JPS61107512A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS61107512A JPS61107512A JP22771284A JP22771284A JPS61107512A JP S61107512 A JPS61107512 A JP S61107512A JP 22771284 A JP22771284 A JP 22771284A JP 22771284 A JP22771284 A JP 22771284A JP S61107512 A JPS61107512 A JP S61107512A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- soft magnetic
- amorphous soft
- nonmagnetic
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、特に高再生出力のもの
を歩留りよく製造するのに好適な薄膜磁気ヘッドに関す
るものである。
を歩留りよく製造するのに好適な薄膜磁気ヘッドに関す
るものである。
ＶＴＲ用磁気ヘッドにおいては、磁気記録の高密度化に
ともない、高保磁力を有するメタルテープに対応できる
ように狭トラック幅、狭ギャップのものが要求されるよ
うになってきた。ところで、従来のフェライトヘッドで
はこれらの栄件を満すことが困難であるため、スパッタ
リングで形成した非晶質合金膜あるいはセンダスト合金
膜をヘッドコア材とした従来のヘッドプロセスド全（異
なるウエハープロセスヲ用いて製造した薄膜磁気ヘッド
が提案されている。
ともない、高保磁力を有するメタルテープに対応できる
ように狭トラック幅、狭ギャップのものが要求されるよ
うになってきた。ところで、従来のフェライトヘッドで
はこれらの栄件を満すことが困難であるため、スパッタ
リングで形成した非晶質合金膜あるいはセンダスト合金
膜をヘッドコア材とした従来のヘッドプロセスド全（異
なるウエハープロセスヲ用いて製造した薄膜磁気ヘッド
が提案されている。
この種薄膜磁気ヘッドは、非磁性基板の上に例えば第１
の非晶質軟磁性膜を被着し、ダイヤモンドバイトを用い
てギャップ面形成を行い、その上に第２の非晶質軟磁性
膜を被着し、この第２の非晶質軟磁性膜は上記ギャップ
面の頂上部まで研磨によって除去し、その上には偏摩耗
を防止するための保護膜を形成し、最後に巻線用窓穴加
工、チップの切り出し加工を行って製造するようにして
いる。
の非晶質軟磁性膜を被着し、ダイヤモンドバイトを用い
てギャップ面形成を行い、その上に第２の非晶質軟磁性
膜を被着し、この第２の非晶質軟磁性膜は上記ギャップ
面の頂上部まで研磨によって除去し、その上には偏摩耗
を防止するための保護膜を形成し、最後に巻線用窓穴加
工、チップの切り出し加工を行って製造するようにして
いる。
ところで、第１の非晶質軟磁性膜のダイヤモンドバイト
加工の際、バイト先端が非磁性基板まで達すると、非磁
性基板にクラックが入るので、それを防止することが、
歩留り向上の上から必要であった。
加工の際、バイト先端が非磁性基板まで達すると、非磁
性基板にクラックが入るので、それを防止することが、
歩留り向上の上から必要であった。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、高再生出力が得られ、しかも、製造時の歩留
りの向上をはかることができる薄膜磁気ヘッドを提供す
ることにある。
ところは、高再生出力が得られ、しかも、製造時の歩留
りの向上をはかることができる薄膜磁気ヘッドを提供す
ることにある。
本発明の特徴は、非磁性基板とこの上に被着する第１の
非晶質軟磁性膜との間に非磁性金属膜を介在させた構成
とした点にある。
非晶質軟磁性膜との間に非磁性金属膜を介在させた構成
とした点にある。
以下本発明を第１図〜第７図を用いて詳細に説明する。
