JPS6096492A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光記録媒体
とその製造方法に関する。

先行技術 光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出しヘッドが
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため、種々の光記録媒体の開発研究が行
われている。

このような光記録媒体のうち、暗室による画像処理が不
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。

このヒートモードの光記録媒体は一１記録光を熱として
利用する光記録媒体であり、その１例として、レーザー
等の記録光で媒体の一部を融解、除去等して、ピットと
称される小穴を形成して書き込みを行い、このピットに
より情報を記録し、このピットを読みピし光で検出して
読み出しを行うピント形成タイプのものがある。

このようなピット形成タイプの媒体、特にそのうち、装
置を小型化できる半導体レーザーを光源とするものにお
いては、これまで、Ｔｅを主体とする材料を記録層とす
るものが大半をしめている。

しかし、近年、Ｔｅ系材料が有害であること、そしてよ
り高感度化する必要があること、より製造コストを安価
にする必要があることから、Ｔｅ系にかえ１色素を主と
した有機材料系の記録層を用いる媒体についての提案や
報告が増加している。

例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザー用としては、スクワリリウ
ム色素〔特開昭５Ｂ−４８２２１号、ｖ。

Ｂ、Ｊｉｐｓｏｉ　ａｎｄ　Ｃ，Ｒ，Ｊｏｎｅｓ、Ｊ、
Ｖａｃ、　Ｓｃｉ、　Ｔｅｃｈ−ｎｏｌ、、　＋８　（
１）　＋０５　（１８８１）　）や、金属フタロシアニ
ン色素（特開昭５７’−８２０９４号、同５７−８２０
９５号）などを用いるものがある。

また、金属フタロシアニン色素を半導体レーザー用とし
て使用した例（特開昭５Ｅｌ−８８７１１５号）もある
。

これらは、いずれも色素を蒸着により記録層薄膜とした
ものであり、媒体製造上、Ｔｅ系と大差はない。

しかし、色素蒸着膜のレーザーに対する反射率は一般に
小さく１反射光量のピットによる変化（減少）によって
読み出し信号をうる、現在性われている通常の方式では
、大きなＳ／Ｎ比をうることができない。

また、記録層を担持した透明基体を、記録層が対向する
ようにして一体化した、いわゆるエアーサンドイッチ構
造の媒体とし、基体をとおして書き込みおよび読み出し
を行うと、書き込み感度を下げずに記録層の保護ができ
、かつ記録密度も大きくなる点で有利であるが、このよ
うな記録再生方式も１色に＠着膜では不可能である。

これは、通常の透明樹脂製基体では、屈折率がある程度
の値をもち（ポリメチルメタクリレートで１　、５）　
、また、表面返討率がある程度大きく（同　４％）、記
録層の基体をとおしての反射率か、例えばポリメチルメ
タクリレートでは６０％程瓜以下になるため、低い反射
率しか示さない記録層では検出できないからである。

色素蒸着膜からなる記録層の、読み出しのＳ／Ｎ比を向
上させるためには、通常、基体と記録層との間に、Ａ見
等の蒸着反射膜を介在させている。

この場合、蒸着反射膜は、反射率を上げてＳ／Ｎ比を向
上させるためのものであり、ピット形成により反射膜が
露出して反射率が増大したり、あるいは場合によっては
、反射膜を除去して反射（Ｋを減少させるものであるが
、当然のことながら、基体をとおしての記録再生はでき
なし）。

同様に、特開昭５５−１６１８９０号には、ＩＲ−１３
２色素（コダック社製）とポリ酢酸ビニルとからなる記
録層、また特開昭５７−７４８４５号には、ｌ。

１′−ジエチル−２，２′−）リカルポシアニン　イオ
ダイドとニトロセルロースとからなる記録層、すｌ”＋
　ニＩｔ　Ｋ、Ｙ、Ｌａｗ、　ｅｔ　ａｌ、　、　Ａｐ
ｐｌ。

Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ、３９　（９）　？＋８　（１８
８１）には、３゜３′−ジエチル−１２−アセチルチア
テトラカルボシアニンとポリ酢酸ビニルとからなる記録
層など、色素と樹脂とからなる記録層を塗布法によって
設層した媒体が開示されている。

しかし、これらの場合にも、基体と記録層との間に反射
膜を必要としており、基体裏面側からの記録再生ができ
ない点で１色素蒸着膜の場合と同様の欠点をもつ。

このように、基体をとおしての記録再生が可能であり、
Ｔｅ系材料からなる記録層をもつ媒体との互換性を有す
る、有機材料系の記録層をもつ媒体を実現するには、有
機材料自身が大きな反射率を示す必要がある。

しかし、従来、反射層を積層せずに、有機材料の単層に
て高い反射率を示す例はきわめて少ない。

わずかに、バナジルフタロシアニンの蒸着膜が高反射率
を示す旨が報告ＣＰ、Ｋｉマｉｔｓ、ｅｔａｌ、、Ａｐ
ｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　Ｐａｒｔ　Ａ　２Ｂ　（２）　１
０１　（１９８１）、特開昭５５−９７０３３号〕され
ているが、おそらく昇華温度が高いためであろうと思わ
れるが、書き込み感度が低い。

また、チアゾール系やキノリン系等のシアニン色よやメ
ロシアニン色素を用いる旨が報告〔山木他、第２７回　
応用物理学会予稿集　１ｐ−Ｐ−９（１９８０））され
ており、これにもとづく提案が特開ＩＭ（５Ｂ−１１２
７９０号になされているが、これら色素は、特に塗膜と
して設層するときに、溶剤に対する溶解度が小さく、ま
た結晶化しやすく、さらには読み出し光に対してきわめ
て不安定でただちに脱色してしまい、実用に供しえない
。

このような実状に鑑み、本発明者らは、先に、溶剤に対
する溶解度が高く、結晶化も少なく、かつ熱的に安定で
あって、塗膜の反射率が高いインドレニン系のシアニン
色素を単層膜として用いる旨を提案している（特願昭５
７−１３４３８７号、同５７−１３４１７０号）。

また、インドレニン系、あるいはチアゾール系、キノリ
ン系、セレナゾール系等の他のシアニン色素においても
、長鎖アル午ル基を分子中に導入して、溶解性の改善と
結晶化の防止がはかられることを提案している（特願昭
５７−１８２５８８号、同　５７−１７７７７８号等）
。

さらに、光安定性をまし、特に読み出し光による脱色（
再生劣化）を防止するために、シアニン色素にクエンチ
ャ−を添加する旨の提案を行っている（特願昭５７−１
８８８３２号、同５７−１８８０４８号等）。

ところで、基体としては、熱伝導度、平滑性、製造コス
トあるいは透明性等の点で、樹脂製のものを用いること
が有利である。

しかし、樹脂製の基体上に、直接記録層を塗布によって
形成する時には、塗布溶媒により基体がおかされ、記録
層の反射率が低下し、読み出しのＳ／Ｎ比が十分高くと
れないという欠点がある。

また、長期保存に際し、色素その他が基体樹脂中に溶解
拡散してしまい、反射率が経時的に劣化するおそれもあ
る。

そして、古き込みの際の記録層の発熱により、基体表面
が熱的に変形して凹凸ができ、反射率が低下してしまう
。

さらには、このような媒体は、一旦書き込みを行ったの
ち、これを光や熱などを用いて消去し、次いでｉｌＦ書
き込みを行うサイクルをくりかえし何回も行うことがで
きるが、このときにも消去再書き込みの履歴にもとづく
凹凸が基体表面に生じ、反Ｑ４÷１１が低下してしまう
。

そして、これら古き込みや、消去にもとづく反射率低下
は、使用する塗布溶媒の影響によって、より一層大きく
なる。

また、特に、ノ＾体表面にトラッキング用の溝がスタン
パ−等によって形成されているときには、塗布溶媒の影
響や熱変形によって、トラッキングエラー信号も低下し
てしまう。

そして、これら種々の不都合は、基体をとおして書き込
みと読み出しを行うようなとき、より−・層重大なもの
となる。

ＩＩ　発明の目的 本発明の目的は、特に樹脂製の基体上に記録層を担持さ
せる場合において、書き込みや消去による反射率の低下
力く少なく、また、記録層を塗設するときも塗布溶媒に
よる反射率の低下や保存劣化が少なく、さらにはトラッ
キング用の溝が基体表面に形成されているときにもトラ
ッキングエラー信号の低下が少なく、モして基体側から
書き込みと読み出しを支障なく行うことができる光記録
媒体とその有利な製造方法を提供することにある。

このような目的は、下記の第１および第２の発明によっ
て達成される。

すなわち第１の発明は、 基体表面に放射線により硬化６丁能な化合物またはその
組成物を設層し、放射線を照射して硬化してなる下地層
を有し、この下地層上に記録層を有することを特徴とす
る光記録媒体である。

また第２の発明は、 基体表面に、放射線により硬化口ｆ能な化合物またはそ
の組成物を設層し、次いで、放射線を照射して硬化を行
うことにより下地層を形成し、この下地層」−に記録層
を設層することを特徴とする光記録媒体の製造方法であ
る。

ＩＩＩ　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明において、基体と記録層間に界在される下地層は
、放射線により硬化可能な化合物またはその組成物を設
層し、これに放射線を照射して硬化したものである。

この場合、放射線により硬化可能な化合物としては、放
射線照射により架橋をおこすもの、例えば、エポキシ系
高分子、シリコーン樹脂、橘かけ型構造のビニル樹脂な
どがあり、このような架橋型ポリマーはそのまま使用で
きるが、通常は、不飽和二重結合を有する化合物が、硬
化速度等の点で有利に用いられる。

このような場合、放射線としては、通常、電子線が用い
られる。

従って、放射線により硬化可能な化合物は、不飽和二重
結合を２個以上有するプレポリマーおよび／またはオリ
ゴマーであってもよい。

また、これらに不飽和二重結合を有する千ツマ−を添加
してもよい。

不飽和二重結合を２個以上有するプレポリマーまたはオ
リゴマーとしては、各種技術分野で公知の、電子線によ
り硬化可能な樹脂のいずれを用いてもよい。

このようなプレポリマーないしオリゴマーの具体例とし
ては下記のようなものがある。

１）エポキシアクリレート ビスフェノール型エポキシ樹脂、例えばエピコート８２
８．１００１等のエポキシ樹脂と７クリル酸のエステル
化物、 多官能のエポキシアクリレート、例えばノボランクエポ
キシの７クリレートなど。

２）ウレタンアクリレート 水酸基残存アルキッド、水酸基残存ポリエステル、ポリ
エーテル、ポリオール等のレジアスボリオールと 分子内に水酸基をもつアクリル酸エステル、例えば２−
ヒドロキシエチルアクリレート、グリシジルメタクリレ
ート・モノアクリレート、ペンタエリスリトール・トリ
アクリレ−Ｉ・等を トリレン・ジイソシアナート、インホロン−ジイソシア
ナート、ヘキサメチレン・ジイソシアナート等のジイソ
シアナートを媒介として反応させたものなど。

