JPS61109062A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｍｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は８５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
例えば特開昭５４−８８３４１号公報や特開昭５１３−
８３７４８号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒａ−ｓｔＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

必゛、乍ら、光受容層を単層構成のａ−９ｉ層とすると
、その高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求さ
れるｔｏ１２Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素
原子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子と
を特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有さ
せる必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に
行う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に
可成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１８０号、同５８１８１号の各公報に記
載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び光
受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりし
て、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されて
いる。

この様な提案によって、ａ　−３ｉ系先光受容材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光重。と上部界面１０２で反射した反射光ＲＩ、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入入 として、ある層の層厚がなだらかに一以上の層ｎ 厚差で不均一であると、反射光Ｒ，、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ
λ（ｍはｇ！数、反射光は強め合う）と２ｎｄ−（ｍ＋
−）入（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどちら
に合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に
変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５０ＯＡ〜±　１００００Ａの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１８２９７５号公報）アルミニウム支持体への凹凸を
設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−１
８２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色アル
マイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、着色顔
料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例え
ば特開昭５７−１８５８４５号公報）、アルミニウム支
持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブラ
ストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持体表
面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭５７
−１８５５４号公報）等が提案されている。

丙午ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−９ｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−５ｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化による
その後のａ−Ｓｉ層の形成に悪影響を与えること等の不
都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光Ｉｏは、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光■ｌ　となる。

透過光■１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光に、　、に２．に３・・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って、反射光Ｒ
１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４０２での表面での反射光Ｒ２＋第２層での反射光Ｒ１
＋支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった・ 又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロー２ト間に於いてバラ
ツキが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一
があって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的
大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる
大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因と
なっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｒ＋ｄ。

＝ｍ入または２ｎｄ、　＝　（ｍ＋３４）入が成立ち、
夫々明部または暗部となる。また、光受容層全体では光
受容層の層厚ｄｌ　、ｄ２＋ｄ３　、ｄ４の夫々の差の
あるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と、シリコン原子とゲ
ルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の
層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され、光導
電性を示す第２の層と、反射防止機能を有する表面層と
が前記支持体側よりこの順に設けられた多層構成の光受
容層とを有しており、前記第１の層及び第２の層の少な
くとも一方に伝導性を支配する物質が含有されると共に
、前記光受容層は、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中
から選択される少なくとも一種を含有するこ、とを複数
有する。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように、第２層８０２の層厚がｄｓか
らｄｓと連続的に変化している為に、界面８０３と界面
６０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（ショートレンジ）！に入射した可干渉性光は該
微小部分ｌに於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生ず
る。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉ０に対する
反射光Ｒ，と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７＝ｄａ）であっても同様に云え
る為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図の
ｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光Ｉ０に対
して１反射光Ｒ１＋Ｒ２、Ｒ３Ｒ４＋Ｒ５が存在する。

その為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為１画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕とげとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさｌ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　　　ｄｂ）は、照射光の波
長を入とすると、 入 （ｎ：第２層６０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｔの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
９ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

本発明の目的を達成するための支持体の加工方法として
は、化学工・ンチング、電気メッキなどの化学的方法、
基若、スパッタリングなどの物理的、方法、旋盤加工な
どの機械的方法などを利用できる。１−かし、生産管理
を容易に行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ま
しいものである。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、■字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す線状突起部は１円筒状支持体の中心軸
を中心にした螺旋構造を有する。突起部の螺旋構造は、
二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉ｖ１旋構造とされ
ても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、一次近似
的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配列されていることが好ましい、又、更
に、前記凸部は１本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数有す
ることが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が１ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
いることが好ましい。しかし、支持体の加工管理の自由
度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明における支持体の所定の切断位置とは。

例えば円筒の対称軸を有する支持体であって、その対称
軸を中心とする螺旋状構造の凸部が設けられている支持
体においては、該対称軸を含む任意の面をいい、また例
えば、板状等の平面を有する支持体におていは、支持体
上に形成されている複数の凸部の最低２つを横断する面
を言うものとする。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１゛は光受容層を構成するａ−９ｉ層は。

層形成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態
に応じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−９ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

ト記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピー２チは、好ましくは５００μ〜
０．３μ、より好ましくは２００μ〜１　ｐｇ　、最適
には５０μ〜５牌であるのが望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｓ〜５　
ＩＬＩｍ、より好ましくは０．３ｇｍ〜３犀、最適には
０．８ｐ〜２−とされるのが望ましい、支持体表面の凹
部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（
又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜
２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜
１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１−〜２−１．より好ましくは０．１−〜１．５ｇｍ
　、最適には０．２騨〜ｌ−とされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層と反射防止機能を有する表面
層とが支持体側より順に設けられた多層構成となってお
り、優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧
性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
１画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

反射防止機能を持つ表面の厚さは、次のように決定され
る。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長を入とす
ると、反射防止機能を持つ表面層の厚さｄは、 が好ましいものである。

ｎ＝萬 の屈折率を有する材料が最適である。

この様な光学的条件を加味すれば、反射防止層の層厚は
、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるもの
として、　０．０５〜？牌とされるのが好適である。

