JPS6095741A - レジストマスタ−盤の原盤 - Google Patents
レジストマスタ−盤の原盤Info
- Publication number
- JPS6095741A JPS6095741A JP20338283A JP20338283A JPS6095741A JP S6095741 A JPS6095741 A JP S6095741A JP 20338283 A JP20338283 A JP 20338283A JP 20338283 A JP20338283 A JP 20338283A JP S6095741 A JPS6095741 A JP S6095741A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
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- master
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0064—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture mediums or carriers characterised by the selection of the material
- G11B23/0085—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture mediums or carriers characterised by the selection of the material intermediate mediums using a photosensitive material, e.g. photo-resist
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレジストマスター盤の原盤に関する。
近年、高密度記録媒体としてディスク形式の記録媒体が
開発されている。例えば代表的なものとしてビデオディ
スク、オーディオディスク等があり、これらは溝付き静
電容量型、溝なし静電容量型、光学式等の方式のものが
知、ちれている。・これらのディスクはいずれの方式で
も、レジストマスター盤からニッケル電鋳等によ、リス
タンパ（サブマスター盤）を製造し、これを金型として
塩化ビニル４ｊ１脂、アクリルｔｉｌｌ脂、ポリカーボ
ネート等のプラスチックモールドを作成し、更に各方式
によす金属反射膜、う°ラスチック保護膜等を形成する
ことにより製造される。
開発されている。例えば代表的なものとしてビデオディ
スク、オーディオディスク等があり、これらは溝付き静
電容量型、溝なし静電容量型、光学式等の方式のものが
知、ちれている。・これらのディスクはいずれの方式で
も、レジストマスター盤からニッケル電鋳等によ、リス
タンパ（サブマスター盤）を製造し、これを金型として
塩化ビニル４ｊ１脂、アクリルｔｉｌｌ脂、ポリカーボ
ネート等のプラスチックモールドを作成し、更に各方式
によす金属反射膜、う°ラスチック保護膜等を形成する
ことにより製造される。
上記マスター盤は一般にガラス板等の基板上にレジスト
被膜を形成した原盤を作成し、次いで該レジスト被膜上
にＦＭ変調等により信号化されたレーザー光線、電子線
、紫外線等の高エネルギー線によりビット潜像を形成し
、これを現像することにより製造される。
被膜を形成した原盤を作成し、次いで該レジスト被膜上
にＦＭ変調等により信号化されたレーザー光線、電子線
、紫外線等の高エネルギー線によりビット潜像を形成し
、これを現像することにより製造される。
・この場合に基板が露出するまでレジスト被膜を現像す
ると、次工程でメッキ等によりスタンパを製作する場合
、メッキと基板が密着して、基板とス・タンパが剥離困
難となる。従って剥離を容易にするため□に通常基板ま
で現像を行わず、レジストを基板上に残す方法が採用さ
れている。しかし均一な厚さのレジスト層を残すために
は、照射条件、現像条件等、例えば現像液組成、現像温
度、時間等を厳格に制御しなければならない。
ると、次工程でメッキ等によりスタンパを製作する場合
、メッキと基板が密着して、基板とス・タンパが剥離困
難となる。従って剥離を容易にするため□に通常基板ま
で現像を行わず、レジストを基板上に残す方法が採用さ
れている。しかし均一な厚さのレジスト層を残すために
は、照射条件、現像条件等、例えば現像液組成、現像温
度、時間等を厳格に制御しなければならない。
しかし一方でディスクの生産性、記録密度の向上等の要
請より、高感度、高解像性のレジスト材料の使用か要求
されており、上記現像条件等の厳格な制御によっても均
一なレノスト層を残すことか′困難となっている。
請より、高感度、高解像性のレジスト材料の使用か要求
