JPS609897A - 高耐蝕アルマイト磁気デイスク基板の製造方法 - Google Patents
高耐蝕アルマイト磁気デイスク基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS609897A JPS609897A JP11844183A JP11844183A JPS609897A JP S609897 A JPS609897 A JP S609897A JP 11844183 A JP11844183 A JP 11844183A JP 11844183 A JP11844183 A JP 11844183A JP S609897 A JPS609897 A JP S609897A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- alumite
- magnetic disk
- corrosion resistance
- sulfuric acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Electrochemical Coating By Surface Reaction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、磁気ディスク装置の磁気記録媒体として使用
される高耐蝕アルマイト磁気ディスク基板の製造方法に
関し、特に高記録密度磁気ディスク基板のように、陽極
酸化処理後封孔処理ができないアルマイト基板において
も、高耐蝕性、高耐熱性が得られるアルマイト基板の製
造方法に関する。
される高耐蝕アルマイト磁気ディスク基板の製造方法に
関し、特に高記録密度磁気ディスク基板のように、陽極
酸化処理後封孔処理ができないアルマイト基板において
も、高耐蝕性、高耐熱性が得られるアルマイト基板の製
造方法に関する。
データ処理装置などに使用される磁気ディスク装置は、
近年急激な記録密度の向上、大容量化が進み、同時に磁
気ヘッドの浮上量も非常に小さくなってきており、その
ため磁気ディスク面の平滑化が一層要求される。そこで
この要求を満たすために、従来から第１図のような方法
でアルマイト処理が行なわれている。即ち、 （１，１陽極酸化溶液として硫酸を用い、アルミニウム
基板を陽極酸化して、３〜５＋ｕｍ程度のアルマイト隔
を形成する。
近年急激な記録密度の向上、大容量化が進み、同時に磁
気ヘッドの浮上量も非常に小さくなってきており、その
ため磁気ディスク面の平滑化が一層要求される。そこで
この要求を満たすために、従来から第１図のような方法
でアルマイト処理が行なわれている。即ち、 （１，１陽極酸化溶液として硫酸を用い、アルミニウム
基板を陽極酸化して、３〜５＋ｕｍ程度のアルマイト隔
を形成する。
（２）次いで水を供給しながら、ボリシングにより、陽
極酸化皮膜表面を鏡面化する。
極酸化皮膜表面を鏡面化する。
（３１３２０℃程度でエージング（Ｃｏｒｐ） シて、
歪を除去すると共に、乾燥させる。
歪を除去すると共に、乾燥させる。
（４）その上にＦｅをスパツタリングし、α状のＦｅｚ
Ｏ３を形成させる。
Ｏ３を形成させる。
（５）次に３５０℃に加熱された水素炉において還元処
理し、Ｆｅ３Ｏ４を得る。
理し、Ｆｅ３Ｏ４を得る。
（６）これを３５０℃に加熱された大気炉において酸化
処理し、磁性膜であるγ状のＦｅｚＯ３を形成させる。
処理し、磁性膜であるγ状のＦｅｚＯ３を形成させる。
こうして得られた硫酸アルマイトは、硬度が高く安定し
た性質を呈する。ところが上記のように、アルマイト基
板表面に磁性膜を形成するために、Ｆｅをスパッタリン
グしてα状のＦｅｚＯ＊を形成させる際の酸化、還元工
程で３５０℃程度までアルマイト基板を高温加熱しなけ
ればならない。
た性質を呈する。ところが上記のように、アルマイト基
板表面に磁性膜を形成するために、Ｆｅをスパッタリン
グしてα状のＦｅｚＯ＊を形成させる際の酸化、還元工
程で３５０℃程度までアルマイト基板を高温加熱しなけ
ればならない。
このアルマイト基板を製造するために陽極酸化溶液とし
