JPS6327768B2 - - Google Patents
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- JPS6327768B2 JPS6327768B2 JP10916679A JP10916679A JPS6327768B2 JP S6327768 B2 JPS6327768 B2 JP S6327768B2 JP 10916679 A JP10916679 A JP 10916679A JP 10916679 A JP10916679 A JP 10916679A JP S6327768 B2 JPS6327768 B2 JP S6327768B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferrite
- sputter
- mask
- head
- etching
- Prior art date
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- Expired
Links
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 28
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 18
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 12
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- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 claims description 5
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気デイスク、磁気ドラム装置などに
搭載して高密度記録を可能にするフエライト磁気
ヘツドの製造方法に関するものである。
搭載して高密度記録を可能にするフエライト磁気
ヘツドの製造方法に関するものである。
近年、記録の高密度化が進むにつれ、磁気ヘツ
ドのトラツク幅はますます狭くなる傾向にある。
フエライト磁気ヘツドのトラツク部は、従来、主
として、研削あるいは研磨など、いわゆる機械加
工法により加工されてきたが、この方法でトラツ
ク幅30μｍ以下の加工を行う場合には、フエライ
トの脆性によるチツピング、あるいは、加工変質
層の影響が無視出来なくなり、製造歩留り、およ
びヘツドの性能が大幅に低下せざるをえない。そ
こで、これにかわる方法として、上記トラツク幅
加工を、加工精度が高く、かつ加工の影響が少な
いイオンエツチング法で行う方法が提案された。
ドのトラツク幅はますます狭くなる傾向にある。
フエライト磁気ヘツドのトラツク部は、従来、主
として、研削あるいは研磨など、いわゆる機械加
工法により加工されてきたが、この方法でトラツ
ク幅30μｍ以下の加工を行う場合には、フエライ
トの脆性によるチツピング、あるいは、加工変質
層の影響が無視出来なくなり、製造歩留り、およ
びヘツドの性能が大幅に低下せざるをえない。そ
こで、これにかわる方法として、上記トラツク幅
加工を、加工精度が高く、かつ加工の影響が少な
いイオンエツチング法で行う方法が提案された。
第１図は、この方法でモノリシツク型フエライ
トヘツドのトラツク部およびスライダ部を形成す
る場合の加工工程例を示す。すなわち、この方法
においては、(1)ギヤツプ１およびコイル巻線窓２
を有するコアブロツク３を作製する、(2)媒体対向
面にマスク用Cr膜４を被着する、(3)ホトエツチ
ング法でこれを整形して、トラツクおよびスラト
ダとなるべき部分にマスク５を形成する、(4)スパ
ツタエツチング法で、マスクで覆われていない媒
体対向面をエツチすることにより、トラツク部
６、スライダ部７を形成する、(5)残つたCrマス
クを除去してコアブロツクの媒体対向面を露出さ
せる、という工程を経て、トラツク部およびスラ
イダ部が形成される。
トヘツドのトラツク部およびスライダ部を形成す
る場合の加工工程例を示す。すなわち、この方法
においては、(1)ギヤツプ１およびコイル巻線窓２
を有するコアブロツク３を作製する、(2)媒体対向
面にマスク用Cr膜４を被着する、(3)ホトエツチ
ング法でこれを整形して、トラツクおよびスラト
ダとなるべき部分にマスク５を形成する、(4)スパ
ツタエツチング法で、マスクで覆われていない媒
体対向面をエツチすることにより、トラツク部
６、スライダ部７を形成する、(5)残つたCrマス
クを除去してコアブロツクの媒体対向面を露出さ
せる、という工程を経て、トラツク部およびスラ
イダ部が形成される。
ところで、このような加工法を実際に採用しよ
うとすると、フエライトと金属マスク材との選択
エツチング性がまず問題になる。なぜなら、従来
の機械加工ヘツドと同等の電磁変換特性をもつヘ
ツドを作製するためには、マスクで覆われていな
い媒体対向面を少なくとも4μｍ程度スパツタエ
ツチする必要があるのに対し、トラツク幅加工精
