JPS6085931A - 高分子チユ−ブの内表面処理装置 - Google Patents
高分子チユ−ブの内表面処理装置Info
- Publication number
- JPS6085931A JPS6085931A JP19432483A JP19432483A JPS6085931A JP S6085931 A JPS6085931 A JP S6085931A JP 19432483 A JP19432483 A JP 19432483A JP 19432483 A JP19432483 A JP 19432483A JP S6085931 A JPS6085931 A JP S6085931A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- macromolecular
- polymer tube
- induction coil
- heat insulating
- Prior art date
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- Pending
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
- B29C59/142—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment of profiled articles, e.g. hollow or tubular articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2023/00—Tubular articles
- B29L2023/22—Tubes or pipes, i.e. rigid
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は硬質高分子チューブの内部表面層を放電処理す
る高分子チューブの表面処理装置に（周するものである
。
る高分子チューブの表面処理装置に（周するものである
。
塩化ビニールに代表される高分子チューブ゛の内表面に
は可塑剤の溶出など多くの欠点があり、このため、種々
の内表面処理かに５されている。
は可塑剤の溶出など多くの欠点があり、このため、種々
の内表面処理かに５されている。
従来、この種の内表面処理装置を＠１１菌について説明
すると、図において、１は高分子チューブ゛で、この高
分子チューブ１社絶縁管２内に１Ｉ７Ｉ力ｓｉシる。図
示の高分子チューブ１の１０側は高分子チューブ１の内
、外での圧力差を小さくするだめのガス導入系に接続さ
れており、１１側はガスの排気系に接続され、高分子チ
ューブ１内を放電処理における最適ガス圧力に保持する
。
すると、図において、１は高分子チューブ゛で、この高
分子チューブ１社絶縁管２内に１Ｉ７Ｉ力ｓｉシる。図
示の高分子チューブ１の１０側は高分子チューブ１の内
、外での圧力差を小さくするだめのガス導入系に接続さ
れており、１１側はガスの排気系に接続され、高分子チ
ューブ１内を放電処理における最適ガス圧力に保持する
。
絶縁管２は通常ガラスで構成され中央部が放電処理部で
、その両側が排気部になっている。絶縁管２の７．８．
９は排気系に接続され高分子チューブ１の導入によって
侵入する微ｈ１の大気を排除する。６はガス導入部で絶
縁管２にガスを導入する。３は誘導コイルで絶縁管２に
巻設されており、この誘導コイル３には整合回路４を介
して高電圧電源５に接続されている。
、その両側が排気部になっている。絶縁管２の７．８．
９は排気系に接続され高分子チューブ１の導入によって
侵入する微ｈ１の大気を排除する。６はガス導入部で絶
縁管２にガスを導入する。３は誘導コイルで絶縁管２に
巻設されており、この誘導コイル３には整合回路４を介
して高電圧電源５に接続されている。
上記構成であるから、高分子チューブ１および絶縁管２
内に所定のガス圧力が保持されると、高電圧電源５かも
の出力は整合回路４によって整合されたのち、誘導コイ
ル３を通して絶縁管２及び高分子チューブ１に負荷され
