JPS609189A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS609189A JPS609189A JP58117593A JP11759383A JPS609189A JP S609189 A JPS609189 A JP S609189A JP 58117593 A JP58117593 A JP 58117593A JP 11759383 A JP11759383 A JP 11759383A JP S609189 A JPS609189 A JP S609189A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- attached
- semiconductor laser
- cavity
- thickness
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ装置に関するものである。
従来例の、構成とその問題点
半導体レーザから高出力ｆ ｉＱるために、従来、第１
図に示すように、レーザ素子１の一方のキャビテイ面に
、厚さ１／２ （λはレーザ光の波長）の８１０２膜２
を付着しその上に金膜３を付着するという方法が行われ
ている。このような構造によれば、キャビティ内のレー
ザ光は金膜３により反射されて、金膜３が付着されたキ
ャビティ端面からは、光はほとんど出ない。したがって
、レーザ光は金膜が付着されないキャビティ端面からほ
とんど取り出される。こうして、発振しきい値電流は下
り、また高出力のレーザ光を取９出すことができる。し
かしながら、レーザ素子のＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ
Ｐｏｗｅｒ Ｃ１ｎｔｒｏｌ ）動作全行わせるため
には、キャビティの背面から出る光を用いなければなら
ないから、金膜３を付着したキャビティ端面からも光は
若干用る必要がある。
図に示すように、レーザ素子１の一方のキャビテイ面に
、厚さ１／２ （λはレーザ光の波長）の８１０２膜２
を付着しその上に金膜３を付着するという方法が行われ
ている。このような構造によれば、キャビティ内のレー
ザ光は金膜３により反射されて、金膜３が付着されたキ
ャビティ端面からは、光はほとんど出ない。したがって
、レーザ光は金膜が付着されないキャビティ端面からほ
とんど取り出される。こうして、発振しきい値電流は下
り、また高出力のレーザ光を取９出すことができる。し
かしながら、レーザ素子のＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ
Ｐｏｗｅｒ Ｃ１ｎｔｒｏｌ ）動作全行わせるため
には、キャビティの背面から出る光を用いなければなら
ないから、金膜３を付着したキャビティ端面からも光は
若干用る必要がある。
ところで、前述の従来の構造のレーザ素子を、第２図に
示すように、放熱体４の上にボンディングすると、放熱
体４に付着された錫などの金属５が、キャビティ端面の
金膜３の個所に吸い上げられ、金属５と金膜３とが合金
化してしまう。その結果、キャビティの背面からの光は
全く取り出すことができない。したがって、前述のＡＰ
Ｃ動作を行わせることができない。
示すように、放熱体４の上にボンディングすると、放熱
体４に付着された錫などの金属５が、キャビティ端面の
金膜３の個所に吸い上げられ、金属５と金膜３とが合金
化してしまう。その結果、キャビティの背面からの光は
全く取り出すことができない。したがって、前述のＡＰ
Ｃ動作を行わせることができない。
発明の目的
本発明は、前記従来の欠点に鑑み、放熱体にボンディン
グされた状態でも、ＡＰＣ動作を行わせることができる
半導体レーザ装置を提供するものである。
グされた状態でも、ＡＰＣ動作を行わせることができる
半導体レーザ装置を提供するものである。
発明の構成
この目的全達成するために、本発明の半導体レーザ装置
は、一方のキャビテイ面に、絶縁膜、金属膜、絶縁膜が
順次形成された半導体レーザ装置である。
は、一方のキャビテイ面に、絶縁膜、金属膜、絶縁膜が
順次形成された半導体レーザ装置である。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について、図面全参照しながら
説明する。第３図は本発明の一実施例における中心体レ
ーザ装置の構成を示すものである。
説明する。第３図は本発明の一実施例における中心体レ
ーザ装置の構成を示すものである。
先ずこの構成の半導体レーザ装置の製造方法を述べる。
レーザチップ１の両へき開面に、スパッタ法により厚さ
２７６０人の５１０２膜２を付着する。次に一方のへき
開面にのみ厚さ１０００への金膜３を付着する。さらに
、金膜３の上に厚さ１０００人の８１０２膜６を付着す
る。このレーザチップ１を銅製の放熱体４に錫を用いて
ボンディングする。
２７６０人の５１０２膜２を付着する。次に一方のへき
開面にのみ厚さ１０００への金膜３を付着する。さらに
、金膜３の上に厚さ１０００人の８１０２膜６を付着す
る。このレーザチップ１を銅製の放熱体４に錫を用いて
ボンディングする。
５ｉ０２膜２の厚さ２７５０人はλ／２の厚さに付着さ
れているので、キャビティから出てくる光の量は、第１
図の構造のレーザと全く同じである。
れているので、キャビティから出てくる光の量は、第１
図の構造のレーザと全く同じである。
しかも発振しきい値電流も同じである。このレーザ素子
１は、キャビティ端面の最外部が金属でなく絶縁膜６で
構成されているので、第２図における金属５をはじいて
しまい、金属６は盛り上ることができない。従って、放
熱体４にボンディングされた状態でも、キャビティの金
膜３を付着した側から、光を取り出すことができ、ＡＰ
Ｃ動作が可能である。
１は、キャビティ端面の最外部が金属でなく絶縁膜６で
構成されているので、第２図における金属５をはじいて
しまい、金属６は盛り上ることができない。従って、放
熱体４にボンディングされた状態でも、キャビティの金
膜３を付着した側から、光を取り出すことができ、ＡＰ
Ｃ動作が可能である。
第４図はこのような構造のレーザの前および後から取り
出せる光出力を示す図である。すなわち後面からの光（
特性曲線ａ）は前面からの光（特１（１０曲曲線）の約
１／Ｉ０の光出力が出ており、Ａｐｃ動作を十分に可能
である。また電流工。ｐは、両面に単に５１０２膜２だ
けを付着した場合の光（特性曲線Ｃ）の約６０％であり
、発振効率も高くなり、高出力が得られる。また、との
レーザ装置は、６ｏ ｎ２ Ｗ出力、５００Ｃで１００
００時間以上のライフが得られた。
出せる光出力を示す図である。すなわち後面からの光（
特性曲線ａ）は前面からの光（特１（１０曲曲線）の約
１／Ｉ０の光出力が出ており、Ａｐｃ動作を十分に可能
である。また電流工。ｐは、両面に単に５１０２膜２だ
けを付着した場合の光（特性曲線Ｃ）の約６０％であり
、発振効率も高くなり、高出力が得られる。また、との