３）アクリル酩変性アルキッドないしアクリル変性ポリ
エステル ４）特殊ポリオールの７クリレート 例えば、テルペンフェノールをベースにしたアクリレー
ト、 不飽和アルコールとオレフィンの共重合によって合成さ
れた樹脂状ポリオールを基本骨格とし、これにアクリル
酸をエステル化した樹脂など。

これらのプレポリマーないしオリゴマーは、単独で用い
てもよく、あるいは２種以上混合して用いてもよい。

また、その数平均分子量は１通常、５００〜２０００程
度とする。

さらに、不飽和結合を有する七ツマ−は、通常、これら
プレポリマーないしオリゴマーに対し、１：１０−１０
：１程度用いられる。

不飽和結合を有するモノマーは、単独で用いてもよく、
またその２種以上を混合して用いてもよい。

これら七ツマ−の代表的なものとしては、以下のような
ものがある。

脂肪族ポリオール・ポリアクリレート。

フェノール類にアルキレンオキサイドを付加したポリオ
ールのアクリル酸エステル化物。

ポリエステルアクリレート。

シクロペンタンジエンをベースにしたアクリレート。

ジアリリデンペンタエリスリトールを利用したもの。

アクリロイル基と同時にシクロアセタール基の開環反応
を行うモノマーなど。

特に、　１４体的な七ツマー例としては下記のものがあ
る。

１．４−ブタンジオールジアクリレート。

１．３−ブタンジオールジアクリレート。

ネオペンチルグリコールジアクリレート。

１．６−ヘキサンジオールジアクリレート。

ジエチレングリコールジアクリレート。

トリエチレングリコールジアクリレート。

テトラエチレン午グリコールジアクリレート。

ポリエチレングリコールジアクリレート。

トリプロピレングリコールジアクリレート。

ＰＰＧ（４０（１）ジアクリレート。

トリメチロールプロパントリアクリレート。

トリメチロールエタントリアクリレート。

ペンタエリスリトールトリアクリレート。

ペンタエリスリトールテトラアクリレート。

ジペンタエリスリトールペンタアクリレート。

ジペンタエリスリトールへキサアクリレート。

プロポキシレーテッドトリメチロールプロパントリアク
リレート。

プロポキシレーテッドビスフェノールＡジアジ　リ　し
　−　ト　。

エトキシレーテッドビスフェノールＡシアクリ　し　−
　ト　。

トリス（アクロイルオキシエチル）フォスフェート。

トリス（２−アクロイルオキシエチル）イソシアヌレー
トなど。

なお、このような化合物を含む組成物中には、各種樹脂
、オリゴマー、可塑剤、増感剤。

レベリング剤２分散剤、各種安定剤、紫外線吸収剤、光
線吸収剤、帯電防止剤等が含有されていてもよい、　な
お、電子線にかわり、場合によってはＸ線を硬化に用い
てもよい。

このような、放射線により硬化可能な化合物またはその
組成物は、必要に応じ混練されたのち、もし必要ならば
所定の溶媒、例え（ｆケトン系、エステル系、ハロゲン
系、アルコール系、芳香族系等の溶媒ないしこれらの混
合溶媒などを用い塗布される。

塗布方式としては、スピンナー法、ディップ法、グラビ
アコート法、スプレー法等を用いればよい。

そして、塗布後、２５〜１５０℃程度にて乾燥を行い、
次いで電子線照射される。

電子線は、加速電圧が、０．１−１０００）［＋！Ｖ　
、　＆ＴましくはＱ、５〜３００ＫｅＶのものが好適で
ある。

また、電子線照射量は、通常、０．０１−１００　Ｍｒ
ａｄ程度とする。

なお、硬化雰囲気を窒素、アルゴン、ヘリウムあるいは
これらの混合ガス等の不活性ガス雰囲気中とすると、本
発明の効果はより一層すぐれたものとなる。

なお、用いる電子線加速器には制限はない。

このようにして硬化された被覆層は、一般に０．００５
〜１００　ＪＬ１１程度の厚さとされる。

ただ、基体表面に後述のトラッキング用の溝を形成する
場合、そして、基体側から書き込みゃ読み出しを行う場
合には、０．０１−０．８ＪＬｍ、より好ましくは０．
０３〜０．２７Ａｌｌの厚さとすることが好ましい。

０　、　Ｏｌ　４ｔａ未満では１本発明の効果がなく、
０．８ＪＬ■より大となると、溝によるトラッキングエ
ラー信号が阻害され、かつ基体をとおしての反射率が低
下するからである。

このような下地層を形成する基体は、ガラス、セラミク
ス、金属等であってもよｌ、％が、通常、樹脂製である
。

このとき、本発明の効果が顕著に実現するからである。

用いる樹脂材質としては、アクリル樹脂、ポリカーボネ
ート、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリスチレン、ポ
リサルフオン、ポリエーテルサルフォン、メチルペンテ
ン樹脂等がある。

そして、その片面または両面には、好ましくはトラッキ
ング用の溝が形成され、その上に。

上記の下地層が設層される。

なお、基体をとおして書き込みおよび読み出しを行うと
きには、保護層を設けることなく。

いわゆるサンドイッチ構造等とすることができるが、こ
のときには下地層が片面にだけ設けられる。

また、基体は通常ディスク状をなし、その厚さは通常、
２ＩＬ■〜３■腸程度とされる。

また、好ましい態様において、基体表面に設けられる溝
は、通常スタンパ−による転写フォトリングラフ、カッ
ティング法等によって形成され、基体裏面側から書き込
み・読み出しを行う場合、その深さは、入／　３　ｎ〜
入／　ｌ　３　ｎ、好ましくはλ／　６　ｎ〜入／　ｌ
　Ｏｎ　（ただし、入は、用いるトラッキング検知用の
光（通常、書き込み光および読み出し光で代用する）の
真空中での波長、ｎは、入における基体の屈折率〕ばよ
い。

このような基体上には、記録層が積層される。

本発明の光記録奴体の記録層中には、色素が含有される
。

用いる色素には、特に制限はなく、シアニン系、フタロ
シアニン系、ナフタロシアニン系。

スクワリリウム系、コリンないしコロール系、アントラ
キノン系、アゾ系、トリフェニルメタン系、ピリリウム
ないしチアピリリウム塩系等の色素はいずれも使用可能
である。

ただ、このような中で、本発明による効果が大きいのは
、シアニン色素である。

シアニン色素のなかでは、下記式（１）で示されるもの
が好ましい。

式（１〕 Φ−Ｌ＝９　（Ｘ−）ｍ 下記式（Ｉ）において、Φおよび！は、芳香族環、例え
ばベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、キノ
キサリン環等が縮合してもよいインドール環、チアゾー
ル環、オキサゾール環、セレナゾール環、イミダゾール
環、ピリジン環等をあられす。

これらΦおよび！は、同一でも異なっていてもよいが、
通常は同一のものであり、これらの環には、種々の置換
基が結合していてもよい。

なお、Φは、環中の窒素原子が十電荷をもち、！は、環
中の窒素原子が中性のものである。

これらのΦおよびψの骨格環としては、下記式〔Φ工〕
〜〔Φ双〕で示されるものであることが好ましい。

なお、下記においては、構造はΦの形で示される。

１ 篭 １ 〔Φ■〕 （Ｒ４）　ｑ １ Ｒ。

１ １ ■ Ｒ１ 〔Φ店）　Ｒ＋ このような各積項において、環中の窒素原子（イミダゾ
ール環では２個の窒素原子）に結合する基Ｒ１（Ｒ＋　
、Ｒ１’）は、置換または非置換のアルキル基またはア
リール基である。

このような環中の、窒素原子に結合する基Ｒ１、Ｒ１′
の炭素原子数には、特に制限はない、　また、この基が
さらに置換基を有するものである場合、置換基としては
、スルホン酸基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキ
ルアミド基、アルキルスルホンアミド基、アルコキシカ
ルボニル基、アルキルアミノ基、アルキルカルバモイル
基、アルキルスルファモイル基、水酸基、カルボキシ基
、ハロゲン原子等いずれであってもよい。

なお、後述のｍが０である場合、Φ中の窒素原子に結合
する基Ｒ１は、置換アルキルまたはアリール基であり、
かつ−電荷をもつ。

さらに、Φおよび！の環が、縮合ないし非縮合のインド
ール環（式〔ΦＩ〕〜〔Φ■〕）である場合、その３位
には、２つの置換基Ｒ２。

Ｒ３が結合することが好ましい、　この場合、３位に結
合する２つの置換基Ｒ２，Ｒ３としては、アルキル基ま
たはアリール基であることが好ましい、　そして、これ
らのうちでは、炭素原子数１または２、特に１の非置換
アルキル基であることが好ましい。

一方、Φおよび！で゛表わされる環中の所定の位置には
、さらに他の置換基Ｒ４が結合していてもよい、　この
ような置換基としては、アルキル基、アリール基、複素
環残基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリーロキシ基
、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルカルボニ
ル基、アリールカルボニル基、アルキルオキシカルボニ
ル基、アリーロキシカルボニル基、アルキルカルボニル
オキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルキルアミ
ド基、アリールアミド基、アルキルカルバモイル基、ア
リールカルバモイル基、アルキルアミノ基、アリールア
ミノ基、カルボン酸基、アルキルスルホニル基、アリー
ルスルホニル基、アルキルスルホンアミド基、アリール
スルホンアミド基、アリールスルファモイル基、（、ア
リールスルファモイル基、シアノ基、ニトロ基等、種々
の置換基であってよい。

そして、これらの置換基の数（Ｐ　＊’Ｑ　＋　ｒ　＋
ｓ、ｔ）は、通常、０または１〜４程度とされる・　な
お、Ｐ＋ｑ＊ｒ＋、Ｓ＋ｔが２以上であるとき、複数の
Ｒ４は互いに異なるものであってよい。

なお、これらのうちでは、式〔ΦＩ〕〜〔Φ■〕の縮合
ないし非縮合のインドール環を有するものが好ましい、
　これらは、塗膜性、安定性にすぐれ、きわめて高い反
射率を示し、読み出しのＣ／Ｎ比がきわめて高くなるか
らである。

他方、Ｌは、モノ、ジ、トリまたはテトラカルボシアニ
ン色素を形成するための連結基を表わすが、特に式（Ｌ
Ｉ）〜〔Ｌ■〕のいずれかであることが好ましい。

式（ＬＩ） ＣＨ＝　ＣＨ−ＣＨ＝　ＣＨ−Ｃ＝　ＣＨ−ＣＨ＝　Ｃ
Ｈ−ＣＨ式（ＬＩＩ）　ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ−ＣＨ＝
ＣＨ−ＣＨ式（Ｌｍ） 式（ＬＶ） 式〔Ｌ■）　ＣＩ＋、、、　ＣＩ−Ｃ＝　ＣＩ−ＣＨ式
（Ｌ■）　Ｃｌ１−Ｃ＝ＣＨ ここに、Ｙは、水素原子または１価の基を表わす、　こ
の場合、１価の基としては、メチル基等の低級アルキル
基、メトキシ基等の低級アルコキシ基、ジメチルアミノ
基、ジフェニルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、モ
ルホリノ基、イミダゾリジン基、エトキシカルボニルピ
ペラジン基なとのジ置換アミン基、アセトキシ基等のフ
ルキルカルボニルオキシ基、メチルチオ基等のフルキル
チオ基、シアノ基、ニトロ基、３ｒ、Ｃ１等のハロゲン
原子などであることが好ましい。

