JPS61102702A - チツプ状電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、プリント配ｔＱ基板等に搭載されるチップ抵
抗器やチップコンデンナ等のチップ状電子部品にかかり
、その゛上極部の構成に関する。

（従来の技術） 従来、例えばチップ状抵抗器などの電極形成に際しては
、銀とパラジウムよりなるペースト又は、銀とガラスの
ペーストを１個１個チップ片の端面の電極形成部に塗布
し、これを焼成して半田メッキを施す方法、円筒形チツ
ブハの端面に金属製キャップを嵌着する方法、セラミッ
クチップ片は電気メッキを亡接施すことはできないから
、これに無電解メッキを行ってこれにハンダメッキを施
して電極を形成する方法などがあった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述の方法において銀を用いたベニストを塗布する方法
は次のような問題がある。銀が溶融ハンダに対して合金
になり易いのでいわゆるくわれ現象を起して端子の接着
強度を低下させる。銀やパラジウムは８価でありコスト
高になる。焼成には８００℃以上の高温焼成が必要であ
るので抵抗皮膜の材質が制限され、ノコ−ボン皮膜抵抗
、金属皮膜抵抗などは使用できない。次に金属キャラ／
を嵌着する方法は、チップ片が小型であるから嵌合精度
の面で技術的に難しくまた手間がかかり生産スピードが
υ１限され、又歩留りが悪くなるという問題がある。次
に無電、ｖｆ？メッキのみによる方法は、セラミックと
メッキ皮膜の接着強度が前述の２者に比べて１（り実用
性が低いとい′う問題がある。

本発明は上述の問題を解決するために、高価な１！ウパ
ラジウムを用いず安価な材料を用い、また同時に銀によ
るはんだくわれの問題を解決し、さらに電に１を１関１
個に嵌るしたり、１個１個にベース１−をｊ？　Ｔｌｉ
するという手数を省き生産性を向上さＵようとするもの
である。

（問題点を解決丈るための手段） 本発明は、メタルグレーズよりなる抵抗皮膜で液留され
たチップ状ヒラミック基体のメタルグレーズの一部と、
基体端面のセラミック面とよりなる電極形成部に、弗酸
処理によるエツチング面、ニッケルＰ　ｍ解メッキ層、
銅電気メッキ層、ニッケル電気メッキ層を順次形成し、
弗酸処理によりメタルグレーズ表面のガラス質並にセラ
ミック面の焼成によって生じたガラス質を溶解してエツ
チング面とし無電解メッキによるニッケルの結合性を高
め、次に銅電気メッキ層とニッケル′電気メッキ層を順
次形成することにより、ニッケル無電解メッキ層の厚さ
と強度の不足を補い、かつ９；ＩＡ重気気メッキ層より
ニッケル電気メツ４と次の′−１′田メッキの電着の均
一性をはかり、さらに無電解メッキと電気メッキにより
一時に大口を処理し、微少なチップ状基体を１個１個処
理する手数を省き生産性を向上させようとするものであ
る。

〔作用〕

本発明は、メタルグレーズよりなる低抗皮１９で被覆し
たチップ状ヒラミック基体の電極形成部に弗酸処理によ
るエツチング面を形成してメタルグレーズのガラス買並
に焼成により析出したセラミック表面のガラス質をとか
し、次にニッケル無電解メッキ層を形成してメタルグレ
ーズ並にセラミックにニッケルを結合させ、次に銅電気
メッキβ、ニッケル電気メッキ層よりニッケル無電解メ
ッキ層に不足する厚さと強度を出し、かつ銅電気メッキ
層はニッケルおよびハンダの電ηを均一にするものであ
る。

実／ｌＩ例１ 円筒形チップ状電子部品の１１４成の−・例を第１図な
いし第７図に承り製迄工程図によって説明りる。

（１）　　円筒形チップ状セラミック基体１の表面に両
端面を除いて、ガラスに銀とパラジウムを配合したメタ
ルグレーズよりなる抵抗皮膜２を形成する。（第１図は
縦断側面図を示す。以下同様）（２）　　抵抗皮膜２の
表面に、両端部を残して耐熱エボシキ塗料よりなる抵抗
保護膜３を形成する。

（第２図） （３）　　保護膜３の表面を合成樹脂マスキング膜４で
被覆する。（第３図） （４）　　全体を弗Ｆｉｔ処理するとマスキングｌ！１
１４の両端に露出したメタルグレーズ面及び基体１の両
端セラミック面のガラス質がとけて除去され、マスキン
グ膜４で被覆されていないメタルグレーズ面とセラミッ
ク面とよりなる電極形成部５０表面がエツチング面６と
なり後工程の、Ｉ！！！電解メッキによるニッケルとの
結合力が強くなる。（第４図）（５）　　エツチング面
６となった電極形成部５に塩化パラジウム処理による活
性化面７を形成し、無電解メッキ金屈が剛着し易い状態
にする。（９〕５図） （６）　　保設置Ｉ！ｉ！３上のマスキングＩｔｓ！４
を溶剤等で除去する。（第６図） （７）　　全体をニッケル無電解メッキ液に浸漬して無
電解メッキを施し、活性化されｌこ電（４形成部５に厚
さ１声〜３虜のニッケル無電解メツ１層８を形成する。

