JPS58113932A - レジスト材料およびそれを用いる微細レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジスト材料およびそれを用いる微細レジストパタ−ンの形成方法Info
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- JPS58113932A JPS58113932A JP56212729A JP21272981A JPS58113932A JP S58113932 A JPS58113932 A JP S58113932A JP 56212729 A JP56212729 A JP 56212729A JP 21272981 A JP21272981 A JP 21272981A JP S58113932 A JPS58113932 A JP S58113932A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
型レジスト材料およびそれを用いる微細レジストパター
ンの形成方法に関する・ 従来、マスキング、半導体製造などの技術分野において
パターンの形成材料として可視光線または近紫外線を用
いるフォトレジストが使用されており、数Ｐａｒオーダ
ーの開口をつるにはそうしたレジストで充分であった・
しかし）近年＼電子部品の軽量化、大容量化に伴なって
パターンの微細化が進み、数μ重オーダー以下、とくに
１μｍ以下の開口【つる必要性が生じてきた。
ンの形成方法に関する・ 従来、マスキング、半導体製造などの技術分野において
パターンの形成材料として可視光線または近紫外線を用
いるフォトレジストが使用されており、数Ｐａｒオーダ
ーの開口をつるにはそうしたレジストで充分であった・
しかし）近年＼電子部品の軽量化、大容量化に伴なって
パターンの微細化が進み、数μ重オーダー以下、とくに
１μｍ以下の開口【つる必要性が生じてきた。
そのような数μｍないしサブ電クロンオーダーの微細パ
ターンを形成するためには、従来の７オシレジスト材料
では対応することができず、そこでさらに短波長の遠紫
外線、ｘａ１電子ビームなどの高エネルギー線を利用し
たレジスト材料が開発され、サブミクロンオーダーの［
ｄパターンの形成が可能になってきた。
ターンを形成するためには、従来の７オシレジスト材料
では対応することができず、そこでさらに短波長の遠紫
外線、ｘａ１電子ビームなどの高エネルギー線を利用し
たレジスト材料が開発され、サブミクロンオーダーの［
ｄパターンの形成が可能になってきた。
そのようなレジスト材料としてもつとも広く用いられて
いるものとしてはポリメタクリレート，ｃ以下、ＰＭＭ
Ａという）がある。ＰＭＭＡはきわめ５て高い解像度を
有するが、感度が低く（たとえば、軟ＸｌｌであるＭｏ
のｘＪＩＩＩＩでは１３００ｍＪ／ａｍ”、電子線では
Ｉ Ｘ １０−’Ｏ／ａｍ２）、したがッテ、ハｐ一ン
の形成に長時間を必要とする。
いるものとしてはポリメタクリレート，ｃ以下、ＰＭＭ
Ａという）がある。ＰＭＭＡはきわめ５て高い解像度を
有するが、感度が低く（たとえば、軟ＸｌｌであるＭｏ
のｘＪＩＩＩＩでは１３００ｍＪ／ａｍ”、電子線では
Ｉ Ｘ １０−’Ｏ／ａｍ２）、したがッテ、ハｐ一ン
の形成に長時間を必要とする。
そのほかある種のポリフルオロアルキルメタクリレート
を高エネルギー線用レジスト材料として用いる試みもな
されているがＣ特公昭５５ー２４０８８号公報参照）、
それらのレジスト材料はＰＭＭＡの欠点である感度は改
善されているが、シリコンなどのある種の基板に対し現
像の際、レジストパターンとの間に現像液が浸透してレ
ジストパターンが剥離したりパターンが浮き上がったり
し、その結果、エツチングなどによってえられる基板上
刃パターンの寸法が所定の寸法よりも大きくなるなど、
精度の低下をきたすという密着性不良による問題点があ
る。そのような欠点はポストベーキングによっても回復
することが充分にはできないばあいがある。
を高エネルギー線用レジスト材料として用いる試みもな
されているがＣ特公昭５５ー２４０８８号公報参照）、