また、Ｒ８およびＲ９は、それぞれ水素原子またはメチ
ル基等の低級アルキル基を表わす。

そして、文は、０またはｌである。

なお、これら式（ＬＩ）〜〔Ｌ■〕の中では、トリカル
ボシアニン連結基、＃に式〔Ｌ■〕、（Ｌｍ）、（ＬＩ
Ｖ）、（ＬＶ）が好ましい。

さらに、Ｘ−は陰イオンであり、その好ましい例として
は、Ｉ　−、Ｂ　ｒ　−、Ｃｌ　０４−、Ｂ　Ｒ４−。

ＣＨ３０３０３−，０文０５０３−等を挙げることがで
きる。

なお、ｍはＯまたはｌであるが、ｍが０であるときには
、通常、ΦのＲ１が一電荷をもち、分子内塩となる。

次に、本発明のシアニン色素の具体例を挙げるが、本発
明はこれらのみに限定されるものではない。

色老榔　免工ｙ　ｌＬ工Ｊ上　ｊＬＩＪＬＩＤｉ　（Φ
Ｉ）　ＣＨ３ＣＨ３ Ｄ２　′　〔ΦＩ）　ＣＨ３ＣＨ３ Ｄ３　（Φｉ）　Ｃ２Ｈ４０ＨＣＨ３ Ｄ４　（４＋Ｉ）　１ｃＨＩＨ３潮：、、、Ｃ）（３Ｄ
５　（ΦＩＩ　）　ＣＨ３ＣＨ３ Ｄ６　（ＯｎＩ）　（（ｇＨｚ　３３　Ｓｇａ　：ｌ：
　Ｎａ”　ＣＨ３Ｄ７　（Φｍ）　ＣＨ２ＣＨ２０ＨＣ
Ｈ３Ｄ８　（Φｍ）　（ＣＨ２）２　０ＣＯＣＨ３ＣＨ
３Ｄ　９　（Ｏｍ）　（ＣＨ２）２　０ＣＯＣＨ３ＣＨ
３０１５（１！１ｍ）　ＣＨ３ＣＨ３ ０１５（Ｏｍ）　ＣＨ３’ＣＨ３ Ｄ１２　〔ΦＩ）　Ｃｌ８Ｈ３７ＣＨ３０１５〔ΦＩ）
　Ｃａ　Ｉ９　Ｃ）１３０１４　（ΦＩ）　Ｃ３Ｈ１６
０ＣＯＣＨ５ＣＨ３０１５（Φｔ）　Ｃ７Ｈ，４Ｃ）Ｉ
２０ＨＣＨ３ＲＬ　Ｌ−−ヱー　文　−Ｘ− −（Ｌｎ）　ＨＩ −（ＬＩＩ）　Ｈ０文０４ −　（Ｌｍ）　ＨＩ　Ｂｒ −（ＬＩＩ）　Ｈ− −（ＬＨ）　Ｈ０文０４ −　（Ｌｌｌ）　Ｈ− −（Ｌｌｌ）　Ｈ０文０４ −（Ｌ　ＩＩ　）　ＨＢ　ｒ （Ｌｍ）　−Ｎ　（Ｃｓ　Ｈｔｉ　）２　ｌ　−ＣｆＬ
０４−　（Ｌｌｌ）　ＨＣｆＬＯ４ −（Ｌｍ）　−Ｎ（Ｃ８Ｈ５）２　１　０文０４−　（
ＬＩＩ）　、ＨＩ −（ＬＨ）　ＨＣ見０４ −　（Ｌｍ）、−Ｎ　（Ｃｏ　１（ｓ　）２　１　Ｃｌ
０ａ−（ＬＨ）　Ｈ，Ｉ 色χμ　免−ｖ　１Ｌ−１上′　１Ｌ−１１且ｔＤｌＢ
　（ΦＩＩ）　Ｃ８Ｈ１７ＣＨ３−Ｄ１７　（９ｍ）　
Ｃ８Ｈ１７ＣＨ３−Ｄ１８　〔９ｍ）　Ｃ７Ｈ１，ＣＯ
ＯＣ２Ｈ５ＣＨ３−Ｄ２０　（９ｍ）　Ｃ４Ｈ８ｃｉ−
ｔ３　−Ｄ２１　〔９ｍ）　Ｃｌ８Ｈ３７ＣＨ３−Ｄ２
２　（９ｍ）　Ｃ４Ｈ９ＣＨ３− Ｄ２３　〔ΦＩ）　Ｃ１７Ｈ３４Ｃ００ＣＨ３ＣＨ３−
Ｄ２４　〔ΦＩ）　Ｃ８Ｈ，８０ＣＯＣＨ３ＣＨ３−Ｄ
２５　〔ΦＩ）　Ｃ８Ｈ１７Ｃ２Ｈ５−Ｄ２６　（ΦＩ
）　Ｃ７Ｈ１５Ｃ２Ｈ５−Ｄ２７　（ΦＩＩ）　Ｃ１７
Ｈ３４ＣＯＯＣＨ３ＣＨ３−Ｄ２８　〔ΦＩＩ）　Ｃ８
Ｈ，６ＣＨ２０ＣＯＣＨ３ＣＨ３Ｄ２８　（ΦＩＩ　）
　ＣＩ　？　Ｈ３ｓ　ＣＨ３−Ｌ　Ｙ　又　−Ｘ− （Ｌ　ＩＩ　）　ＨＣＩ　Ｏ４ （Ｌ　ＩＩ　）　Ｈ− （Ｌｌｌ）　ＨＢＦａ （Ｌｍ）　Ｎ　（Ｃｏ　Ｈｓ　）　２　１　ＣｆＬＯａ
（ＬＩＩ）　ＨＣ３ＬＯａ （Ｌ　ＩＩ　）　ＨＣｉｏ、４ （Ｌ　ＩＩ　）　Ｈ１ （Ｌｍ）　−Ｎ（Ｃ６Ｈ５）２　１　１（Ｌ　ＩＩ　）
　ＨＩ （Ｌｌｌ）　ＨＩ （Ｌ　ＩＩ）　Ｈ０文０４ Ｄ３１　（Ｏｍ）　Ｃ７Ｈ，４ＣＨ，、□ＨＣＨ３、−
Ｄ３２　（９ｍ）　Ｃ７Ｈ，、ＣＨ２０ＣＯＣ２Ｈ５Ｃ
Ｈ３−Ｄ３３　〔Φｍ〕　Ｃ１７Ｈ３４ＣＯＯＣ２Ｈ５
ＣＨ３−Ｄ３４　（９ｍ）　Ｃ，７Ｈ３５ＣＨ３−Ｄ３
５（９ｍ）　Ｃ７Ｈ，５Ｃ２Ｈ５−Ｄ３Ｂ　〔Φ■）　
ＣＨ３ＣＨ３− Ｄ３７　〔ΦｒＶ）　ＣＨ３ＣＨ３− Ｄ３８　〔Φ■）　’　Ｃ４Ｈ９ＣＨ３−Ｄ３８　〔Φ
ＩＶ）　（ＣＨ２）２　０ＣＯＣＨ３ＣＨ３−０４０（
４１Ｖ）　Ｃ２Ｈ５−４−ＣＨ５Ｄ４１　（ΦＶ）　Ｃ
Ｈ３−４−ＣＨ５Ｄ４２　（Φ■）　Ｃ２Ｈ５−− Ｄ４３　〔ΦＶｌ）　Ｃ２Ｈ５−５−Ｃ見Ｄ４４　〔Φ
■〕　Ｃ２Ｈ４−５−０ＣＨ３Ｌ　Ｙ　Ｉ　Ｘ （Ｌ　ＩＩ　）　ＨＣ交０４ （Ｌ　ＩＩ　）　ＨＣ交０４ （Ｌ　ＩＩ　）　Ｈ１ （Ｌｍ）　−Ｎ（Ｃ６Ｈ５）２　１　Ｉ（ＬＩＴ）　Ｈ
Ｉ　Ｉ （Ｌ　ＩＩ　）　ＨＩ （Ｌ　ＩＩ　）　ＨＩ （Ｌｌｌ）　ＨＣ１０４ （Ｌ　ＩＩ　）　ＨＣ見０４ （Ｌ　Ｉｆ　）　ＨＩ （Ｌ　ＩＩ　）　ＨＩ （Ｌｌｌ）　Ｈ’　１ （Ｌｌｌ）　ＨＢｒ （Ｌｍ）　−Ｎ　（Ｃ６Ｈ５）２　１　Ｂｒ（Ｌ　ＩＩ
ゴ　ＨＣ）１３Ｃ６Ｈ４Ｓｏ３匹友μ　ｏｖ　７上　ｌ
Ｌ工ｕＬＬＬ Ｄ４Ｂ　〔ΦＶｌ）　Ｃ２Ｈ５−− Ｄ４７　〔ΦＶｌ）　Ｃ２Ｈ５−− Ｄ４８　〔Φ■〕　Ｃ２Ｈ３ Ｄ４８　〔Φ■〕　Ｃ２Ｈ５ 一一―阿−１−■■■■１ Ｄ５０　〔ΦＶｌ）　Ｃ２Ｈ５−− Ｄ５１　〔Φ■〕　Ｃ２Ｈ３ Ｄ５２　〔Φ■〕　Ｃ２Ｈ３ Ｄ５３　〔Φ■）　（ＣＨ）　０ＣＯＣＩ（３−−３ Ｄ５４　〔ΦＶＩ）　ＣＨ２ＣＨ２０Ｈ−５−ＣＩＤ５
５　（Φ■）　Ｃ２Ｈ３ Ｄ５６　〔ΦＩＸ）　Ｃ２Ｈ５−− Ｄ５７　〔ΦＩＸ）　Ｃ２Ｈ５’　−−Ｄ５８　〔ΦＩ
Ｘ）　Ｃ２Ｈ５−− Ｄ　５９　（ｅ　Ｘ　）　Ｃ２，Ｈ５ Ｄ６０　〔ΦＸＩ）　ＣＨ２０Ｍ２０ＨＬ　Ｙ−−文−
　Ｘ− （ＬＩＴ）　ｌ　Ｂ　ｒ （Ｌｌｌ）　ＨＢｒ （ＬＩ）　ＨＢｒ （ＬＩＩ）　ＣＨ３Ｂｒ （ＬＶ）　ＨＩ　Ｂ　ｒ （ＬＶ）　ＨＩ　Ｂ　ｒ （ＬＶ［）　−１Ｂｒ （Ｌｍ）　−Ｎ（Ｃ６Ｈ６）２　１　０Ｈ３Ｃ，Ｈ４５
Ｏ３（Ｌ　ＩＩ　）　ＣＨ２Ｏ，ｌ（、ＳＯ３（ＬＩｌ
）　ＨＢｒ （Ｌｌｌ）　ＨＢｒ （Ｌ　ｍ　）　ＯＣＨ３１Ｉ （Ｌ　ＩＩ　）　ＨＩ （Ｌｌｌ）、　ＨＢｒ ム人μ　免工％ＰＬＬ工１上′　ＬＬ工ｊＬ！ＬＦＬＬ
Ｄｅｌ　〔Φ刈〕　Ｃ２Ｈ３ Ｄ８２　（Φ刈）　（ＣＨ２）３０ＣＯＣＨ３−−Ｄ６
３　〔Φ虐）　Ｃ２Ｈ５７− Ｄ６４　〔Φ瑠〕　ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２５Ｏ３Ｈ−Ｄ６
５　〔Φ虐）　Ｃ２Ｈ３ Ｄ６６　（ΦＷ）　Ｃ２Ｈ３ Ｄ８７　〔Φ双）　Ｃ２Ｈ５−− −４−ＣＨ Ｄ８８　〔ΦＶｌ　）　Ｃａ　Ｈ１７ Ｄ６８　〔Φ■〕　Ｃｌ８Ｈ３７−− Ｄ７０　〔ΦＩＩＴ）　Ｃ８Ｈ，７ −５−ＣＮ ０７１　（ΦＶｌ）　、Ｃ３Ｈ１□ −５−Ｃ５ Ｄ７２　〔ΦＶｌ）　Ｃｌ８Ｈ３□ Ｄ７３　〔ΦＩｎ）　Ｃ３Ｈ１□　−ｒ’１ｇ：ＥＤ７
４　（ΦＶｌ）　Ｃ８Ｈ１７−５−ＱＣ）Ｌ　Ｙ　−ニ
ー　−Ｘ− （Ｌ　ＩＩ　）　ＨＩ （Ｌｌｌ）　ＨＩ （Ｌｍ）　−Ｎ（Ｃａｌ（６）２　１　Ｃ交０４（Ｌｍ
）　Ｎ　（ＣＢ　ＨＦ＋　）　２　１　Ｉ（Ｌｌｌ）　
ＨＢ、 （ＬＩＩ）　ＨＢｒ ３　（Ｌｌｌ）　ＨＩ （Ｌｍ）　−Ｎ（Ｃ６Ｈ５）２　１　Ｂｒ（Ｌｌｌ）　
ＨＣ見０４ （Ｌｍ）　−Ｎ　（Ｃ６Ｈ５）　２　１　Ｃ見０４（Ｌ
　ＩＩ　）　ＨＩ Ｆ３　（Ｌｌｌ）　Ｈ１ ［３ ［３（Ｌ■）　−１Ｉ リ傷　＋、３！Ｌユｌ−′　シ―」ユ　ｈＤ７８〔ΦＶ
ｌ）　Ｃｌ８Ｈ３７−５−Ｃ立Ｄ７７　〔Φ１１　）　
ｃ　ｅ　Ｈ１□　−Ｄ７Ｂ　〔Φ■〕　Ｃ３Ｈ１□　− Ｄ７８　〔ΦＶｌ）　Ｃｌ８Ｈ３７−５−Ｃ立Ｄ８０〔
Φ■〕Ｃｌ８Ｈ３□　−５−Ｃｕｏ　ａｌ（Ｏｖ＋　）
　ｃ　ａ　Ｈ１７−Ｄ８２　〔ΦＶｌ）　Ｃ８Ｈ，□　
− Ｄ８３　〔ΦＶｌ）　Ｃ８Ｈ，□　−−Ｄ８４　〔Φ■
〕　Ｃ３Ｈ１□　− Ｄ８５　〔Φ■）　Ｃｌ８Ｈ３７ Ｄ８Ｇ　〔Φ■）　Ｃ１３Ｈ２？　−−Ｄ８７　〔Φ■
）　Ｃ１３Ｈ２□　−−Ｄ８８　〔Φ■）　ＣｅＨ＋。

