JPS61106473A - セラミツクスの製造法 - Google Patents
セラミツクスの製造法Info
- Publication number
- JPS61106473A JPS61106473A JP59224092A JP22409284A JPS61106473A JP S61106473 A JPS61106473 A JP S61106473A JP 59224092 A JP59224092 A JP 59224092A JP 22409284 A JP22409284 A JP 22409284A JP S61106473 A JPS61106473 A JP S61106473A
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- JP
- Japan
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- temperature
- heat treatment
- ceramics
- strength
- silicon nitride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）技術分野
この発明はセラミックス焼結体の均質化とくに強度のバ
ラツキの少ない、いわゆるワイブル係数の高いセラミッ
クスを得る方法に関する。
ラツキの少ない、いわゆるワイブル係数の高いセラミッ
クスを得る方法に関する。
（０）従来技術とその問題点
従来セラミックスは、焼結されたままで使用されるもの
や、更には表面を加工し、所定の寸法にして使用されて
いる。焼結したままのセラミックスの表面は凸凹部や曲
がりなどがあり、精密部品には用いる事ができない。そ
こで表面精度を出すためにダイヤモンド工具を用いて切
削加工、研削加工などが行なわれて部品として使用され
ている。
や、更には表面を加工し、所定の寸法にして使用されて
いる。焼結したままのセラミックスの表面は凸凹部や曲
がりなどがあり、精密部品には用いる事ができない。そ
こで表面精度を出すためにダイヤモンド工具を用いて切
削加工、研削加工などが行なわれて部品として使用され
ている。
バラツキが太き（なり、ワイブル係数が低いという問題
点があった。
点があった。
とくに破壊靭性の低い材料はど大きな問題でありたＯ
このような問題点を解決するために加工後の表面を、酸
化雰囲気で熱処理し、表面に酸化被膜を形成させるなど
して、表面傷の影響をなくす１１ｒが占えられ検討され
ている。
化雰囲気で熱処理し、表面に酸化被膜を形成させるなど
して、表面傷の影響をなくす１１ｒが占えられ検討され
ている。
例えばＣｅｒａｍｉｃｓ ｆｏｒ旧ｇｈ−Ｐｅｒｔｏｒ
ｍａｎｃｅＡ１１１１■ｃａ口ｏｎｓ（１９７４年）の
Ｐ、３９７〜Ｐ、４１４に記載のｒＴＨＥ ５ＴＲＥＮ
ＧＴＲＯＦ ５ＩＬＩＣＯＮ ＮＩＴＲＩＤＥ ＡＦＴ
ＥＲＥＸＰＯ５ＵＲＥ Ｔｏ ＤＩＦＦＥＲＥＮＴ Ｅ
ＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴＳＪ １７）中でＪ 、Ｊ 、Ｐ
ＥＴＲ０ＶＩＣとＪ、ＪＡＣＯＢＳＯＮは＋ｌｔ７トプ
Ｌ／Ｘ窒化珪素を研削加工した後、２６００ｇのヌープ
圧痕を打って窒化珪素表面に傷を導入し、熱処理の際の
雰囲気、温度と破壊強度との関係を調べている。この時
、ヌープ圧痕による粗大な表面傷に対しては、各種の酸
素分圧或は窒素雰囲気中での１０７３°に以上の熱処理
によって破壊強度が回復するが、傷を導入していない研
削加工のみの試験片では、同様の熱処理によってわずか
に強度が低下することが記ある。
ｍａｎｃｅＡ１１１１■ｃａ口ｏｎｓ（１９７４年）の
Ｐ、３９７〜Ｐ、４１４に記載のｒＴＨＥ ５ＴＲＥＮ
ＧＴＲＯＦ ５ＩＬＩＣＯＮ ＮＩＴＲＩＤＥ ＡＦＴ
ＥＲＥＸＰＯ５ＵＲＥ Ｔｏ ＤＩＦＦＥＲＥＮＴ Ｅ
ＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴＳＪ １７）中でＪ 、Ｊ 、Ｐ
ＥＴＲ０ＶＩＣとＪ、ＪＡＣＯＢＳＯＮは＋ｌｔ７トプ
Ｌ／Ｘ窒化珪素を研削加工した後、２６００ｇのヌープ
圧痕を打って窒化珪素表面に傷を導入し、熱処理の際の
雰囲気、温度と破壊強度との関係を調べている。この時
、ヌープ圧痕による粗大な表面傷に対しては、各種の酸
素分圧或は窒素雰囲気中での１０７３°に以上の熱処理
によって破壊強度が回復するが、傷を導入していない研
削加工のみの試験片では、同様の熱処理によってわずか
に強度が低下することが記ある。
またＣｅｒａｍｉｃｓ ｆｏｒ Ｈｌｇｈ−Ｐｅｒｔｏ
ｒｍａｎｃｅＯＦ ＣＥＲＡＭＩＣＣＯＭＰＯＮＥＮＴ
ＳＪの中でＪ、Ｅ、ＲＩＴＴＥＲ，ＪＲ，等は表面酸化
を利用して、研削加工によってホットプレス窒化珪素の
表面に生じたクラックの影響をなくそうとする試みを紹
介しているが、酸化によるクラック先端の鈍化と同時に
、酸化によるビットの形成が進行するため、両者の進行
の程度により強度が決定され、酸化の程度が大きくなる
につれて強度が低下する旨の記述がなされている。一般
に窒化珪素は焼結の際に助剤として添加する酸化物の種
類によって耐酸化性が大きく異なり、酸化が進行し易く
酸化によって強度が著しく低下する種類の窒化珪素も存
在するので、上述の様な酸化を利用した加工クーラツク
の影響をな（す試みは、必ずしも適当なものとは言えな
い。
ｒｍａｎｃｅＯＦ ＣＥＲＡＭＩＣＣＯＭＰＯＮＥＮＴ
ＳＪの中でＪ、Ｅ、ＲＩＴＴＥＲ，ＪＲ，等は表面酸化
を利用して、研削加工によってホットプレス窒化珪素の
表面に生じたクラックの影響をなくそうとする試みを紹
介しているが、酸化によるクラック先端の鈍化と同時に
、酸化によるビットの形成が進行するため、両者の進行
の程度により強度が決定され、酸化の程度が大きくなる
につれて強度が低下する旨の記述がなされている。一般
に窒化珪素は焼結の際に助剤として添加する酸化物の種
類によって耐酸化性が大きく異なり、酸化が進行し易く
酸化によって強度が著しく低下する種類の窒化珪素も存
在するので、上述の様な酸化を利用した加工クーラツク
の影響をな（す試みは、必ずしも適当なものとは言えな
い。
（ハ）発明の構成
本発明者らは、上記の従来の問題点に鑑みて、種々検討
を行ない均質性に優れたセラミックスを装造する方法を
見い申したものである。
を行ない均質性に優れたセラミックスを装造する方法を
見い申したものである。
すなわち、焼結されたセラミックスを加工し、ついで窒
素、アルゴンガス等の非酸化性雰囲気で熱処理し、均質
化させることを特徴とする高均質セラミ、クスの製造法
である。
素、アルゴンガス等の非酸化性雰囲気で熱処理し、均質
化させることを特徴とする高均質セラミ、クスの製造法
である。
れるすべての方法に対して本発明は何効である。
従来セラミックス表面を酸化させることによって、表面
に存在している欠陥の影響を抑えようとする試みが数多
くなされてきたが、従来技術とその問題点の項でも述べ
たように、酸化の状態を制御するのは容易ではなく、酸
化皮膜に存在するビットなどの欠陥によって逆にセラミ
ックスの強度が低下するといった現象も同時に報告され
ている。
に存在している欠陥の影響を抑えようとする試みが数多
くなされてきたが、従来技術とその問題点の項でも述べ
たように、酸化の状態を制御するのは容易ではなく、酸
化皮膜に存在するビットなどの欠陥によって逆にセラミ
ックスの強度が低下するといった現象も同時に報告され
ている。
これに対して本発明では、酸化ではな（、セラミックス
内部の物質移動を使用して傷の先端を鈍化させるために
、酸化皮膜におけるような問題が発生することなく、高
強度でバラツキの少ない均質なセラミックスを得ること
ができる。ここで言うセラミックス内部の物質移動とは
、粒界ガラス相の塑性流動や拡散、結晶粒子の表面拡散
や体積拡散を指す。セラミックスが窒化ケイ素の場合に