それらのレジスト材料はＰＭＭＡの欠点である感度は改
善されているが、シリコンなどのある種の基板に対し現
像の際、レジストパターンとの間に現像液が浸透してレ
ジストパターンが剥離したりパターンが浮き上がったり
し、その結果、エツチングなどによってえられる基板上
刃パターンの寸法が所定の寸法よりも大きくなるなど、
精度の低下をきたすという密着性不良による問題点があ
る。そのような欠点はポストベーキングによっても回復
することが充分にはできないばあいがある。
本発明者らはこれら従来のレジスト材料の欠点を克服す
べく鋭意研究を重ねた結果、一般式（）： （式中、Ｒ□はメチル基、エチル基もしくはそれらの水
素原子の少なくとも１つをハロゲン原子で置換した基、
ハロゲン原子または水素原子を表わし、Ｒ２は炭素数１
〜６個を有する２価の炭化水素基を表わし、Ｒ２は少な
くとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数
１〜１５個を有するアルキル基を表わす）で表わされる
フルオロアルキルアクリレートと一般式（■）：３ ０Ｈ２＝０ １（Ｉ） Ｃ式中、Ｒ３は水素原子、メチル基またはエチル基を表
わす）で表わされるアクリルアミドを共重合してえられ
る共重合体が、高い感度と解像度を有し、しかもすぐれ
た密着性を有する微細パターン形成用のポジ型レジスト
材料としてきわめてすぐれたものであることを見出した
。
べく鋭意研究を重ねた結果、一般式（）： （式中、Ｒ□はメチル基、エチル基もしくはそれらの水
素原子の少なくとも１つをハロゲン原子で置換した基、
ハロゲン原子または水素原子を表わし、Ｒ２は炭素数１
〜６個を有する２価の炭化水素基を表わし、Ｒ２は少な
くとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数
１〜１５個を有するアルキル基を表わす）で表わされる
フルオロアルキルアクリレートと一般式（■）：３ ０Ｈ２＝０ １（Ｉ） Ｃ式中、Ｒ３は水素原子、メチル基またはエチル基を表
わす）で表わされるアクリルアミドを共重合してえられ
る共重合体が、高い感度と解像度を有し、しかもすぐれ
た密着性を有する微細パターン形成用のポジ型レジスト
材料としてきわめてすぐれたものであることを見出した
。
前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物としては、具体的
にはつぎの化学′式で示ぎれるものがあげられる。
にはつぎの化学′式で示ぎれるものがあげられる。
ＯＨ２：Ｏ（ＯＨ３）ＯＯＯＧＨ２ＧＩＦ２０ＨＦ２０
Ｈ２＝Ｏ（ＯＨ３）０９００Ｈ２（ＩＦ、ＯＦ、Ｏν２
Ｃ！２（％＝Ｏ（ＯＨ３）ＯＯＯＯＨ２ａ１Ｐ２ＯＦＵ
ＦＯＦ３０）１３ ０Ｈ２＝ＣＩ（町１００００Ｈ２Ｃ）Ｉ２０’？２０Ｆ
ｇ（７Ｆ。
Ｈ２＝Ｏ（ＯＨ３）０９００Ｈ２（ＩＦ、ＯＦ、Ｏν２
Ｃ！２（％＝Ｏ（ＯＨ３）ＯＯＯＯＨ２ａ１Ｐ２ＯＦＵ
ＦＯＦ３０）１３ ０Ｈ２＝ＣＩ（町１００００Ｈ２Ｃ）Ｉ２０’？２０Ｆ
ｇ（７Ｆ。
０Ｈ２＝ Ｏ（ＯＨ，＋ｏｏｏｏＨ２ａｕ２（ｏｙ、ｃ
ｙｉｒ、）２ｃｙｙ。
ｙｉｒ、）２ｃｙｙ。
本発明にかかわる共重合体における一般式（Ｉ）で表わ
される化合物と一般式（１）で表わされる化合物との割
合（モル比〕は６０ ： ４０〜９９．９ ： ０．１
、なかんづ＜ ８０ ｊ ２０〜９９．９ ＋ ０．１
とするのが好ましい。該共重合体の密着性は一般式ｆｌ
）で表わされる化合物の割合を増加させればさせるほど
向上するが、感度および解像度は逆に低下する。
される化合物と一般式（１）で表わされる化合物との割
合（モル比〕は６０ ： ４０〜９９．９ ： ０．１
、なかんづ＜ ８０ ｊ ２０〜９９．９ ＋ ０．１
とするのが好ましい。該共重合体の密着性は一般式ｆｌ
）で表わされる化合物の割合を増加させればさせるほど
向上するが、感度および解像度は逆に低下する。
前記の割合の範囲では、感度および解像度が実用上問題
となるまで低下せず、密着性も充分な範囲である。また
、重量平均分子量は、１０，０００〜２０．０００．０