　−− Ｄ８９　〔Φ■”　８’１７　、−− Ｄ９０　〔Φ■）　Ｃｌ８Ｈ３□　−−ｌ　Ｙ　立　Ｘ （ＬＩ［［）　−Ｎ（Ｃ８Ｈ５）２　１　Ｂｒ（Ｌ　Ｉ
Ｉ　）　ＮＤ　ＣＯＯＣ２Ｈｓ　”（Ｌ　ＩＩ　）　Ｈ
Ｉ （Ｌ　１１　）　ＨＣＨ３Ｃ６Ｈ４５Ｏ３（Ｌ　ＩＩ　
）　ＨＣ交Ｃ６）１４Ｓｏ３（ＬＶ）　ＨＩ　Ｉ （ＬＶ’ｌ）　、　ＨＩ　Ｂｒ 〔Ｌ■）　Ｉ （ＬＩＩＩ）　−Ｎ（Ｃ６Ｈ５）２　１　Ｂｒ（Ｌ　Ｉ
Ｉ　）　Ｉ（ＣＨ３１１１：８）１４ＳＯ３（Ｌｌｌ）
　ＨＢｒ （Ｌｌｌ）　ＨＢｒ （Ｌｍ）　−ＮＤＣ，０ＯＣ２Ｈ５１”０４（ＬＩＩＩ
）　ＯＣＨ３１１ （Ｌ　ＩＩ　）　ＨｃＨ３ｃ８）Ｉ４ｓｏ３υ１　Ｌ」
　紅−肛　紅−Ｌ− Ｄ９１　〔Φ■〕　Ｃ３Ｈ１７ Ｄ９２　〔Φ■）　Ｃｌ８Ｈ３７ Ｄ９３　（Φ尺）　Ｃ３Ｈ１□ Ｄ８４　〔Φ刈）　Ｃ８Ｈ１７− Ｄθ５　〔Φ■〕　Ｃ３Ｈ１□　− Ｄ８６　〔Φ刈）　Ｃｌ３Ｈ２□　−５０８７〔Φ■）
　Ｃ８Ｈ１７− Ｄ８８　〔９店）　０１８Ｈ３□　− Ｄ９θ　〔Φ凄）　ｃ８Ｈ，□　− Ｄｌｏｏ　（Φ双）　Ｃ３Ｈ１□　− ＤＩＯｌ（Φｖ　）　ｃ　ｓ　ＨＩ？　−Ｄ＋０２　、
（Φ■）　Ｃ８Ｈ１７− Ｄ１０３　（９店）　Ｃ８１（１□　−ＤｌＧ４　（Φ
Ｉ）　ＣＨ２ＣＭ２ＯＣＯＣＨ３ＣＨ３１１１（ΦＩ　
）　ＣＨ２０Ｈ２０）Ｉ　ＣＨ３０１０６（Φｍ　）　
ＣＨａ　ＣＨ３ 紅り上止上 −（ＬＩＩ）　Ｈｆｌ：）Ｉ３Ｃ８Ｈ，５ｏ３−　（Ｌ
ＩＩＩ）　−Ｎ（Ｃｏ１（５’）２１　Ｃ）１３０６）
１４Ｓｏ３−　（Ｌｌｌ）　ＨＢｒ −（Ｌ’ＩＩ）　’Ｈ”　１ −Ｃ立（ＬＩＩ）　Ｈ１ −’（Ｌｍ）　−Ｎ（Ｃ６Ｈ５）２１　Ｂｒ（Ｌｍ）　
−Ｎ（Ｃ６Ｈ５）２１　’　Ｂｒ−（ＬＩＩ）　−ＨＢ
ｒ −（Ｌｌｌ）　ＨＢｒ −（Ｌｌｌ）　ＨＢｒ −（ＬＩＥ）　ＨＢｒ −（Ｌｌｌ）　ＨＢｒ −（ｔｕ）ＨＣ交０４″ （ＬＩＩ）　ＨＢｒ −（ＬＶＩ）　ＢＹ　Ｉ　Ｃ交０４ 仁人ｊ　免、ｙ　且ニーｎ’　ｕユ」ユＤＩ０７　（Φ
Ｉ）　Ｃ２Ｈ４ＣＨ３ ＤＩ０８　（ΦＩ）　Ｃ２Ｈ５ＣＨ３ ０１２１（ΦＩ）　Ｃ２Ｈ５’　ＣＨ３Ｄｌｌ−（１（
ΦＩ）　Ｃ２Ｈ５Ｃ１（３ＤＩＮ　（ΦＩ）　Ｃ２Ｈ５
ＣＨ３ ０１２１（ΦＩ）　Ｃ２Ｈ５ＣＨ３ ０１２１（ΦＩ）　Ｃ２Ｈ５ＣＨ３ ０１２１（ΦＩ）　Ｃ２Ｈ５ＣＨ３ ０１２１（ΦＩ）　ＣＨ３ＣＨ３ ０１２１（ΦＩ）　ＣＨ３ＣＨ３ ０１２１（ΦＩ）　ｎ−Ｃ４Ｈｇ　ＣＨ３Ｉ）１１８　
（ΦＩ）　ｎ−Ｃ３Ｈ，３ＣＨ３０１２１（ＯＩ）（（
ＣＨｚ）ａｓ：ａ；（ＣＨ３０１２１（ΦＩ）　Ｃ２Ｈ
５ＣＨ３ ０１２１（ＯＩ）　ＣＨ３ＣＨ３ −ｌ１　Ｌ　Ｙ　ｉ　Ｘ− ５−Ｃ６Ｈ５ＳＯ２（Ｉ４Ｉ）　Ｂｒ　１　１５−Ｃ６
Ｈｂ　３０２　（Ｌｍ）　ＣＪＩ　Ｉ　Ｃ３ＬＯａ５−
Ｃ６Ｈ５ＳＯ２（Ｌｍ）　Ｃ１Ｉ　Ｈ５−Ｃｏ　Ｈｓ　
Ｓ０２　（Ｌｍ）　０文　ｌＣＨ３Ｃ６Ｈ４Ｓ０３５−
Ｃ６Ｈ５３０２（ＬＶＩ）　Ｃ１ｌ　ＢＦ４５−Ｃ６Ｈ
５ＳＯ２（ＬＶＩ）　Ｃ１Ｉ　０文０４５−Ｃｏ　Ｈｓ
　Ｓ０２　（ＬＶＩ）　Ｃｌ　１　１５−Ｃ６Ｈ５ＳＯ
２（ＬＶＩ）　Ｃ１Ｉ　Ｃ）Ｉ２Ｏ３）１，５Ｏ３５−
Ｃｓ　Ｈ５５０２（ＬＶＩ）　０文　ｌ　０文０４５−
Ｃ６Ｈ５ＳＯ２（Ｌ■〕　Ｃ１１１５−（：ａ　Ｈ５５
０２（ＬＶＩ）　Ｃ１Ｉ　ＣｌＯ４５−Ｃａ　Ｈ５３０
２’　（ＬＶＩ）　０文　ＩＣＣｌ０４５Ｃｏ　Ｈ５５
０２（ＬＶＩ）　０文　１　−５−ＣａＨ５３０２（Ｌ
ＶＩ）　Ｎ−＝ｌニーＣ（：Ｎ　ｌ　−５−Ｃａ　ＨＦ
Ｉ　５０２　（ＬＶＩ）　Ｎ−礼一〇−ＣＮ　ｌ　−巳
友μ　免−ｙ　ＲＬ−ＬＬ　１Ｌ−１ユＤ１２２　（Φ
Ｉ）　Ｃ２Ｈ５ＣＨ３−Ｄ１２３　（ΦＩ）　Ｃ２Ｈ５
ＣＨ３ ０１２１（ΦＩ）　Ｃ２Ｈ５ＣＨ３ ０１２１（ΦＩ）　Ｃ２Ｈ６ＣＨ３ ０１２１（ΦＩ）　Ｃ２Ｈ５ＣＨ３ ０１２１（ΦＩ）　Ｃ２Ｈ５ＣＨ３ ０１２１（ΦＩ）　Ｃ２Ｈ５ＣＨ３ ０１２１ＣΦ周）　ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２−ＤＩ３１　（
Φ周）　ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２−Ｄ１３２　（Φ潤）　Ｃ
Ｈ２＝ＣＨＣＨ２−Ｄ１３３　（Φ潤）　ＣＨ２＝ＣＨ
ＣＨ２−Ｄ１３４　（Φ府）　ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２−Ｄ
１３５　（Φ廟）　ｔ、ＣＨ２０Ｃ）１３　−（ＣＨ２
Ｌｓ　Ｎ　（ＣＨ３）　２　−−且工　Ｌ　Ｙ−−文−
Ｘ− ５−Ｃ６Ｈ５Ｃｏ　（Ｌｍ）　Ｃ１ｌ　Ｈ５−Ｃ６Ｈ５
Ｃｏ　（Ｌｍ）　Ｂｒ　ｌ　Ｈ５−Ｃａ　Ｈ５Ｃｏ　（
Ｌｍ）　０文　Ｉ　Ｃｌ０４５−Ｃ６Ｈ５ｃｏ　（Ｌｍ
）　Ｃ１ｌ　Ｃｌ５Ｃ６）１，５Ｏ３５−Ｃａ　Ｈｓ　
Ｃｏ　（Ｉｌｌｌ）　０文　Ｉ　０文０４５−Ｃ８Ｈ５
ＣＯ（ＬＶＩ）　Ｃ１ｌ　Ｈ５−Ｃａ　Ｈ５ＣＯ（ＬＶ
Ｉ）　Ｃｌ　ｔ　ｃ）Ｉ３Ｃ６Ｈ，５ｏ３ｓ−ｃ６Ｈ５
ＧＯ−ΦＩ　（Ｌｍ）　ＨＣＨ３Ｃ６Ｈ４５ｏ３−　（
Ｌｍ）　ＨＣ）１３Ｃ６Ｈ４Ｓｏ３５−Ｃｌ　〔Ｌｍ）
　ＨＣ）１３Ｃ８Ｈ４ＳＯ３５−Ｃ６Ｈ５５０２（Ｌｍ
）　ＨＣ）Ｉ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ３５−Ｃａ　Ｈ５Ｃｏ　（
ＬＶＩ［）　ＨＣｆ１０４（５−ＮＯ２（Ｌ■〕ＨＣＨ
３Ｃ６Ｈ２Ｓ０３−Ｃ１ （５−Ｃｏ　Ｈ５３０２（Ｌｍ）ＨＣｌ０４−ＮＯ２ 仁人μ　免工’ＰＬＬユＪ上′　且し工ｈＤ１３ｆｌｌ
　（Φ勲）　Ｃ６Ｈ５− Ｄ１３７　（Φ潤）　Ｃ２Ｈ４０ＣＨ３−Ｄ１３８　（
Φ勲）　ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２−Ｄ１３９　（Φ勲）　Ｃ
２Ｈ４０ＣＨ３−Ｄ１４０　（Φ請）　Ｃ２Ｈ４０ＣＨ
３−Ｄ１４１　（Φ廟）　ＣＨ２ＣＨＣＨ２−Ｄ１４２
　（ΦＩ）　”ＣＨ３ＣＨ３ Ｉ）１４３　ｔ：ΦＩ）　Ｃ１３ＣＨ３Ｄ１４４　（Φ
Ｉ）　Ｃ２Ｈ４０ＣＯＣＨ３ＣＨ３−ｌ１　Ｌ　Ｙ　文
　Ｉ ５−ＣＢ　Ｈ５ＳＯ２（Ｌ■）　ＨＣ）Ｉ３Ｃ６Ｈ４Ｓ
ｏ３５−ＮＯ２（ＬＶＩ）　ＨＣ８３Ｃ６）１，５ｏ３
５−ＮＯ２（Ｌ■）　ＨＣｌ０４ ５−Ｃ６Ｈ５５０２（Ｌ■）、　Ｈ０Ｈ３Ｃ６Ｈ４Ｓｏ
３５−Ｃ６Ｈ５３０２（Ｌ■）　ＨＣ１０４ＮＯ２（Ｌ
■）ＨＣ文０４ ＣＨ３ＣＯ（ＬＩＩ）　ＨＣ文０４ ＣＨ３ＣＯ（Ｌｌｌ）　１（ｌ ＣＨ３ＣＯ（ＬＩＩ）　ＨＩ （５−Ｎ０２−ΦＶｌ　（Ｌ■）ＨＩ ５−Ｃ６Ｈ３ＣＯ−Φ廟 （５−Ｎ０２−ΦＶｌ　（Ｌ■）Ｈ− ５−Ｃ，Ｈ５Ｓ０２　−Φ腫 このような色素は、大有機化学（朝食書店）含窒素複素
環化合物Ｉ４３２ページ等の戊書に記載された方法に準
じて容易に合成することができる。