本発明に於いて、反射防止機能を持つ表面層の材料とし
て有効に使用されるものとしては、例えば、ＭｇＦ２、
Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＳ　、　ＣｅＯ
２゜ＣｅＦ２．５ｉ０２．　ＳｉＯ、’Ｔａ２０５　、
　ＡｌＦ２．　ＮａＦ　、　５ｉ３Ｎａ等の無機弗化物
や無機窒化物、或いは、ポリ塩化ビニル、ポリアミド樹
脂、ポリイミド樹脂、弗化ビニリデン、メラミン樹脂、
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、酢酸セルロース等の有
機化合物が挙げられる。

これらの材料は、本発明の目的をより効果的且つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できる
ことから、蒸着法、スパッタリング法、プラズマ気相法
（ｐｃｖｏ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、塗布法が採
用される。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１Ｏ図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１００Ｇを有し
、該光受容層１００Ｇは自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ−９ｉ（以後ｒａ−ＳｉＧｅ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−！Ｊｉ（以後ｒａ−Ｓｉ
（Ｈ、Ｘ）Ｊと略記する）で構成され、光導電性を有す
る第２の層（Ｓ）　１００３と、反射防止機能を有する
表面層１００ＥＩとが順に積層された層構造を有する。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１の層（Ｇ）　１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１０
０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており
、該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与え
られている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）　１００２又は／　
゛及び第２の層（Ｓ）１００３に含有される伝導特性を
支配する物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全
層領域に万遍なく均一に含有されても良く、物質（Ｃ）
が含有される層の一部の層領域に偏在する様に含有され
ても良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられるのが望ましい、殊に、第１の層ＣＧ）の支持
体側の端部層領域として前記層領域（ＰＮ）が設けられ
る場合には、該層領域（ＰＮ）中に含有される前記物質
（Ｃ）の種類及びその含有量を所望に応じて適宜選択す
ることによって支持体から第２の暦Ｃ５）中への特定の
極性の電荷の注入を効果的に阻止することが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構成する第
１の暦（Ｇ）中に、前記したように該ｅ　（Ｇ）の全域
に万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含有させる
のが好ましいものであるが、更には、第１の層（Ｇ）に
加えて第１の層（Ｇ）上に設けられる第２の層（Ｓ）中
にも前記物質（Ｃ）を含有させても良い。

又、別の好適な実施態様例に於いては前記物質（Ｃ）は
、第１の層ＣＧ）には含有させずに、第２の！　（Ｓ）
のみ含有される。

この場合、前記物質（Ｃ）は、第２の層（Ｓ）の全層領
域に万遍なく含有させても良いし、或いは、第２の層（
Ｓ）の一部の層領域のみに含有させて偏在させても良い
、偏在させる場合には、第２の暦（Ｓ）の第１の層ＣＧ
）側の端部層領域に含有させるのが好ましく、この場合
には、前記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を適宜選択
することで支持体側から第２の層（Ｓ）への特定の極性
の電荷の注入を結果的に阻止することが出来る。

第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、第１の層（Ｇ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種
類やその含有量及びその含有の仕方は、その都度所望に
応じて適宜決められる。

本発明に於いては、第２の暦（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の暦（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１の層ＣＧ）と第２の暦（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

丙午ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
（Ｇ）中の含有量を充分多くする′　か、又は、電気的
特性の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含
有させるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）の中に、伝導特性
を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質
（Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）又は第２の
層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良い〕の
伝導特性、を所望に従って任意に制御することが出来る
ものであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂、半
導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本発明
に於いては、形成される光受容層を構成するａ　−Ｓ　
ｒ　（Ｈ＋　Ｘ　）又は／及びａ−ＳｉＧｅ　（Ｈ＋　
Ｘ）に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ
型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第ｍ族に属す
る原子（第ｍ族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａ７！（
アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム
）、ＴＩ（タリウム）等があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面の於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて１層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５　Ｘ　１Ｇ’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　
、より好適には０．５〜ｌ　Ｘ　１０’　　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ　、最適には、１〜５　Ｘ　１０３１０３ａ
ｔｏ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好
適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には　１
００　ａｔｏｍｉワｐｐ■以上とすることによって、例
えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合
には、光受容層の自由表面がＯ極性に帯電処理を受けた
際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を効果的
に阻止することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）
が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面が
０極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容層中
への正孔の注入を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性とは
別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（Ｃ）を含
有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝
導特性を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる実
際の量よりも一段と少ない量にして含有させても良いも
のである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるもにであるが、好ましくは
、ｏ、ｏｏｔ〜１０００ａｔａ膳ｉｃ　ｐｐｍ、より好
適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、最適
には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるの
が望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｇｇ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第１の層（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）　１００２の層厚方向及び支
持体の表面と平行な面内方向に連続的であって、且つ均
一な分布状態となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中
に含有される。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層ＣＧ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布して
いるので、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の層
（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の層
（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来、
支持体面からの反射による干渉を防止することが出来る
。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２のＦＡ’　（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々が
シリコン原子という共通の構成要素を有しているので積
層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されてい
る。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含宥量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１−９．５Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ　、　
　より好ましくは１００〜８ＸＩＯ５ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐ厘とされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層ＣＧ）の層厚■Ｂは、好まし
くは３０Ａ〜５０川、より好ましくは、４０Ａ〜４０浜
、最適には、５０Ａ〜３０川とされるのが望ましい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜８
０牌、より好ましくは１〜８０ル最適には２〜５０ルと
されるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚Ｔ、と第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（ｒａ＋”ｒ）としては、両層領域に要求される特性
と光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関
連性に基いて、光受容部材の層設針の際に所望に従って
、適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔｅ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００ル、より好適
には１〜８０ＩＬ、最適には２〜５０４とされるのが望
ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚Ｔ８及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ、／Ｔ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ｒｉ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、Ｔ、　／　Ｔ≦０．９．最適
にはＴｌ　／　Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層
厚■８及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がｌ　Ｘ　１０５ａｔｏ１０５ａｔ
ｏ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚丁、とじては
、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０ＩＬ
以下、より好ましくは２５牌以下、最適には２０ル以下
とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の層（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明においテ、　　ａ　−９ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）　テ
構成される第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー
放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティン
グ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成され
る０例えば、グロー放電法によって、ａ−９ｉＧｓ（Ｈ
，Ｘ）　テ構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、
基本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供
給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得
るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）
導入様の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上
に含有されるゲルマニウム原子の分布法度を所望の変化
率曲線に従って制御し乍らａ　−９ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）
から成る層を形成させれば良い、又、スパッタリング法
で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス
又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中で
Ｓｉで構成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲ
ットの二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合されたタ
ーゲットを使用してスパッタリングする際、必要に応じ
て水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれば良
い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