まず、本発明の第１の実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方
法について第１図を用いて説明する。
法について第１図を用いて説明する。
第１図（α）において、非磁性基板１の上に非磁性金属
膜２を形成し、その上に第１の非晶質軟磁性膜３を被着
する。軟磁性膜３の膜厚はヘッドトラック幅と同じにす
る。次に、第１図（ｂｌにおいて、軟磁性膜３にダイヤ
モンドバイトを用い ＩてＵ字状の溝４の加工を行
う。このとき、Ｕ溝４の底は、軟磁性膜３を完全に突ぎ
抜げて非磁性金属膜２に達するようにする。次に、第１
図（Ｃ）において、ギャップスペーサとなる非磁性膜５
を被着し、さらに、第１図（ＣＬ）において、その上に
第２の非晶質軟磁性膜６を被着する。次に、第１図（ｅ
）において、軟磁性膜６をＵ溝４内の軟磁性膜６を残し
、軟磁性膜３に達するまで研磨し、第１図び）において
、その上にテープ走行時における偏摩耗を防止するだめ
の保護膜７を被着する。これまでの工程で、作動ギャッ
プ、ヘッドコアが非磁性基板１上に形成されているので
、巻線用窓穴８の加工〔第１図（ｔ）〕、チップ切り出
し加工を行い、巻線用窓穴８を利用してコイルの巻線を
行って薄膜磁気ヘッドとする。
膜２を形成し、その上に第１の非晶質軟磁性膜３を被着
する。軟磁性膜３の膜厚はヘッドトラック幅と同じにす
る。次に、第１図（ｂｌにおいて、軟磁性膜３にダイヤ
モンドバイトを用い ＩてＵ字状の溝４の加工を行
う。このとき、Ｕ溝４の底は、軟磁性膜３を完全に突ぎ
抜げて非磁性金属膜２に達するようにする。次に、第１
図（Ｃ）において、ギャップスペーサとなる非磁性膜５
を被着し、さらに、第１図（ＣＬ）において、その上に
第２の非晶質軟磁性膜６を被着する。次に、第１図（ｅ
）において、軟磁性膜６をＵ溝４内の軟磁性膜６を残し
、軟磁性膜３に達するまで研磨し、第１図び）において
、その上にテープ走行時における偏摩耗を防止するだめ
の保護膜７を被着する。これまでの工程で、作動ギャッ
プ、ヘッドコアが非磁性基板１上に形成されているので
、巻線用窓穴８の加工〔第１図（ｔ）〕、チップ切り出
し加工を行い、巻線用窓穴８を利用してコイルの巻線を
行って薄膜磁気ヘッドとする。
ところで、非磁性膜ＭＪＩ！２は、ダイヤモンドバイト
加工の際、バイト先端が非磁性基板１に連子ると、基板
１にクラックが入るため、それを防止するために設けた
ものである。そのため、Ｕ溝４の底が非磁性金属膜２の
範囲内にあるようにバイト加工ができるよう非磁性金属
膜２の膜厚は、加工精度の点から１μｍ以上としてある
。
加工の際、バイト先端が非磁性基板１に連子ると、基板
１にクラックが入るため、それを防止するために設けた
ものである。そのため、Ｕ溝４の底が非磁性金属膜２の
範囲内にあるようにバイト加工ができるよう非磁性金属
膜２の膜厚は、加工精度の点から１μｍ以上としてある
。
この非磁性金属膜２に要求される特性りしては、
ｔ 耐摩耗性に優れていること。
２、 非磁性基板１および第１の非晶質軟磁性膜３との
密着力が強いこと。
密着力が強いこと。
五 軟磁性膜３の磁気特性を劣化させないこと。
４、 バイト加工が容易である。
などがある。
ところで、非磁性基板（結晶化ガラス基板）上に非磁性
金属膜としてｋｌまたはＣｒまたは５ＵＳ６１０または
Ｚｒをマグネトロンスパッタ装置を用いて３μ７７Ｌ（
１μｍ以上であればよい）の厚さに被潰し、さらに、そ
の上にＣｏ −Ｎｂ −Ｚｒ系非晶質軟磁性展を５μｍ
の厚さに同様の方法によって被着し、上記各試料の軟磁
性膜の透磁率の周波数特性を測定したところ、第２図に
示す結果が得られた。これより４朧における透磁率は、
非磁性金属膜としてＺｒを用いたものが他と比較して優
れていることがわかる。
金属膜としてｋｌまたはＣｒまたは５ＵＳ６１０または
Ｚｒをマグネトロンスパッタ装置を用いて３μ７７Ｌ（
１μｍ以上であればよい）の厚さに被潰し、さらに、そ
の上にＣｏ −Ｎｂ −Ｚｒ系非晶質軟磁性展を５μｍ
の厚さに同様の方法によって被着し、上記各試料の軟磁