されており、上記現像条件等の厳格な制御によっても均
一なレノスト層を残すことか′困難となっている。
本発明の目的は現像により均一なレノスト層を容易に残
すことのｉＪ能なレノストマスター盤の原盤を提供する
ことにある。
すことのｉＪ能なレノストマスター盤の原盤を提供する
ことにある。
本発明は基板上に第ルノスト層を形成し、その」二にこ
れよりもより高い感度を有する第２レノスト層を形成し
てなるレジストマスター盤の原盤に係る。
れよりもより高い感度を有する第２レノスト層を形成し
てなるレジストマスター盤の原盤に係る。
本発明において基板としてはガラス板、アルミ板、ステ
ンレス板、鉄板等が用いられる。第ルノスト層はやや低
い感度のレジスト材料からなり、第２のレノスト層は第
］のレジスト材料より同じ現像液に対して、より高い感
度を有するレジスト材料より構成する。第１図に本発明
の原盤を示す。
ンレス板、鉄板等が用いられる。第ルノスト層はやや低
い感度のレジスト材料からなり、第２のレノスト層は第
］のレジスト材料より同じ現像液に対して、より高い感
度を有するレジスト材料より構成する。第１図に本発明
の原盤を示す。
（１）は基板、（２）は第ルジスト層、（３）は第２レ
ジスト層である。
ジスト層である。
本発明のレジスト材料としては各種のフルキルアクリレ
ート、フルオロアルキルアクリレートの単独重合体、こ
れらの共重合体またはこれらと他のモノマーとの共重合
体を挙げることができる。
ート、フルオロアルキルアクリレートの単独重合体、こ
れらの共重合体またはこれらと他のモノマーとの共重合
体を挙げることができる。
アルキルアクリレート重合体またはフルオロアルキルア
クリレート重合体としては、例えばアクリル酸、メタク
リル酸、エタクリル酸またはこれらの酸のａ−位の水素
またはアルキル基の水素原子の少なくとも１個をフッ素
、塩素、臭素等のハロゲン原子で置換した酸等の炭素数
１〜８のアルキルエステルまたはフルオロアルキルエス
テルの重合体を例示できる。他のモノマーとしては例え
ばグリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート
、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸アミド、メタ
クリル酸アミド、ハロゲン化アルキルアクリル酸、ハロ
ゲン化アルキルメタクリル酸、ａ−シアノアクリル酸等
を挙げることができる。
クリレート重合体としては、例えばアクリル酸、メタク
リル酸、エタクリル酸またはこれらの酸のａ−位の水素
またはアルキル基の水素原子の少なくとも１個をフッ素
、塩素、臭素等のハロゲン原子で置換した酸等の炭素数
１〜８のアルキルエステルまたはフルオロアルキルエス
テルの重合体を例示できる。他のモノマーとしては例え
ばグリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート
、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸アミド、メタ
クリル酸アミド、ハロゲン化アルキルアクリル酸、ハロ
ゲン化アルキルメタクリル酸、ａ−シアノアクリル酸等
を挙げることができる。
かかる共重合し１υるモア７−は重合体全量中約４０モ
ル％以下とするのが好ましい。また本発明のレジスト材
料はボン型のものがＵイ適である。
ル％以下とするのが好ましい。また本発明のレジスト材
料はボン型のものがＵイ適である。
このうち第ルジスト層として好適な重合体は一般式Ｃ１
１２＝Ｃ（Ｙ ）ＣＯＯＩで表わされるメタクリレート
のうち、Ｙが例えば水素、ＣＨ３，ＣＦ、またはＣＩ、
Ｆのようなハロゲどであり、Ｒが例えば−ＣＩＩ ２Ｃ
２Ｆ ５、− ＣＩ−１２Ｃ２Ｆ ４ＩＩ、 −Ｃ（Ｃ
Ｉ＋、）２１ｃ２Ｆ、ｌｌ、−ＣＩＩ ２Ｃ４Ｆ 、
ＩＩ、−Ｃ（Ｃ１ｈ）２Ｃ，Ｆ８１１ 等（ｒ）メ９９
’）レートの重合体であり、第２レジスト層として好適
な重合体は上記一般式においてＹは同様であって、Ｒが
例、ｊバーＣ１１２ＣＦ、、 −Ｃ（Ｒ’ ）（Ｒ２）
ＣＦ２ＣＦＨＣＦ３（Ｒ１，Ｒ２は水素または炭素数１
〜３のアルキル）であるメタクリレートの重合体である
。
１２＝Ｃ（Ｙ ）ＣＯＯＩで表わされるメタクリレート
のうち、Ｙが例えば水素、ＣＨ３，ＣＦ、またはＣＩ、
Ｆのようなハロゲどであり、Ｒが例えば−ＣＩＩ ２Ｃ
２Ｆ ５、− ＣＩ−１２Ｃ２Ｆ ４ＩＩ、 −Ｃ（Ｃ
Ｉ＋、）２１ｃ２Ｆ、ｌｌ、−ＣＩＩ ２Ｃ４Ｆ 、
ＩＩ、−Ｃ（Ｃ１ｈ）２Ｃ，Ｆ８１１ 等（ｒ）メ９９
’）レートの重合体であり、第２レジスト層として好適
な重合体は上記一般式においてＹは同様であって、Ｒが
例、ｊバーＣ１１２ＣＦ、、 −Ｃ（Ｒ’ ）（Ｒ２）
ＣＦ２ＣＦＨＣＦ３（Ｒ１，Ｒ２は水素または炭素数１
〜３のアルキル）であるメタクリレートの重合体である