５ｉ３Ｈ６、５ｉ４Ｈ１゜等のガス状態の又ガス化し得
る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供
給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
ａ、　Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　、　Ｇｅ４Ｈ１６、Ｇ
ｅ５Ｈｔ２　。

Ｇｅ６Ｈｔｌｌ　＋　Ｇｅ７Ｈｔ＆　＊　ＧｅＢＨ１８
＋　ＧｅｇＨ２ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素
化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良
さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３）（ｇが好
ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素（７）／
”ロゲンガス、　ＢｒＦ、αＦ、αＦ３．ＢｒＦ５゜Ｂ
ｒＦ３　、ＩＦ３　、　ＩＦ７　、ｔｃｔ　、ＩＢｒ等
１７）ハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６　、５ｉ（１４、ＳｉＢｒ４等の
ハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が出来る
。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳＬを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−９ｉＧｅか
ら成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層（
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様
に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ　−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る第１の層
（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合
にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲット
の二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使用
して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリ
ングし、イオンブレーティング法の場合には、例えば、
多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウ
ム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボ
ートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔
蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で
行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｉ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはＩ＼ロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ、Ｈα、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、　５ｉ８２　Ｆ２　、　Ｓｉ
Ｈ２１２。

５ｉＨ２（Ｆ２　、５ｉＨＣｊ！３　、５ｉＨ２Ｂｒ２
　、５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素、及びＧ
ｅＨＦ３　、　ＧｅＢ２　Ｆ２　、　ＧｅＢ３　Ｆ　。

ＧｅＨαｓ　＋　ＧｓＨ２α２　Ｉ　ＧｅＨ３α、　Ｇ
ｅＨＢＴ３＋Ｇｅ）１２　Ｂｒ２　、　ＧｅＨ３Ｂｒ、
　Ｇｅ旧３　、　Ｇｅ）１２１２　、　ＧｅＢ３１等の
水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素
の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ４゜Ｇｅαａ　、　
ＧｅＢｒ４　、　Ｇ５Ｉ４．　ＧｅＦ２．　Ｇｅα２　
＊　ＧｅＢ”ｔ　＊ＧｅＩ２等（７）ハロゲン化ゲルマ
ニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有
効なｗＳｌの層（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事
が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他に’２　＋或いはＳｉ島＋　Ｓｉ２Ｈ６＋５ｊ
ａＨｓ　？　Ｓｉ、Ｈｌ。等の水素化硅素をＧｅを供給
する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或い
は、　Ｇｌ！［４、Ｇ５２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　、　Ｇｅ
４Ｈ１６，Ｇｅ５Ｈ１２。

Ｇｅ６Ｈｔ７１　ｅ　Ｇｅ７Ｈ１６１０ｇ８）１１８１
　ＧｅｇＨ２Ｇ等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給す
る為のシリコン又はシリコン化合物とを堆積室中に共存
させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される先受客層を構
成する第１の暦（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０
　ａｔｅ鳳ｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏ烏ｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ）形
成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料ガス
となる出発物質を除いた出発物質〔第２の暦（Ｓ）形成
用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層（Ｇ）を形
成する場合と、同様の方法と条件に従って行うことが出
来る。

