JPH0132666B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0132666B2 JPH0132666B2 JP55106639A JP10663980A JPH0132666B2 JP H0132666 B2 JPH0132666 B2 JP H0132666B2 JP 55106639 A JP55106639 A JP 55106639A JP 10663980 A JP10663980 A JP 10663980A JP H0132666 B2 JPH0132666 B2 JP H0132666B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- epitaxial layer
- emitter
- conductivity type
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、特にエミツタ抵抗を備え
た半導体装置に関する。
た半導体装置に関する。
従来のエミツタ抵抗を有するトランジスタは第
１図に示す如く、コレクタ領域となるＮ型シリコ
ン半導体基板１とＰ型のベース領域２とＮ型のエ
ミツタ領域３より構成され、エミツタ領域３の拡
散抵抗をエミツタ抵抗として用いていた。しかし
斯る構造ではエミツタ領域３が高不純物濃度であ
り且つあまり大面積とできないのでエミツタ抵抗
の値は高々１Ω程度しか得られず、またエミツタ
拡散のばらつきによつてエミツタ抵抗値がばらつ
く欠点を有していた。
１図に示す如く、コレクタ領域となるＮ型シリコ
ン半導体基板１とＰ型のベース領域２とＮ型のエ
ミツタ領域３より構成され、エミツタ領域３の拡
散抵抗をエミツタ抵抗として用いていた。しかし
斯る構造ではエミツタ領域３が高不純物濃度であ
り且つあまり大面積とできないのでエミツタ抵抗
の値は高々１Ω程度しか得られず、またエミツタ
拡散のばらつきによつてエミツタ抵抗値がばらつ
く欠点を有していた。
本発明は斯る欠点に鑑みてなされ、従来の欠点
を完全に除去する半導体装置を提供するものであ
る。以下に第２図を参照して本発明の一実施例を
詳述する。
を完全に除去する半導体装置を提供するものであ
る。以下に第２図を参照して本発明の一実施例を
詳述する。
本発明に依るトランジスタは第２図に示す如
く、Ｐ型の半導体基板１１と、基板１１表面に設
けられたN+型の埋込み層１２と、基板１１上に
形成されたN-型のエピタキシヤル層１３と、コ
レクタ領域１４となるエピタキシヤル層１３を区
画するＰ型の分離領域１５と、コレクタ領域１４
表面に形成されたＰ型のベース領域１６と、ベー
ス領域１６表面に形成されたＮ型エミツタ領域１
７とエミツタ領域１７と分離領域１５とを接続す
る接続手段１８より構成されている。
く、Ｐ型の半導体基板１１と、基板１１表面に設
けられたN+型の埋込み層１２と、基板１１上に
形成されたN-型のエピタキシヤル層１３と、コ
レクタ領域１４となるエピタキシヤル層１３を区
画するＰ型の分離領域１５と、コレクタ領域１４
表面に形成されたＰ型のベース領域１６と、ベー
ス領域１６表面に形成されたＮ型エミツタ領域１
７とエミツタ領域１７と分離領域１５とを接続す
る接続手段１８より構成されている。
半導体基板１１は0.015Ωcm以下の低抵抗のＰ
型ウエフア１１０とその上に積層された約10Ωcm
の高抵抗のP-型エピタキシヤル層１１１より形
成され、このエピタキシヤル１１１がエミツタ抵
抗として働く。従つてエミツタ抵抗はエピタキシ
ヤル層１１１の比抵抗および厚みにより容易に設
計できる。具体的には100Ω以下の範囲で任意に
選択できる。
型ウエフア１１０とその上に積層された約10Ωcm
の高抵抗のP-型エピタキシヤル層１１１より形
成され、このエピタキシヤル１１１がエミツタ抵
抗として働く。従つてエミツタ抵抗はエピタキシ
ヤル層１１１の比抵抗および厚みにより容易に設
計できる。具体的には100Ω以下の範囲で任意に
選択できる。
埋込み層１２はコレタク領域１４となるエピタ
キシヤル層１３の下にバイポーラ集積回路と同様
にして形成され、コレクタ抵抗を減少させてい
る。
キシヤル層１３の下にバイポーラ集積回路と同様
にして形成され、コレクタ抵抗を減少させてい
る。
エピタキシヤル層１３は基板１１全面に２Ωcm
で15μｍ厚に積層される。
で15μｍ厚に積層される。
分離領域１５はエピタキシヤル層１３を貫通し
て半導体基板１１に達する様に拡散して形成さ
れ、コレクタ領域１４となるエピタキシヤル層１
３を完全に分離する。
て半導体基板１１に達する様に拡散して形成さ
れ、コレクタ領域１４となるエピタキシヤル層１
３を完全に分離する。
コレクタ領域１４のほぼ下面全体に埋込み層１
２は配置されている。またコレクタ領域１４表面
から埋込み層１２に達する様にN+型のコレクタ
コンタクト領域１９が形成され、コレクタ飽和電
圧を低減させている。
２は配置されている。またコレクタ領域１４表面
から埋込み層１２に達する様にN+型のコレクタ
コンタクト領域１９が形成され、コレクタ飽和電
圧を低減させている。
ベースおよびエミツタ領域１６，１７は埋込み
層１２上のコレクタ領域１４表面に形成されてい
る。
層１２上のコレクタ領域１４表面に形成されてい
る。
エピタキシヤル層１３表面にはシリコン酸化膜
２０が形成され、コレクタコンタクト領域１９ベ
ース領域１７および分離領域１５上の酸化膜２０
にコンタクト孔が形成される。そしてコレクタ電
極２１およびベース電極２２を夫々コレクタコン
タクト領域１９とベース領域１６にオーミツク接
触する様に蒸着アルミニウムを用いて酸化膜２０
上に形成し、同時に接続手段１８もその両端をエ
ミツタ領域１７および分離領域１５にオーミツク
接触させて酸化膜２０上に延在させて形成する。