すなわち、まず対応するΦ′−ＣＨ３（Φ′は前記Φに
対応する環を表わす。）を、過剰のＲＩ　Ｉ　（Ｒｔは
アルキル基またはアリール基）とともに加熱して、Ｒ１
をΦ′中の窒素原子に導入してΦ−ＣＨ５Ｉ−を得る。

　次いで、これを不飽和ジアルデヒドまたは不飽和ヒド
ロキシアルデヒドとアルカリ触媒を用いて脱水縮合すれ
ばよい。

さらに、このような色素は、通常、単量体の形で記録層
中に含有させられるが、必要に応じ、重合体の形で含有
させられてもよい。

この場合、重合体は、色素の２分子以上を有するもので
あって、これら色素の縮合物であってもよい。

例えば、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−５０３Ｈ等の官能基の
１種以上を、１個または２個以上有する上記色素の単独
ないし共縮合物。

あるいはこれらと、ジアルコール、ジカルボン酸ないし
その塩化物、ジアミン、ジないしトリイソシアナート、
ジェポキシ化合物、酸無水物、ジヒドラジド、ジイミノ
カルボナート等の共縮合成分や他の色素との共縮合物が
ある。

あるいは、上記の官能基を有する色素を、単独で、ある
いはスペーサー成分や他の色素とともに、金属県架′橘
剤で架橋したものであってもよい。

この場合、金属系架橋剤としては、 チタン、ジルコン、アルミニウム等のアルコキシド、 チタン、ジルコン、アルミニウム等のキレート（例えば
、β−ジケトン、ケトエステル、ヒドロキシカルボン酸
ないしそのエステル、ケトアルコール、アミノアルコー
ル、エノール性活性水素化合物等を配位子とするもの）
、チタン、ジルコン、アルミニウム等のアシレートなど
がある。

さらには、−ＯＨ基、−０ＣＯＲ基　および−ＣＯＯＲ
基（ここに、Ｒは、置換ないし非置換のアルキル基ない
しアリール基である）のうちの少なくとも１つを有する
色素の１種または２種以」二、あるいはこれと他のスペ
ーサー成分ないし他の色素とをエステル交換反応によっ
て、−ＣＯＯ−基によって結合したものも使用Ｏｆ能で
ある。

この場合、エステル交換反応は、チタン、ジルコン、ア
ルミニウム等のアルコキシドを触媒とすることが好まし
い。

加えて、」―記の色素は、樹脂と結合したものであって
もよい。

このような場合には、所定の基を有する樹脂を用い、上
記の重合体の場合に準じ、樹脂の側鎖に、縮合反応やエ
ステル交換反応によったり、架橋によったりして、必要
に応じスペーサー成分等を介し、色素を連結する。

さらには、記録層中には、樹脂が含まれていてもよい。

用いる樹脂としては、自己酸化性、解重合性ないし熱可
塑性樹脂が好適である。

これらのうち、特に好適に用いることができる熱可塑性
樹脂には、以下のようなものがある。

ｌ）ポリオレフィン ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ４−メチルペンテ
ン−１など。

ｉｉ）ポリオレフィン共重合体 例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ア
クリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重
合体、エチレンープロヒレン共重合体、エチレン−ブテ
ン−１八重合体、エチレン−無水マレイン酸共重合体、
エチレンプロピレンターポリマー（ＥＰＴ）など。

この場合、コモノマーの重合比は任意のものとすること
ができる。

１ｉｉ）塩化ビニル共重合体 例えば、酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体、塩化ビニル
−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−無水マレイン
酸共重合体、アクリル酩エステルないしメタアクリル酸
エステルと塩化ビニルとの共重合体、アクリロニトリル
−塩化ビニル共重合体、塩化ビニルエーテル共重合体、
エチレンないしプロピレン−塩化ビニルＪ（重合体、エ
チレン−酢酸ビニル共重合体に塩化ビニルをグラフト重
合したものなど。

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。

ｉｉ）　ＩＭ化ビニリデン共重合体 塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン
−塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニリ
デン−ブタジェン−ハロゲン化ビニル共重合体など。

この場合、共重合比は、任意のものとすることがＴきる
。

マ）ポリスチレン マｉ）スチレン共重合体 例えば、スチレン−アクリロニトリル共重合体（Ａｓ樹
脂）、スチレン−７クリロニトリル一ブタジエン共重合
体（ＡＢＳ樹脂）。

スチレン−無水マレイン酸共重合体（ＳＭＡ樹脂）、ス
チレン−アクリル酸エステル−アクリルアミド共重合体
、スチレン−ブタジェン共重合体（ＳＢＲ）、スチレン
−塩化ビニリデン共重合体、スチレン−メチルメタアク
リレート共重合体など。

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。

マｉｉ）スチレン型重合体 例えば、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、２
．５−ジクロルスチレン、α。

β−ビニルナフタレン、α−ビニルピリジン、アセナフ
テン、ビニルアントラセンなど、あるいはこれらの共重
合体、例えば、α−メチルスチレンとメタクリル酸エス
テルとの北舌＾社− マ１ｉｉ）　クマロン−インデン樹脂 クマロン−インデン−スチレンの共重合体。