、高分子チューブ１の内面に放電が開始される。
内に所定のガス圧力が保持されると、高電圧電源５かも
の出力は整合回路４によって整合されたのち、誘導コイ
ル３を通して絶縁管２及び高分子チューブ１に負荷され
、高分子チューブ１の内面に放電が開始される。
上記構成装置の問題点は、高分子チューブの放電処理す
るのに、装置がｐＭ ＜イｔ 、高価である。すなわち
、絶縁管を配直し、その内部に冷却ガスを流さなけｈば
ならず、捷た、そのカス圧力全調節しなければならない
。また、誘導コイルｉｌ″ｌｌ：１１コ３分子チューブ
に対して＋ｔｌ＋方向に移動できず、従って高分子チュ
ーブが長い場合には面分子チューブの長手方向に均一な
処理ができずむらを生じる問題もある。
るのに、装置がｐＭ ＜イｔ 、高価である。すなわち
、絶縁管を配直し、その内部に冷却ガスを流さなけｈば
ならず、捷た、そのカス圧力全調節しなければならない
。また、誘導コイルｉｌ″ｌｌ：１１コ３分子チューブ
に対して＋ｔｌ＋方向に移動できず、従って高分子チュ
ーブが長い場合には面分子チューブの長手方向に均一な
処理ができずむらを生じる問題もある。
寸だ、上記装［＾の場合、高分子チューブが直接的な累
月の場合はよいが、配管系として組込んだ場合には曲管
状に々つたり、配管の接続部において段差が生じたりし
ている場合には適用できない欠点がある。
月の場合はよいが、配管系として組込んだ場合には曲管
状に々つたり、配管の接続部において段差が生じたりし
ている場合には適用できない欠点がある。
本発明は硬質高分子チューブの内表面層の放電処理をチ
ューブの外面に沿って移動する高分子チューブの内表面
処理装置を提供することを目的とするものである。
ューブの外面に沿って移動する高分子チューブの内表面
処理装置を提供することを目的とするものである。
従来は、高分子チューブの内圧を１０〜１００ｍｍＨｇ
にして、Ｎ２ 、 Ａ ｒ 、 Ｃｏなどのガスをチュ
ーブ内に導入して、高ｔＫ圧をチューブ外周の誘導コイ
ルに印加することにより、プラズマガスをチューブ内に
発生させ、プラズマ表面処理する際、チューブ内外圧の
差により、チューブが収縮し、ピンホールを生じたり、
破れたりして安定したプラズマ表面処理が継続でき１（
１ルのを防止するため、チューブ外側に更に、絶縁体管
を設け、チューブと絶縁体管にチューブ内圧と同じ圧力
のガスを流してチューブ内外圧差をなくすようにしてい
る。
にして、Ｎ２ 、 Ａ ｒ 、 Ｃｏなどのガスをチュ
ーブ内に導入して、高ｔＫ圧をチューブ外周の誘導コイ
ルに印加することにより、プラズマガスをチューブ内に
発生させ、プラズマ表面処理する際、チューブ内外圧の
差により、チューブが収縮し、ピンホールを生じたり、
破れたりして安定したプラズマ表面処理が継続でき１（
１ルのを防止するため、チューブ外側に更に、絶縁体管
を設け、チューブと絶縁体管にチューブ内圧と同じ圧力
のガスを流してチューブ内外圧差をなくすようにしてい
る。
しかしこれは主として軟質チューブに有効な策ではある
が、本発明で対象としている、硬質高分子チューブなど
の場合には、１気圧程度の内外圧差では利料強度面から
チューブが収縮したり破れたりすることは絶対にあり得
ない。したがって、絶縁体管を設け、チューブと絶縁体
管の間にガスを流し、チューブ内外圧差をなくす必要に
ない。したがって、本発明では、硬質高分子チューブの
外側に直接誘導コイルを設けてもなんらさしつがえない
。ただし、誘導コイル部で発生する熱のため、チューブ
が軟化する現象は、チューブの相質如何では、起り得る
ので、これを防止するために、高分子チューブと誘導コ
イル部との間には、例えばセラミックスや、−アスベス
ト（石綿）の如き、利料で代表される断熱用を設ける。
が、本発明で対象としている、硬質高分子チューブなど
の場合には、１気圧程度の内外圧差では利料強度面から
チューブが収縮したり破れたりすることは絶対にあり得
ない。したがって、絶縁体管を設け、チューブと絶縁体
管の間にガスを流し、チューブ内外圧差をなくす必要に
ない。したがって、本発明では、硬質高分子チューブの
外側に直接誘導コイルを設けてもなんらさしつがえない
。ただし、誘導コイル部で発生する熱のため、チューブ