。
レジスト層を形成するには常法により行うことができ、
例えば適当な溶媒にレジスト材料である重合水を溶解し
、塗布、浸漬、スプレーまたはスピンコーティング法等
によって行われる。被膜を塗布した後、適宜乾燥し、プ
リベークすることにより各レジスト層を得ることができ
る。第ルジスト層の厚さは基板とスタンパの密着を防ぐ
程度の厚みがあれば十分であり、通常は約０．１〜２μ
ｍが好ましい。第２レジスト層の厚さは目的とするピッ
トの深さに応じて設定するのが良く、通常約０．３〜２
μｍ程度とするのが好ましい。
例えば適当な溶媒にレジスト材料である重合水を溶解し
、塗布、浸漬、スプレーまたはスピンコーティング法等
によって行われる。被膜を塗布した後、適宜乾燥し、プ
リベークすることにより各レジスト層を得ることができ
る。第ルジスト層の厚さは基板とスタンパの密着を防ぐ
程度の厚みがあれば十分であり、通常は約０．１〜２μ
ｍが好ましい。第２レジスト層の厚さは目的とするピッ
トの深さに応じて設定するのが良く、通常約０．３〜２
μｍ程度とするのが好ましい。
レジスト被膜は次いでレーザー、電子線、遠紫外線等の
高エネルギー線によりパターンを描画された後、公知の
現像液により現像される。
高エネルギー線によりパターンを描画された後、公知の
現像液により現像される。
本発明では現像は最初、より高感度の第２レジスト層か
ら開始され、該レジスト層の現像が終了した時点で現像
を停止する。＠ルジス）層はより感度を低いものにしで
あるので、現像を停止した段階で殆ど現像されていない
か全く現像されていす、従って第２レジスト層のみが現
像された均一なレジスト層を作成することができる。勿
論、場合によっては第ルジスト層において若干現像が進
行していても良く、また逆に第２レノスト層にオＪいて
若干未現像の部分が残っていても差支えない。
ら開始され、該レジスト層の現像が終了した時点で現像
を停止する。＠ルジス）層はより感度を低いものにしで
あるので、現像を停止した段階で殆ど現像されていない
か全く現像されていす、従って第２レジスト層のみが現
像された均一なレジスト層を作成することができる。勿
論、場合によっては第ルジスト層において若干現像が進
行していても良く、また逆に第２レノスト層にオＪいて
若干未現像の部分が残っていても差支えない。
以下に実施例を挙げて本発明を説明する。
実施例１
分子量１００万の２．２．３．３−テトラフルオロ−１
，１−ツメチルプロピルメタクリレートの８％メチルイ
ソ７チルケトン（旧ＢＫ）溶液をレノスト溶液として・
これを１インチのシリコンウェハー上に４０００ｒｌ１
ｍで６０秒間スピンコーティングして膜厚０．２μＩｎ
の被膜を塗布し、１７０°Ｃで３０分間ベークして第ル
ノスト層を形成した。冷却後この上に、分子量８６万の
２．２．３，４．４．４−ヘキサフルオロブチルメタク
リレートの８％旧ＢＫ溶液をスピンコーティングして膜
厚０．４μｔｏの被膜を塗布し、１４０℃で３０分間ベ
ークして第２レノスト層を形成して、レジストマスター
盤の原盤を得た。
，１−ツメチルプロピルメタクリレートの８％メチルイ
ソ７チルケトン（旧ＢＫ）溶液をレノスト溶液として・
これを１インチのシリコンウェハー上に４０００ｒｌ１
ｍで６０秒間スピンコーティングして膜厚０．２μＩｎ
の被膜を塗布し、１７０°Ｃで３０分間ベークして第ル
ノスト層を形成した。冷却後この上に、分子量８６万の
２．２．３，４．４．４−ヘキサフルオロブチルメタク
リレートの８％旧ＢＫ溶液をスピンコーティングして膜
厚０．４μｔｏの被膜を塗布し、１４０℃で３０分間ベ
ークして第２レノスト層を形成して、レジストマスター
盤の原盤を得た。
得られた原盤のレジスト層にＥＲＥ−３０２型電子線描
画装置（エリオニクス社製）を用いて加速電圧２０ＫＶ
、電流ｌＸ１０９Ａの電子線を３６μｍのラインアンド
スペース、長さ１２００μｍに０．５μＣ／ｃｍ２にな
るよう描画した。次に現像液として旧ＢＫ／インプロパ
ツール（１／１５０容量比）の混合物を用いて、２３°
Ｃで１２０秒間現像したところ、下層の第ルジスト層は
現像されず、第２レノスト層のみが現像された３６μｍ
のラインアンドスペースが観察された。
画装置（エリオニクス社製）を用いて加速電圧２０ＫＶ
、電流ｌＸ１０９Ａの電子線を３６μｍのラインアンド
スペース、長さ１２００μｍに０．５μＣ／ｃｍ２にな
るよう描画した。次に現像液として旧ＢＫ／インプロパ
ツール（１／１５０容量比）の混合物を用いて、２３°
Ｃで１２０秒間現像したところ、下層の第ルジスト層は
現像されず、第２レノスト層のみが現像された３６μｍ
のラインアンドスペースが観察された。
実施例２
実施例１と同様にして第１層として分子量９０万のへブ
タフルオロプロピル−α−フルオロアクリレートを０．
５μｍに塗布し１７０°Ｃで３０分間ベークする。第２