は、１２００℃以上で粒界ガラス相や結晶粒子の物質移
動が盛んになるため、１２００℃以上で熱処理すること
によって、歪場の大きな表面傷の先端に優先的にセラミ
ックスの構成成分が析出し、亀裂の先端をまた、本発明
では、特に酸化皮膜の発生に伴う新しい欠陥の出現を抑
えるために厳しい雰囲気制御を行っている。ここで言う
酸化皮膜の発生に伴う新しい欠陥とは、ビット並びに粗
大空孔などを指す。本発明では酸化皮膜の発生を抑える
ためにｌ Ｘ ｌｏ′ｔｏｒｒ以下の真空下で昇温を行
う。また加工を施したセラミックス焼結体をカーボンケ
ースに収納した状態で熱処理するため、酸素分圧をより
一層低下させることに成功した。
内部の物質移動を使用して傷の先端を鈍化させるために
、酸化皮膜におけるような問題が発生することなく、高
強度でバラツキの少ない均質なセラミックスを得ること
ができる。ここで言うセラミックス内部の物質移動とは
、粒界ガラス相の塑性流動や拡散、結晶粒子の表面拡散
や体積拡散を指す。セラミックスが窒化ケイ素の場合に
は、１２００℃以上で粒界ガラス相や結晶粒子の物質移
動が盛んになるため、１２００℃以上で熱処理すること
によって、歪場の大きな表面傷の先端に優先的にセラミ
ックスの構成成分が析出し、亀裂の先端をまた、本発明
では、特に酸化皮膜の発生に伴う新しい欠陥の出現を抑
えるために厳しい雰囲気制御を行っている。ここで言う
酸化皮膜の発生に伴う新しい欠陥とは、ビット並びに粗
大空孔などを指す。本発明では酸化皮膜の発生を抑える
ためにｌ Ｘ ｌｏ′ｔｏｒｒ以下の真空下で昇温を行
う。また加工を施したセラミックス焼結体をカーボンケ
ースに収納した状態で熱処理するため、酸素分圧をより
一層低下させることに成功した。
窒化珪素の熱処理を例にとると、実施例２の第２表に示
すように、同じ１４００℃２５時間の熱処理でも、本発
明の１２００℃までＩ Ｘ １Ｏ−３ｔｏｒｒの真空中
で昇温し、１２００℃以上で窒素ガスを導入する雰囲気
で熱処理を施した場合には、１４００°Ｃにおける酸素
分圧は１０−″気圧以下となり、酸素の影響をほとんど
無視でき、強度、ワイブル係数共に向上するのに対して
、比較例に示す様に大気中で熱処理を施した際には強度
、ワイブル係数共に低下した。この時窒化珪素表面には
厚さ１００μｍの酸化物居が生成しており多数のピット
が見られた。また低温域での真空処理を施さず、室温よ
り窒素気流中で痒９９．９９％の窒素ガスを用いたこと
による残留酸素との反応によって生じたものと思われる
。
すように、同じ１４００℃２５時間の熱処理でも、本発
明の１２００℃までＩ Ｘ １Ｏ−３ｔｏｒｒの真空中
で昇温し、１２００℃以上で窒素ガスを導入する雰囲気
で熱処理を施した場合には、１４００°Ｃにおける酸素
分圧は１０−″気圧以下となり、酸素の影響をほとんど
無視でき、強度、ワイブル係数共に向上するのに対して
、比較例に示す様に大気中で熱処理を施した際には強度
、ワイブル係数共に低下した。この時窒化珪素表面には
厚さ１００μｍの酸化物居が生成しており多数のピット
が見られた。また低温域での真空処理を施さず、室温よ
り窒素気流中で痒９９．９９％の窒素ガスを用いたこと
による残留酸素との反応によって生じたものと思われる
。
セラミックス内部の物質移動が盛んになる温度域では、
同時に粒界ガラス相や結晶粒子の蒸気圧も高まるため、
昇温過程から引続いて真空下で熱処理することは好まし
くない。真空下では粒界ガラス相や結晶粒子の蒸発が促
進されるためである。
同時に粒界ガラス相や結晶粒子の蒸気圧も高まるため、
昇温過程から引続いて真空下で熱処理することは好まし
くない。真空下では粒界ガラス相や結晶粒子の蒸発が促
進されるためである。
このため窒化ケイ素セラミックスでは１２００℃以上の
温度域で窒素ガスを導入し、窒素雰囲気下で熱処理を行
う。また炭化ケイ素セラミックスの場合には１４００℃
以上の温度域でアルゴンガスを導入しアルゴン雰囲気下
で熱処理を行う。
