JPH0544662B2 - - Google Patents
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- JPH0544662B2 JPH0544662B2 JP58204803A JP20480383A JPH0544662B2 JP H0544662 B2 JPH0544662 B2 JP H0544662B2 JP 58204803 A JP58204803 A JP 58204803A JP 20480383 A JP20480383 A JP 20480383A JP H0544662 B2 JPH0544662 B2 JP H0544662B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- shielding film
- frame
- transparent
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は露光技術に関するもので、特に半導体
用ホトマスクや縮小アライナ用レチクル等に適用
するホトマスクに関するもので、ホトマスクのパ
ターン転写時における異物の転写を防止して露光
できうる技術に関するものである。
用ホトマスクや縮小アライナ用レチクル等に適用
するホトマスクに関するもので、ホトマスクのパ
ターン転写時における異物の転写を防止して露光
できうる技術に関するものである。
半導体装置の製造に多用されるホトリングラフ
イ工程では、ウエーハ等に形成する素子パターン
の原板としてのホトマスクやレチクル（本明細書
ではこれらをホトマスクと総称する）が必須のも
のとされている。ところで、この種のホトマスク
をホトクソグラフイ技術でパターン転写を行なう
場合、ホトマスクの表面や裏面に塵埃等の異物が
付着しているとパターンと同時にこの異物も転写
されてしまいパターン欠陥を生じることになる。
イ工程では、ウエーハ等に形成する素子パターン
の原板としてのホトマスクやレチクル（本明細書
ではこれらをホトマスクと総称する）が必須のも
のとされている。ところで、この種のホトマスク
をホトクソグラフイ技術でパターン転写を行なう
場合、ホトマスクの表面や裏面に塵埃等の異物が
付着しているとパターンと同時にこの異物も転写
されてしまいパターン欠陥を生じることになる。
このため、第１図に示すようにホトマスク１の
表、裏面の周囲にスペーサとしての固定フレーム
２，３を固着すると共に、これら各固定フレーム
２，３の周縁に透明な膜４，５を張設することが
考えられる。この構成によれば、異物は膜４，５
には付着してもホトマスク１の表、裏面に直接付
着することは防止されるため、この膜４，５とホ
トマスク１表の、裏面の間〓、換言すれば固定フ
レーム２，３の高さをアライナの焦点深度以上の
寸法に設定しておけば、異物が転写されることは
ない。
表、裏面の周囲にスペーサとしての固定フレーム
２，３を固着すると共に、これら各固定フレーム
２，３の周縁に透明な膜４，５を張設することが
考えられる。この構成によれば、異物は膜４，５
には付着してもホトマスク１の表、裏面に直接付
着することは防止されるため、この膜４，５とホ
トマスク１表の、裏面の間〓、換言すれば固定フ
レーム２，３の高さをアライナの焦点深度以上の
寸法に設定しておけば、異物が転写されることは
ない。
しかしながら、この構成では一旦膜４，５を構
成してしまうと、ホトマスク１を自動外観検査機
にかけた場合に膜４，５によつて検査光学系に焦
点ずれが生じ、自動外観検査ができなくなるとい
う問題が生じる。このため、被転写物における外
観検査を行なう等間接的な検査方法をとらざるを
得ず、検査時間が長くなると共に評価精度も低く
なるという問題があることを本発明者は見い出し
た。
成してしまうと、ホトマスク１を自動外観検査機
にかけた場合に膜４，５によつて検査光学系に焦
点ずれが生じ、自動外観検査ができなくなるとい
う問題が生じる。このため、被転写物における外
観検査を行なう等間接的な検査方法をとらざるを
得ず、検査時間が長くなると共に評価精度も低く
なるという問題があることを本発明者は見い出し
た。
本発明の目的はホトマスク表、裏面への異物の
付着を防止して異物の転写を防止し得るのはもと
より、ホトマスクを自動外観検査機にかけても何
等の不具合が生じることなく良好な検査を行なう
ことができ、これにより半導体製品の歩留りの向
上および作業効率の向上を達成することができる
ホトマスクを提供することにある。
付着を防止して異物の転写を防止し得るのはもと
より、ホトマスクを自動外観検査機にかけても何
等の不具合が生じることなく良好な検査を行なう
ことができ、これにより半導体製品の歩留りの向
上および作業効率の向上を達成することができる
ホトマスクを提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な
特徴は、本明細書の記述および添付図面からあき
らかになるであろう。
特徴は、本明細書の記述および添付図面からあき
らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち代表的なも
のの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
