JPS608802A - ブレ−ズド格子の製造方法 - Google Patents
ブレ−ズド格子の製造方法Info
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- JPS608802A JPS608802A JP11614083A JP11614083A JPS608802A JP S608802 A JPS608802 A JP S608802A JP 11614083 A JP11614083 A JP 11614083A JP 11614083 A JP11614083 A JP 11614083A JP S608802 A JPS608802 A JP S608802A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、分光器の波長分散素子やホログラム素子と
して使われるブレーズド格子の製造方法に関する。
して使われるブレーズド格子の製造方法に関する。
回折格子は、分光器の波長分散素子やホログラム素子と
して種々の応用、例えばホログラフィックスキャナや、
ホログラフィックレンズ等があるが、一般に回折効率が
低く実用上問題である。ブレーズド格子は特定の回折次
数へ理論上１００％の光を回折できる特徴があるが、格
子溝の形状を制御して製作しなければならないため製作
が困難である。現在最も現実的と思われるのは、あらか
じメ作ったレリーフ格子をシャドウマスクとして基板を
斜め方向からイオンビームでイオンエツチングする方法
である。この手法で現在知られているのは、基板をガリ
ウム砒素、又はカラス板上に塗布したポリメチルメタク
リレート（ＰＭＭＡ）としたものであるが、前者は結晶
であるため高価で、又、不透明のため透過型格子にはで
きない欠点がある。一方、後者は、ガラス板上に塗布し
たＰＭＭＡを十分に乾燥しても、塗膜上にホトレジスト
でレリーフ格子を形成する際にホトレジストの溶剤でＰ
ＭＭＡ膜が溶解し、相溶しやすいため、レリーフ格子自
体が良質なものができす、したがって良質なブレーズド
格子が製作できない欠点が内った０ １ この発明の目的は、上述の欠点を除去した、透過型
の高品質のブレーズド格子の製造方法を提供することに
ある。
して種々の応用、例えばホログラフィックスキャナや、
ホログラフィックレンズ等があるが、一般に回折効率が
低く実用上問題である。ブレーズド格子は特定の回折次
数へ理論上１００％の光を回折できる特徴があるが、格
子溝の形状を制御して製作しなければならないため製作
が困難である。現在最も現実的と思われるのは、あらか
じメ作ったレリーフ格子をシャドウマスクとして基板を
斜め方向からイオンビームでイオンエツチングする方法
である。この手法で現在知られているのは、基板をガリ
ウム砒素、又はカラス板上に塗布したポリメチルメタク
リレート（ＰＭＭＡ）としたものであるが、前者は結晶
であるため高価で、又、不透明のため透過型格子にはで
きない欠点がある。一方、後者は、ガラス板上に塗布し
たＰＭＭＡを十分に乾燥しても、塗膜上にホトレジスト
でレリーフ格子を形成する際にホトレジストの溶剤でＰ
ＭＭＡ膜が溶解し、相溶しやすいため、レリーフ格子自
体が良質なものができす、したがって良質なブレーズド
格子が製作できない欠点が内った０ １ この発明の目的は、上述の欠点を除去した、透過型
の高品質のブレーズド格子の製造方法を提供することに
ある。
：・
；この発明のブレーズド格子の製造方法は、基板にネガ
型の電子線レジストを塗布する工程と、塗布された前記
電子線レジスト膜に電子線を照射する工程と、電子線を
照射した前記電子線レジスト膜に前記電子線レジストよ
りもイオンエツチング速度の遅いホトレジストを塗布す
る工程と、塗布されたホトレジスト膜をレリーフ型の回
折格子に形成する工程と、前記回折格子をシャドウマス
クとして、基板に対して斜め方向からイオンビームによ
ってイオンエツチングする工程とによってブレーズド格
子を製造する方法である。
型の電子線レジストを塗布する工程と、塗布された前記
電子線レジスト膜に電子線を照射する工程と、電子線を
照射した前記電子線レジスト膜に前記電子線レジストよ
りもイオンエツチング速度の遅いホトレジストを塗布す
る工程と、塗布されたホトレジスト膜をレリーフ型の回
折格子に形成する工程と、前記回折格子をシャドウマス
クとして、基板に対して斜め方向からイオンビームによ
ってイオンエツチングする工程とによってブレーズド格
子を製造する方法である。
次に図面を参照して、この発明の詳細な説明する。
にネガ型の電子線レジスト２を塗布した状態を示す断面
図である。基板としては、ガラス板及びアクリル板を用
いた。ネガ型の電子線レジストとしては種々実験した結
果、イオンエツチング速度の早いソマール工業製の５Ｅ
Ｌ−ＮタイプＡを用いそ。５ＥＬ−ＮタイプＡはメタク
リルグリシジルとテクリル酸エチルの共重合体である。
図である。基板としては、ガラス板及びアクリル板を用
いた。ネガ型の電子線レジストとしては種々実験した結
果、イオンエツチング速度の早いソマール工業製の５Ｅ
Ｌ−ＮタイプＡを用いそ。５ＥＬ−ＮタイプＡはメタク
リルグリシジルとテクリル酸エチルの共重合体である。
イオンエツチング速度は１ ｍＡ％ｉ”のアルコンイオ
ンに対し６６０ Ａ／分であった。基板にはスピナーで
回転塗布した。塗布厚は約１μｍである。その後、ガラ
ス基板の時は８０℃で３０分間焼きしめを行なった。
ンに対し６６０ Ａ／分であった。基板にはスピナーで
回転塗布した。塗布厚は約１μｍである。その後、ガラ