度、膜作製のむずかしさ等を考慮すると、Crマ
スクのスパツタエツチング量は1μｍ以下にしな
ければならないからである。これは、フエライト
とCrのエツチング速度比を４以上にしなければ
ならないことに相当しており、通常の方法、すな
わち、スパツタガスとしてアルゴンガスを用い、
ガス圧力を約５×10-3Torrに設定してスパツタ
エツチする方法では、このような選択エツチング
はできないことはすでによく知られている。
うとすると、フエライトと金属マスク材との選択
エツチング性がまず問題になる。なぜなら、従来
の機械加工ヘツドと同等の電磁変換特性をもつヘ
ツドを作製するためには、マスクで覆われていな
い媒体対向面を少なくとも4μｍ程度スパツタエ
ツチする必要があるのに対し、トラツク幅加工精
度、膜作製のむずかしさ等を考慮すると、Crマ
スクのスパツタエツチング量は1μｍ以下にしな
ければならないからである。これは、フエライト
とCrのエツチング速度比を４以上にしなければ
ならないことに相当しており、通常の方法、すな
わち、スパツタガスとしてアルゴンガスを用い、
ガス圧力を約５×10-3Torrに設定してスパツタ
エツチする方法では、このような選択エツチング
はできないことはすでによく知られている。
本発明は、これらのことがらを考慮した結果な
されたものであり、その特徴は、スパツタエツチ
ング法でフエライトヘツドのトラツク幅加工を行
う際に、Crマスクとアルゴンを主成分とするス
パツタガスを用い、かつ、このガス圧力をNi−
Znフエライトヘツドの場合には0.8×10-2〜５×
10-2Torr、Mn−Znフエライトヘツドの場合には
1.5×10-2〜３×10-2Torrに設定する点にある。
この方法を採用すると、フエライトとCrの選択
エツチング性を大幅に改善することができるの
で、従来よりは高い精度で、かつ、容易に狭トラ
ツク加工ができることがわかつた。
されたものであり、その特徴は、スパツタエツチ
ング法でフエライトヘツドのトラツク幅加工を行
う際に、Crマスクとアルゴンを主成分とするス
パツタガスを用い、かつ、このガス圧力をNi−
Znフエライトヘツドの場合には0.8×10-2〜５×
10-2Torr、Mn−Znフエライトヘツドの場合には
1.5×10-2〜３×10-2Torrに設定する点にある。
この方法を採用すると、フエライトとCrの選択
エツチング性を大幅に改善することができるの
で、従来よりは高い精度で、かつ、容易に狭トラ
ツク加工ができることがわかつた。
以下実施例にもとづいて、本発明の内容を詳述
する。
する。
実施例
第２図に、スパツタガスとしてアルゴンを用
い、電力密度を3W／cm2に固定して、フエライト
とCrにおける、スパツタエツチング速度のスパ
ツタガス圧力依存性を調べた結果を実線で示す。
同図より、(1)フエライトのエツチング速度は、２
×10-2Torr近傍のガス圧力で極大となる、(2)こ
の圧力におけるNi−ZnフエライトおよびMn−
ZnフエライトとCrとのエツチング速度比は、そ
れぞれ約11、約７であり、選択エツチング性に関
する前記条件が十分満たされていることがわか
る。
い、電力密度を3W／cm2に固定して、フエライト
とCrにおける、スパツタエツチング速度のスパ
ツタガス圧力依存性を調べた結果を実線で示す。
同図より、(1)フエライトのエツチング速度は、２
×10-2Torr近傍のガス圧力で極大となる、(2)こ
の圧力におけるNi−ZnフエライトおよびMn−
ZnフエライトとCrとのエツチング速度比は、そ
れぞれ約11、約７であり、選択エツチング性に関
する前記条件が十分満たされていることがわか
る。
そこで、この圧力下で、膜厚1.5μｍのCrマスク
形成済みのNi−ZnおよびMn−Znフエライトコ
アブロツクの表面を4μｍ程度スパツタエツチし
たところ、10±0.5μｍの精度で狭トラツク幅加工
ができることがわかつた。また、このようなスパ
ツタエツチヘツドは、この技術分野で周知の方法
（例えば、電子通信学会研究会資料、MR77−１
（1977年））で浮上量を低下させるための溝入れ加
工、および、不要なサイドギヤツプの影響をなく
すためのレーザ補助加工を施すことにより、従来
の機械加工ヘツドと同等の電磁変換特性を持ち得
ることが確認された。
形成済みのNi−ZnおよびMn−Znフエライトコ
アブロツクの表面を4μｍ程度スパツタエツチし
たところ、10±0.5μｍの精度で狭トラツク幅加工
ができることがわかつた。また、このようなスパ
ツタエツチヘツドは、この技術分野で周知の方法
（例えば、電子通信学会研究会資料、MR77−１
（1977年））で浮上量を低下させるための溝入れ加
工、および、不要なサイドギヤツプの影響をなく
すためのレーザ補助加工を施すことにより、従来
の機械加工ヘツドと同等の電磁変換特性を持ち得
ることが確認された。
次に、電力密度を上記値に固定して、スパツタ
ガス圧力が、スパツタエツチヘツドの仕上り具合
に及ぼす影響を調べた。その結果、Ni−Znフエ
ライトの場合には、ガス圧力を、５×10-2Torr
以上、または、0.8×10-2Torr以下にすると、(1)