００．ａ９ましくはｓｏ、 ｏｏｏ〜１ｏ、 ｏｏｏ、
ｃｉｏｏのものが使用される。分子量は、高くなれば
なるほど高エネルギー線の照射部分と非照射部分その溶
媒に対する溶解速度差が大となって感度および解像度が
向上する。
となるまで低下せず、密着性も充分な範囲である。また
、重量平均分子量は、１０，０００〜２０．０００．０
００．ａ９ましくはｓｏ、 ｏｏｏ〜１ｏ、 ｏｏｏ、
ｃｉｏｏのものが使用される。分子量は、高くなれば
なるほど高エネルギー線の照射部分と非照射部分その溶
媒に対する溶解速度差が大となって感度および解像度が
向上する。
本発明に用いる共重合体の製造は、一般式（Ｉ）で表わ
される化合物と一般式（１）で表わされる化合物を通常
の重合触媒の存在下にバルク重合、溶液重合、乳化重合
、懸濁重合などあらゆる重合法により共重合することに
よって行なうことができる。
される化合物と一般式（１）で表わされる化合物を通常
の重合触媒の存在下にバルク重合、溶液重合、乳化重合
、懸濁重合などあらゆる重合法により共重合することに
よって行なうことができる。
重合度は重合触媒の添加量、反応温度などを変化させる
通常の方法で調整することができる。
通常の方法で調整することができる。
基板上に前記共重合体のレジスト被膜を形成せしめる方
法は、一般的なレジスト被膜形成法によって行ないつる
。すなわち該共重合体を脂肪族ケトン、脂肪族アルコー
ル、脂肪族エステル、脂肪族エーテル、芳香族炭化水素
、脂環式ケシン、ハセゲン化炭化水素またはそれらの混
合物などの溶剤に溶解させてレジスト溶液とし、該レジ
スト溶液をスピンコーターなどを用いて基板上にコーテ
ィングせしめ、ついで風乾、加熱乾燥などによって溶媒
を完全に蒸発させることによってレジスト被膜を形成す
ることができる。
法は、一般的なレジスト被膜形成法によって行ないつる
。すなわち該共重合体を脂肪族ケトン、脂肪族アルコー
ル、脂肪族エステル、脂肪族エーテル、芳香族炭化水素
、脂環式ケシン、ハセゲン化炭化水素またはそれらの混
合物などの溶剤に溶解させてレジスト溶液とし、該レジ
スト溶液をスピンコーターなどを用いて基板上にコーテ
ィングせしめ、ついで風乾、加熱乾燥などによって溶媒
を完全に蒸発させることによってレジスト被膜を形成す
ることができる。
使用しつる基板はとくに限定されず、たとえばクロムマ
スク基板、シリコン、酸化ナイ素、シリケートグラスま
たはチツ化ケイ素、アルミニウム、チタン、金など各種
の基板が本発明に使用でき、いずれの基板においても本
発明によって見られるレジスト被膜は高い密着性を示す
。
スク基板、シリコン、酸化ナイ素、シリケートグラスま
たはチツ化ケイ素、アルミニウム、チタン、金など各種
の基板が本発明に使用でき、いずれの基板においても本
発明によって見られるレジスト被膜は高い密着性を示す
。
該レジスト被膜上に高エネルギー線を照射、してパター
ンを描画し、ついで現像液を用いて現像することにより
微細レジストパターンを形成せしめることができる。
ンを描画し、ついで現像液を用いて現像することにより
微細レジストパターンを形成せしめることができる。
パターンの描画に用いる高エネルギー線としては、電子
線、３００ｎ！ＩＩ以下の紫外線、遠紫外線またはｘＩ
Ｉなどがあげられる。
線、３００ｎ！ＩＩ以下の紫外線、遠紫外線またはｘＩ
Ｉなどがあげられる。
現像液としては前記共重合体からなるレジスト被膜にお
いて、高エネルギー線の照射により低分子量化された部
分と高エネルギー線が照射されていない本来の高分子量
部分におけるそれらの溶解速度がいちじるしく異なる溶
剤が用いられる。
いて、高エネルギー線の照射により低分子量化された部
分と高エネルギー線が照射されていない本来の高分子量
部分におけるそれらの溶解速度がいちじるしく異なる溶
剤が用いられる。
そのような溶媒としては、
内炭素数２〜８個のアルコールの１種もしくは２種以上
の混合物、または （ｎ）（ｔ）炭素１ｆ〜８個のアルコールのＩｌｉモｔ
、＜は２種以上の混合物と （ｉｉ）炭素数５〜１１個の炭化水素の１個もしくは２
種以上の混合物または水とからなる混合物などがあげら