性膜の透磁率の周波数特性を測定したところ、第２図に
示す結果が得られた。これより４朧における透磁率は、
非磁性金属膜としてＺｒを用いたものが他と比較して優
れていることがわかる。
また、上記各試料に引張り８よび圧縮応力を加えた場合
の１川における透磁率を測定し、第３図に示す結果が得
られた。これより、非磁性金属膜としてＡＡ！ 、 Ｃ
ｒ 、 ５ＵＳ３１０を用いると、応力を加えることに
より透磁率が大きく変化するが、Ｚｒの場合は透磁率の
変化が小さいことがわかる。
の１川における透磁率を測定し、第３図に示す結果が得
られた。これより、非磁性金属膜としてＡＡ！ 、 Ｃ
ｒ 、 ５ＵＳ３１０を用いると、応力を加えることに
より透磁率が大きく変化するが、Ｚｒの場合は透磁率の
変化が小さいことがわかる。
そこで、本発明においては、第１の非晶質軟磁性膜６と
してｃｏ−Ｎｂ −Ｎｒ系のものを用いる場合は、非磁
性金属膜２としてＺｒを用いるようにした。
してｃｏ−Ｎｂ −Ｎｒ系のものを用いる場合は、非磁
性金属膜２としてＺｒを用いるようにした。
第１表は、それぞれの非磁性金属膜を用いて第１図に示
したプロセスでヘッドを製作した場合の歩留りを示した
もので、非磁性金属なし、および非磁性金属膜としてＡ
Ｉ 、 Ｃｒまたは５ＵＳ３１０を用いたものは歩留り
が２０％以下と低く、これに対して、本発明に係る非磁
性金属膜２としてＺｒを用いたものは、歩留り６５％と
非常に良好であった◇ 以下余白 第１表 上記したよ５Ｋ、本発明の実施例によれば、非磁性基板
１と第１の非晶質軟磁性膜３との間に非磁性金属膜２を
介在させ、しかも、第１の非晶質軟磁性膜５がＣｏ −
Ｎｂ−Ｚｒ系の場合は、非磁性金属膜２としてＺｒを用
いたので、第１の非晶質軟磁性膜３の透磁率を良好に保
持でき、高再生出力が得られ、しかも、製造時の歩留り
の向上をはかることができる。
したプロセスでヘッドを製作した場合の歩留りを示した
もので、非磁性金属なし、および非磁性金属膜としてＡ
Ｉ 、 Ｃｒまたは５ＵＳ３１０を用いたものは歩留り
が２０％以下と低く、これに対して、本発明に係る非磁
性金属膜２としてＺｒを用いたものは、歩留り６５％と
非常に良好であった◇ 以下余白 第１表 上記したよ５Ｋ、本発明の実施例によれば、非磁性基板
１と第１の非晶質軟磁性膜３との間に非磁性金属膜２を
介在させ、しかも、第１の非晶質軟磁性膜５がＣｏ −
Ｎｂ−Ｚｒ系の場合は、非磁性金属膜２としてＺｒを用
いたので、第１の非晶質軟磁性膜３の透磁率を良好に保
持でき、高再生出力が得られ、しかも、製造時の歩留り
の向上をはかることができる。
なお、上記した実施例では、非磁性金属膜２としてＺｒ
を用いたが、Ｎｂでもよく、同一の効果力８、うわあ。
を用いたが、Ｎｂでもよく、同一の効果力８、うわあ。
、え、□１゜１，６．え、１３カ・ □°；Ｃｏ
−Ｎｂ−ｗ系の場合、は、ＮｂかＷとすればよく、要す
るに、非磁性金属膜２は第１の非晶質軟磁性膜３に含ま
れる金属物質の５ちの少なくとも１つを主成分とするも
のであればよい。
−Ｎｂ−ｗ系の場合、は、ＮｂかＷとすればよく、要す
るに、非磁性金属膜２は第１の非晶質軟磁性膜３に含ま
れる金属物質の５ちの少なくとも１つを主成分とするも
のであればよい。
次に、本発明の第２の実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方
法について第４図を用いて説明する。
法について第４図を用いて説明する。
ただし、２つの相異なるアジマス角を持つダブルアジマ
ス薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。まず、
第４図（α）において、非磁性基板１上に非磁性で、か
つ、切削可能なＣｒ（クロム）膜９をスパッタにより１
μｍに被着し、同図（ｂ）において、Ｃｒ膜９の上にｓ
ｉｏ、等の非磁性酸化膜１０をスパッタにより０．１μ
ｍ被着する。次に、同図（Ｃ）において、非磁性酸化膜