が軟化する現象は、チューブの相質如何では、起り得る
ので、これを防止するために、高分子チューブと誘導コ
イル部との間には、例えばセラミックスや、−アスベス
ト（石綿）の如き、利料で代表される断熱用を設ける。
又、従来は、高分子チューブが非常に長い篭合には、誘
導コイル部がチューブ長手方向に対して固定されている
ので、誘導コイル作用に基づく、高霜、圧印加条件が、
誘導コイル部より遠＜ ｒｉｌｌれた場所では充分成立
せず、プラズマ表面処理の効果にむらがでる欠点を有す
る。従って本９明では、誘導コイルを移動形式とし、か
つ１４高分子チューブ外周をガイドにして、チューブ長
手方向に自由自在に移動可能であるようにする。オだ、
硬質高分子チューブは配管の継手は接着方式である。
導コイル部がチューブ長手方向に対して固定されている
ので、誘導コイル作用に基づく、高霜、圧印加条件が、
誘導コイル部より遠＜ ｒｉｌｌれた場所では充分成立
せず、プラズマ表面処理の効果にむらがでる欠点を有す
る。従って本９明では、誘導コイルを移動形式とし、か
つ１４高分子チューブ外周をガイドにして、チューブ長
手方向に自由自在に移動可能であるようにする。オだ、
硬質高分子チューブは配管の継手は接着方式である。
そしてこの接着剤が超純水中に溶出して水″ｐｔを低下
させる。そのため、硬質高分子チューブのプラズマ表面
処理による溶出防止は、定尺長のチューブ単体の段階で
行なうのも勿論効果があるが、それよりも、接着剤を使
用して配管施行を終了した後に行なうのが、チューブ内
表面のみならず接着部をも不溶化処理できて最も効果的
である。そして、配管怖行されたｒ＋ｔｌｊ ％高分子
チューブ＋ｄ、必ずしも直線部のみならず曲線部もあり
又、接着剤を使用し／こ継手部ではチューブ外径に段差
がある。
させる。そのため、硬質高分子チューブのプラズマ表面
処理による溶出防止は、定尺長のチューブ単体の段階で
行なうのも勿論効果があるが、それよりも、接着剤を使
用して配管施行を終了した後に行なうのが、チューブ内
表面のみならず接着部をも不溶化処理できて最も効果的
である。そして、配管怖行されたｒ＋ｔｌｊ ％高分子
チューブ＋ｄ、必ずしも直線部のみならず曲線部もあり
又、接着剤を使用し／こ継手部ではチューブ外径に段差
がある。
かかる事情を考慮し、本発明では、学にチューブ長手方
向に直線移動可能ののならず、曲線部の移動や、段差部
の移動を可能ならしめるようにした。
向に直線移動可能ののならず、曲線部の移動や、段差部
の移動を可能ならしめるようにした。
以下、本発明の実施例を第２図〜第５図について説明す
る。
る。
第２図にも−いて、１は硬゛１４高分子チューブで、そ
の外周に１川熱環２′が配置されその外ｔ、！＋Ｊ Ｖ
Ｃ誘導コイル３が粉設される。この誘導コイル３は整合
回路４を介して高７１１．王、Ｊ貸１］Ｆ５に接続さり
でいる。
の外周に１川熱環２′が配置されその外ｔ、！＋Ｊ Ｖ
Ｃ誘導コイル３が粉設される。この誘導コイル３は整合
回路４を介して高７１１．王、Ｊ貸１］Ｆ５に接続さり
でいる。
１１１１！′Ｉ′ｉ高分子チューブの一方にはガスボン
ベ１２が、また他方（・こは真空ポンプ１３が１部糺さ
れている。
ベ１２が、また他方（・こは真空ポンプ１３が１部糺さ
れている。
第３図は第２し１のＡ −Ａ ’Ｉｊｊ而図で面る。図
において、断熱環２′の内面にはスプリング等の弾性体
１４を介してローラ１５が取付けられ、高分子チューブ
１の外周面によって断熱環２′が支持される。
において、断熱環２′の内面にはスプリング等の弾性体
１４を介してローラ１５が取付けられ、高分子チューブ
１の外周面によって断熱環２′が支持される。
本発明は上記構成であるから、１便質高分二ｒ−デユー
プ１の一方から一酸化炭素などに代表されるガスをガス
ボンベ１２１Ｃより導入し、他方から真空ポンプ１３に
よって吸入し、内部カス圧力を１商ｕ）（チューブ内圧
を１０〜１００ｍｍＦ１ｇ程度）に保持する。この状態
で、高Ｆｉ＋、圧電＠ （１３，５６Ｍ１１２程度）５
および整合回路４を用いて誘導コイル３に′ｌ１１１圧
を印加ずれば；１１、（愼が構成さ１１る。これによっ