れる。（Ｂ）の中でも好ましいものは、（１）がイソプ
ロピルアルフールまたはノルマルプロピルアルコールで
あり、（■）がヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン
、ベンゼン、シクロヘキサンまたは水である。（Ｂ）の
（１）にあげた溶媒と（川にあげた溶媒の混合比は共重
合体の分子量や所望の感度によって適宜選択して決めら
れる。
の混合物、または （ｎ）（ｔ）炭素１ｆ〜８個のアルコールのＩｌｉモｔ
、＜は２種以上の混合物と （ｉｉ）炭素数５〜１１個の炭化水素の１個もしくは２
種以上の混合物または水とからなる混合物などがあげら
れる。（Ｂ）の中でも好ましいものは、（１）がイソプ
ロピルアルフールまたはノルマルプロピルアルコールで
あり、（■）がヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン
、ベンゼン、シクロヘキサンまたは水である。（Ｂ）の
（１）にあげた溶媒と（川にあげた溶媒の混合比は共重
合体の分子量や所望の感度によって適宜選択して決めら
れる。
また、現像温度および時間は現像液の種類や共重合体の
分子量により適宜定めればよい。
分子量により適宜定めればよい。
最後に現像後被照射体を乾燥および焼成することにより
所望の微細レジストパターンが形成される。
所望の微細レジストパターンが形成される。
つぎに参考例および実施例をあげて本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明はそれらの実施例のみに限定され
るものではない。
に説明するが、本発明はそれらの実施例のみに限定され
るものではない。
参考例１
メタクリル酸クロライド１２部（重量部、以下同様）オ
よび２．２． Ｌ ４．４．４−ヘキサフルオロブチル
アルコール６０Ｗｌに、さらに重合禁止剤としえ、９０
〜１００°Ｏで３時間加熱した。反応生成混合物を蒸留
して、２．２．５．４．４．４−ヘキサフルオロブチル
メタクリレート（以下、ＨＩＦＩＩＭＡという）１５部
をえた（沸点＝６０〜６いηＱｍｓｍ）ｉり〕。
よび２．２． Ｌ ４．４．４−ヘキサフルオロブチル
アルコール６０Ｗｌに、さらに重合禁止剤としえ、９０
〜１００°Ｏで３時間加熱した。反応生成混合物を蒸留
して、２．２．５．４．４．４−ヘキサフルオロブチル
メタクリレート（以下、ＨＩＦＩＩＭＡという）１５部
をえた（沸点＝６０〜６いηＱｍｓｍ）ｉり〕。
つぎにＨＩＰＢＭｋ ９９部（９７，１モル部］にメタ
クリルアミド（以下、ＭＡＡという）１部（２，９モル
部）、アゾビスイゾプ手ロニトリル（以下、人工ＥＮと
いう） ０．ｆｆ 部、）”デシルメルカプタン０．０
２５部およびメチルイソブチルケトン１ｏｏｓを加えて
混合し、脱気したのちこの混合物を６０°Ｏで２４時間
共重合させた。反応生成混合物にア七トンを加えて均一
溶液としたのち、石油エーテルを加えて沈殿させること
により共重合体９３部をえた。
クリルアミド（以下、ＭＡＡという）１部（２，９モル
部）、アゾビスイゾプ手ロニトリル（以下、人工ＥＮと
いう） ０．ｆｆ 部、）”デシルメルカプタン０．０
２５部およびメチルイソブチルケトン１ｏｏｓを加えて
混合し、脱気したのちこの混合物を６０°Ｏで２４時間
共重合させた。反応生成混合物にア七トンを加えて均一
溶液としたのち、石油エーテルを加えて沈殿させること
により共重合体９３部をえた。
この共重合体は、熱分解ガスク四マドグラフィーにより
分析した結果、ＭＡＡのモノマ一単位を３．０モル襲含
有し、はぼ仕込比で共重合していることが確認された。
分析した結果、ＭＡＡのモノマ一単位を３．０モル襲含
有し、はぼ仕込比で共重合していることが確認された。
この共重合体をメチルエチルケトン溶液として、３５ｃ
ｌｏで求めた極限粘度〔η〕は０．３９であった。また
ゲルバーミュエーションクロマトグラフイーにより求め
た重量平均分子量は、約５５０．０００であった。
ｌｏで求めた極限粘度〔η〕は０．３９であった。また
ゲルバーミュエーションクロマトグラフイーにより求め
た重量平均分子量は、約５５０．０００であった。
