JPS61104320A - 磁気記憶体 - Google Patents

磁気記憶体

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JPS61104320A
JPS61104320A JP22173284A JP22173284A JPS61104320A JP S61104320 A JPS61104320 A JP S61104320A JP 22173284 A JP22173284 A JP 22173284A JP 22173284 A JP22173284 A JP 22173284A JP S61104320 A JPS61104320 A JP S61104320A
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JP
Japan
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magnetic
head
disk
lubricating
magnetic storage
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JP22173284A
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Masahiro Yanagisawa
雅広 柳沢
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NEC Corp
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は磁気的記憶装置(磁気ディスク装置または磁気
ドラム装置など)に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
(従来技術とその問題点) 一般Iこ記録再生磁気ヘッド(以下ヘッドと呼ぶ)と磁
気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法
には次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッ
ドと磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記
憶体lζ所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記
憶体面との間に空気要分の空間を作り、この状態で記録
再生をする方法である(コンタクト・スタート・ストッ
プ方式。
以下C8S方式と呼ぶ)。この方法では操作終了時に磁
気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面
は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
この傷の発生を防ぐために従来から特開昭52−498
05に示される様な以下に示す側鎖パーフロロアルキル
ポリエーテル又は、直鎖パーフロロアルキルホリエーテ
ルを例とする種々の潤滑剤が提案されてきたが、いずれ
もC8sにより除々(こ潤滑層が除去され多数回のC8
Sの繰り返しにおいて磁気記憶体の傷の発生を防ぐこと
ができなかった。
また除去された潤滑剤が接触摺動面に厚く局在しヘッド
と磁気記憶体の接触により吸着を生じて離れにくくなる
という欠点もあった。
F、Co÷CF t −CF 2−0←÷CF、−0+
CF。
m             n 直鎖パーフロロア ルキルポリエーテ ル (発明の目的) 本発明の目的は潤滑特性に優れかつ、ヘッドとディスク
間の吸着を起こさない潤滑層を有する磁気記憶体を提供
することにある。
(発明の構成) すなわち本発明の磁気記憶体は鏡面を有する下地体の上
に磁性媒体が被覆され、該媒体上に直接または保護膜を
介してパーフロロアルキルリン化合物を含む潤滑剤から
なる潤滑層が被覆されてなる構造を有することを特−徴
としている。
(構成の詳細な説明) 次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地体1
はアルミ合金又は、陽極酸化アルマイト、N1−pメッ
キ膜、crJ’eNi、MOまたはW等を被覆のアルミ
合金、又はポリエステル、ポリイミドポリアミドイミド
などのプラスチック、又はCr。
FeNi、MO,Wなどの金属、又はガラス板である。
次にこの下地体lの上に磁性媒体2としてFe、04r
−Fe、0.、などの鉄酸化物又はCo−Ni 、 C
o−N1−P 、 Co −hlln −P 、 Co
−Ni −Mn −P 、 Co −Re 、 (’o
7Mn−Re−P+C0−Cr、Co−V、Co−Pt
、C0−Ni−Pt、Co−Pt−Cr、Co−Pt−
V、Co−Rh、Co−N1−Mo又はCo−8mなど
の金属又は合金を被覆する。
さらに該磁性媒体2の上にパーフロロアルキルリン化合
物を含む潤滑剤からなる潤滑層が被覆されている。ここ
で用いるパーフロロアルキルリン化合物は次の様な構造
を有する。
R[\        几f\ 几f’−P  ・・・ ■   R(’ −PO・・・
 ■Rf/Rf“/ ここでRf、Rf’、Rf’はCn F tl、+s 
(CHt )m又(記nF!n+□÷Rf”−J樟又は
パーフロロフェニル基などのふっ素化炭化水素である。
またn、pは1以上の整数、mは0又は1以上の整数で
ある。またJは結合分子であり一〇−1−などである。
またRf#は側鎖にCnFzn−s−の様なパーフロロ
アルキル基を有するか又は直鎖のパーフロロアルキル基
である。
また本発明で用いる潤滑剤の1例としてはパーフロロア
ルキルポリエーテル、官能基を有するパーフロロアルキ
ルポリエーテル、ポリテトラフロロエチレン、ポリテト
ラフロロエチレンテロマーパーフロロカルボン酸、パー
フロロアルコール、パーフロロカルボン酸エステル、パ
ーフロロアルコールの脂肪酸エステル、パーフロ°ロア
ルキルアルコキシシラン、フロロシリコーン、パーフロ
ロアルキルスルホン酸、パーフロロアルキルスルホン酸
アンモニウム、脂肪族アルキルアルコキシシラン、高級