のの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、ホトマスクにその高さが可変なフレ
ームを取着し、このフレームに透明な遮蔽膜を取
着してホトマスクをカバーすることにより、ホト
マスクの露光時と外観検査時とでホトマスクと遮
蔽膜との間〓を変化させ、これにより異物の転写
を防止する一方で自動外観検査を可能にし、半導
体製品の歩留りの向上および作業効率の向上を達
成するものである。
ームを取着し、このフレームに透明な遮蔽膜を取
着してホトマスクをカバーすることにより、ホト
マスクの露光時と外観検査時とでホトマスクと遮
蔽膜との間〓を変化させ、これにより異物の転写
を防止する一方で自動外観検査を可能にし、半導
体製品の歩留りの向上および作業効率の向上を達
成するものである。
第２図は本発明の一実施例の一部破断斜視図で
あり、ホトマスク１０は透明ガラス基板１１の表
面１１ａにCr等の金属膜或いはその他の光不透
過膜１２を所要のパターン形状に形成している。
このパターン形状の形成は常法としてのホトクソ
グラフイ技術が適用されているが詳細は省略す
る。
あり、ホトマスク１０は透明ガラス基板１１の表
面１１ａにCr等の金属膜或いはその他の光不透
過膜１２を所要のパターン形状に形成している。
このパターン形状の形成は常法としてのホトクソ
グラフイ技術が適用されているが詳細は省略す
る。
前記ホトマスク１０の表、裏面１１ａ、１１ｂ
には正方形枠状のフレーム１３，１４を周辺部に
取着している。これらフレーム１３，１４は、本
例では軟質樹脂材などから全体を蛇腹状に形成し
ており、その一端縁をホトマスク１０面に接着す
ることにより他端縁をホトマスク１０この厚さ方
向に位置変化できる。換言すれば、ホトマスク１
０を水平に設置した場合、各フレーム１３，１４
はその高さ寸法を変化できるようにしている。そ
して、これらフレーム１３，１４の他端縁には
夫々薄い透明樹脂材からなる遮蔽膜１５，１６を
張設し、夫々ホトマスク１０の表、裏面１１ａ、
１１ｂを気密状態にカバーしている。遮蔽膜１
５，１６のフレーム１３，１４との接続部には補
助フレーム１７，１８を取着しており、フレーム
１３，１４ないし遮蔽膜１５，１６に節度を考え
ている。
には正方形枠状のフレーム１３，１４を周辺部に
取着している。これらフレーム１３，１４は、本
例では軟質樹脂材などから全体を蛇腹状に形成し
ており、その一端縁をホトマスク１０面に接着す
ることにより他端縁をホトマスク１０この厚さ方
向に位置変化できる。換言すれば、ホトマスク１
０を水平に設置した場合、各フレーム１３，１４
はその高さ寸法を変化できるようにしている。そ
して、これらフレーム１３，１４の他端縁には
夫々薄い透明樹脂材からなる遮蔽膜１５，１６を
張設し、夫々ホトマスク１０の表、裏面１１ａ、
１１ｂを気密状態にカバーしている。遮蔽膜１
５，１６のフレーム１３，１４との接続部には補
助フレーム１７，１８を取着しており、フレーム
１３，１４ないし遮蔽膜１５，１６に節度を考え
ている。
更に、前記フレーム１３，１４の周囲一部には
細径のチユーブ１９，２０の一端を接続し、ホト
マスク１０の表、裏面１１ａ、１１ｂと、フレー
ム１３，１４および遮蔽膜１５，１６とで夫々画
成される気密空間２１，２２に連通させている。
これらチユーブ１９，２０には開閉バルブ２３，
２４を介装し、また他端は清浄空気を供給し或い
は空気吸引の可能な空気コントローラ２５に接続
している。
細径のチユーブ１９，２０の一端を接続し、ホト
マスク１０の表、裏面１１ａ、１１ｂと、フレー
ム１３，１４および遮蔽膜１５，１６とで夫々画
成される気密空間２１，２２に連通させている。
これらチユーブ１９，２０には開閉バルブ２３，
２４を介装し、また他端は清浄空気を供給し或い
は空気吸引の可能な空気コントローラ２５に接続
している。
以上の構成によれば、空気コントローラ２５の
清浄空気をチユーブ１９，２０を通して気密空間
２１，２２に供給すれば、空間２１，２２内は外
気よりも陽圧になり遮蔽膜１５，１６はフレーム
１３，１４を伸長させながらホトマスク１０の
表、裏面１１ａ、１１ｂから離れ、第３図Ａのよ
うにホトマスク１０の表、裏面１１ａ、１１ｂと
遮蔽膜１５，１６との間〓寸法を５〜15mm程度に
大きくする。この状態で開閉バルブ２３，２４を
閉成すれば遮蔽膜１５，１６はその状態た保たれ
る。したがつて、このホトマスクをアライナに設
置して所定の露光を行なえば、異物は遮蔽膜１
５，１６には付着してもホトマスク１０の表、裏
面１１ａ、１１ｂに直接付着することはなく、し
かも遮蔽膜１５，１６はホトマスクの表、裏面１
１ａ、１１ｂからアライナの焦点深度以上に離さ
れているために、この異物が転写されることは全
くない。これにより、異物が転写されることによ
り生じるパターン欠陥を確実に防止できる。
清浄空気をチユーブ１９，２０を通して気密空間
２１，２２に供給すれば、空間２１，２２内は外
気よりも陽圧になり遮蔽膜１５，１６はフレーム
１３，１４を伸長させながらホトマスク１０の
表、裏面１１ａ、１１ｂから離れ、第３図Ａのよ
うにホトマスク１０の表、裏面１１ａ、１１ｂと
遮蔽膜１５，１６との間〓寸法を５〜15mm程度に
大きくする。この状態で開閉バルブ２３，２４を