１０上にＣｏ −Ｎｂ −Ｚｒ系第１の非晶質軟磁性膜
１１を１５μ扉被着し、同図（ｄ）において、軟磁性膜
１１の一部をダイヤモンドバイトを用いて台形状の溝１
２の加工を行う。
ス薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。まず、
第４図（α）において、非磁性基板１上に非磁性で、か
つ、切削可能なＣｒ（クロム）膜９をスパッタにより１
μｍに被着し、同図（ｂ）において、Ｃｒ膜９の上にｓ
ｉｏ、等の非磁性酸化膜１０をスパッタにより０．１μ
ｍ被着する。次に、同図（Ｃ）において、非磁性酸化膜
１０上にＣｏ −Ｎｂ −Ｚｒ系第１の非晶質軟磁性膜
１１を１５μ扉被着し、同図（ｄ）において、軟磁性膜
１１の一部をダイヤモンドバイトを用いて台形状の溝１
２の加工を行う。
このとき、ダイヤモンドバイトの先端は、軟磁性膜１１
および非磁性酸化膜１０を貫通するが、非磁性基板１に
は達しないようにする。次に、同図（ｅ）において、ギ
ャップスペーサとなる５ｉｆｔ等の非磁性膜１３を０．
３μｍ被着し、さらに、その上にＣｏ −Ｎｂ −Ｚｒ
系第２の非晶質軟磁性１４を１５μ罵被覆する。次に、
同図（イ）において、ギャップ１５の頂点より上部の軟
磁性膜１４をダイヤモンド砥石粒により研磨除去し、同
図（ｔ）において、Ａ４０゜等の保護用非磁性膜１６を
５０μ罵被着する。次に、同図（Ｊ）において、巻線用
窓穴１７をあける。そして巻線用窓穴１７を利用してコ
イルの巻線を行って薄膜磁気ヘッドとする。
および非磁性酸化膜１０を貫通するが、非磁性基板１に
は達しないようにする。次に、同図（ｅ）において、ギ
ャップスペーサとなる５ｉｆｔ等の非磁性膜１３を０．
３μｍ被着し、さらに、その上にＣｏ −Ｎｂ −Ｚｒ
系第２の非晶質軟磁性１４を１５μ罵被覆する。次に、
同図（イ）において、ギャップ１５の頂点より上部の軟
磁性膜１４をダイヤモンド砥石粒により研磨除去し、同
図（ｔ）において、Ａ４０゜等の保護用非磁性膜１６を
５０μ罵被着する。次に、同図（Ｊ）において、巻線用
窓穴１７をあける。そして巻線用窓穴１７を利用してコ
イルの巻線を行って薄膜磁気ヘッドとする。
上記により製造した本発明に係る非磁性基板１と第１の
非晶質軟磁性膜１１との間に非磁性金属としてＣｒ膜９
と非磁性酸化膜（Ｓ＊Ｏ２） １０とを設けた薄膜磁気
ヘッドたおいては、第４図（α）から（Ｃ）までの工程
を行った後の第１の非晶質軟磁性膜１１の初透磁率の周
波数特性は、第５図の１点鎖線αに示すよ５になり、ｃ
ｒ膜９や非磁性酸化膜１０がない場合の実線すに比較し
て初透磁率の周波数特性が多少悪（なるが、非磁性酸化
膜１０がないＣｒ膜９のみの場合の２点鎖＋１１Ｃに比
較して初透磁率の周波数特性が約６ｄＢ改善されている
。また、外部から強制的に応力を加えたときの初透磁率
の変化は、第６図に１点鎖線ｃＬ′ＶＣ示すようになり
、Ｃｒ膜９や非磁性酸化膜１０がない場合の実線ｅに比
較して応力に対する敏感度が多少大きいが、非磁性酸化
膜１０がないＣｒ膜９のみの場合の２点鎖線ｅに比較し
て応力に対する敏感度が約２０ｄＢ改善されている。以
上により、第１の非晶質軟磁性膜１１の透磁率を良好に
保持でき、高再生出力が得られ、しかも、製造時の歩留
りの向上をはかることができる。
非晶質軟磁性膜１１との間に非磁性金属としてＣｒ膜９
と非磁性酸化膜（Ｓ＊Ｏ２） １０とを設けた薄膜磁気
ヘッドたおいては、第４図（α）から（Ｃ）までの工程
を行った後の第１の非晶質軟磁性膜１１の初透磁率の周
波数特性は、第５図の１点鎖線αに示すよ５になり、ｃ
ｒ膜９や非磁性酸化膜１０がない場合の実線すに比較し
て初透磁率の周波数特性が多少悪（なるが、非磁性酸化
膜１０がないＣｒ膜９のみの場合の２点鎖＋１１Ｃに比
較して初透磁率の周波数特性が約６ｄＢ改善されている
。また、外部から強制的に応力を加えたときの初透磁率
の変化は、第６図に１点鎖線ｃＬ′ＶＣ示すようになり
、Ｃｒ膜９や非磁性酸化膜１０がない場合の実線ｅに比
較して応力に対する敏感度が多少大きいが、非磁性酸化