実施例１
参考例１で見られた共重合体４部にメチルイソブチルナ
トン４６部を加えて均一なレジスト溶液を調製した。該
レジスト溶液をシリコンウェハ上にスピンコーティング
法によって被膜の膜厚が０．５μｍとなるようにコーテ
ィングし、ついで１４０°０で３０分間加熱して溶剤を
蒸発させ、そののち常温にまで冷却してレジスト被膜を
形成した〇 つぎにＩＩｊＲ］Ｌｉ−３０２型電子線描画装置（エリ
オニクス社製）を用し・て該レジスト被膜を有するそれ
ぞれの試料に加速電圧２ＤｋＶ （電流Ｉ Ｘ １０−
’Ａ）の電子線をそれぞれ０．０８秒間（電子線量１．
９×１０−７０／ａｍ２） 〜１２５秒間（電子線量２
．９ Ｘ’１０−’０１０ｆｆｉ” ）で数点照射して
描画した。これらの試料を２３’０のイソプロピルアル
コール−ｎ−へブタン混合溶媒（容量比８５ ： １５
）に９０秒浸漬してレジストパターンを現像した。こ
のものはただちに２３°ａのｎ−ヘプタンに６０秒間浸
漬して洗浄した〇 以上によってえられるレジストパターンのレジスト被膜
の残存膜厚は膜厚測定１１ｉ（タリステップＣ英国ボプ
ソン社製））によって測定した。
トン４６部を加えて均一なレジスト溶液を調製した。該
レジスト溶液をシリコンウェハ上にスピンコーティング
法によって被膜の膜厚が０．５μｍとなるようにコーテ
ィングし、ついで１４０°０で３０分間加熱して溶剤を
蒸発させ、そののち常温にまで冷却してレジスト被膜を
形成した〇 つぎにＩＩｊＲ］Ｌｉ−３０２型電子線描画装置（エリ
オニクス社製）を用し・て該レジスト被膜を有するそれ
ぞれの試料に加速電圧２ＤｋＶ （電流Ｉ Ｘ １０−
’Ａ）の電子線をそれぞれ０．０８秒間（電子線量１．
９×１０−７０／ａｍ２） 〜１２５秒間（電子線量２
．９ Ｘ’１０−’０１０ｆｆｉ” ）で数点照射して
描画した。これらの試料を２３’０のイソプロピルアル
コール−ｎ−へブタン混合溶媒（容量比８５ ： １５
）に９０秒浸漬してレジストパターンを現像した。こ
のものはただちに２３°ａのｎ−ヘプタンに６０秒間浸
漬して洗浄した〇 以上によってえられるレジストパターンのレジスト被膜
の残存膜厚は膜厚測定１１ｉ（タリステップＣ英国ボプ
ソン社製））によって測定した。
第１図に照射時間（秒）と残存膜厚（Ｆｍｌの関係を表
わす特性図を示す。第１図より該レジストの感度ｉ −
２Ｘ １０−’Ｏ／ａ＋ａ２、ｒ値２．６２が読みとれ
る。
わす特性図を示す。第１図より該レジストの感度ｉ −
２Ｘ １０−’Ｏ／ａ＋ａ２、ｒ値２．６２が読みとれ
る。
ついで、０．４７Ｘ １０−’Ｑ／ａｍ２の電子線でラ
イシン（容量比１：５）に代えたはかは実施例１と同様
にして実験を行なった。その結果感度は２．９ Ｘ １
０ ０／ａｍ であり、γ値は１．２であった。
イシン（容量比１：５）に代えたはかは実施例１と同様
にして実験を行なった。その結果感度は２．９ Ｘ １
０ ０／ａｍ であり、γ値は１．２であった。
また密着性は非常にすぐれるものであった。
参考例３
ＨＩＦＤＭＡに代えて２．２．５．５−テトラフルオ四
−１，１−ジメチルプロピルメタクリレート９９１Ｍｆ
ｔ用い、ＭＡＡに代えてアクリルアミド１廓を用い、さ
らに重合開始剤０．０５部を用いたほかは実施例１と同
様にして実験を行ない、共電′合体（〔η〕＝１．１０
）をえた。
−１，１−ジメチルプロピルメタクリレート９９１Ｍｆ
ｔ用い、ＭＡＡに代えてアクリルアミド１廓を用い、さ
らに重合開始剤０．０５部を用いたほかは実施例１と同
様にして実験を行ない、共電′合体（〔η〕＝１．１０
）をえた。
実施例４
使用共重合体を参考例３でえたものに代えたほかは実施
例１と同様にして実験を行なった。
例１と同様にして実験を行なった。
その結果感度は２．ＯＸ １０°’Ｏ／ａｍ２であり、
ｒ値は１．４であった。また密着性は非常にすぐれるも
のであった。
ｒ値は１．４であった。また密着性は非常にすぐれるも
のであった。
第１図は電子線照射時間と残存膜厚の関係なアンドスペ
ース２．３および５μｍで描画し、同様に現像、洗浄お
よび乾燥して見られたレジストパターンを４００倍の光