て、１′″、・１分子デユープにプラズマ状態が惹起を
）１、所望のプラズマ表面処理作用が働く、そして 、
Ｈ４，。
プ１の一方から一酸化炭素などに代表されるガスをガス
ボンベ１２１Ｃより導入し、他方から真空ポンプ１３に
よって吸入し、内部カス圧力を１商ｕ）（チューブ内圧
を１０〜１００ｍｍＦ１ｇ程度）に保持する。この状態
で、高Ｆｉ＋、圧電＠ （１３，５６Ｍ１１２程度）５
および整合回路４を用いて誘導コイル３に′ｌ１１１圧
を印加ずれば；１１、（愼が構成さ１１る。これによっ
て、１′″、・１分子デユープにプラズマ状態が惹起を
）１、所望のプラズマ表面処理作用が働く、そして 、
Ｈ４，。
分子チューブ内表面は改質される。この時、誘導コイル
部からの発熱により、デユープが軟化するのを防ぐため
、誘導コイル３ｄ、円筒状のセラミックスなどで代表さ
れる断熱環２′に巻設されて配置される。断熱環２′内
周而と品分子チューブ１外周面との間には３個の移動ロ
ーラ１５が伸縮自在々弾性体、例えばスプリング１４を
介してｌ＋’Ｘ”］分子デユープ外周に均等に押しつけ
、１透導コイル３が高分子チューブ外周をガイドに、ロ
ータ１５を介して自由自在に移動可能ならしめる構造と
する。
部からの発熱により、デユープが軟化するのを防ぐため
、誘導コイル３ｄ、円筒状のセラミックスなどで代表さ
れる断熱環２′に巻設されて配置される。断熱環２′内
周而と品分子チューブ１外周面との間には３個の移動ロ
ーラ１５が伸縮自在々弾性体、例えばスプリング１４を
介してｌ＋’Ｘ”］分子デユープ外周に均等に押しつけ
、１透導コイル３が高分子チューブ外周をガイドに、ロ
ータ１５を介して自由自在に移動可能ならしめる構造と
する。
こうすることにより、誘導コイル３は高分子チューブ直
線部あるいけ第４図で示す、接着継手１８部に存在する
段差部さらには第５図で示す曲線ＩＣ部を自由自在に移
動することがｉＪ能となる。
線部あるいけ第４図で示す、接着継手１８部に存在する
段差部さらには第５図で示す曲線ＩＣ部を自由自在に移
動することがｉＪ能となる。
その結果、配管飽性済みの相当長い距ｆｌｉｔ（の硬質
高分子チューブ配管で段差や１ｌｌＩ＃ｊ！ ］ ｃ部
があっても、連続的に誘導コイル３部を移動させること
ができｈば、真空ポンプの吸引力を適切に調節すること
により、均一でむらのないプラズマ表面処理が簡便に行
えることになる。特に第４図で示すような接着剤１ｂも
確実にプラズマ表面処理されるので完全無欠の不溶化処
理が可能となる。
高分子チューブ配管で段差や１ｌｌＩ＃ｊ！ ］ ｃ部
があっても、連続的に誘導コイル３部を移動させること
ができｈば、真空ポンプの吸引力を適切に調節すること
により、均一でむらのないプラズマ表面処理が簡便に行
えることになる。特に第４図で示すような接着剤１ｂも
確実にプラズマ表面処理されるので完全無欠の不溶化処
理が可能となる。
以上説明したように、本発明によれば１１史賃高分子チ
ューブの内表面層の放電処理する装置をチューブ外面に
沿って移動するようにしたので、高分子チューブの段差
や曲線部あるいけ継手部の接着剤をも放電処理すること
ができる。
ューブの内表面層の放電処理する装置をチューブ外面に
沿って移動するようにしたので、高分子チューブの段差
や曲線部あるいけ継手部の接着剤をも放電処理すること
ができる。
第１図は従来のδち分子チューブの内ノく面処理装置の
概略１析而図、第２図は本発明の高分子チューブの内表
面処理装置の概要断面図、第３図は第２図のＡ−Ａ断面
図、第４図は高４〕子チユーブの継手部を示す断面図、
第５図１’ｊ Ａ分子チューブの曲線部を示す概略図で
ある。 １・・・高分子チューブ、２・・・Ｘｆへ線管、２′・
・・断熱ｈ゛フ、３・・・誘導コイル、４・・・整合回
路、訃・・ｌ讐４ ’Ｍ圧主電源１２・・・ガス＋１−
、／−２，１３・・真空ポンプ、Ｘ４・・・′３１Ｈ＋
性体、１５・ ｒ７− ラ。 ヰ １ 図 悌２０ ハ １４レ ーーニニ ・□ 、１ｂ コ 一ノ／Ｃ
概略１析而図、第２図は本発明の高分子チューブの内表
面処理装置の概要断面図、第３図は第２図のＡ−Ａ断面
図、第４図は高４〕子チユーブの継手部を示す断面図、
第５図１’ｊ Ａ分子チューブの曲線部を示す概略図で