即ち、本発明において、　ａ　−９ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放
電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される
０９例えば、グロー放電法によってａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）
で構成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的に
は前記したシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入
用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを
、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内
にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されであ
る所定の支持体表面上にａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）からなる暦
を形成させれば良い、又、スパッタリング法で形成する
場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等
のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成
されたターゲットをスパッタリングする際、水素原子（
Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパ
ッタリング用の堆積室に導入しておけば良い。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（０ＯＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（０ＯＮ）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ　
）の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵
抗の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層
領域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の
密着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光
受容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＲ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体との接触して設けられる場合には、該支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＱＣ）ｌ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＩＪ）の量に
は、形成される光受容部材に要求される特性に、応じて
所望に従って適宜状められるが、好ましくは０．００１
〜５０ａｔｏｍｊｃ％、より好ましくは、　０−００２
〜４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３Ｑａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、暦
債城（ＯＣＮ）の層厚丁ｏの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
多なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には１層領域（ＯＣＳ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ
％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下、最適
には１Ｏａｔｏ■ｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（０ＯＮ）を含有されることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ることが出
来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有さｉても良い、即ち、例えば、第１の層中には、酸素
原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸
素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良い
。

第１１図乃至第１９図には１本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示される
。

第１１図乃至第１９図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ｏｃｔｔ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を
、ｔ□は支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面
の位置を示す、即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領
域（ＯＣＮ）は１Ｂ側より１丁側に向って層形成がなさ
れる。

第１１図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１の
典型例が示される。

第１１図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（ＯＣ
Ｎ）の表面とが接する界面位置１．より１．の位置まで
は、原子（ＯＣＮ）の分布濃度ＣがＣＩなる一定の値を
取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ＯＣＮ）
に含有され、位置ｔ１よりは濃度４より界面位置１．に
至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置を丁
においては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度ちとされ
る。

第１２図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置１．より１Ｔに至るまで濃度
Ｃ，ｌから徐々に連続的に減少して位置１．において濃
度ちとなる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置１．より位１１ｔｚまでは原
子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃもと一定値とされ、
位置ｔ２と位置ＬＴとの間において、徐々に連続的に減
少され、位置１．において、分布濃度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である）。

第１４図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置１．より位置り丁に至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され、位置１．において、実質的に零とされ
ている。

第１５図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置ＬＢと位置１３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり、位置１．においては濃度ＣＩＧとされる０位
置ｔ３と位置を丁との間では、分布濃度Ｃは一次関数的
に位置し３より位置を丁に至るまで減少している。

第１８図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
８より位置ｔ４までは濃度Ｃｔｔの一定値を取り１位置
ｔ４より位置１．までは濃度０１２より濃度ａＳＳまで
は一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては１位置ｔｌＢより位置１Ｔ
に至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度ａＳＳ
より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては、位置１Ｂより位置ｔ５に至るまで
は原子（ＯＣＲ）の分布濃度Ｃは、濃度ａＳＳより０１
６までの一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置１、と
の間においては、濃度ＣＩＧの一定値とされた例が示さ
れている。

第１９図に示される例においては、原子（００％）の分
布濃度Ｃは、位置１．においては濃度ＣＩ７であり、位
置ｔ６に至るまではこの濃度Ｃｔｔより初めは緩やかに
減少され、ｔもの位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔもでは濃度Ｃ１８とされる。

位置し６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃｔ９となり、位置１．と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されてｔθにおいて、濃度
Ｃ２゜に至る０位置ｔ８と位置１．の間においては濃度
Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲
線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１３図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
においては、支持体側において、原子（０１１１；Ｎ）
の分布濃度Ｃの高！／、Ｘ部分を有し、界面１丁側にお
いては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低く
された部分を有する原子（ＯＣＮ）の分布状態が層領域
（ＯＣＮ）に設けられている。

原子（０（：Ｎ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上
記した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃
度で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして
設けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受
容層との間の密着性をより一層向上させることが出来る
。

上記局在領域（Ｂ）は、第１１図乃至第１９図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位Ｉｔｓより５ＪＬ以内に
設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域ＣＢ）は、界面位置１
．より５ル厚までの全領域（Ｌｔ）とされる場合もある
し、又、層領域（Ｌｔ　）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（Ｌｒ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｍａｔが、好ましくは５００ａｔｏｓｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏ腸ｉｃ　ｐｐｓ＋
以上、最適には１００１０００ａｔｏ　ｐｐ■以上とさ
れる様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望ま
しい。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５島以内Ｃ
Ｌｖｒから５蒔厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃｗ
ａｘが存在する様に形成されるのが望まし１、％。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣｌ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が暦接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（００％）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で。

連続して緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第１１図乃至第１４図、第１７図及
び第１９図に示される分布状態となる様に、原子（ＯＣ
Ｎ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたちのに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、少なくとも原子（ＤＯＮ）を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（（ｈ）、オゾン（０３）−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０ｓ　）　、四二酸
化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ）、三酸
化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（
０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えばジシ
ロキサン（Ｈ３５ｉＯ９ｉＨ３＞、トリシクロキサン（
Ｈ３ＳｉＯＳｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シクロキサン
、メタ７（ＣＨ４）　、　工１７　（Ｃ２Ｈ６）　、プ
ロパ７（Ｃ３Ｈ＠）、ｎ−ブタン（！ｌ−Ｃ，ＨＩＯ）
　、ペンタン（ｃｓ　Ｈ１２）等の炭素数１〜５の飽和
炭化水素、エチレン（Ｃ２）１４）。

プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃａ）ｉｓ）、
ブテン−２（ＣｓＨｓ）　、イソブチレン（Ｃｓ　Ｉｓ
　）　、ペンテン（（４Ｈ１６）等の炭素数２〜５のエ
チレン系炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルア
セチレン（Ｃｏ３）Ｌｓ）、　ブチン（Ｃａ　Ｈｅ　）
等の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２
）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２％？１８
２）　、アジ化水素（ＨＮ３）　、アジ化アンモニウム
（ＮＨ４Ｎ３）　、三弗化窒素（Ｆ：ａＮ）、四弗化窒
素ＣＦＡＮ）等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
５ｉ０２、Ｓｉ３　Ｎ、、カーボンブラック等を挙げる
ことが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共にス
パッタリング用のターゲットとしての形で使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＣ＋Ｖ）を設ける場合、該層
領域（ＯＣＮ）に含有される原子（０１１１：Ｎ）の分
布濃度Ｃを層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布
状ｍ　（ｄｅＰｔｈｐｒｏｆ　１ｌｅ）を有する層領域
（０ＯＮ）を形成するには、グロー放電の場合には１分
布法度Ｃを変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発
物質のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従っ
て適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによって
成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく１例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状ＩＱ　（（１’Ｐｊｈｐｒｏｆ　１ｌｅ）を形成す
るには、第一には、グロー放電法による場合と同様に、
ｊＸ子千尋用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを
堆積室中へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変
化させることによって成される。第二にはスパッタリン
グ用のターゲットを、例えばＳｉとＳｉＯ□との混合さ
れたターゲットを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２
との混合比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化
させておくことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ｍ、Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａ
ｕ、Ｗｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の暦が設けられるのが望ましい、　　゛例えば、ガラス
であれば、その表面に旧Ｃｒ。

Ａｌｌ、　Ｃｒ、　Ｎｏ、Ａｕ、Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ
％Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２
、ＩＴＯ（Ｉｎ２０３　＋５ｎ０２）等から成る薄膜を
設けることによって導電性が付与され、或いはポリエス
テルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、旧Ｏｒ、
　Ｍ、Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｏｒ
、Ｎｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐ
ｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面
をラミネート処理して、その表面に導電性が付与される
。支持体の形状としては１円筒状、ベルト状、板状等任
意の形状とし得、所望によって、その形状は決定される
が、例えば、第１Ｏ図の光受容部材１００４を電子写真
用光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の
場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい
、支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される
様に適宜決定されるが、光受容部材として、可撓性が要
求される場合には、支持体としての機能が充分発揮され
る範囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午ら、この
様な場合支持体の製造上及び取扱い上。

機能的強度の点から、好ましくは１０ＩＬ以上とされる
。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００Ｂのガスボンベには、本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２は５ｉ）ＬＨガス（純度９
．９　、９９９％、以下、５ｉｌ（、ｓと略す）ボンベ
、２００３はＧｅＨａガス（純度９ｉ９．ｆ３９９％、
以下ＧｅＨ４と略す）ボンベ、２００４はＮＯガス（純
度９９．９９９％、以下ＮＯと略す）ボンベ、　２００
５はＨ２で稀釈された８２Ｈ６ガス（純度９９．９１９
％、以下８２　Ｈ６／　Ｈ？と略す）ボンベ、２００Ｂ
はＨ２ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００８のバルブ２０２２〜２０２Ｂ、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ２０１２〜２０１Ｂ、流出バルブ２０１
７〜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開
いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する０次
に真空計２０３６の読みが約５　Ｘ　１０４ｔｏｒｒに
なった時点で補助バルブ２０３２．２０３３、流出バル
ブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１伽をあげると、ガスボンベ２００２よりＳｉＨ
４ガス、ガスボンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガスボ
ンベ２００４よりＮＯＯ１２ガスボンベ２００５よりＢ
２Ｈ６／　Ｉ２ガス、２００Ｂより）Ｉ２ガスをバルブ
２０２２．２０２３．２０２４．２０２５．２０２６を
開いて出口圧ゲージ２０２７．２０２８．２０２９．２
０３０．２０３１（７）圧をｌ　Ｋｇ／ｃゴに調整し、
流入バルブ２０１２．２０１３．２０１４．２０１５．
２０１６ヲ徐々に開けて、マスフロコントローラ２００
７．２００８．２００９．２０１０．２０１１内に夫々
流入させる。引き続いて流出バルブ２０１７．２０１８
．２０１９．２０２０．２０２１、補助バルブ２０３２
．２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００１
に流入させる。このときのＳｉＨ４ガス流量Ｇｅｔ（４
ガス流量、ＮＯガス流量の比が所望の値になるように流
出バルブ２０１７．２０１８．２０１９゜２０２Ｇ、２
０２１を調整し、また、反応室２００１内の圧力が所望
の値になるように真空計２０３８の読みな見ながらメイ
ンバルブ２０３４の開口を調整する。そして、基体２０
３７の温度が加熱ヒーター２０３８により５０〜４００
℃の範囲の温度に設定されていることを確認した後、電
源２０４０を所望の電力に設定して反応室２００１内に
グロー放電を生起させる。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の暦（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）上にゲ
ルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ）
を形成することが出来る。