ス基板の時は８０℃で３０分間焼きしめを行なった。
アクリル板の時は５０℃で６０分間焼きしめを行なった
。次にこの電子線レジストに電子線を全面照射して、架
橋反応によって硬化させた。電子線の照射量は、約１０
−６クーロン／ｃＩＩＬ２で加速電圧は約３Ｑ Ｋｅ
Ｖとした。電子線の照射によって、電子線レジスト膜２
は、次の工程で塗布されるホトレジストの法線照射した
電子線レジスト膜２の上にホトレジアト３を塗布した状
態を示す断面図である。ホトレジストとしてはシプレー
社製ＡＺ −１３５０Ｊを使用した。イオンエツチング
速度は１ｍＡ／ｃｒｒＬ２のアルゴンイオンに対し３０
０Å／分であった。電子線レジスト膜上にはスピナーで
回転塗布した。焼きしめは、電子線レジストと同じ条件
で行なった。塗布厚は、次に形成する格子のピッチによ
り異なり０．３μｆＪ′Ｌ〜１μｍとした。次に、ホト
レジスト膜ζこ加速電圧３００〜７００Ｖ、イオン電流
密度０．３〜０．７ｍＡ／ｃＩＩＬ２で行なった。
。次にこの電子線レジストに電子線を全面照射して、架
橋反応によって硬化させた。電子線の照射量は、約１０
−６クーロン／ｃＩＩＬ２で加速電圧は約３Ｑ Ｋｅ
Ｖとした。電子線の照射によって、電子線レジスト膜２
は、次の工程で塗布されるホトレジストの法線照射した
電子線レジスト膜２の上にホトレジアト３を塗布した状
態を示す断面図である。ホトレジストとしてはシプレー
社製ＡＺ −１３５０Ｊを使用した。イオンエツチング
速度は１ｍＡ／ｃｒｒＬ２のアルゴンイオンに対し３０
０Å／分であった。電子線レジスト膜上にはスピナーで
回転塗布した。焼きしめは、電子線レジストと同じ条件
で行なった。塗布厚は、次に形成する格子のピッチによ
り異なり０．３μｆＪ′Ｌ〜１μｍとした。次に、ホト
レジスト膜ζこ加速電圧３００〜７００Ｖ、イオン電流
密度０．３〜０．７ｍＡ／ｃＩＩＬ２で行なった。
以上、述べた様に本発明により、透過型の茜品質のブレ
ーズド格子が得られる。
ーズド格子が得られる。
第１図は、この発明の工程を（ａ）〜（ｅ）の順に示す
断面図である。 図において、１は基板、２はネガ型電子線レジスト、３
はホトレジストを各々表イつす。
断面図である。 図において、１は基板、２はネガ型電子線レジスト、３
はホトレジストを各々表イつす。
Claims (1)
- １、基板にネガ型の電子線レジストを塗布する工程と、
塗布された前記電子線レジスト膜に電子線を照射する工
程と、電子線を照射した前記電子線レジスト膜に前記電
子線レジストよりもイオンエツチング速度の遅いホトレ
ジストを塗布する工程と、塗布されたホトレジスト膜を
レリーフ型の回折格子に形成する工程と、前記回折格子
をシャドウマスクとして、基板に対して斜め方向からイ
オンビームによってイオンエツチングする工程とを含む
ことを特徴とするブレーズド格子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11614083A JPS608802A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | ブレ−ズド格子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11614083A JPS608802A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | ブレ−ズド格子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS608802A true JPS608802A (ja) | 1985-01-17 |
| JPH0374362B2 JPH0374362B2 (ja) | 1991-11-26 |
Family
ID=14679726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11614083A Granted JPS608802A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | ブレ−ズド格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608802A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6264408U (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | ||
| US4776356A (en) * | 1986-02-01 | 1988-10-11 | Yukigaya Kagaku Kogyo Kabushiki-Kaisha | Cosmetic applicator |
| EP1417517A4 (en) * | 2001-05-08 | 2008-06-04 | Commw Scient Ind Res Org | OPTICAL DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING |
| US9176266B2 (en) | 2009-12-04 | 2015-11-03 | Giesecke & Devrient Gmbh | Security element, value document comprising such a security element and method for producing such a security element |