り８）　　次に銅の電気メッキ浴に浸漬して銅の電気メ
ッキを施し、ニッケル無電解メッキ層８上に厚さ　０．
２７ｍ〜０．４７ｇの銅電気メッキ層９を形成づる。

（９）　　次にニッケルの電気メッキ浴に浸漬してニッ
ケルの電気メッキを施し、銅電気メツ−１底９上に厚さ
２廊〜５ｍのニッケルＴｉ気メツー１層１０を形成する
。ニッケル電気メッキ層１０の〃さがこの片段であれば
、いわゆるはんだくわれの現象を阻止できる。

（１０）　　次にハンダメッキ浴中でハンダの電気メッ
キを施し、ニッケル°電気メッキ層１０上にＰ２さ５　
ｇｔｎ〜１０淵のハン／／電気メツＶ層１１を形成する
。

（第７図） 以１のようにして両端に電ｌＡ１５ａをｈｉｌｌる円筒
形Ｌンブ払の電子部品△か１°１られる。

ニッケル無電解メッキ層８上に銅電気メッキ層９４丘し
てニッケル゛市気メツ％−眉ｉ　１０を形成することに
３、りニア／ノル無電解メツ）層８甲独ではメツ１の馬
７さど強１αが不足するのを銅電気メツ１層９、ニソウ
ル電気メン１層１０を形成してＶさと強度をｊｌ−Ｉ　
’）さｌ！る。

さらに、ニッケル、焦電ＶＩ？メツ１層８上に直１８二
７ノノル１Ｌ気メツ１ｆｉｉｏを形成４るとニッケル電
気メン１層１０の電？１が不均一になり、また銅電気メ
・ｔ　１層９を省くと、ハンダ電気メツＩ！ｙｉ１１の
電着し小鈎−なるため、中間に薄い銅電気メッキ層９べ
ｒｒ　（ｒさＵるしのである。

実施（−１１２ 角形ＬツＩ状素子の構成を第８図ないし第１７図に示す
装）告工程図によって説明する。

（１）　　多数の角形チップ状ヒラミック基体１の集合
体である平板状のセラミック’Ｊｌ＆１ａの表面に適当
間隔で実施例１と同じ材料よりｔｉるメタルグレーズ抵
抗皮股２を各ブツブ状廿うミック早体１一個毎にその長
さ方向の全長に形成する。（平面図を第８図に示す） （２）　　各抵抗皮膜２の表面に、その長さ１ノ向の両
端部を残して耐熱エポキシ塗料よりなるｌｌｔ抗保５膜
３を形成する。（平面図を第９図に承り）（３）　　保
護膜３の表面並に基体１０裏面を合成１ｊ・１脂マスキ
ング１！Ｊ４，４ａで波音りる。大面のマスキング１Ｊ
４ａは各基１４ｉ１　ｆＱにその長さ方向の両端部を僅
かに残しておく。（裏面からの平面図を第１０図、第１
０図のへ−Ａｌ１７ｉ面を第１１図に示づ−）（４）　
　セラミック基板１ａを第１０図において縦ＩＪ向に分
割し、多数の細長片１ｂとりる。（平面図４第１２図に
承り） （５）　　細長片１ｂに実施例１と同様の弗酸処理を施
し、同様に水洗、乾燥して、マスキング１ｌＱ４，４ａ
より°露出したメタルグレーズ面性にセラミック面にエ
ツチング面６を形成して電極形成部５を形成する。（１
０艮片の巾方向断面図を第１３図に示す）（６）　　細
長片１ｂのエツチング面６となった７ｔＮＩ形成部５に
実施Ｖ１４１と同様に塩化パラジウム処理を施して活竹
化面７を形成する。＜ｍ長片の中方向断面図を第１４図
に示１） （７）　　マスキング膜４，４ａを溶剤で溶解除去する
。

（平面図を第１５図に示す） （＋１）　　’ｉＩＪ　Ｖ　片１ｂヲ各基体１ＦｒＪｐ
、：チノブ状に分；１．１１　する。（平面図を第１６
図に示り゛） （９）　　分υ１された角形チップ状セラミック基体１
の粘性化されたｉ＋形成部５に、実Ｍ例１と同様に、ニ
ッケル無電解メツ４、銅電気メッキ、ニッケル゛山気メ
ツ１−、ハンダ電気メツＶを順次施してニッケル無電解
メッキ層８、銅電気メッキ層９、ニッケル電気メッキ層
１０、ハンダ電気メッキ層１１を形成する。（拡大縦断
側面図を第１７図に示す）以１のようにして両端に電極
５ａ＠（１りる角チップ状市了部品Δ′が１ｑられる。