温度域で窒素ガスを導入し、窒素雰囲気下で熱処理を行
う。また炭化ケイ素セラミックスの場合には１４００℃
以上の温度域でアルゴンガスを導入しアルゴン雰囲気下
で熱処理を行う。
窒化珪素の熱処理を例にとると、実施例２の第２表に示
すように同じＩ４００°Ｃ２５時間の熱処理でも、本発
明の１２００℃までｌ Ｘ ＩＦ’ ｔａｒｒの真空中
で昇温し、１２００℃以上で窒素ガスを導入する雰囲気
で熱処理を施した場合には、窒化珪素表面における分解
・蒸発は、はとんど無視でき、強度、ワイブル係数共に
向上するのに対して、比較例に示す様にｌ Ｘ １０−
’ ｔａｒｒ中で熱処理を施した際には、強度、考えら
れる。
すように同じＩ４００°Ｃ２５時間の熱処理でも、本発
明の１２００℃までｌ Ｘ ＩＦ’ ｔａｒｒの真空中
で昇温し、１２００℃以上で窒素ガスを導入する雰囲気
で熱処理を施した場合には、窒化珪素表面における分解
・蒸発は、はとんど無視でき、強度、ワイブル係数共に
向上するのに対して、比較例に示す様にｌ Ｘ １０−
’ ｔａｒｒ中で熱処理を施した際には、強度、考えら
れる。
よいほどの低い値になり、酸化の心配は全くない。
従って本発明では通常市販されているガスを使用するこ
とができる。
とができる。
酸化性の雰囲気を使用した熱処理や、本発明に示す様な
酸素分圧を下げる処理を施さない窒素ガス雰囲気下での
熱処理では、強度の変化が実施例２の第２表比較例に示
すように８００℃付近から発現する。
酸素分圧を下げる処理を施さない窒素ガス雰囲気下での
熱処理では、強度の変化が実施例２の第２表比較例に示
すように８００℃付近から発現する。
８００℃では窒化珪素内部の粒界ガラス相の塑性流動や
拡散、結晶粒子の表面拡散や体積拡散は、はとんど起こ
らないのでこれは酸化の影響であることを示している。
拡散、結晶粒子の表面拡散や体積拡散は、はとんど起こ
らないのでこれは酸化の影響であることを示している。
これに対してｌ Ｘ １Ｇ−３ｔｏｒｒ真空中での熱処
理では、実施例２の第２表比較例に示すように８００°
Ｃ付近では全く強度の変化を示さす、さらに高温のセラ
ミックス内部の物質移動が盛んになる１２００℃以上の
温度域になって、初めて効果が発現する。
理では、実施例２の第２表比較例に示すように８００°
Ｃ付近では全く強度の変化を示さす、さらに高温のセラ
ミックス内部の物質移動が盛んになる１２００℃以上の
温度域になって、初めて効果が発現する。
また、酸化性の雰囲気を使用した熱処理や、本発明に示
す様な酸素分圧を下げる処理を施さない窒素ガス雰囲気
下での熱処理では、熱処理温度が、焼結温度に近づくに
つれて、酸化の度合いが急激に大きくなり、強度並びに
ワイブル係数が急激にある。このことは、加工の程度に
よって導入される表面傷の大きさが異なる際に、傷の大
きさに応１じ、て熱処理条件を広い範囲で選択できるこ
とを示す。
す様な酸素分圧を下げる処理を施さない窒素ガス雰囲気
下での熱処理では、熱処理温度が、焼結温度に近づくに
つれて、酸化の度合いが急激に大きくなり、強度並びに
ワイブル係数が急激にある。このことは、加工の程度に
よって導入される表面傷の大きさが異なる際に、傷の大
きさに応１じ、て熱処理条件を広い範囲で選択できるこ
とを示す。
以下、実施例により詳細に説明する。
実施例１
９０ｖｔ％Ｓｉ３Ｎ＋ （ンユタルク社、Ｌｃ−＋ｚグ
レード）および５ｗｊ％ｋＱｚｏ３５ ｗｔ％ＭｇＯを
アトライターにて１０時間粉砕混合した。その粉末にパ
ラフィンを５％添加し、金型プレスにより１００Ｘ １
００Ｘ２５１■の成形体に型押した。その成形体を窒素
ガス中１０００℃で脱パラフィンを行なった。ついで１
ａｔｍＮ２雰囲気下界温速度ＩＯで７分で１８００℃
まで昇温し、１峙間キープし、圧力３００ ｋｇ／ｅ♂
でホットプレスを実施した。この焼結体をダイヤモンド
砥石にて切断、研削加工により３ ａｓ Ｘ ４嘗−Ｘ
４０嘗箇の曲げ試験片６０本に加工した。