| US9297941B2 (en) | 2011-07-21 | 2016-03-29 | Giesecke & Deverient Gmbh | Optically variable element, in particular security element |
| US9827802B2 (en) | 2009-12-04 | 2017-11-28 | Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh | Security element, value document comprising such a security element, and method for producing such a security element |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55157705A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-08 | Nec Corp | Production of blazed grating |
| JPS5643620A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Production of blazed grating |
| JPS56113108A (en) * | 1980-02-12 | 1981-09-05 | Rikagaku Kenkyusho | Preparation for echelette grating |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP11614083A patent/JPS608802A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55157705A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-08 | Nec Corp | Production of blazed grating |
| JPS5643620A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Production of blazed grating |
| JPS56113108A (en) * | 1980-02-12 | 1981-09-05 | Rikagaku Kenkyusho | Preparation for echelette grating |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6264408U (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | ||
| US4776356A (en) * | 1986-02-01 | 1988-10-11 | Yukigaya Kagaku Kogyo Kabushiki-Kaisha | Cosmetic applicator |
| EP1417517A4 (en) * | 2001-05-08 | 2008-06-04 | Commw Scient Ind Res Org | OPTICAL DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING |
| US9176266B2 (en) | 2009-12-04 | 2015-11-03 | Giesecke & Devrient Gmbh | Security element, value document comprising such a security element and method for producing such a security element |
| US9827802B2 (en) | 2009-12-04 | 2017-11-28 | Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh | Security element, value document comprising such a security element, and method for producing such a security element |
| US10525758B2 (en) | 2009-12-04 | 2020-01-07 | Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh | Security element, value document comprising such a security element, and method for producing such a security element |
| US9297941B2 (en) | 2011-07-21 | 2016-03-29 | Giesecke & Deverient Gmbh | Optically variable element, in particular security element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0374362B2 (ja) | 1991-11-26 |
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