１りテルペン樹脂ないしピコライト 例えば、α−ピネンから得られるリモネンの正合体であ
るテルペン樹脂や、β−ピネンから得られるピコライト
。

りアクリル樹脂 特にド記式で示される原子団を含むものが好ましい。

１ 」二記式において、Ｒ１０は、水素原子またはアルキル
ノ＾を表わし、Ｒ２０は、置換または非置換のアルキル
基を表わす、　この場合、上記式において、Ｒ１０は、
水素原子または炭素原子数１〜４の低級アルキル基、特
に水素原子またはメチルノ五であることが好ましい。

また、Ｒ２Ｏは、置換、非置換いずれのアルキル基であ
ってもよいが、アルキル基の炭素原子数は１〜８である
ことが好ましく、また、Ｒ２Ｏが置換アルキル基である
ときには、アルキル基を置換する置換基は、水酸基、ハ
ロゲン原子またはアミン基（特に、ジアルキルアミノ基
）であることが好ましい。

このような上記式で示される原子団は、他のくりかえし
原子団とともに、共重合体を形成して各種アクリル樹脂
を構成してもよいが、通常は、上記式で示される原子団
の１種または２種以上をくりかえし単位とする単独重合
体または共重合体を形成してアクリル樹脂を構成するこ
とになる。

ｘｉ）ポリアクリロニトリル ｘｉｉ）アクリロニトリル共重合体 例えば、アクリロニトリル−酢酸ビニル共重合体、アク
リロニトリル−塩化ビニル共重合体、アクリロニトリル
−スチレン共重合体、アクリロニトリル−塩化ビニリデ
ン共重合体、アクリロニトリル−ビニルピリジン共重合
体、アクリロニトリル−メタクリル酸メチル３１合体、
アクリロニトリル−ブタジェンＪ（重合体、アクリロニ
トリル−アクリル酸ブチル共重合体など。

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。

ｘｉｉｉ）タイアセトンアクリルアミドポリマーアクリ
ロニトリルにアセトンを作用させたダイアセトンアクリ
ルアミドポリマー。

！１マ）ポリ酢酸ビニル Ｘマ）酢酸ビニル共重合体 例えば、アクリル酸エステル、ビニルエーテル、エチレ
ン、ｌ１４化ビニル等との共重合体など。

共重合比は任意のものであってよい。

ｘｖｉ）ポリビニルエーテル 例えば、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチル
エーテル、ポリビニルブチルエーテルなど。

Ｉマ１１）ポリアミド この場合、ポリアミドとしては、ナイロン６、ナイロン
６−６、ナイロン６−１Ｏ、ナイロン６−１２、ナイロ
ン９、ナイロンｌｌ、ナイロン１２、ナイロン１３等の
通常のホモナイロンの他、ナイロン８７６−６７６−１
ｏ、ナイロン６／６−６／１２、ナイロン６７ロー６７
１１等の重合体や、場合によっては変性ナイロンであっ
てもよい。

ｘｖｉｉｉ）ポリエステル 例えば、シュウ酸、コハク酸、マレイン酸、アジピン酸
、セバステン酸等の脂肪族二塩基酸、あるいはイソフタ
ル酸、テレフタル酸などの芳香族二塩基酸などの各種二
塩基酸と、エチレングリコール、テトラメチレングリコ
ール、ヘキサメチレングリコール等のグリコール類との
縮合物や、共縮合物が好適である。

そして、これらのうちでは、特に脂肪族二塩基酸とグリ
コール類との縮合物や、グリコール類と脂肪族二塩基酸
との共縮合物は。

特にｒＩｆ適である。

さらに、例えば、無水フタル酸とグリセリンとの縮合物
であるグリプタル樹脂を、脂肪酸、天然樹脂等でエステ
ル化変性した変性グリプタル樹脂等も好適に使用される
。

Ｘ１Ｘ）ポリビニルアセタール系樹″脂ポリビニルアル
コールを、アセタール化して（ＩＩられるポリビニルホ
ルマール、ポリビニルアセクール系樹脂はいずれも好適
に使用される。

この場合、ポリビニルアセタール系樹脂のアセタール化
度は任意のものとすることができる。

１ｇ）ポリウレタン樹脂 ウレタン結合をもつ熱可塑性ポリウレタン樹脂。

特に、グリコール類とジイソシアナート類との縮合によ
って得られるポリウレタン樹脂、とりわけ、アルキレン
グリコールとアルキレンジインシアナートとの縮合によ
って得られるポリウレタン樹脂が好適である。

ｘｘｉ）ポリエーテル スチレンホルマリン樹脂、環状アセタールの開環重合物
、ポリエチレンオキサイドおよびグリコール、ポリプロ
ピレンオキサイドおよびグリコール、プロピレンオキサ
イド−エチレンオキサイド共重合体、ポリフェニレンオ
キサイドなど。

ｘｘｉｉ）セルロース誘導体 例えば、ニトロセルロース、アセチルセルロース、エチ
ルセルロース、アセチルブチルセルロース、ヒドロキシ
エチルセルロース。

ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロース、エ
チルヒドロキシエチルセルロースなど、セルロースの各
種エステル、エーテルないしこれらの混合体。

ｘｘｉｉｉ）ポリカーボネート 例えば、ポリジオキシジフェニルメタンカーボネート、
ジオキシジフェニルブロノくンカーポネーＩ−笠の各種
ポリカーボネート。

ｘｘｉマ）アイオノマー メタクリル酢、アクリル酸などのＮａ。

Ｌｉ、Ｚｎ、Ｍｇ塩など。

！！マ）ケトン樹脂 例えば、シクロヘキサノンやアセトフェノン等の環状ケ
トンとホルムアルデヒドとの縮合物。

ｘｘｖｉ）キシレン樹１１′１１ 例えば、ｍ−キシレンまたはメシチレンとホルマリンと
の綜合物、あるいはその変性体。

ｘｘ月１）石油樹脂 Ｃ！、系、ｃｑ系、ｃ５−ｃｑ、共重合系、ジシクロペ
ンタジェン系、あるいは、これらの共重合体ないし変性
体など。

！！マ１ｉｉ）上記ｉ）〜ＸＸマ１）の２種以上のブレ
ンド体、またはその他の熱可塑性樹脂とのブレンド体。

なお、自己酸化性、熱可塑性等の樹脂の分子量等は、種
々のものであってよい。

このような自己酸化性、熱可塑性の樹脂と、前記の色素
とは、通常、重量比で１対０．１〜１００の広範な量比
にて設層される。

このよ５な記録層中には、クエ／チャーが含有されるこ
しカぐ七手青しい。

これにより、読み出し光のくりかえし照射によるＳ／Ｎ
比の再生劣化が減少する。

また、明室保存による耐光性が向上する。

クエ／チャーとしては１種々のものを用いることができ
るが、特に、再性劣化が減少すること、そして色素結合
」脂との相溶性が良好であることなどから、遷移金属キ
レート化合物であることが好ましい。　この場合、中心
金属としては、Ｎｉ　、　Ｃｏ　、　Ｃｕ　、　Ｍｎ　
、　Ｐｄ　。

Ｐｔ等が好ましく、特に、下記の化合物が好適である。

１）アセチルアセトナートキレート系 Ｑｌ−ＩＮｉ（ｕ）　アセチルアセトナートＱｌ−２Ｃ
ｕ（［１）Ｔセｆル７セトｔ−トＱｌ−３λ４ｒＩ（ｆ
ｆｌ）アセチルアセトナートＱｌ−４Ｃｏ（Ｉ＋）　ア
セチルアセトナート２）下記式で示されるビスジチオ−
α−ジケトノ系 ここに、Ｒ１）〜Ｒ１４＋は、置換ないし非置換のアル
キル基またはアリール基を表わし１ＭはＮｉ　、　Ｃｏ
　、　Ｃｕ　、　Ｐｄ　、　Ｐｔ等ノ遷移金鵡原子を表
わす。

この場合、Ｍは一電荷をもち、４級ア／モニウムイオン
等のカチオ／（Ｃａｔ）と塩を形成してもよい。

なお、以下の記載において、ｐｈはフェニル基、φは１
．４−フェニレン基、φ’は１゜２−フェニレン基、ｂ
ｅｎｚは環上にてとなりあう基が互いに結合して縮合ベ
ンゼ／環を形成することを表わすものである。

−へ　ｎ　寸　の １１１１ へ　へ　へ　ヘ　ヘ Ｏｌ　’：ｙ　Ｃ１ｃｙ　Ｃ ３）下記式で示されるピスノエニルジテオーないし ここに、Ｒ１”　拙番躾−は、水素またはメチル基、エ
チル基などのアルキル基、Ｃｔなとのハロゲン原子、あ
るいはジメチルアミノ基。

ジエチルアミノ基などのアミノ基を表わし。

Ｍは、Ｎｉ　、　Ｃｏ　、　Ｃｕ、Ｐｄ　、　Ｐｔ等の
遷移金属原子を表わす。

また、上記構造のＭは一電荷をもって、４級ア／モニウ
ムイオ７等のカチオｙ（Ｃａｔ）と塩を形成してもよく
、さらＫはＭの上下には、さらに他の配位子が結合して
いてもよい。

このようなものとしては、下記のものがある。

ＺＺＺＺＺＺＺＺＺＺ ＝　工　○　＝　＝　ニ　エ　＝＝＝ この他、特開昭５０−４５０２７号や特願昭５８−１６
３０８０号に記載したものなど。

４）下記式で示されるジチオカルバミン酸キレート系 ここに、１（＋９１およびＲ（ＩＯはアルキル基を表わ
す。　また、ＭはＮｉ　、　Ｃｏ　、　Ｃｕ　、　Ｐｄ
　、　Ｐｔ等の遷移金属原子を表わす。

５）下記式で示される化合物 ここに、Ｍは、遷移金属原子を表わし、表わし、Ｃａｔ
は、カチオンを表わす。

ＱＣａｔ Ｑ５−Ｉ　Ｎｉ　Ｑ１２　２Ｃ□　６Ｈ３３Ｎ”（ＣＨ
３）、。

Ｑ５−２　Ｎｉ　Ｑ１２２（Ｃ４＋−１，）、Ｎ”Ｑ５
−３ＣＯＱ１２２（Ｃ，Ｈ９）４Ｎ＋Ｑ５−４　Ｃｕ　
Ｑ１２２（Ｃ，Ｈ，）、Ｎ”Ｑ５−５　Ｐｄ　Ｑ１２２
（Ｃ２Ｈ５）４Ｎ”この他、特願昭５８　１２５６５４
号に記載したもの。

６）下記式で示される化合物 ここに、 Ｎ１は、遷移金属原子を表わし、 し。

＃ＬｌオヨヒＩ１３ハ、ツレツレ、Ｃ１１１ｉ、　Ｃ０
１３、ｃｏｏ＋ｔｌ１４）　、　ＣＯＮル“３．Ｒ“０
またはＳＯ，鯉を表わし、 ＲＪ３〜ＲＯ７）は、それぞれ、水素原子または置換も
しくは非置換のアルキル基もしくはアリール基を表わし
、 Ｑ２は、５員または６員環を形成するのに必要な原子群
を表わし、 Ｃａｔは、カチオンを表わし、 ｎは１または２である。