て、硫酸、リン酸あるいは蓚酸などの酸を使用すると、
陽極酸化皮膜生成時に形成された通電微細孔に腐蝕性の
高い酸が残留し、前記の酸化、還元工程における加熱に
より、陽極酸化皮膜が腐蝕され、更に磁性膜であるγ状
のＦｅｚＯ３皮膜をも腐蝕破壊するという問題がある。
て、硫酸、リン酸あるいは蓚酸などの酸を使用すると、
陽極酸化皮膜生成時に形成された通電微細孔に腐蝕性の
高い酸が残留し、前記の酸化、還元工程における加熱に
より、陽極酸化皮膜が腐蝕され、更に磁性膜であるγ状
のＦｅｚＯ３皮膜をも腐蝕破壊するという問題がある。
またアルミニウム層とアルマイト層との間に、アルマイ
トの生成過程で発生するバリア層と称するアルミニウム
とアルマイトとの中間的性質を有する薄い膜ができる。
トの生成過程で発生するバリア層と称するアルミニウム
とアルマイトとの中間的性質を有する薄い膜ができる。
ところが酸化、還元工程で加熱されると、残存した酸が
反応して硫化アルミニウムが生成され、これがポリソシ
ュ工程で浸入した水と作用して水酸化アルミニウムとな
り、硫化水素を遊離して腐蝕歪を来たし、加速度的に硫
化アルミニウムが加水分解する。その結果アルミニウム
層とアルマイト層を結合しているバリア層が剥離したり
、クラックが発生し易い。
反応して硫化アルミニウムが生成され、これがポリソシ
ュ工程で浸入した水と作用して水酸化アルミニウムとな
り、硫化水素を遊離して腐蝕歪を来たし、加速度的に硫
化アルミニウムが加水分解する。その結果アルミニウム
層とアルマイト層を結合しているバリア層が剥離したり
、クラックが発生し易い。
一方陽極酸化後、封孔処理などで通電微細孔に残留した
酸を洗浄、閉塞し、アルマイト基板の耐蝕性を向上させ
ることも考えられるが、前記酸化、還元工程中における
高温加熱の際に、陽極酸化皮膜層にクランクが発生し、
磁気記録媒体におけるビットエラーの原因となるので、
これを行なうこともできない。
酸を洗浄、閉塞し、アルマイト基板の耐蝕性を向上させ
ることも考えられるが、前記酸化、還元工程中における
高温加熱の際に、陽極酸化皮膜層にクランクが発生し、
磁気記録媒体におけるビットエラーの原因となるので、
これを行なうこともできない。
即ち第２図に示すようにアルミニウム基板１を陽極酸化
すると、通電孔２が形成されるが、これを１００℃の水
中などで封孔処理すると、第３図に示すように、通電孔
２がＴ−八１２０３ ・ＨｚＯよりなるベーマイ１−５
により閉塞される。このように封孔処理されたアルマイ
ト基板は、アルミニウム基板１と陽極酸化皮膜３との熱
線膨張係数の差が約５倍も異なるため、前記酸化、還元
工程の加熱処理において、第４図に示す如くわん曲し、
クラック６が生ずるものと考えられる。ところが封孔処
理を行なわなければ、第２図に示したように通電孔２が
そのまま存在しており、第５図に示す如くアルミニウム
基板１と陽極酸化皮ｌ＊３との熱線膨張係数の差による
変形（収縮応力）が生じても、通電孔２に吸収され、ク
ラックが生じないものと考えられる。以上の理由により
、磁気ディスク基板用のアルマイト基板は封孔処理を行
なうことができない。
すると、通電孔２が形成されるが、これを１００℃の水
中などで封孔処理すると、第３図に示すように、通電孔
２がＴ−八１２０３ ・ＨｚＯよりなるベーマイ１−５
により閉塞される。このように封孔処理されたアルマイ
ト基板は、アルミニウム基板１と陽極酸化皮膜３との熱
線膨張係数の差が約５倍も異なるため、前記酸化、還元
工程の加熱処理において、第４図に示す如くわん曲し、
クラック６が生ずるものと考えられる。ところが封孔処
理を行なわなければ、第２図に示したように通電孔２が
そのまま存在しており、第５図に示す如くアルミニウム
基板１と陽極酸化皮ｌ＊３との熱線膨張係数の差による
変形（収縮応力）が生じても、通電孔２に吸収され、ク
ラックが生じないものと考えられる。以上の理由により
、磁気ディスク基板用のアルマイト基板は封孔処理を行
なうことができない。
本発明の目的は、封孔処理を適用できない磁気ディスク
用のアルマイト基板において、封孔処理をしなくてもア
