを接続してこれをカソード電極と
するサイリスタにおいて、他の導電型の半導体領域の内
部に露出する第３の半導体層に多結晶シリコンによる抵
抗領域を形成したことを特徴とするものである。
の第１の半導体層、他の導電型の第２０牛導体層、−導
電型の第３の半導体層を積層し、第３の半導体層に他の
導ＭＬＭの領域をその内部で第３の半導体Ｉ藝が露出す
るように設け、この他の各電型の領域とその内部で露出
する第３の半導体層とを接続してこれをカソード電極と
するサイリスタにおいて、他の導電型の半導体領域の内
部に露出する第３の半導体層に多結晶シリコンによる抵
抗領域を形成したことを特徴とするものである。
次に、図面を参照して本発明をより詳細に説明する。
第３図に本発明の一実施例による高感度サイリスタの断
面図を示す。本構造によれば、ｐ型ベース層３内に選択
拡散によって１９屋工ミツタ層４とｐ型短絡エミッタ５
を形成しこの短絡孔５表面上部に多結晶ＳｊＫよる高抵
抗領域６を設ける。一般にエミッタ短絡型サイリスタの
Ｉｙｔは、エミッタ直下のｐ型ベース層抵抗２１と、短
絡孔の表面近傍に設けられた多結晶Ｓｌによる高抵抗領
域６により短絡孔５の抵抗２２が大きくでき、Ｉｇｔを
小さくすることか可能である。しかも、多結晶３ｉによ
る高抵抗領域６は、エミッタ短節孔の表面近傍に形成さ
れている為、その他のサイリスタ物ｉ生にはほとんど影
響を与えンよい。又、不構直１てよるエミッタ部の等価
抵抗は第４図に示ずベース層３の抵抗２１と短絡抵抗２
２とであるが、多結晶Ｓｉによる高抵抗領域６の形状（
巾、長さ、ツタみ等）を適度に選択することにより、こ
のうち、短絡抵抗２２の抵抗値を正確に制御することが
可能なため、正確な工ｇｔの調整が可能である。
面図を示す。本構造によれば、ｐ型ベース層３内に選択
拡散によって１９屋工ミツタ層４とｐ型短絡エミッタ５
を形成しこの短絡孔５表面上部に多結晶ＳｊＫよる高抵
抗領域６を設ける。一般にエミッタ短絡型サイリスタの
Ｉｙｔは、エミッタ直下のｐ型ベース層抵抗２１と、短
絡孔の表面近傍に設けられた多結晶Ｓｌによる高抵抗領
域６により短絡孔５の抵抗２２が大きくでき、Ｉｇｔを
小さくすることか可能である。しかも、多結晶３ｉによ
る高抵抗領域６は、エミッタ短節孔の表面近傍に形成さ
れている為、その他のサイリスタ物ｉ生にはほとんど影
響を与えンよい。又、不構直１てよるエミッタ部の等価
抵抗は第４図に示ずベース層３の抵抗２１と短絡抵抗２
２とであるが、多結晶Ｓｉによる高抵抗領域６の形状（
巾、長さ、ツタみ等）を適度に選択することにより、こ
のうち、短絡抵抗２２の抵抗値を正確に制御することが
可能なため、正確な工ｇｔの調整が可能である。
このように、本発明は、エミッタ短絡孔に多結晶８ｉに
よる高抵抗領域を投げることによって、実用上型まれる
Ｉｇｔを有する高感度サイリスタを提供することができ
る。
よる高抵抗領域を投げることによって、実用上型まれる
Ｉｇｔを有する高感度サイリスタを提供することができ
る。
第１図は従来構造の高感度サイリスタの断面図、第２図
は、エミッタ短絡孔を有する従来のサイリスタの断面図
、第３図は本発明の一実施例による高感度サイリスタの
断面図、第４図は、第３図のエミッタ部を披犬に示す部
分断面図である。 １・・・・・・ｐ型エミッタ層、２・・・・・・Ｎ型ベ
ース層、３・・・・・・ｐｌベース層、４・・・・・・
Ｎ型エミツタ層、５・・・・・・ｐ型エミッタ短絡孔、
６・・・・・・短絡孔表面の多結晶８ｉによる高抵抗領
域、１１・・・・・・アノード電極、１２・・・・・・
カソード電極、１３・・・・・・ゲート電極、２１・・
・・・・ｐ型ベース層の抵抗、２２・・・・・・短絡孔
表面の抵抗。
は、エミッタ短絡孔を有する従来のサイリスタの断面図
、第３図は本発明の一実施例による高感度サイリスタの
断面図、第４図は、第３図のエミッタ部を披犬に示す部
分断面図である。 １・・・・・・ｐ型エミッタ層、２・・・・・・Ｎ型ベ
ース層、３・・・・・・ｐｌベース層、４・・・・・・
Ｎ型エミツタ層、５・・・・・・ｐ型エミッタ短絡孔、
６・・・・・・短絡孔表面の多結晶８ｉによる高抵抗領
域、１１・・・・・・アノード電極、１２・・・・・・
カソード電極、１３・・・・・・ゲート電極、２１・・
・・・・ｐ型ベース層の抵抗、２２・・・・・・短絡孔
表面の抵抗。
Claims (1)
- 一導電型の第１の半導体層上に他の導電型の第２の半導
体層を有し、該第２の半導体層上に前記−導電型の第３
の半導体層を有し、該第３の半導体層に前記他の導電型
の半導体領域を形成し、該半導体領域には前記第３の半
導体層が表面に露出する貫通部を有し、前記半導体領域
と前記貫通部内の前記第３の半導体層とを短絡する電極
を含むサイリスクに於いて、前記貫通孔内の第３の半導
体層には多結晶半導体を有していることを％轍とするサ
イリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193795A JPS6085562A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193795A JPS6085562A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | サイリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085562A true JPS6085562A (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=16313903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58193795A Pending JPS6085562A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | サイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085562A (ja) |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP58193795A patent/JPS6085562A/ja active Pending
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