層として分子量１００万の２．２．３，４．４．４−へ
キサフルオロブチルメタクリレート（９！ｌｕｔ％）と
グリシジルメタクリレート（１ｕ＋ｔ％）の共重合体を
１．０μｍになるように塗布し、１４０°Ｃで３０分間
べ−りした。ＥＲＥ−３０２型電子線描画装置を用いて
実施例１と同様に３６μｍのラインアンドスペース、長
さ１２００μｍｏに０．５μＣ／ｃＩＩ＋２になるよう
描画した。次に直ちに２３℃のイソプロパツール（ＩＰ
Ａ）に５分間浸漬して後、旧ＢＫ／ＩＰＡ（１／８０容
量比）の現像液を１． 用いて、２３°Ｃで１２０秒間
現像した。下層の第ルノスト層は現像されず、第２レノ
スト層のみが現像されｒこ３６μｍｎのラインアンドス
ペースが観察された。
タフルオロプロピル−α−フルオロアクリレートを０．
５μｍに塗布し１７０°Ｃで３０分間ベークする。第２
層として分子量１００万の２．２．３，４．４．４−へ
キサフルオロブチルメタクリレート（９！ｌｕｔ％）と
グリシジルメタクリレート（１ｕ＋ｔ％）の共重合体を
１．０μｍになるように塗布し、１４０°Ｃで３０分間
べ−りした。ＥＲＥ−３０２型電子線描画装置を用いて
実施例１と同様に３６μｍのラインアンドスペース、長
さ１２００μｍｏに０．５μＣ／ｃＩＩ＋２になるよう
描画した。次に直ちに２３℃のイソプロパツール（ＩＰ
Ａ）に５分間浸漬して後、旧ＢＫ／ＩＰＡ（１／８０容
量比）の現像液を１． 用いて、２３°Ｃで１２０秒間
現像した。下層の第ルノスト層は現像されず、第２レノ
スト層のみが現像されｒこ３６μｍｎのラインアンドス
ペースが観察された。
第１図は本発明のレジストマスター盤の原盤であり、（
１）は糸板、（２）は第ルジスト層、（３）は第２レノ
ストノ苗である。 （以上） 特許出願人 ダイキン工業株式会社 代 理 人 弁理士 １）村 巌 第１図
１）は糸板、（２）は第ルジスト層、（３）は第２レノ
ストノ苗である。 （以上） 特許出願人 ダイキン工業株式会社 代 理 人 弁理士 １）村 巌 第１図
Claims (1)
- （１）基板」二に第ルノスト層を形成し、その上にこれ
よりもより高い感度を有する第２レジスト層を形成して
なるレジストマスター盤の原盤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20338283A JPS6095741A (ja) | 1983-10-29 | 1983-10-29 | レジストマスタ−盤の原盤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20338283A JPS6095741A (ja) | 1983-10-29 | 1983-10-29 | レジストマスタ−盤の原盤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095741A true JPS6095741A (ja) | 1985-05-29 |
Family
ID=16473107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20338283A Pending JPS6095741A (ja) | 1983-10-29 | 1983-10-29 | レジストマスタ−盤の原盤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095741A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005055224A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Sony Corporation | 光ディスク用原盤の製造方法および光ディスク用原盤 |
-
1983
- 1983-10-29 JP JP20338283A patent/JPS6095741A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005055224A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Sony Corporation | 光ディスク用原盤の製造方法および光ディスク用原盤 |
| JPWO2005055224A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2007-06-28 | ソニー株式会社 | 光ディスク用原盤の製造方法および光ディスク用原盤 |
| JP4655937B2 (ja) * | 2003-12-01 | 2011-03-23 | ソニー株式会社 | 光ディスク用原盤の製造方法 |
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