ある。 １・・・高分子チューブ、２・・・Ｘｆへ線管、２′・
・・断熱ｈ゛フ、３・・・誘導コイル、４・・・整合回
路、訃・・ｌ讐４ ’Ｍ圧主電源１２・・・ガス＋１−
、／−２，１３・・真空ポンプ、Ｘ４・・・′３１Ｈ＋
性体、１５・ ｒ７− ラ。 ヰ １ 図 悌２０ ハ １４レ ーーニニ ・□ 、１ｂ コ 一ノ／Ｃ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、硬質高分子チューブの内表面層を放電処理する高分
子チューブの内表面処理装置において前記硬質高分子チ
ューブの外周に断熱環を配置し、前記断熱環外周に誘導
コイルを巻設して内表面処理装置を構成し、前記内表面
処理装置を前記硬質畠分子チューブに沿って移動させる
装置を備えたことを特徴とする高分子チューブの内表面
処理装置。 ２、前記内表面処理装置の移動装置は前記硬質高分子チ
ューブの外面を転勤するローラを前記断熱環の内面に取
付けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高
分子チューブの内表面処理装置。 ３、前記硬質高分子チューブの外周面を転勤する前記ロ
ーラには該ローラと前記断熱環との弾糾ル請を呑気々柄
イｌ−１ンＬル触烏り半１枇νＣ３粛求の範囲第２項記
載の西分子チューブの内表面処理装置。 ４、前記断熱環はセラミックスで構成さｉｔでいること
を特徴とする特許請求の範囲第１項ｎ己載の高分子チュ
ーブの内表面処理装置。 ５、 前記断熱環はアスベストで構成さｈていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項古己載の高分子チュー
ブの内表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19432483A JPS6085931A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 高分子チユ−ブの内表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19432483A JPS6085931A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 高分子チユ−ブの内表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085931A true JPS6085931A (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=16322691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19432483A Pending JPS6085931A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 高分子チユ−ブの内表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085931A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100649772B1 (ko) | 2005-02-23 | 2006-11-27 | 주식회사 젠트로 | 원통소재 표면 처리용 플라즈마 장치 및 플라즈마 처리를통한 피복 강관의 제조방법 |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP19432483A patent/JPS6085931A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100649772B1 (ko) | 2005-02-23 | 2006-11-27 | 주식회사 젠트로 | 원통소재 표면 처리용 플라즈마 장치 및 플라즈마 처리를통한 피복 강관의 제조방법 |
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