学顕微鏡で観察して密層性を評価した。その結果、いず
れのパターンも完全に密着しているのが観察された＠実
施例２ 現像液として用いたイソプロピルアルコール−ｎ−へブ
タン混合溶媒を１．２５％の水を含有するイソプロピル
アルコールに代えたほか６は実施例１と同様にして実験
を行なった。その結果感度はＩ Ｘ １０−６０１０！
！＋２であり、ｒ値は２，０であった。また密着性は非
常にすぐれたものであった。 参考例２ ＨＦＥＭＡの使用量を９０部とし、ＭＭＡの使用量を１
０部としたほかは参考例１と同様にして実験を行ない、
共重合体を蔓た。 実施例３ 使用共重合体ｔ−参考例２でえたものに代え、現像液を
イソプロピルアルコール−ｎ −オク＄表わす特性図で
ある。 特許出願人 ダイキン工業株式会社 １図 Ｒ創８今間 （秒） 第１頁の続き ０発 明 者 浅用浩 茨城県那珂郡東海村大字白方字 白根１６２番地日本電信電話公社 茨城電気通信研究所内 ０発 明 者 小暮攻 茨城県那珂郡東海村大字白方字 白根１６２番地日本電信電話公社 茨城電気通信研究所内 ■出 願 人 日本電信電話公社 −３５′／
ース２．３および５μｍで描画し、同様に現像、洗浄お
よび乾燥して見られたレジストパターンを４００倍の光
学顕微鏡で観察して密層性を評価した。その結果、いず
れのパターンも完全に密着しているのが観察された＠実
施例２ 現像液として用いたイソプロピルアルコール−ｎ−へブ
タン混合溶媒を１．２５％の水を含有するイソプロピル
アルコールに代えたほか６は実施例１と同様にして実験
を行なった。その結果感度はＩ Ｘ １０−６０１０！
！＋２であり、ｒ値は２，０であった。また密着性は非
常にすぐれたものであった。 参考例２ ＨＦＥＭＡの使用量を９０部とし、ＭＭＡの使用量を１
０部としたほかは参考例１と同様にして実験を行ない、
共重合体を蔓た。 実施例３ 使用共重合体ｔ−参考例２でえたものに代え、現像液を
イソプロピルアルコール−ｎ −オク＄表わす特性図で
ある。 特許出願人 ダイキン工業株式会社 １図 Ｒ創８今間 （秒） 第１頁の続き ０発 明 者 浅用浩 茨城県那珂郡東海村大字白方字 白根１６２番地日本電信電話公社 茨城電気通信研究所内 ０発 明 者 小暮攻 茨城県那珂郡東海村大字白方字 白根１６２番地日本電信電話公社 茨城電気通信研究所内 ■出 願 人 日本電信電話公社 −３５′／
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １一般式（Ｉ）： １ （式中、Ｒ工はメチル基、エチル基もしくは雪。 れらの水素原子の少なくとも１つをハロゲン原子で置換
した基、ハロゲン原子または水素原子を表わし、Ｒ２は
炭素数１〜６個を有する２価の炭化水素基を表わし、Ｒ
２は少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換され
た炭素数１〜１５個を有するアルキル基を表わす）で表
わされるフルオロアルキルアクリレートと一般式（Ｉ）
： ３ （式中、Ｒ３は水素原子、メチル基またはエチル基を表
わす）で表わされるアクリルアミドとの共重合体からな
るレジスト材料。 ２ 前記一般式（１）で表わされるフルオロアルキルア
クリレートと前記一般式（ＩＩ）で表わされるアクリル
アミドとのモル比が６０ ？ ４０〜９９．９ ：０．
１である共重合体からなる特許請求の範囲＠１項記載の
レジスジ材料。 ５ 前記一般式（１）で表わされるフルオロアルキルア
クリレートと前記一般式（１）で表わされるアクリルア
ミドとのモル比が８０ ！ ２０〜９９．９ ＋０．１
である共重合体からなる特許請求の範囲第１項記載のレ
ジスト材料。 ４ 前記共重合体の重量平均分子量が１０，０００〜２
０、０００．０００である特許請求の範囲１１１ｆ１項
、第２項または第３項記載のレジスト材料。 ５ 前記共重合体の重量平均分子量が５０．０００〜１
０、０００．０００である特許請求の範囲第１項、第２
項または１１１３項記載のレジスト材料。 ６一般式（１）： （式中、Ｒ工はメチル基、エチル基もしくはそれらの水
素原子の少なくとも１つを／’％ロゲン原子で置換した