Ｃｊ　ｌＪ　Ｏσ　ｆｆＯ’ この他、特願昭５８−１２７０７４号に記載したもの。

７）下記式で示される化合物 ここに、〜１は、遷移金属原子を表わし、Ｃａｔは、カ
チオンを表わし、 ｎは１または２である。

〜ｌ　Ｃａｔ Ｑ７−１Ｎｉ２〔（ｎ−Ｃ４Ｈ９）３ＮＱ７−２　Ｎｉ
　２（ｎ−Ｃ，、Ｈ３３（Ｃ１３）３Ｎ〕この他、特願
昭５８−１２７０７５号に記載したもの。

８）ビスフェニルチオール系 Ｑ！３−ＩＮｉ−ビス（オクチルフェニル）サルファイ
ド ９）トー記式でボされるチオカテコールキレート系 ここに％Ｍは、　Ｎｉ　、　Ｃｏ　、　Ｃｕ　、　Ｐｄ
　、　Ｐｔ等の遷移金属原子を表わす。

また、Ｍは一電荷をもち、カチオン（Ｃａｔ）と塩を形
成していてもよく、ベンゼン環は置換基を有していても
よい。

Ｍ　Ｃａｒ Ｑ９−Ｉ　Ｎｉ　Ｎ’（Ｃ４Ｈ９）　。

１０）下記式で示される化合物 ここに、１…は、１価の基を表わし。

ｔは、０〜６であり。

ＮＩは、遷移金属原子を表わし。

Ｃａｔは、カチオンを表わす。

〜ｒ　ｎＱ１０　ｔ　Ｃａｔ ＱＩ　Ｏ−Ｉ　Ｎｉ　Ｈ−ＯＮ（ｎ−Ｃ，Ｈ，）。

Ｑｌ　Ｏ−２Ｎｉ　Ｃ８３１Ｎ（ｎ−Ｃ，Ｈ９）４この
他、特願昭５８−１４３５３１号に記載したもの。

１１）下記の両人で示される化合物 １−　市） ここに、上記一般式〔■〕および（１）疋おいて。

ｆ　、　ｐｕ　、　ｄ２Ｇおよび岬は、それぞれの水素
原子または１価の基を表わし。

ｒｔＪ　、　ｎ　、−および岬は、水素原子または１価
の基を表わすが、Ｒ′！６と岬、−と−。

−と−は、互いに結合して６員環を形成してもよい。

また９Ｍは、遷移金属原子を表わす。

２１　し　ｉ 駆１−　工 顎１−　エ ヘ１工　＝ 佳１・　・ ＩＩ。

し　み この他、特願昭５８−１４５２９４号に記載したもの。

１２）下記式で示される化合物 ここに、Ｍは、　Ｐｔ　、　ＮｉまたはＰｄを表わシ、
　Ｘ、　、　Ｘ、！、　Ｘ３．　Ｘ、＋！、ツレぞれ、
ｏまたはＳを表わす。

Ｑｌ２−Ｉ　Ｎｉ　ＯＯ００ Ｑ１２−２　Ｎｉ　Ｓ　Ｓ　Ｓ　Ｓ この他、特願昭５８　１４５２９５号に記載したもの。

１３）下記式で示される化合物 ここに、　＋４’ｌｌは、置換もしくは非置換のアルキ
ル基またはアリール基であり、 ＲＥ’ｌ　、　１（（３３）　、　Ｈｐ４１　オヨヒＲ
Ｇ３５）　ハ、水、ｉｉ子または１価の基を表わすが、
ｌ（−とｌ＄３１　、　ＮとＲ（３４１、酸°りとｔｌ
（３！ｌは、互いに結合して６員環を形成してもよい。

また、Ｍは、遷移金属原子を表わす。

Ｑ１３−１　ｎｃ４Ｈ，Ｈ）（ＨＨＮｉＱ］３　２　ｃ
６ｎ５１−Ｉ　ＨＣ２）１５ＨＮ１Ｑ１３−３　ｎＣ，
）−１９ＨＨｂｅｎｚ　Ｎｉこの他、特願昭５８　１５
１９２８号に記載したもの。

１４）下記両式で示される化合物 ユ、：ｙ、Ｉ（！４１１　、　ｌ鶴１乃、　Ｈｊ僧およ
びＷしｔ）は、それぞれ、水素原子または１価の基を表
わすが。

Ｒ（ＩｌｌとＲ・同　Ｈ（１２）と可４場、　Ｒ（轡と
ＲＧシｔ）は、互いえ結合して６員環を形成してもよい
。

また　）（Ｏ５）および母１→は、水素原子または１価
の基を表わす。

さらに、Ｍは、遷移金属原子を表わす。

Ｑ１４−Ｉ　ＩＩ　Ｈｌ−Ｉ　ＨＨ−Ｎ１Ｑ１４−２　
Ｈ）Ｉ’　Ｃ，Ｈ，ＯＣＯＨＨ−Ｎｉこの池、特願昭５
８　１５１９２９号に記載したもの。

１５）下記式で不される化合物 ＣＣＩｔＣ、Ｉ（（５リ　、　Ｒ（５２１、［Ｇ’−３
）　、　１（５４１、ｌ（Ｅ！１９　、　Ｒ１５ｆ１１
ｕおよびＲ（５８）は、それぞれ、°水素原子または１
価の基を表わすが、 ｌ第５０トＲ（ｓｌ　、　Ｒ（５：Ｉ　トＲ（５３１、
Ｒ（Ｒ３１ト１４Ｈ、Ｒ（５５）とＲ・：槽、　＋＋Ｉ
ｓ→と１ｊ（５７１および−とＲ（綱は、互いに結合し
て６員環を形成してもよい。

Ｒ−は、水素原子または置換もしくは非置換のアルキル
基もしくはアリール基を表わす。

Ｘはハロゲンを表わす。

Ｍは、遷移金属原子を表わす。

−〜 １　（ Ｒ）り σ　σ この他、特願昭５８−１５３３９２号に記載したもの。

１６）下記式で示されるサリーチルアルデヒドオキシム
系 ａ（６す Ｒ（轡 ここに、Ｒ１（ロ）および１ｆ６１）は、アルキル基を
表わし１Ｍは、Ｎｉ　＋　Ｃｏ　＋　Ｃｕ　、　Ｐｄ　
、　Ｐｔ等の遷移金属原子を表わす。

Ｑｌ６−１　１−Ｃ３Ｈ７１−Ｃ３Ｈ，Ｎ１Ｑ１６−２
　ＣＣＨｔ）ｌｘ”Ｈｓ　（ＣＨ２）０．ＣＨ，ＮｉＱ
　１６３　（ＣＨ２）　ｔ　ヨｃＨ３（ＣＩ（ａ　）　
Ｉ　Ｊ　ＣＨｓ　Ｃ。

Ｑｌ６−４　（ＣＨ２）０、ＣＨ３（ＣＨ２）ＬＩＣＨ
３ＣｕＱｌ　６−５　Ｃ，Ｈ，Ｃ，Ｈ，Ｎ１ Ｑ１６６　Ｃ，Ｈ，Ｃ，Ｈ，Ｃ。

Ｑｌ　６−７　Ｃ６Ｈ６Ｃ，Ｈ，Ｃｕ Ｑ１６−８．　Ｎ）ＩＣ６Ｈ，ＮＨＣ６Ｈ５ＮｉＱ１６
９　０ＨＯＨＮｉ １７）下記式で示されるテオビスフエル−トキここに１
Ｍは前記と同じであり、−およびＲ（６ｆｅは、アルキ
ル基を表わす。　またＭは一電荷をもち、カチオン（Ｃ
ａｔ）と塩とを形成していてもよい。

！＄鴫、α・→　Ｍ　Ｃａｔ Ｑｌ　？−１ｔ−０８Ｈ□、Ｎｉ　Ｎ”Ｈ３（Ｃ，Ｈ，
）Ｑｌ　７−２　ｔ−Ｃ，Ｈｏ、　Ｃｏ　Ｎ″Ｈ，（Ｃ
，Ｈ９）Ｑｌ　？−３１−Ｃ３Ｈ４７Ｎｉ　− １８）下記式で示される亜ホスホン酸キレート系ここに
、Ｍは前記と同じであり、Ｒ１７０および＋（（７１は
、アルキル基、水酸基等の置換基を表わす。

政１）、可ｒ４　Ｍ Ｑ１８−Ｉ　ＴＴ礪可、　５−１−Ｃ４Ｈ９，６ｏｉ−
ｉ　Ｎ。

１９）下記各式で示される化合物 ここに、Ｒ（８１）　、ＲＸ　、Ｅｌ（増　およびＲ（
増は。

水素原子または１価の基を表わすが、 Ｒ（８りと−、Ｒ（＠と−（２）、−と−は、互いに結
合して、６員環を形成してもよい。

Ｒ′４および−は、それぞれ、水素原子または置換もし
くは非置換のアルキル基もしくは了り−ル基を表わす。

−は、水素原子、水酸基または置換もしくは非置換のア
ルキル基もしくはアリール基を表わす。

一ηは、置換または非置換のアルキル基またはアリール
基を表わす。

Ｚは、５員または６員の環を形成するのに必要な非金属
原子群を表わす。

Ｍは、遷移金属原子を表わす。

−へ　の １　１　１ ０　Ｌ：ｒＩ　■ σ　σ　σ この他、特願昭５８−１５３３９３号に記載したもの。

２０）下記式で示される化合物 Ｒ（燭　Ｒ（９１） ここに、−９すおよび１式蛸は、それぞれ、水素原子、
置換または非置換のアルキル基、アリール基、アシル基
、Ｎ−アルキルカルバモイル基Ｎ−了り−ルカルバモイ
ル基、Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ−アリールス
ルファモイル基、アルコキシカルボニル基またはアリー
ロキシカルボニル基を表わし、 〜！は、遷移金属原子を表わす。

Ｉぜ９１）　Ｒ（＠Ｍ Ｑ２Ｑ−１ｎＣ，ＨｏＧ−１３Ｎｉ Ｑ２０−２　ＣＨ３ＣＨ３０−＜６−ＮＨＣＯＮｉこの
他、特願昭５８−１５５３５９号に記載したもの。

この他、他のクエンチャ−としては、下記の工うなもの
がある。

工）ベンゾエート系 Ｑ２１−１　既存化学物質３−３０４０（チヌビン−１
２０（チノマガイイー社製）〕 ２）ヒンダードアミン系 Ｑ２２−１　既存化学物質５−３７３２　（８ＡＮＯＬ
ＬＳ−７７０（三共製薬社製）〕 これら各クりンチヤ−は、色素１モルあたり０．０１〜
１２モル、特に０．１〜１．２モル程度含有される。

なお、クエンチャ−の極大吸収波長は、用いる色素の極
大吸収波長以上であることが好ましい。

これにニジ、再生劣化はきわめて小さくなる。

の これ場合、両者の差ｈｏか一３５０ｎｍ以下であること
が好ましい。

このような記録層を設層するには、一般に常法に従い塗
設すればよい。

そして、記録層の厚さは、通常、０．０３〜ｌＯμｍ程
度とされる。

なお、このような記録層には、この他、他の色素や、他
のポリマーないしオリゴマー、各種可塑剤、界面活性剤
、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定剤、分散剤、耐化防
止剤、そして架橋剤等か含有されていてもよい。