レーザ装置は、６ｏ ｎ２ Ｗ出力、５００Ｃで１００
００時間以上のライフが得られた。
なお、本実施例で用いたＳｉＯ２膜２，６のかわりにＡ
ｌ２Ｏ３、５ｉ３Ｎａなどの絶縁膜を、金膜３のかわシ
に白金などの金属膜あるいはそれらの金属の積層膜を用
いてもよい。
ｌ２Ｏ３、５ｉ３Ｎａなどの絶縁膜を、金膜３のかわシ
に白金などの金属膜あるいはそれらの金属の積層膜を用
いてもよい。
発明の効果
以上のように、本発明は、一方のキャビティ端面の金属
膜の外側に絶縁膜が付着されており、高出力が得られる
とともにＡＰＣ動作を行わせることができる。
膜の外側に絶縁膜が付着されており、高出力が得られる
とともにＡＰＣ動作を行わせることができる。
第１図は従来の半導体レーザ装置の断面図、第２図は従
来の半導体レーザ装置を放熱体にボンディングした状態
を示す図、第３図は本発明の半導体レーザ装置の一実施
例の断面図、第４図は本発明の一実施例の半導体レーザ
装置における電流−光出力関係図である。 ２・・・・５１０２膜、３・・・・・金膜、６・・・・
・・ＳｉＯ２膜、ａ・・・・・・前面からの光出力、ｂ
−・・・・後面からの光出力、Ｃ・・・・・・５１０２
膜２のみのレーザ装置の光出力。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ２
来の半導体レーザ装置を放熱体にボンディングした状態
を示す図、第３図は本発明の半導体レーザ装置の一実施
例の断面図、第４図は本発明の一実施例の半導体レーザ
装置における電流−光出力関係図である。 ２・・・・５１０２膜、３・・・・・金膜、６・・・・
・・ＳｉＯ２膜、ａ・・・・・・前面からの光出力、ｂ
−・・・・後面からの光出力、Ｃ・・・・・・５１０２
膜２のみのレーザ装置の光出力。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体レーザの一方のキャビテイ面に絶ｌ膜。 金属膜、絶縁膜が順次積層されたことを特徴とする半導
体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58117593A JPS609189A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58117593A JPS609189A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609189A true JPS609189A (ja) | 1985-01-18 |
Family
ID=14715651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58117593A Pending JPS609189A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609189A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4725450A (en) * | 1986-02-28 | 1988-02-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for fabricating a semiconductor laser device |
| US4840922A (en) * | 1986-07-29 | 1989-06-20 | Ricoh Company, Ltd. | Method of manufacturing masked semiconductor laser |
| US4855256A (en) * | 1987-02-13 | 1989-08-08 | Ricoh Company, Ltd. | Method of manufacturing masked semiconductor laser |
| US5355424A (en) * | 1991-09-10 | 1994-10-11 | Alcatel, N.V. | Method of operating a semiconductor device as an optical filter and semiconductor device for implementing the method |
| JPH07254748A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JPH10242583A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置 |
| JP2019009346A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ |
-
1983
- 1983-06-28 JP JP58117593A patent/JPS609189A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4725450A (en) * | 1986-02-28 | 1988-02-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for fabricating a semiconductor laser device |
| US4840922A (en) * | 1986-07-29 | 1989-06-20 | Ricoh Company, Ltd. | Method of manufacturing masked semiconductor laser |
| US4855256A (en) * | 1987-02-13 | 1989-08-08 | Ricoh Company, Ltd. | Method of manufacturing masked semiconductor laser |
| US5355424A (en) * | 1991-09-10 | 1994-10-11 | Alcatel, N.V. | Method of operating a semiconductor device as an optical filter and semiconductor device for implementing the method |
| JPH07254748A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JPH10242583A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置 |
| JP2019009346A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ |
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