またエミツタ電極２３は半導体基板１１のウエフ
ア１１０主面にオーミツク接触させて設ける。
２０が形成され、コレクタコンタクト領域１９ベ
ース領域１７および分離領域１５上の酸化膜２０
にコンタクト孔が形成される。そしてコレクタ電
極２１およびベース電極２２を夫々コレクタコン
タクト領域１９とベース領域１６にオーミツク接
触する様に蒸着アルミニウムを用いて酸化膜２０
上に形成し、同時に接続手段１８もその両端をエ
ミツタ領域１７および分離領域１５にオーミツク
接触させて酸化膜２０上に延在させて形成する。
またエミツタ電極２３は半導体基板１１のウエフ
ア１１０主面にオーミツク接触させて設ける。
斯る本発明のトランジスタではエミツタ電極２
３を半導体基板１１から取り出す構造にしてエミ
ツタ抵抗を半導体基板１１で形成することを特徴
としている。この結果エミツタ領域１７とエミツ
タ抵抗を完全に独立できるためエミツタ領域１７
の形成に何ら規制されることなくエミツタ抵抗を
任意に且つ大きく設定できる利点を有する。
３を半導体基板１１から取り出す構造にしてエミ
ツタ抵抗を半導体基板１１で形成することを特徴
としている。この結果エミツタ領域１７とエミツ
タ抵抗を完全に独立できるためエミツタ領域１７
の形成に何ら規制されることなくエミツタ抵抗を
任意に且つ大きく設定できる利点を有する。
第３図に本発明に依るトランジスタのIc−hfe
特性を示す。第３図で実線はエミツタ抵抗が0.5
Ωの従来のトランジスタであり、点線は本発明の
エミツタ抵抗100Ωのトランジスタである。第３
図から明らかな様に従来のトランジスタでは大電
流でのhfeの減少がゆるやかであるため電流制限
機能が悪いのに対して本発明のトランジスタは
hfeを急減できるので良好な電流制限機能を実現
できる。また本発明のトランジスタはこの特性で
非常に破壊に対しても強いものとなる。
特性を示す。第３図で実線はエミツタ抵抗が0.5
Ωの従来のトランジスタであり、点線は本発明の
エミツタ抵抗100Ωのトランジスタである。第３
図から明らかな様に従来のトランジスタでは大電
流でのhfeの減少がゆるやかであるため電流制限
機能が悪いのに対して本発明のトランジスタは
hfeを急減できるので良好な電流制限機能を実現
できる。また本発明のトランジスタはこの特性で
非常に破壊に対しても強いものとなる。
第１図は従来例を説明する断面図、第２図は本
発明を説明する断面図、第３図は従来と本発明の
比較をする特性図である。 主な図番の説明、１１は半導体基板、１２は埋
込み層、１３はエピタキシヤル層、１４はコレク
タ領域、１５は分離領域、１６はベース領域、１
７はエミツタ領域、１８は接続手段である。
発明を説明する断面図、第３図は従来と本発明の
比較をする特性図である。 主な図番の説明、１１は半導体基板、１２は埋
込み層、１３はエピタキシヤル層、１４はコレク
タ領域、１５は分離領域、１６はベース領域、１
７はエミツタ領域、１８は接続手段である。
Claims (1)
- １ 一導電型の半導体基板と該基板表面に形成さ
れた同導電型の第１のエピタキシヤル層と該第１
のエピタキシヤル層表面に形成された逆導電型の
第２のエピタキシヤル層と該第２のエピタキシヤ
ル層を貫通および前記第１のエピタキシヤル層に
到達しコレクタ領域となる前記第２のエピタキシ
ヤル層を区画する一導電型の分離領域と前記コレ
クタ領域表面に形成された一導電型のベース領域
と該ベース領域表面に形成された逆導電型のエミ
ツタ領域とを具備し、前記エミツタ領域と分離領
域とを接続手段で接続して前記第１のエピタキシ
ヤル層をエミツタ抵抗とすることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10663980A JPS5731173A (en) | 1980-08-01 | 1980-08-01 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10663980A JPS5731173A (en) | 1980-08-01 | 1980-08-01 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5731173A JPS5731173A (en) | 1982-02-19 |
| JPH0132666B2 true JPH0132666B2 (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=14438680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10663980A Granted JPS5731173A (en) | 1980-08-01 | 1980-08-01 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5731173A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0638471B2 (ja) * | 1987-02-09 | 1994-05-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPH088261B2 (ja) * | 1988-11-17 | 1996-01-29 | 三洋電機株式会社 | 半導体集積回路 |
-
1980
- 1980-08-01 JP JP10663980A patent/JPS5731173A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5731173A (en) | 1982-02-19 |
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