ルマイト基板の耐蝕性を向上させ、磁性膜層への腐蝕拡
散を防止すると共に、アルマイト層を剥離させ易いバリ
ヤ層を増強することにある。
用のアルマイト基板において、封孔処理をしなくてもア
ルマイト基板の耐蝕性を向上させ、磁性膜層への腐蝕拡
散を防止すると共に、アルマイト層を剥離させ易いバリ
ヤ層を増強することにある。
５−
この技術的課題を解決するために講じた本発明による技
術的手段は、磁気ディスク用アルミニウム基板を、硫酸
系の陽極酸化溶液により陽極酸化する工程と、陽極酸化
された膜を鏡面加工する工＋ −３−を 程と、これらの工程より後に、０■、ＢＯ３、Ｃ００Ｉ
＋の各陰イオンの一部または総てを含むｐＨ２〜１２の
腐蝕性のない水溶液を用いて、直流もしくは交流電解電
圧で再度陽極酸化処理する工程を含む方法を採っている
。
術的手段は、磁気ディスク用アルミニウム基板を、硫酸
系の陽極酸化溶液により陽極酸化する工程と、陽極酸化
された膜を鏡面加工する工＋ −３−を 程と、これらの工程より後に、０■、ＢＯ３、Ｃ００Ｉ
＋の各陰イオンの一部または総てを含むｐＨ２〜１２の
腐蝕性のない水溶液を用いて、直流もしくは交流電解電
圧で再度陽極酸化処理する工程を含む方法を採っている
。
次に本発明による高耐蝕アルマイト磁気ディスク基板の
製造方法が実際上どのように具体化されるかを実施例で
説明する。本発明の場合も、第１図で示したように硫酸
を用いてアルミニウム基板を陽極酸化した後、水を供給
しながらポリッシュして鏡面化し、その上にＦｅをスパ
ッタし、次いで酸化、還元処理することは、従来と同じ
である。
製造方法が実際上どのように具体化されるかを実施例で
説明する。本発明の場合も、第１図で示したように硫酸
を用いてアルミニウム基板を陽極酸化した後、水を供給
しながらポリッシュして鏡面化し、その上にＦｅをスパ
ッタし、次いで酸化、還元処理することは、従来と同じ
である。
本発明では、これらの工程の後に、再度陽極酸化処理を
行なう。この１度めの陽極酸化処理を第２アルマイト処
理と呼ぶ。この第２アルマイト処＝６＝ 理は、腐蝕性のない浴組成で行なう。即ち、（イ）浴組
成 −３−１ ■含有陰イオン：０１１、ＢＯ３、Ｃ０ＯＨ■ｐＨ１〜
１２ ■上記■■の水溶液 （ロ）電解条件 ■電解電圧（電流）：直流もしくは交流■陰極： ｐｂ
、カーボン 陽極ニアルミニウム基板 上記の条件を満たす腐蝕性のない浴組成としては、酢酸
水溶液（ｐＨ２，８） 、ホウ酸、クエン酸、水酸化ナ
トリウムなどが挙げられる。
行なう。この１度めの陽極酸化処理を第２アルマイト処
理と呼ぶ。この第２アルマイト処＝６＝ 理は、腐蝕性のない浴組成で行なう。即ち、（イ）浴組
成 −３−１ ■含有陰イオン：０１１、ＢＯ３、Ｃ０ＯＨ■ｐＨ１〜
１２ ■上記■■の水溶液 （ロ）電解条件 ■電解電圧（電流）：直流もしくは交流■陰極： ｐｂ
、カーボン 陽極ニアルミニウム基板 上記の条件を満たす腐蝕性のない浴組成としては、酢酸
水溶液（ｐＨ２，８） 、ホウ酸、クエン酸、水酸化ナ
トリウムなどが挙げられる。
このように腐蝕性のない浴組成でアルマイト処理すると
、１０秒程度の極めて短い時間だけ電流が流れ、以後電
流は流れなくなる。即ちバリア層は、導電体であるアル
ミニウムと絶縁性のアルマイトとの中間的性質を有して
いて、導電性を呈するが、このバリア層が第２アルマイ
ト処理で酸化して絶縁体となるため、電流が流れな（な
る。しかもバリア層は、第２図〜第５図において符号７
で示すように、通電孔の底部のみにできる極めて薄い層
であり、かつ腐蝕性はない浴組成を使用するので、それ
以上酸化は進行せず、第２アルマイト処理は１０秒程度
の短い時間に完了する。
、１０秒程度の極めて短い時間だけ電流が流れ、以後電
流は流れなくなる。即ちバリア層は、導電体であるアル
ミニウムと絶縁性のアルマイトとの中間的性質を有して
いて、導電性を呈するが、このバリア層が第２アルマイ
ト処理で酸化して絶縁体となるため、電流が流れな（な
る。しかもバリア層は、第２図〜第５図において符号７
で示すように、通電孔の底部のみにできる極めて薄い層