膜１０がないＣｒ膜９のみの場合の２点鎖線ｅに比較し
て応力に対する敏感度が約２０ｄＢ改善されている。以
上により、第１の非晶質軟磁性膜１１の透磁率を良好に
保持でき、高再生出力が得られ、しかも、製造時の歩留
りの向上をはかることができる。
なお、上記した実施例では、２つの相異なるアジマス角
を持つダブルアジマス磁気ヘッドについて述べたが、こ
れに限らず、シングルアジマス磁気ヘッドの場合でもよ
く、同一効果を得ることができる。また、非磁性酸化膜
１０として５ｉｆｔ ＮＸ’ｒ： 用イタが、Ｔｉ１ｔ
、ＴｉＯ、ＡＪｔＯｓ膜テアッテもよい。また、その
膜厚はα１μｍとしたが、本来非磁性金属膜であるＣｒ
膜９は、バイト切削時の非磁性基板１の割れ防止のため
に設けたものであり、切削困難な非磁性酸化膜１０はで
きるだけ薄い方がよいことはいうまでもない。しかし、
非磁性酸化膜（ＳｉＯｘ ）の膜厚と５−のときの初゛
透磁率との関係は第７図に示すようになり、第７図から
は５００Ａ以上であるのが好ましい。したがって、非磁
性酸化膜１０の膜厚は５００〜１０００＾が適当といえ
る。
を持つダブルアジマス磁気ヘッドについて述べたが、こ
れに限らず、シングルアジマス磁気ヘッドの場合でもよ
く、同一効果を得ることができる。また、非磁性酸化膜
１０として５ｉｆｔ ＮＸ’ｒ： 用イタが、Ｔｉ１ｔ
、ＴｉＯ、ＡＪｔＯｓ膜テアッテもよい。また、その
膜厚はα１μｍとしたが、本来非磁性金属膜であるＣｒ
膜９は、バイト切削時の非磁性基板１の割れ防止のため
に設けたものであり、切削困難な非磁性酸化膜１０はで
きるだけ薄い方がよいことはいうまでもない。しかし、
非磁性酸化膜（ＳｉＯｘ ）の膜厚と５−のときの初゛
透磁率との関係は第７図に示すようになり、第７図から
は５００Ａ以上であるのが好ましい。したがって、非磁
性酸化膜１０の膜厚は５００〜１０００＾が適当といえ
る。
以上説明したように、本発明によれば、高再生出力が得
られ、しかも、製造時の歩留りの向上をはかることがで
きるという効果がある。
られ、しかも、製造時の歩留りの向上をはかることがで
きるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の薄膜磁気ヘッドの製造
方法を説明するための製造工程図、第２図は各槙非磁性
金属膜上の非晶質軟磁性膜の透磁率の周波数特性線図、
第３図は同じく応力による透磁率の変化を示す線図、第
４図は本発明の第２の実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方
法を説明するための製造工程図、第４図、第ｒ 、
’：１図はそれぞれ第４図による薄膜磁気ヘッドの効果
を説明するための第１の非晶質軟磁性膜の透磁率の周波
数特性線図および応力による透磁率の変化を示す線図、
第７図は非磁性酸化膜の膜厚と５ＭＦ（ｚにおける初透
磁率との関係の実験結果を示す線図である。 １・・・非磁性基板、 ２．９・・・非磁性金属膜
、３．１１ ・・・第１の非晶質軟磁性膜、５．１３
・・・非磁性展、 ６．１４ ・・・第２の非晶質軟磁性膜、７．１６
・・・保護層、 ８，１７ ・・・巻線用窓穴
、１０・・・非磁性酸化膜。 第 ／１ （ｅ） （ｆ） ％ ２ 図 第 ３図 氏ｓ ！１張 島 々 ｖＪ４ｖ！！Ｊ 第 ５ 図 第 ６ 図 ５ｔｔｏ ｔｏｏ。
方法を説明するための製造工程図、第２図は各槙非磁性
金属膜上の非晶質軟磁性膜の透磁率の周波数特性線図、
第３図は同じく応力による透磁率の変化を示す線図、第
４図は本発明の第２の実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方
法を説明するための製造工程図、第４図、第ｒ 、
’：１図はそれぞれ第４図による薄膜磁気ヘッドの効果
を説明するための第１の非晶質軟磁性膜の透磁率の周波
数特性線図および応力による透磁率の変化を示す線図、
第７図は非磁性酸化膜の膜厚と５ＭＦ（ｚにおける初透