レード）および５ｗｊ％ｋＱｚｏ３５ ｗｔ％ＭｇＯを
アトライターにて１０時間粉砕混合した。その粉末にパ
ラフィンを５％添加し、金型プレスにより１００Ｘ １
００Ｘ２５１■の成形体に型押した。その成形体を窒素
ガス中１０００℃で脱パラフィンを行なった。ついで１
ａｔｍＮ２雰囲気下界温速度ＩＯで７分で１８００℃
まで昇温し、１峙間キープし、圧力３００ ｋｇ／ｅ♂
でホットプレスを実施した。この焼結体をダイヤモンド
砥石にて切断、研削加工により３ ａｓ Ｘ ４嘗−Ｘ
４０嘗箇の曲げ試験片６０本に加工した。
ついで、この半分の３０本を本発明にしたがい１０００
℃までＩ Ｘ Ｉｌｌ’ ｔｏｒｒの真空中で昇温し、
１０ Ｇ’０℃以上でＮ２ガスを導入して％ ｌａｔ
ｍＮ２中で１００”Ｃ均一げ強さとワイブル係数を把握
した。
℃までＩ Ｘ Ｉｌｌ’ ｔｏｒｒの真空中で昇温し、
１０ Ｇ’０℃以上でＮ２ガスを導入して％ ｌａｔ
ｍＮ２中で１００”Ｃ均一げ強さとワイブル係数を把握
した。
得られた結果を第１表に示す。
第 １ 表
実施例２
実施例１と同様に、８１３Ｎ４焼結体を作成し、試験片
まで加工した。ついでその熱処理条件を変え、竺の効果
を把握した。得られた結果を第２表に示＋４１ 一°す１ 第 ２ 表 実施例３ ９８ｖｔ％ＳｉＣ（シュタルク社Ａ −１０グレード）
および１ｗｔ％Ｂ４Ｃ、１ｖｔ％Ｃをボールミルにより
２０レスにより１００Ｘ １００Ｘ ２５讃■の成形体
に型押した。
まで加工した。ついでその熱処理条件を変え、竺の効果
を把握した。得られた結果を第２表に示＋４１ 一°す１ 第 ２ 表 実施例３ ９８ｖｔ％ＳｉＣ（シュタルク社Ａ −１０グレード）
および１ｗｔ％Ｂ４Ｃ、１ｖｔ％Ｃをボールミルにより
２０レスにより１００Ｘ １００Ｘ ２５讃■の成形体
に型押した。
その成形体をＮ２ガス中１０００℃で脱パラフィンを行
ない、ついでｌ ａｔｍＡｒ雰囲気下で昇温速度２０℃
／り）で２０５０℃まで昇温し、２０５０℃でｏ、ｓ時
間キープし、圧力２００ ｋｇ／ｃｍ”でホットプレス
を行なった。
ない、ついでｌ ａｔｍＡｒ雰囲気下で昇温速度２０℃
／り）で２０５０℃まで昇温し、２０５０℃でｏ、ｓ時
間キープし、圧力２００ ｋｇ／ｃｍ”でホットプレス
を行なった。
この焼結体をダイヤモンド砥石により切断、研削加工し
、３鵬−×４龍×４０ＩｌｌＩの曲げ試験片６０本に加
工した。この半分の３０本を本発明により１０００℃ま
でｌ Ｘ ｌＯ＝ ｔｏｒｒの真空中で昇温し、１００
０℃以上でＡｒガスを導入して、ｌ ａｔｅ Ａｒ中で
１７００’Ｃ１０時間の熱処理を施した。
、３鵬−×４龍×４０ＩｌｌＩの曲げ試験片６０本に加
工した。この半分の３０本を本発明により１０００℃ま
でｌ Ｘ ｌＯ＝ ｔｏｒｒの真空中で昇温し、１００
０℃以上でＡｒガスを導入して、ｌ ａｔｅ Ａｒ中で
１７００’Ｃ１０時間の熱処理を施した。
熱処理しない３０本の比較試片とともに室温でＪＩＳ
ｌ６０１に従がい曲げ試験を実施した。得られた結果を
第３表に示す。
ｌ６０１に従がい曲げ試験を実施した。得られた結果を
第３表に示す。
第 ３ 表
実施例４
実施例３と同様に、ＳｉＣ焼結体を作成し、試験片まで
加工した。ついでその熱処理条件を変えそ手 続 補
正 書（方式） 特許庁長官 志 賀 学 殿 電話（５０１）１５１１ ＆補正の対象 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」の欄ｌ補正の
内容 （１）明細書第３頁第３行目から第７行目の「例えばＣ
ｅｒａｍｉｃｓ ・・＊＊・＠Ｊ、 ＪＡＯＯＢ８ＯＮ
は」 なる記載を［例えばセラミックス ホア ハイパ
ツフオーマンス アプリケージ１ンズ（Ｏｓ−ｒａｍｉ
ｃｓ ｆｏｒ Ｈｌｇｈ−Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅムｐ
ｐｌｉｃａｔｉｏｎａ）（１９７４年）のＰ、３９７〜
Ｆ、４１４に記載の「種々の環境下における窒化ケイ素