であり、かつ腐蝕性はない浴組成を使用するので、それ
以上酸化は進行せず、第２アルマイト処理は１０秒程度
の短い時間に完了する。
このようにバリア層７を酸化してアルマイト化するが、
腐蝕性のない浴組成を使用するため、酸化はそれ以上進
行せず、バリア層が増強され、かつ耐腐蝕性が向上する
。
腐蝕性のない浴組成を使用するため、酸化はそれ以上進
行せず、バリア層が増強され、かつ耐腐蝕性が向上する
。
また陽極反応により瞬間的に発生するガス（酸素）圧で
、通電孔内が清掃され、残存していた腐蝕性の硫酸が浴
組成中に押し出される。アルミニウム基板が陽極になっ
ている関係上、０１１イオンの集中によって中和が行な
われる。
、通電孔内が清掃され、残存していた腐蝕性の硫酸が浴
組成中に押し出される。アルミニウム基板が陽極になっ
ている関係上、０１１イオンの集中によって中和が行な
われる。
また陽極のアルミニウム基板に発生する酸素ガス圧と陰
イオンの吸着によって給水が阻止され、腐蝕歪および加
水分解が未然に防止できる。
イオンの吸着によって給水が阻止され、腐蝕歪および加
水分解が未然に防止できる。
次に実際に行なった第２アルマイト処理の実施例を説明
する。
する。
（１１浴組成として、酢酸水溶液（ｐｌ＋ ２．８）を
使用し、１００（Ｖ）の交流電解で５分間処理した。
使用し、１００（Ｖ）の交流電解で５分間処理した。
（２）浴組成として、ホウ酸とクエン酸の混合液（ｐｌ
＋４〜５）を使用し、６０（Ｖ）の直流電解処理を５分
間行なった。
＋４〜５）を使用し、６０（Ｖ）の直流電解処理を５分
間行なった。
（３）浴組成として、ホウ酸とクエン酸および水酸化ナ
トリウムの混合液（ｐｌ＋９〜１’Ｏ）を使用し、４０
（Ｖ）の直流電解処理を５分間行なった。
トリウムの混合液（ｐｌ＋９〜１’Ｏ）を使用し、４０
（Ｖ）の直流電解処理を５分間行なった。
その結果、上記のいずれの場合も、耐熱性、耐蝕性の上
で何等問題は発生しなかった。なおｐＨが１２を越える
とアルマイトが溶解する。
で何等問題は発生しなかった。なおｐＨが１２を越える
とアルマイトが溶解する。
［発明の効果〕
以上のように本発明のアルマイト処理方法によれば、磁
気ディスク用アルミニウム基板を、硫酸で陽極酸化し、
且つアルマイト層をポリッシュし−づ −１ て鏡面仕上げした後、Ｏｌｌ、ＢＯ３、Ｃｏｏ）ｌの各
陰イオンの一部または総てを含むｐｌ（２〜１２の腐蝕
性のない水溶液を用いて、直流もしくは交流電解電圧で
アルマイト処理を行なう方法を採っている。そのため、
バリア層が酸化して増強されると共に、酸化時の発生ガ
ス圧で腐蝕性の硫酸が通電孔から追い出されるので、通
電孔内の腐蝕が進むことはな９− い。また発生ガスによってアルマイトの加水も防止され
ると共に、腐蝕性のない浴組成を使用するので、腐蝕が
確実に防止される。しかも処理方法は極めて簡単で、且
つ短時間で処理できる。
気ディスク用アルミニウム基板を、硫酸で陽極酸化し、
且つアルマイト層をポリッシュし−づ −１ て鏡面仕上げした後、Ｏｌｌ、ＢＯ３、Ｃｏｏ）ｌの各
陰イオンの一部または総てを含むｐｌ（２〜１２の腐蝕
性のない水溶液を用いて、直流もしくは交流電解電圧で
アルマイト処理を行なう方法を採っている。そのため、
バリア層が酸化して増強されると共に、酸化時の発生ガ
ス圧で腐蝕性の硫酸が通電孔から追い出されるので、通
電孔内の腐蝕が進むことはな９− い。また発生ガスによってアルマイトの加水も防止され
ると共に、腐蝕性のない浴組成を使用するので、腐蝕が
確実に防止される。しかも処理方法は極めて簡単で、且
つ短時間で処理できる。
第１図はアルマイト磁気ディスク基板の製造方法を示す
工程図、第２図は陽極酸化後のアルマイト基板を示す断
面図、第３図は従来の方法により封孔処理されたアルマ
イト基板を示す断面図、第４図は第３図のアルマイト基
板に加熱処理工程でクランクが発生した状態を示す断面
図、第５図は封孔処理を行なわないアルマイト基板を加
熱した状態を示す断面図である。 図において１はアルミニウム基板、２は通電微細孔、３
は陽極酸化皮膜、４は残留酸、６はクラック、７はバリ