このような記録層を設層するには、通常、基体上に所定
の溶媒を用いて塗布、乾燥すればよい。

この場合、通常は、前記一般式（Ｉ）で示される化合物
と、酸性材料と、クエンチャ−と、必要に応じ樹脂とを
所定の溶媒に溶解して塗布液とすればよく、このとき、
塗布液中にて、あるいは塗膜形成後に、反応呈色物が生
成する。

あるいは前記したように、予め反応呈色物を形成して、
これを塗布液中に添加することもできる。

なお、塗４＋に用いる溶媒としては、例えばメチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン系、酢酸ブチル、酢酩エチル、カルピトール
アセテート、ブチルカルピト−ルアセテート等のエステ
ル系、メチルセロソルブ、メチルセロソルブ等のエーテ
ル系、ないしトルエン、キシレン等の芳香族系。

ジクロロエタン等のハロゲン化アルキル系、アルコール
系などを用いればよい。

なお、基体には、耐溶剤性、ぬれ性、表面張力、熱伝導
度等を改善するために、基体上にプライマーをコーティ
ングすることもできる。

プライマーとしては、例えば、チタン系、シラン系、ア
ルミ系のカップリング剤や、各種感光性樹脂等を用いる
ことができる。

また、記録層１−には、必要に応じ、各種最上層保護層
、ハーフミラ一層などを設けることもできる。　ただし
、記録層は単層膜とし、反射層を記録層の」、または下
に積層しないことが好ましい。

本発明の媒体は、前記のような基体の一面上に上記の記
録層を有するものであってもよく、その両面に記録層を
有するものであってもよい。

また、基体の一面上に記録層を塗設したものを２つ用い
、それらを記録層が向かいあうようにして、所定の間隙
をもって対向させ、それを密閉したりして、ホコリやキ
ズがつかないようにすることもできる。

■　発明の具体的作用 本発明の光記録媒体は、走行ないし回転下において、書
き込み光を記録層側ないし基体側からパルス状に照射す
る。

このとき記録層中の色素の発熱により、自己酸化性の樹
脂が分解するか、あるいは熱ｎ（塑性樹脂や、色素が融
解する等により、ピットが形成される。

このように形成されたピットは、やはり媒体の走行ない
し回転下、記録層側ないし基体側から、読み出し光の反
射を検出することにより読み出される。

また、基体面にトラッキング用の溝を有する場合、トラ
ッキングの制御を行うには、通常、記録または再生を行
ないながら１反射光を２分割した一対のセンサーに導入
する。　このときビームスポットが記録トラック部をは
ずれかけると、溝の存在により反射光に位相差が生じ。

干渉効果による一次光が一方に偏よるので１両センサー
の信号の差を検出すれば、トラックエラー信りが検出さ
れることになる。　こ　の　トラックエラー信号はフィ
ードバック電子回路に導かれ、レンズアクチュエータを
駆動することによって、常に記録トラック部にビームス
ポットが位置するように制御される。

このような場合、書き込みおよび読み出しは、基体側か
ら行っても、記録層側から行ってもよいが、基体を通し
て行うことが好適である。

そして、一旦記録層に形成したピットは、これを平坦化
して消去を行い、その後再書き込みを行うことができる
。　そして、このような消去−再書き込みは、繰り返し
何回も安定に行うことができる。

なお、書き込みないし読み出し光としては、半導体レー
ザー、Ｈｅ−Ｎｅ−Ｌ／−ザー、Ａｒ−レーザー、Ｈｅ
、−Ｃｄ−レーザー等を用いることができる。

また、消去は、熱や溶媒によってもよいが、特に光（レ
ーザー光）を用いて、より好ましくは線消去ないしピン
ト消去を行うことが好ましい。

■　発明の具体的効果 本発明によれば、熱伝導度、平滑性、製造コスト、ある
いは透明性等の点で有利な樹脂製の基体を用いて、記録
層を塗布によって形成しても、塗布溶媒によって基体表
面がおかされることがなく、記録層の反射率が低下した
り、読み出しのＳ／Ｎ比が低下することはない。

また、長期保存に際しても、色素その他が基体樹脂中に
溶解拡散して、反射率が劣化するおそれがない。

そして＋　にき込みないし消去の際の記録層の発熱によ
り、基体表面に凹凸ができ、反射率の低下が生じること
もない。

さらには、−１１書き込みを行ったのち、これを光ない
し熱によって消去し、再書き込みを行うサイクルをくり
かえし行っても、基体に消去再書き込みの履歴にもとず
く凹凸が生じて反射率が低下することがない。

そして、これら占き込みや、消去にもとづく反射率低下
は、塗布溶媒の使用によっても全く増大しない。

また、特に、基体表面にトラッキング用の溝がスタンパ
−等によって形成されているときにも、トラッキングエ
ラー信号は低下しない。

そして、これらの各効果は、基体側から書き込み・読み
出し等を行うときにもまったく同等に実現する。

本発明者らは、本発明の効果を確認するため種々実験を
行った。　以下にその一例を示す。

実験例 ＆（ｌ：Ｌ−ｃ、直径３０ｃｓ、厚さ１．５１Ｉｌｒｍ
のポリカーボネート樹脂製のものを用い、この片面に、
０．０８＃ＬＬ１１の深さの矩形溝をス、＜イラル状に
形成した。

次いで、溝形成面に、次式のノボラックエポキシのアク
リレートプレポリマーとモノマー（重量比１　：　２）
とを、３０％メチルセロソルブに溶解し、この溶液を塗
布・乾燥したのち、窒素ガス雰囲気中で２００　ＫＶ、
　８　Ｍｒａｄの電子線を照射して硬化を行い、０　、
　ＯＩ　ＩＬｍ厚の下地層を形成した。

プレポリマー モノマー １．６−ヘキサンジオール 次いで、この下地層の上に、１．１’、３゜３．３’、
３’−へキサメチル−４，４’。

５．５′−ジベンゾ−２，２′　〜インドトリカルボシ
アニン　パークロレー）　（２！［１部）。

ケトン樹脂（ハロン８０　本州科学工業株式会社製２重
量部）、クエンチャ−（Ｆ　Ａ　−１００８三井東圧フ
ァイン株式会社製　ｌｉ量置部の混合物を、１．２−ジ
クロロエタンを溶媒として、０．０６ルｍ厚にて塗布設
層して記録層とした。

次いで、半導体レーザー（８３０ｎｍ）を　１部ｍφに
集光しく集光部出力　１０ｍＷ）、９００ｎｓｅｃのパ
ルス列として、基体側から照射を行い、書き込みを行っ
た。

これにより、ＩＩＩ　０　、９ル膳、深さ０．０６１Ｌ
Ｌ１１のピットが溝凹部上に形成された。

次いで、半導体レーザーを、１＃ＬＬＩφに集光しく集
光部出力　１ｍＷ）、基体側から照射を行い、その反射
光を検出したところ、５８ｄＢのＳ／Ｎ比を得た。

また、半導体レーザー（１４ｍＷ）により、線消去を行
ったところ、消去特性もきわめて良好であり、くりかえ
し何回もの消去、再書き込みを安定に行うことができた
。

なお、ｌ！；き込みおよび読み出しに際しては、フォト
グイオードを２個匠接配置し、これらの反射光の出力差
を検知してトラッキングの制御を行ったところ、きわめ
て良好なトラック信号かえられ、良好なトラッキング制
御を行うことができた。。

これに対し、下地層を形成しない媒体を用い、上記と同
一の実験を行った。

この結果を表１に示す。

なお、表１には、両媒体を、３回消去したのちのＳ／Ｎ
比の消去劣化と、７０６Ｃ１２日間保存したのちのＳ／
Ｎ比の保存劣化とが併記される。

表　１ 媒　体　本発明　比　較 Ｓ／Ｎ比　（ｄＢ）　５８　３６ 消去後のＳ／Ｎ比 （ｄＢ）　５８　２０ 保存後のＳ／Ｎ比 （ｄＢ）　５８　２３ 表１に示される結果から、本発明の効果があきらかであ
る。

出願人　ティーディーケイ株式会社 代理人　弁理士　石　井　陽　− 第１頁の続き ０発　明　者　高　橋　−夫　東京都中央区式会社内 ０発　明　者　南　波　憲　良　東京都中央区式会社内

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　）、を体表面に放射線により硬化＝１能な化合
   物またはその組成物を設層し、放射線を照射して硬化し
   てなるド地層を有し、この下地層上に記録層を有するこ
   とを特徴とする光記録媒体。 （２）　）、’；、体表面が、ｌ−ランキング用の溝を
   有する特許請求の範囲第１項に記載の光記録媒体。 （３）　基体が、樹脂製である特許請求の範囲第１項ま
   たは第２項に記載の光記録媒体。 （４）　溝の深さが、０．０１〜３．０ｇｍである特許
   請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の光記
   録媒体。 （５）　下ｔｌ！！層の厚さが、Ｏ，０Ｏｅ−５〜２０
   ０ｐｍである特許請求の範囲第１項ないし第４項のいず
   れかに記載の光記録媒体。 （６）　記録層が、色素または色素の組成物からなる特
   許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の光
   記録媒体。 （７）　記録層が、塗布によって形成された特許請求の
   範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の光記録媒体
   。 （８）　色素が、記録層中に単量体の形で含まれるか、
   重合体の形で含まれるか、あるいは樹脂と結合した形で
   含まれている特許請求の範囲第６項または第７項に記載
   の光記録媒体。 （９）　記録層が、色素の組成物からなり、組成物が樹
   脂を含む特許請求の範囲第６項ないし第８項のいずれか
   に記載の光記録媒体。 （ｌＯ）　記録層が、色素の組成物からなり、組成物が
   クエンチャ−を含む特許請求の範囲第６項ないし第９項
   のいずれかに記載の光記録媒体。 （１１）　下地層」―に直接記録層が積層されている特
   許請求の範囲第１項ないし第１θ項のいずれかに記載の
   光記録媒体。 （１２）　記録層に反射層が積層されていない特許請求
   の範囲第１ザ１ないし第１１項のいずれかに記載の光記
   録媒体。 （１３）　基体側から占き込みおよび読み出しを行う特
   許請求の範囲第１項ないし第１２項のいずれかに記載の
   光記録媒体。 （１４）　基体表面に、放射線により硬化可能な化合物
   またはその組成物を設層し、次いで、放射線を照射して
   硬化を行うことにより下地層、を形成し、このド地層−
   Ｌに記録層を設層することを特徴とする光記録媒体の製
   造方法。 （１５）　硬化を不活にｌガス中で行う特許請求の範囲
   第１４ダｉに記載の光記録媒体の製造方法。 （１６）　放射線が、電子線である特許請求の範囲第１
   ４項または第１５項に記載の光記録媒体の製造方法。