閉成すれば遮蔽膜１５，１６はその状態た保たれ
る。したがつて、このホトマスクをアライナに設
置して所定の露光を行なえば、異物は遮蔽膜１
５，１６には付着してもホトマスク１０の表、裏
面１１ａ、１１ｂに直接付着することはなく、し
かも遮蔽膜１５，１６はホトマスクの表、裏面１
１ａ、１１ｂからアライナの焦点深度以上に離さ
れているために、この異物が転写されることは全
くない。これにより、異物が転写されることによ
り生じるパターン欠陥を確実に防止できる。
一方、ホトマスク１０の外観検査時には、開閉
バルブ２３，２４を開いた上で空気コントローラ
２５により気密空間２１，２２内の空気をチユー
ブ１９，２０を通して吸引する。これにより、気
密空間２１，２２内は外気よりも陰圧とされ、第
３図Ｂのようにフレーム１３，１４は短縮されか
つ遮蔽膜１５，１６は夫々若千撓まされながらホ
トマスク１０の表、裏面１１ａ、１１ｂに密着さ
れた状態とされる。したがつて、この状態でホト
マスク１０を自動外観検査機にかければ、遮蔽膜
１５，１６が検査機の光学系の焦点ずれを生じる
ことはなく、通常のホトマスクの場合と全く同じ
に自動外観検査を行なうことができる。
バルブ２３，２４を開いた上で空気コントローラ
２５により気密空間２１，２２内の空気をチユー
ブ１９，２０を通して吸引する。これにより、気
密空間２１，２２内は外気よりも陰圧とされ、第
３図Ｂのようにフレーム１３，１４は短縮されか
つ遮蔽膜１５，１６は夫々若千撓まされながらホ
トマスク１０の表、裏面１１ａ、１１ｂに密着さ
れた状態とされる。したがつて、この状態でホト
マスク１０を自動外観検査機にかければ、遮蔽膜
１５，１６が検査機の光学系の焦点ずれを生じる
ことはなく、通常のホトマスクの場合と全く同じ
に自動外観検査を行なうことができる。
以上のことから、このホトマスク構造によれば
欠陥転写の防止を図つて半導体製品の歩留の向上
を達成する一方、自動外観検査を可能にして作業
効率の向上を図りかつ評価精度を高いものにでき
る。
欠陥転写の防止を図つて半導体製品の歩留の向上
を達成する一方、自動外観検査を可能にして作業
効率の向上を図りかつ評価精度を高いものにでき
る。
(1) ホトマスクに高さの可能なフレームを取着
し、このフレームに透明な遮蔽膜を張設してフ
レームの作用によつて遮蔽膜とホトマスク表、
裏面との間〓を変化できるように構成している
ので、露光時には間〓を大にして遮蔽膜上の異
物を焦点深度外におき異物の転写を防止して欠
陥の発生を防止し、半導体歩留の向上を達成で
きる。
し、このフレームに透明な遮蔽膜を張設してフ
レームの作用によつて遮蔽膜とホトマスク表、
裏面との間〓を変化できるように構成している
ので、露光時には間〓を大にして遮蔽膜上の異
物を焦点深度外におき異物の転写を防止して欠
陥の発生を防止し、半導体歩留の向上を達成で
きる。
(2) 逆に、遮蔽膜とホトマスクとの間〓を小ない
し零にすることにより、外観検査機の光学系に
おける焦点ずれを防止でき、これにより自動外
観検査機による検査を可能にして検査にかかわ
る作業効率を向上しかつ一方では評価精度を高
めることができる。
し零にすることにより、外観検査機の光学系に
おける焦点ずれを防止でき、これにより自動外
観検査機による検査を可能にして検査にかかわ
る作業効率を向上しかつ一方では評価精度を高
めることができる。
(3) フレームを蛇腹状にしかつ遮蔽膜によりホト
マスクの表、裏面との間に気密空間を画成した
上でこの気密空間内の空気圧力をコントロール
することによりホトマスクと遮蔽膜との間〓寸
法を変化できるようにしているので、単に空気
の供給、吸引を行なうだけで露光、外観検査に
夫々好適な状態を作り出すことができる。
マスクの表、裏面との間に気密空間を画成した
上でこの気密空間内の空気圧力をコントロール
することによりホトマスクと遮蔽膜との間〓寸
法を変化できるようにしているので、単に空気
の供給、吸引を行なうだけで露光、外観検査に
夫々好適な状態を作り出すことができる。
以上本発明者によつてなされた発明を実施例に
もとづき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。たとえば、フレームは伸縮可能であれば他
の構成であつてもよく、またこのフレームを伸縮
させる手段は空気圧以外の物理的な手段（たとえ
ば熱）を利用してもよい。更に、ホトマスクのガ
ラス基板の厚さが充分に厚いときには、パターン
の形成されているホトマスクの表面側にのみ遮蔽
膜を形成するようにしてもよい。
もとづき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。たとえば、フレームは伸縮可能であれば他
の構成であつてもよく、またこのフレームを伸縮
させる手段は空気圧以外の物理的な手段（たとえ
ば熱）を利用してもよい。更に、ホトマスクのガ
ラス基板の厚さが充分に厚いときには、パターン
の形成されているホトマスクの表面側にのみ遮蔽
膜を形成するようにしてもよい。
以上の説明では主として本発明者によつてなさ
れた発明をその背景となつた利用分野である半導
体装置の製造用のホトマスクに適用した場合につ
いて説明したが、それに限定されるものではな
く、レチクルはもちろんのこと所謂写真技術に使
用する原板の全てに利用できる。