基、ハロゲン原子または水素原子を表わし、Ｒ２は炭素
数１〜６個を有する２価の炭化水素基を表わし、Ｒ１は
少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭
素数１〜１５個を有するアルキル基を表わす）で表わさ
れるフルオロアルキルアクリレートし と一般式（幻； （７Ｈ２＝ ０ １（■） Ｈ２ （式、中、Ｒ３は水素原子、メチル基またはエチル基を
表わす）で表わされるアクリルアミドを共重合してえら
れる共重合体からなるレジスト被膜に高エネルギー線を
照射したのち、現像することを特徴とする微細レジスト
パターン形成方法。 ７ 前記現像が炭素数２〜Ｂ１１のアルコールの１１１
Ｉまたは２種以上の混合物を現像液として用いて行なう
ものである特許請求の範囲第６項記載の微細レジストパ
ターンの形成方法。 ８ 前記現像が （１） Ｎ 素数２〜８個のアルコールの１種もしくは
２種以上の混合物と （１）炭素数５〜１１個の炭化水素の１種もしくは２種
以上の混合物または水 とからなる混合物を現像液として用いて行なうものであ
る特許請求の範囲第６項記載の微靴レジストパターンの
形成方法。 ９ 前記現像が （１）イソプロピルアルコールまたはノルマルプ四ピル
アルコールと （ｆｌ）ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、ベン
ゼン、シクロヘキサンまたは水 とからなる混合物な現像液として用いて行なうものであ
る特許請求の範囲第６項記載の微細レジスｔパターンの
形成方法０
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56212729A JPS58113932A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | レジスト材料およびそれを用いる微細レジストパタ−ンの形成方法 |
| EP82111725A EP0090089B1 (en) | 1981-12-19 | 1982-12-17 | Resist material and process for forming fine resist pattern |
| DE8282111725T DE3279090D1 (en) | 1981-12-19 | 1982-12-17 | Resist material and process for forming fine resist pattern |
| CA000418004A CA1207099A (en) | 1981-12-19 | 1982-12-17 | Resist material and process for forming fine resist pattern |
| US06/450,726 US4539250A (en) | 1981-12-19 | 1982-12-17 | Resist material and process for forming fine resist pattern |
| US06/710,190 US4686168A (en) | 1981-12-19 | 1985-03-11 | Fluoroalkyl acrylate resist material and process for forming fine resist pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56212729A JPS58113932A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | レジスト材料およびそれを用いる微細レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58113932A true JPS58113932A (ja) | 1983-07-07 |
| JPH0358103B2 JPH0358103B2 (ja) | 1991-09-04 |
Family