なお、第１の層（Ｇ）及び第２の暦（Ｓ）の各層には、
流出バルブ２０１９あるいは２０２０を適宜開閉するこ
とで酸素原ギあるいは硼素原子を含有させたり、含有さ
せなかったり、あるいは各層の一部の暦債城にだけ酸素
原子あるいは硼素原子を含有させることも出来る。また
、酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素原子を
含有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮＯＯ１２
例えばＮＨ３ガスあるいはＣＨ４ガス等に代えて、層形
成を行なえばよい、また、使用するガスの種類を増やす
場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層形成を
行なえばよい０層形成を行っている間は層形成の均一化
を計るため基体２０３７はモーター２ｏ３８により一定
速度で回転させてやるのが望ましい。

最後に、第２の暦（Ｓ）上に反射防止機能を持つ表面層
を堆積させるために１例えば２００１１１の水素（Ｈ２
）ガスボンベをアルゴン（Ａｔ）ガスボンベに取り変え
、堆積装置を清掃し、カソード電極上に表面層の材料を
一面に張る。その後、装置内に第２の暦（Ｓ）まで形成
したものを設置し、減圧した後アルゴンガスを導入し、
グロー放電を生起させ表面層材料をスパッタリングして
、所望層厚に表面層を形成する。

〔実施例〕

以下実施例について説明する。

実施例１ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ−、外径（ｒ）
８０−■〕を旋盤で第２１図（Ｂ）に示すような表面性
に加工した。

次に、第１表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置を使
用し、所定の操作手順に従ってａ−９ｉ系電子写真用光
受容部材を作製した。また１表面層は、第２０図の装置
のカソード電極上に、第１５表に示すような各種材料の
板（厚さ３　ａｍ）のうち１本例ではＺｒＯ□を一面に
張り、第１層および第２層形成時に使用したＩ２ガスを
Ａｒガスに取りかえた後、装置内を約５　Ｘ　１Ｇ’　
ｔｏｒｒの真空とし１次いでＡｒガスを導入して、高周
波電力を３００１１１としてグロー放電を起し、カソー
ド電極上のＺｒＯ２をスパッタリングすることによって
形成した。なお、以下の実施例（おいても１表“面層形
成材料を変える以外は、本例と同様にして表面層の形成
を行った。

このようにして作製した光受容部材の表面状態は、第２
１図（Ｃ）に示すようであった。この場合。

Ｍ支持体の中央部と両端部とでの平均層厚の暦厚差は、
２鱗であった。

以上の電子写真用光受容部材について、第２４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７Ｂ０ｎ■。

スポット径８０牌）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は
観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２ 次に、第２表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同
様にして、第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従
ってａ−９ｉ系電子写真用光受容部材を作成した。

以上のようにして形成された電子写真用光受容部材につ
いて、第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長
７８０ｎｍ、スポット径８０−）で画像露光を行ない、
それを現像、転写して画像を得た。

得られた画像には、渉縞模様は観測されず、実用に十分
なものであった。

実施例３ 表面層材質をＴｉＯ２とした第３表に示す条件で行なう
以外ぼ、実施例１と同様にして第２０図の膜堆積装置で
種々の操作手順に従ってａ　−９ｉ系電子写真用光受容
部材を作製した。

以上のようにして形成された電子写真用光受容部材につ
いて、第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長
７８０ｎ＋ｗ、スポット径８０鱗）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。

得られた画像には、干渉縞模様は観測されず、実用に十
分なものであった。

実施例４ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｉ＋鳳）の表面を、第２１図（Ｂ）、第２２図及
び第２３図に示すような表面性に３種ｌｌＮＭ！盤で加
工した。

次に、第４表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ　−５ｉ系電子写真用光受容部
材を作製した。なお、表面層は実施例３と同様にして形
成した。

これらの電子写真用光受容部材について、第２４図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ｇ）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。得られた画像は、そのいずれにも干渉縞
模様は観測されず、実用に十分なものであった・ 実施例５ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第２１ｔ４　（Ｂ）　、第２２図及び
第２３図に示すような表面性に３種類旋盤で加工した。

次に、表面層材質をＣｅＯ２とした第５表に示す条件で
行なう以外は実施例４と同様にして、第２０図の膜堆積
装置で種々の操作手順に従ってａ　−５ｉ系電子写真用
光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０μｓ）で画像露光を行ない、そ
れを現像、転写して画像を得た。得られた画像には、そ
のいずれにも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なも
のであった。

実施例６゜ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８ｈａ）を、第２１図（Ｂ）、第２２図及び第２３図
に示すような表面性に３種類旋盤で加工した。