（Ｒ明の効果〕 本発明によれば、チップ状ヒラミック基体に形成された
メタルグレーズよりなる抵抗皮膜をこの両端部を残して
抵抗保護膜で波でし、この抵抗保護膜で被７されない抵
抗皮膜のメタルグレーズ面と基体両端面のセラミック面
とよりなる電１〜形成部に弗酸処理によるエツチング面
を形成し、このエツチング面が形成されたＳｔ＋形成部
に順次ニッケル無電解メッキ層、銅電気メッキ層、ニッ
ケル電気メッキ層を順次形成したため、セラミック１．
（体に形成され）ごガラス質よりなる沿らかな抵抗皮膜
性に基体の端面のセラミック面を弗酸処理によりエツチ
ング面にし、このエツチング面によ−）で次の無電解メ
ッキに際して金属ニッケルのＵ；合を８易にづることが
できる。またイン電性の低い抵抗皮膜性にセラミック面
に無電解メッキを施ηことにより金属ニッケルを結合さ
せたから青電１′１が「１・１句され次の電気メッキを
可能にりることができる。

またニッケル無電解メッキ層は剥阿１し易く、表面の弾
痕ム低いが、次の銅電気メッキＦ′ｊ、ニッケル電気メ
ン１層によってメッキ層に厚さと強度を・保持さけるこ
とができる。さらに銅電気メツ１：層のｎ　／Ｊに、ノ
リ次の一ツケル電気メツｔ　ｘ−’ｉ　、さらに１よニ
ツ′ノル電気メツ１層」−に形成されるハンダ電気メツ
１一層の°市？Ｓを均一にりることができる。

、Ｌ　／５、ｒｓ　＋ｖ　＋イｆ”ｌ　トシテ高１ｉ１
１＋　＜ｉ　ｇ　ｒｖ　ハンダ’／　ムラ用いないＩこ
め＋Ａ　＄１が′々１ｌＩｌｌであり、銀を用いないた
めはんたく４つれの現家が発１するおそれもない。

（実験例） 実廁例１のｆＪ法で１ｒ７られ１．：電（〜ど比較例と
して、−ツケル照電解メツ４一層上にｌ′ｌ１８ハンタ
メッを層を形１１にシた電極どの１８１１強ｌを比較１
Ｊる実験を行つ　Ｉこ　。

試１１１　：直１７１．０ｍ１ｎ、長さ２　ｍｍで両端
にニッケル乗１電解メッキ層、このニッケル、？！！電
解電解メツ−１上 た電極を右し、この゛電極の軸方向に首径０、５ｍ．の
リード線をハンダで接続したチップ抵抗器。

試．１．ｉ＋　２　：試Ｆｌｌと同形で両端にニッケル
無電解メッキ層（２ｍ）、銅電気メッキ層（０．３、朋
）、ニッケル電気メッキ層（３−）、ハンダ電気メッキ
層（７沸）の順に形成した電極を１し試Ｒ　１と同様に
リード線を接続したチップ抵抗器。

実験の方法 リード線と把持して軸方向に引張力（壬さ）を加え、電
（唄が剥離するまでの型口を測定した。

実験の結果 第１８図に示すように試料１はＩ　Ｋｇ以下で雷（七が
剥離したが、本発明にＪ、る試ｆｌ　２　ｔ，１　４　
Ｋｇ以ＦＣも電極が剥離ヒず６　８ｇ以上ではリード線
が切断して測定不能になったが強度が大ｒ１Ｊに＋Ａ＋
上づることがわかった。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第７図は、本発明品の一実施例を示す円筒
形のチップ状電子部品のツＪ逍工程図、第８図ないし第
１７図は他の実施例を示す角形のチップ状電子部品の製
造工程図、１１８図＋．１本発明による製品と比較例と
の引張強度を示を図表である。 １・・基体、２・・抵抗皮膜、３・・保と膜、５・・電
（ル形成部、６・・エツチング面、８・ニッケル（１（
（電ＶＲメット層、９・・銅電気メッキ層、１０・・ニ
ッケル電気メッキ層。 昭和５９年１０月２６日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）チップ状セラミック基体にメタルグレーズ抵抗皮
   膜を形成し、この抵抗皮膜の両端部を残して中央部に抵
   抗保護膜を形成し、前記基体の両端セラミック面と前記
   保護膜で被覆されない抵抗皮膜のメタルグレーズ面とよ
   りなる電極形成部に弗酸処理によるエッチング面を形成
   しこのエッチング面が形成された電極形成部にニッケル
   無電解メッキ層、銅電気メッキ層、ニッケル電気メッキ
   層を順次形成したことを特徴とするチップ状電子部品。