れた発明をその背景となつた利用分野である半導
体装置の製造用のホトマスクに適用した場合につ
いて説明したが、それに限定されるものではな
く、レチクルはもちろんのこと所謂写真技術に使
用する原板の全てに利用できる。
第１図は考えられるホトマスク構造の断面図、
第２図は本発明の一実施例であるホトマスクの破
断斜視図、第３図Ａ，Ｂは作用を説明するための
ホトマスクの断面図である。 １０……ホトマスク、１１ａ、１１ｂ……表、
裏面、１２……パターン、１３，１４……フレー
ム、１５，１６……遮蔽膜、１７，１８……補助
フレーム、１９，２０……チユーブ、２１，２２
……気密空間、２３，２４……開閉バルブ、２５
……空気コントローラ。
第２図は本発明の一実施例であるホトマスクの破
断斜視図、第３図Ａ，Ｂは作用を説明するための
ホトマスクの断面図である。 １０……ホトマスク、１１ａ、１１ｂ……表、
裏面、１２……パターン、１３，１４……フレー
ム、１５，１６……遮蔽膜、１７，１８……補助
フレーム、１９，２０……チユーブ、２１，２２
……気密空間、２３，２４……開閉バルブ、２５
……空気コントローラ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明ガラス基板の光不透過膜が一部に形成さ
れた一表面の周辺部に、前記一表面からの高さを
焦点深度の内外で変化できるフレームの一端縁を
取着し、このフレームの他端縁に、前記透明ガラ
ス基板の一表面をカバーする透明な遮蔽膜を張設
すると共に、前記透明ガラス基板の一表面、フレ
ーム及び透明な遮蔽膜で周囲を囲まれた気密空間
を形成し、前記気密空間内に清浄空気を供給し、
前記透明ガラス基板の一表面から前記透明な遮蔽
膜を離し、焦点深度を超える位置に前記透明な遮
蔽膜を設定できると共に、前記気密空間内の空気
を吸引し、前記透明ガラス基板の一表面に前記透
明な遮蔽膜を近づけて焦点深度の範囲内に前記透
明な遮蔽膜を設定できる、空気コントローラを前
記気密空間内に連通したことを特徴とするホトマ
スク。 ２ 前記フレームは蛇腹状に形成され、前記気密
空間と空気コントローラはチユーブを通して連通
されることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載のホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204803A JPS6097356A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204803A JPS6097356A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | ホトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097356A JPS6097356A (ja) | 1985-05-31 |
| JPH0544662B2 true JPH0544662B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=16496619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58204803A Granted JPS6097356A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097356A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060101458A (ko) | 2003-09-23 | 2006-09-25 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 칩 생산에 사용된 레티클을 오염으로부터 보호하기 위한방법과 장치 |
| WO2005029182A2 (en) * | 2003-09-23 | 2005-03-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for protecting a reticle used in chip production from contamination |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5428716A (en) * | 1977-08-09 | 1979-03-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Process for producing electroconductive highly heat-resisting aluminum alloy |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP58204803A patent/JPS6097356A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6097356A (ja) | 1985-05-31 |
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