磁率との関係の実験結果を示す線図である。 １・・・非磁性基板、 ２．９・・・非磁性金属膜
、３．１１ ・・・第１の非晶質軟磁性膜、５．１３
・・・非磁性展、 ６．１４ ・・・第２の非晶質軟磁性膜、７．１６
・・・保護層、 ８，１７ ・・・巻線用窓穴
、１０・・・非磁性酸化膜。 第 ／１ （ｅ） （ｆ） ％ ２ 図 第 ３図 氏ｓ ！１張 島 々 ｖＪ４ｖ！！Ｊ 第 ５ 図 第 ６ 図 ５ｔｔｏ ｔｏｏ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、非磁性基板の上に第１の非晶質軟磁性膜を被着し、
該第１の非晶質軟磁性膜の一部を少なくとも前記非磁性
基板面まで機械的に除去し、その除去によってできた斜
面上にギャップスペーサとなる非磁性膜を被着し、その
上にさらに第２の非晶質軟磁性膜を被着し、該第２の非
晶質軟磁性膜を前記非磁性膜を被覆した前記斜面頂上部
まで除去し、前記第１の非晶質軟磁性膜と前記第２の非
晶質軟磁性膜とではさんだ前記非磁性膜が磁気ヘッドの
動作ギャップとなるように構成してなる薄膜磁気ヘッド
において、前記非磁性基板と前記第１の非晶質軟磁性膜
との間に非磁性金属膜を介在させてあることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。 ２、前記非磁性金属膜は、前記第１の非晶質軟磁性膜に
含まれる金属物質のうちの少なくとも１つを主成分とす
るものである特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 ３、前記非磁性金属膜は、前記第１の非晶質軟磁性膜が
Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｎ非晶質合金よりなるときはＺｒまたは
Ｎｂよりなり、膜厚を１μｍ以上としてある特許請求の
範囲第２項記載の薄膜磁気ヘッド。 ４、前記非磁性金属膜は、上面に非磁性酸化膜を付着さ
せてある特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22771284A JPS61107512A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22771284A JPS61107512A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61107512A true JPS61107512A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=16865166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22771284A Pending JPS61107512A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61107512A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009023598A1 (de) | 2008-07-04 | 2010-01-07 | Fanuc Ltd. | Spritzgussmaschine mit einer Steuerung in der Maschinenbasis |
-
1984
- 1984-10-31 JP JP22771284A patent/JPS61107512A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009023598A1 (de) | 2008-07-04 | 2010-01-07 | Fanuc Ltd. | Spritzgussmaschine mit einer Steuerung in der Maschinenbasis |
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