の強度（ＴＩＩＩＩ ８７ＲＩＣＮＧ？！！ ＯＦ ［
１，１００１１１１ＴＲＩＤ］！ｉ ＡＦＴＩＣＲｍｘ
ｐｏｓａｘｚ Ｔｏ ｎｘｙｙｚＲｚｕＴｘｙｖｘｘｏ
ｍｕｘｒｒｓ ） Ｊの中でジエー・ジエー・ベト党ビ
ック（Ｊ、、Ｔ。
加工した。ついでその熱処理条件を変えそ手 続 補
正 書（方式） 特許庁長官 志 賀 学 殿 電話（５０１）１５１１ ＆補正の対象 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」の欄ｌ補正の
内容 （１）明細書第３頁第３行目から第７行目の「例えばＣ
ｅｒａｍｉｃｓ ・・＊＊・＠Ｊ、 ＪＡＯＯＢ８ＯＮ
は」 なる記載を［例えばセラミックス ホア ハイパ
ツフオーマンス アプリケージ１ンズ（Ｏｓ−ｒａｍｉ
ｃｓ ｆｏｒ Ｈｌｇｈ−Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅムｐ
ｐｌｉｃａｔｉｏｎａ）（１９７４年）のＰ、３９７〜
Ｆ、４１４に記載の「種々の環境下における窒化ケイ素
の強度（ＴＩＩＩＩ ８７ＲＩＣＮＧ？！！ ＯＦ ［
１，１００１１１１ＴＲＩＤ］！ｉ ＡＦＴＩＣＲｍｘ
ｐｏｓａｘｚ Ｔｏ ｎｘｙｙｚＲｚｕＴｘｙｖｘｘｏ
ｍｕｘｒｒｓ ） Ｊの中でジエー・ジエー・ベト党ビ
ック（Ｊ、、Ｔ。
Ｐ］ＩｆＴＲＯＶ工Ｃ）とジエー・ヤコ°プソン（ｙ。
、ＴＡＯＯＢＪ３ＯＮ ） は」と訂正する。
（２） 明細書第３頁最終行から第４頁第４行目の「
またＣｅｒａｍｉｃｓ ・・・・・ｍ １． ＩＬ Ｒ
工ＴＴ１１ｔｉＬ ＪＲ，等」なる記載を「またセラミ
ックス ホア ハイパツ７オーマンス アプリケージ１
ンズー厘（Ｃｅｒａｍｉｃｓ ｆｏｒ Ｉｉｉｇｈ−Ｐ
＠ｒｆｏｒｍａｎｃｅムｐｐｌｉ−ｃａｔｉｏｎｓ−１
：リライヤビリテイ（Ｒｅ１ｉａｂｉｌｉｔｙ ）（１
９８３静のＰ、 ５０３〜Ｆ、 ５５５に記載の「セラ
ミック組成物の疲労破壊に対する破砕機構の応用（ＡＩ
’ＰＬ工ＣＡＴ工ＯＮ ＯＦ ＩＰＲＡＣＴｔＴＲＩＭ
ＢＯＨＡＮ工ＣＨＩＮ ＡＳＥＩｔｒＲ：［ＮＧ
ＡＧＡ工ＭＢＴ ＦＡＴ工ＧＵＦｉＦＡ工Ｉ、ＵＲＮ
ＯＦ ＣｌＲＡＭＩＣＯＯＭＰＯＮＩりｆＴａ ）
Ｊ Ｏ中でジエー・イー・リッター・ジエーアール（１
゜１１ｊ、Ｒ工ＴＴ］［ｉＲ，ＪＲ）等」と訂正する。
またＣｅｒａｍｉｃｓ ・・・・・ｍ １． ＩＬ Ｒ
工ＴＴ１１ｔｉＬ ＪＲ，等」なる記載を「またセラミ
ックス ホア ハイパツ７オーマンス アプリケージ１
ンズー厘（Ｃｅｒａｍｉｃｓ ｆｏｒ Ｉｉｉｇｈ−Ｐ
＠ｒｆｏｒｍａｎｃｅムｐｐｌｉ−ｃａｔｉｏｎｓ−１
：リライヤビリテイ（Ｒｅ１ｉａｂｉｌｉｔｙ ）（１
９８３静のＰ、 ５０３〜Ｆ、 ５５５に記載の「セラ
ミック組成物の疲労破壊に対する破砕機構の応用（ＡＩ
’ＰＬ工ＣＡＴ工ＯＮ ＯＦ ＩＰＲＡＣＴｔＴＲＩＭ
ＢＯＨＡＮ工ＣＨＩＮ ＡＳＥＩｔｒＲ：［ＮＧ
ＡＧＡ工ＭＢＴ ＦＡＴ工ＧＵＦｉＦＡ工Ｉ、ＵＲＮ
ＯＦ ＣｌＲＡＭＩＣＯＯＭＰＯＮＩりｆＴａ ）
Ｊ Ｏ中でジエー・イー・リッター・ジエーアール（１
゜１１ｊ、Ｒ工ＴＴ］［ｉＲ，ＪＲ）等」と訂正する。
Claims (3)
- （１）窒化ケイ素セラミックス焼結体を加工した後、１
×１０＾−＾３ｔｏｒｒ以下の真空下で１０００℃以上
の温度域まで昇温し、ついで窒素雰囲気下、１２００℃
以上、結晶温度以下で熱処理することを特徴とするセラ
ミックスの製造法。 - （２）炭化ケイ素セラミックス焼結体を加工した後、１
×１０＾−＾３ｔｏｒｒ以下の真空下で１０００℃以上
の温度域まで昇温し、ついでアルゴン雰囲気下、１４０
０℃以上、焼結温度以下で熱処理することを特徴とする
セラミックスの製造法。 - （３）加工を施した焼結体を、カーボンケース内に収納
した状態で熱処理することを特徴とする特許請求の範囲