ID=16627462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56212729A Granted JPS58113932A (ja) | 1981-12-19 | 1981-12-26 | レジスト材料およびそれを用いる微細レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58113932A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4871820A (en) * | 1987-02-17 | 1989-10-03 | Daikin Industries, Ltd. | Alpha-fluoroacrylic acid polymer and its use |
| JPH02111988A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-24 | Toppan Printing Co Ltd | ホログラム複製型およびその製造方法並びにホログラムの製造方法 |
| US5011275A (en) * | 1988-07-05 | 1991-04-30 | Ciba-Geigy Corporation | Dimethylacrylamide-copolymer hydrogels with high oxygen permeability |
| EP1757627A4 (en) * | 2004-04-15 | 2007-05-09 | Daikin Ind Ltd | FLUOROUS POLYMER AND TREATMENT COMPOSITION |
| JP2023003342A (ja) * | 2021-06-23 | 2023-01-11 | 日本ゼオン株式会社 | レジストパターン形成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5524088A (en) * | 1979-03-02 | 1980-02-20 | Daiichi Koki | Folding thick bedquilt drying tool |
| JPS5558243A (en) * | 1978-10-24 | 1980-04-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Highly sensitive positive resist composition |
| JPS5653114A (en) * | 1979-10-08 | 1981-05-12 | Kohjin Co Ltd | Preparation of polymeric material for positive resist sensitive to radiation and far ultraviolet rays |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP56212729A patent/JPS58113932A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558243A (en) * | 1978-10-24 | 1980-04-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Highly sensitive positive resist composition |
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| JP2023003342A (ja) * | 2021-06-23 | 2023-01-11 | 日本ゼオン株式会社 | レジストパターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0358103B2 (ja) | 1991-09-04 |
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