次に、表面層材質をＺｎＳとした第６表に示す条件で行
なう以外は実施例４と同様にして、第２０図の膜堆積装
置で種々の操作手順に従ってａ　−５ｉ系電子写真用光
受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。得られた画像には、その
いずれにも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもの
であった。

実施例７ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０＋ｓｍ）を、第２１図ＣＢ）に示すような表面性
に旋盤で加工した。

次に、この支持体を用いて表面層材質をＭ、０３とした
第７表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同様にし
て第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従ってａ−
９ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

なお、第１層の形成に於いては、ＣＨ４ガスのＳｉＨ４
ガスに対する流量環を、第２５図のようになルヨうに、
ＣＨ４ガスのマスフロコントローラー２００８をコンピ
ューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

以上のようにして形成された電子写真用光受容部材につ
いて、第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長
７８０ｎｍ、スポット径８０μｓ）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。

得られた画像には、干渉縞模様は観測されず、実用に十
分なものであった。

実施例８ Ｍ支持体（長さくＬ）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）　８
０ｍｍ）を、第２１図ＣＢ）に示すような表面性に旋盤
で加工した。

次に、この支持体を用いて表面層材質をＣｅＦ３とした
第８表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同様にし
て第２０図の膜堆積装置で種々の操作手順に従ってａ−
Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

なお、第１層の形成に於いては、ＮＯガスのＧｅＨ４ガ
スとＳｉＨ４ガスとの和に対する流量比を第２８ｒ１！
ｉに示すようになるようにＮＯガスのマスフロコントロ
ーラー２００９をコンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ　）に
より制御してこれを形成した。

このようにして作製した光受容部材について。

第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０
　ｎｍ、スポット径８０騨）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。得られた画像には干渉縞
模様は観測されず、実用に十分なものであった。

実施例９ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第２１図（Ｂ）に示すような表面性に
旋盤で加工した。

次に、この支持体を用い表面層材質をＭｇＦ２とした第
９表に示す条件で行なう以外は実施例１と同様にして、
第２０図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子写真
用光受容部材を作製した。

なお、第１層の形成に於いては、ＮＨ３ガスのＧｅ）（
４ガスと５ｉ）１４ガスとの和に対する流量比を第２７
図に示すようになるようにＮＨ３ガスのマスフロコント
ローラー２００８をコンピュータ（）ＩＰ９８４５Ｂ　
）により制御して第１層を形成した。

このようにして作製した光受容部材について、第２４図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、ス
ポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は観察
されず、実用に十分なものであった。

実施例１０ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍ＋＊）を、第２１図（Ｂ）に示すような表面性
に旋盤で加工した。

次に、この支持体を用い表面層材質を５ｉ０２とした第
１０表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同様にし
て第２０図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子写
真用光受容部材を作製した。

なお、　（：Ｈ，ガスのＧｅＨ４ガスとＳｉＨ４ガスと
の和に対する流量比は、第２８図に示すようになるよう
にＣＨ４カスのマスフロコン゛トローラー２００９ヲコ
ンピュータ（ＨＰ９１１４５Ｂ　）により制御した。

このようにして作製した光受容部材について、第２４図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、ス
ポット径８０μ）で画像露光を行ない。

それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には干
渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであった・ 実施例１Ｉ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ａｍ、径（ｒ　）
　８０ｓ＋ｍ）を、第２１図（Ｂ）に示したような表面
性に旋盤で加工した。

次に、この支持体を用い表面層材質をＺｒＯ２とＴｉＯ
２の６：１（重量比）混合物とした第１１表に示す条件
で行なう以外は、実施例１と同様にして第２０図の堆積
装置で種々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を
作製した。

なお、ＮＯガスのＧｅＨ４ガスとＳｉＨ，ガスとの和に
対する流量比を第２３図のようになるように、ＮＯガス
のマスフロコントローラー２００９ヲコンピュータ（Ｉ
Ｐ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材について。

第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７日０
ｎ腸、スポット径８０−）で画像露光を行ない、それを
現像、転写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模
様は観察されず、実用に十分なものであった・ 実施例１２ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第２１図（Ｂ）に示したような表面性
に旋盤で加工した。

次に、この支持体を用い表面層材質をＡｆ２０３／Ｚｒ
Ｏ２＝　ｌ　／　ｌ　（重量比）の混合物とした第１２
表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同様にして第
２０図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子写真用
光受容部材を作製した。

なお、　Ｎ）Ｉ３ガスのＧｅＨ４ガスとＳｉＨ，ガスと
の和に対する流量比を第３０図のようになるように、Ｎ
Ｈ３ガスのマスフロコントローラー２００９をコンピュ
ータ（ＨＰ９８ｔ５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材について、第２４図
に示す画像露光装Ｎ（レーザー光の波長７８０ｎ履、ス
ポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。得られた画像には干渉縞模様は観察
されず、実用に十分なものであった・ 実施例１３ Ｍ支持体〔長さくＬ）　　３５７＋ｕ＋’、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第２１図（Ｂ）に示したような表面性
に旋盤で加工した。