第１項または第２項記載のセラミックスの製造法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59224092A JPS61106473A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | セラミツクスの製造法 |
| DE19843443817 DE3443817A1 (de) | 1983-12-02 | 1984-11-30 | Verfahren zur herstellung von keramik |
| US06/920,908 US4702869A (en) | 1983-12-02 | 1986-10-17 | Process for the production of ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59224092A JPS61106473A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | セラミツクスの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61106473A true JPS61106473A (ja) | 1986-05-24 |
| JPH0134956B2 JPH0134956B2 (ja) | 1989-07-21 |
Family
ID=16808418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59224092A Granted JPS61106473A (ja) | 1983-12-02 | 1984-10-26 | セラミツクスの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61106473A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62286380A (ja) * | 1986-06-05 | 1987-12-12 | Canon Inc | カラ−画像処理装置 |
| JPS6325275A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-02 | 日本ピラ−工業株式会社 | 超高密度炭化珪素焼結体よりなる摺動部材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60151290A (ja) * | 1984-01-19 | 1985-08-09 | トヨタ自動車株式会社 | 非酸化物系セラミツク構造体の表面処理方法 |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP59224092A patent/JPS61106473A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60151290A (ja) * | 1984-01-19 | 1985-08-09 | トヨタ自動車株式会社 | 非酸化物系セラミツク構造体の表面処理方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62286380A (ja) * | 1986-06-05 | 1987-12-12 | Canon Inc | カラ−画像処理装置 |
| JPS6325275A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-02 | 日本ピラ−工業株式会社 | 超高密度炭化珪素焼結体よりなる摺動部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0134956B2 (ja) | 1989-07-21 |
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