ア層をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 青 柳 稔 １０−
工程図、第２図は陽極酸化後のアルマイト基板を示す断
面図、第３図は従来の方法により封孔処理されたアルマ
イト基板を示す断面図、第４図は第３図のアルマイト基
板に加熱処理工程でクランクが発生した状態を示す断面
図、第５図は封孔処理を行なわないアルマイト基板を加
熱した状態を示す断面図である。 図において１はアルミニウム基板、２は通電微細孔、３
は陽極酸化皮膜、４は残留酸、６はクラック、７はバリ
ア層をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 青 柳 稔 １０−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁気ディスク用アルミニウム基板を、硫酸系の陽極酸化
溶液により陽極酸化する工程と、陽極酸化された膜を鏡
面加工する工程と、これらの工程−３−１ より後に、０１１、Ｂ（ｈ 、ＣＱＯＩＩの各陰イオン
の一部または総てを含むｐＨ２〜１２の腐蝕性のない水
溶液を用いて、直流もしくは交流電解電圧で再度陽極酸
化処理する工程を含むことを特徴とする高耐蝕アルマイ
ト磁気ディスク基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11844183A JPS609897A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 高耐蝕アルマイト磁気デイスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11844183A JPS609897A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 高耐蝕アルマイト磁気デイスク基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609897A true JPS609897A (ja) | 1985-01-18 |
Family
ID=14736713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11844183A Pending JPS609897A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 高耐蝕アルマイト磁気デイスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609897A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02270130A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-05 | Sony Corp | ハードディスク用基板及びその製造方法 |
| JPH03122201A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | アルミニウム系複合粉末成形材とその製法 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP11844183A patent/JPS609897A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02270130A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-05 | Sony Corp | ハードディスク用基板及びその製造方法 |
| JPH03122201A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | アルミニウム系複合粉末成形材とその製法 |
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