次に、この支持体を用い表面層材質をＭｇＦ２とした第
１３表に示す条件で行なう以外は、実施例１と同様にし
て第２０図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子写
真用光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材について、第２４図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７日０ｎ■、ス
ポット径８０牌）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。得られた画像には・干渉縞模様は観
察されず、実用に十分なものであった。

実施例１４ Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、第２１図（Ｂ）に示したような表面性
に旋盤で加工した。

次に、この支持体を用い第１４表に示す条件で行なう以
外は、実施例１と同様にして第２０図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

このようにして作製した光受容部材について、第２４図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ麿、ス
ポット径８ｏ−）で画像露光を行ない。

それを現像、転写して画像を得た。得られた画像には干
渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであった。

実施例１５ 実施例１から実施例１４までについて、Ｈ２で３０００
ｖａｌ　ｐｐｍニ稀釈したＢ、　Ｈ６ガＸ（７）代わり
ニ８２　テ３０００マａｔ　ｐｐｍに稀釈したＰＨ３ガ
スを使用して、電子写真用光受容部材を作製した。

なお、他の製作条件は、実施例１から実施例１４までと
同様にした。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎ■、スポット径８０μ）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。得られた画像のいずれに
も干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであった
。

実施例１Ｂ 第２１図ＣＢ）に示したような表面性に旋盤で加工した
Ｍ支持体〔長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ５、径（ｒ）８
０■〕用い、表面層の材質及び層厚を第１５表に示すよ
うにして、その他の条件は、実施例１と同様にして第２
０図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子写真用光
受容部材を作製した（試料、１６２７０１〜２７２２）
　。

このようにして作製した光受容部材のそれぞれについて
、第２４図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８
０ｎｍ、スポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。得られた画像のいずれに
も干渉縞模様は観察されず、実用に十分なものであった
。

［発明の効果］ 以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転時の斑点
の現出を同時にしかも完全に解消することができ、しか
も表面における光反射を低減し、入射光を効率よく利用
できる光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図（Ａ）、ＣＢ）、（Ｃ）、（Ｄ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。 第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反甜光強度
の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ代表的な支持体の表面
状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１１図から第１９図は、それぞれ層領域（ＯＣＮ）中
の原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布状態を、説明するための説
明図である。 第２０図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。 第２１図（Ａ）　、　（８）　、　（Ｃ）　、第２２図
及び第２３図は、実施例で用いた超支持体の表面状態の
説明図である。 第２４図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 第２５図から第３０図はそれぞれ実施例におけるガス流
量の変化率曲線を示すものある。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材の自由表面１００Ｂ・・・・・・・・
・・・・・・・・・・表面層２８０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレン
ズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２Ｂ０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・露光装置の平面図２６０８・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面図特許出願人　　キャノ
ン株式会社 第１！Ｉ！ 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 （Ａ）（ｓ） 第８図 □Ｃ 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 第１７ 第１８ 第１９ ｔＪＪｍ） 第２１図 （ＪＪｍ） 第２２図 （）１ｍ） 第２３図 力゛入ヲ丸量ＤＣ 第２５図 カ”ス洗量ｒ乙 第２６図 ガス；先量よし 第２７図 力゛入流量↓こ 第２８図 カ゛入５丸量上し 第２９図 “カ″スエ先量ル 第３０図

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. （１）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
   クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
   れている支持体と、シリコン原子とゲルマニウム原子と
   を含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原
   子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第２の
   層と、反射防止機能を有する表面層とが前記支持体側よ
   りこの順に設けられた多層構成の光受容層とを有してお
   り、前記第１の層及び第２の層の少なくとも一方に伝導
   性を支配する物質が含有されると共に、前記光受容層は
   、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択される少
   なくとも一種を含有することを特徴とする光受容部 材。
2. （２）酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択され
   る原子の少なくとも一種を含有する前記光受容層に於い
   て、該含有される原子の分布状態が、層厚方向に均一で
   ある特許請求の範囲第１項記載の光受容部材。
3. （３）酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択され
   る原子の少なくとも一種を含有する前記光受容層に於い
   て、該含有される原子の分布状態が、層厚方向に不均一
   である特許請求の範囲第１項記載の光受容部材。
4. （４）前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
   囲第１項記載の光受容部材。
5. （５）前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
   囲第１項記載の光受容部材。
6. （６）前記凸部の夫々は、一次近似的に同一形状を有す
   る特許請求の範囲第１項記載の光受容部材。
7. （７）前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求の範
   囲第１項記載の光受容部材。
8. （８）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て対称形状である特許請求の範囲第１項記載の光受容部
   材。
9. （９）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
   て非対称形状である特許請求の範囲第１項記載の光受容
   部材。
10. （１０）前記凸部は、機械的加工によって形成されたも
    のである特許請求の範囲第１項記載の光受容部材。
11. （１１）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
    方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
    記載の光受容部材。
12. （１２）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
    方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
    項又は同第１１項に記載の光受容部材。
13. （１３）伝導性を支配する物質が周期律表第III族に属
    する原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
    材。
14. （１４）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
    る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
    。