脂肪酸、高級脂肪アルコール、高級脂肪酸エステル、高
級脂肪酸アミド脂肪アミン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂
肪族炭化水素、ポリアルキレングリコール、シリコーン
オイル、ポリオキシエチレン、ネオペンチルポリオール
エステル、ポリフェニルエーテルなどがある。
第2図は、本発明の別の磁気記憶体の部分断面図である
。第2図において、下地体1.および磁性媒体2.およ
び”潤滑層4は第1図と同じであるが磁性媒体2と前記
潤滑層4の間に保護膜3が被覆されている。該保護膜3
は5i02+S’sN4+SiC又はケイ酸重合物など
のケイ素化合物またはCOO。
Co、04tCo203.a−Fe20s +CrtO
s +CrO3、TiO7,又はz【02などの金属酸
化物またはTiN。
ZrN、CrN又はTaNなどの金属窒化物またはTi
CZrC,CrC又はTaCなどの金属炭化物またはW
Cr、Ir、NiP、Ru、Rh、Mn、MO,O5ま
たはTa又はそれらの合金などの金属又は合金が用いら
れる。前記パーフロロアルキルリン化合物は前記磁性媒
体2又は保護膜3に強固に吸着しかつ前記潤滑剤との相
溶性が良いため前記潤滑剤に混合することlこよりヘッ
ドとディスクの摺動による傷を防ぎ、かつ潤滑剤がヘッ
ドおよびディスクの摺動面へ集積することを防ぐことに
よりディスクとヘッドの吸着を防ぐことが出来る。
次に実施例により本発明の詳細な説明する。
実施例1 ニッケルー燐めっき膜が被覆され表面粗さ0.02μm
に鏡面仕上げされた下地体lの上lこ磁性媒体2として
コバルト−ニッケルー燐合金を0.05μmの厚さにめ
っきした。次にこの磁性媒体2の上に保護膜3として特
開昭52−20804号公報に示された様なポリ珪酸(
珪酸重合物)を回転塗布法により被覆する。次にこの保
@朕3の上に下記の構造のパーフロロアルキルリン化合
物と下記の構造の潤滑剤の混合物の0.1重量% トI
Jクロルh IJフロロエタン(以下フレオンと称する
ン溶液を回転塗布法dこより被覆して潤滑層を形成し磁
気ディスクを作った。
パーフロロフェニルリン化合物 潤滑剤 FsC−0+CFt CFt O++CFt O+CF
sts            ts 実施例2 実施例1と同様にして但し次の構造の様なパーフロロア
ルキルリン化合物と潤滑剤を用いて磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロフェニルリン化合物 潤滑剤 Hs COOCCF 20÷CF、CF2O÷−←CF
2Oす。
CFzCHtCOOCHs 実施例3 実施例1と同様にして但し保護膜3としてNiPを50
0^めっきし、後280°Cで焼成して表面にNiOを
形成させて磁気ディスクを作った。
実施例4 実施例3と同様にして但し保護膜3としてS’02を2
00Aスパツタリングにより被覆して磁気ディスクを作
った。
実施例5 実施例2と同様にして但し磁性媒体2としてC0Cr合
金をスパッタリング法により被覆し磁気ディスクを作っ
た。
実施例6 実施例2と同様にして但し磁性媒体2としてr −Fe
、0.をスパッタリング法により被覆して磁気ディスク
を作った。
実施例7 実施例1と同様lζして但し次の構造のパーフロロアル
キルリン化合物を用いて磁気ディスクを作った。
比較例1 実施例1と同様にして但し保@膜3の上に潤滑層4′と
して潤滑剤のみを塗布して磁気ディスクを作った。
比較例2 実施例1と同様にして但し保護膜3の上に潤滑層4とし
て潤滑剤のみを塗布して磁気ディスクを作った。
実施例1〜7及び比較例1.2で示した磁気ティスフを
用いて荷重15fのAtzos−Ticaコアを有する
ヘッドスライダを用いて多数回のコンタクト・スタート
・ストップ(C8S)の繰り返し摩耗試験と、1000
回C8S繰り返し後のヘッドとディスク間の吸着を摩擦
係数を測定することにより評価し次表の結果を得た。
表 上表の結果より実施例1〜7のパーフロロアルキルリン
化合物と潤滑剤の混合物からなる潤滑層を有する磁気デ
ィスクは比較例1および2のパーフロロアルキルリン化
合物を含まない潤滑層を有する磁気ディスクに比べ飛躍
的に機械的耐久性が向上しヘッドとディスゲの吸着か起
らないことが分る。
(発明の効果) 以上の様に実施例1〜7で示したパーフロロフェニルリ
ン化合物を含む潤滑剤の混合物からなる潤滑層を有する
磁気ディスクは、優れた機械的耐久性とヘッドとディス
クの吸着防止効果を有し磁気ディスク装置の信頼性を飛
躍的に向上出来ることが分った。
なお本発明の実施例では磁気ディスクについて述べたが
フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本発
明が有効であることは明らかで坐る。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明を示す部分断面図である。 1・・・下地体、2・・・磁性媒体、3・・・保a膜、
4・・・潤滑層である。 、ど− −1つ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 下地体の上に磁性媒体が被覆され、さらに該媒体上に直
    接または保護膜を介してパーフロロアルキルリン化合物
    を含む潤滑剤が被覆されてなる構造を有することを特徴
    とする磁気記憶体。
JP59221732A 1984-10-22 1984-10-22 磁気記憶体 Expired - Lifetime JPH0610869B2 (ja)

Priority Applications (1)

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Cited By (2)

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JPS62246124A (ja) * 1986-04-18 1987-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体
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