フエライトを4μｍ程度スパツタエツチするのに
４時間以上を要し、作業性が悪化するばかりでな
く、仕上りトラツク幅に変動が生じやすい、(2)
Crマスクの膜厚を1.5μｍ以上にしないとトラツク
部６およびスライダ部７の表面に欠陥が発生しや
すい、(3)上記欠陥が発生しないようにCrマスク
の膜厚を厚くすると、トラツク幅加工精度が低下
するばかりでなく、膜の剥離が生じやすくなるこ
とがわかつた。また、上記欠陥は、フエライトコ
アブロツク表面に存在するボイド部に発生しやす
く、(2)で述べたCrの許容膜厚は、これらボイド
の影響をなくすためには、スパツタエツチング終
了時に、Crマスクを0.5μｍ以上残す必要があるこ
とに対応していることが確認された。これらの実
験結果より、スパツタエツチング法でNi−Znフ
エライトヘツドのトラツク幅加工を行う場合に
は、アルゴンガス圧力を0.8×10-2〜５×
10-2Torrに設定するのが望ましいことは明らか
である。
ガス圧力が、スパツタエツチヘツドの仕上り具合
に及ぼす影響を調べた。その結果、Ni−Znフエ
ライトの場合には、ガス圧力を、５×10-2Torr
以上、または、0.8×10-2Torr以下にすると、(1)
フエライトを4μｍ程度スパツタエツチするのに
４時間以上を要し、作業性が悪化するばかりでな
く、仕上りトラツク幅に変動が生じやすい、(2)
Crマスクの膜厚を1.5μｍ以上にしないとトラツク
部６およびスライダ部７の表面に欠陥が発生しや
すい、(3)上記欠陥が発生しないようにCrマスク
の膜厚を厚くすると、トラツク幅加工精度が低下
するばかりでなく、膜の剥離が生じやすくなるこ
とがわかつた。また、上記欠陥は、フエライトコ
アブロツク表面に存在するボイド部に発生しやす
く、(2)で述べたCrの許容膜厚は、これらボイド
の影響をなくすためには、スパツタエツチング終
了時に、Crマスクを0.5μｍ以上残す必要があるこ
とに対応していることが確認された。これらの実
験結果より、スパツタエツチング法でNi−Znフ
エライトヘツドのトラツク幅加工を行う場合に
は、アルゴンガス圧力を0.8×10-2〜５×
10-2Torrに設定するのが望ましいことは明らか
である。
一方、Mn−Znフエライトに関しては、上記許
容ガス圧力範囲はさらに狭くなり、1.5×10-2〜
３×10-2Torrであることが確認された。
容ガス圧力範囲はさらに狭くなり、1.5×10-2〜
３×10-2Torrであることが確認された。
以上、スパツタガスとしてアルゴンのみを用い
た場合について述べたが、アルゴンに少量の水素
を添加した場合にも同様のことが言えることがわ
かつた。たとえば、アルゴンに２％程度水素を添
加すると、Crのエツチング速度は、第２図に点
線で示すように減少するが、フエライトのエツチ
ング速度はほとんど影響を受けないため、フエラ
イトとCrの選択エツチング性は上記アルゴンの
みの場合よりさらに増大した。それゆえ、膜厚
1.5μｍのCrマスクを用いて、0.8×10-2〜５×
10-2Torrの圧力範囲でNi−Znフエライトヘツド
ブロツクをスパツタエツチすると、上記アルゴン
のみの場合より、欠陥の発生率が約30％減少し
た。
た場合について述べたが、アルゴンに少量の水素
を添加した場合にも同様のことが言えることがわ
かつた。たとえば、アルゴンに２％程度水素を添
加すると、Crのエツチング速度は、第２図に点
線で示すように減少するが、フエライトのエツチ
ング速度はほとんど影響を受けないため、フエラ
イトとCrの選択エツチング性は上記アルゴンの
みの場合よりさらに増大した。それゆえ、膜厚
1.5μｍのCrマスクを用いて、0.8×10-2〜５×
10-2Torrの圧力範囲でNi−Znフエライトヘツド
ブロツクをスパツタエツチすると、上記アルゴン
のみの場合より、欠陥の発生率が約30％減少し
た。
第１図はスパツタエツチング法でモノリシツク
型フエライト磁気ヘツドを加工する場合の工程を
示す説明図、第２図はアルゴンガス圧力とスパツ
タエツチング速度との関係を示すグラフである。 また、１はギヤツプ、２はコイル巻線窓、３は
コアブロツク、４はマスク用Cr膜、５はマスク、
６はトラツク部、７はスライダ部である。
型フエライト磁気ヘツドを加工する場合の工程を
示す説明図、第２図はアルゴンガス圧力とスパツ
タエツチング速度との関係を示すグラフである。 また、１はギヤツプ、２はコイル巻線窓、３は
コアブロツク、４はマスク用Cr膜、５はマスク、
６はトラツク部、７はスライダ部である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ スパツタエツチング法でフエライトヘツドの
トラツク幅加工を行う際に、Crマスクと、アル
ゴンを主成分とするスパツタガスを用い、かつ、
このガス圧力をNi−Znフエライトヘツドの場合
には0.8×10-2〜５×10-2Torrとすることを特徴
とする磁気ヘツドの製造方法。 ２ スパツタエツチング法でフエライトヘツドの
トラツク幅加工を行う際に、Crマスクと、アル
ゴンを主成分とするスパツタガスを用い、かつ、
このガス圧力をMn−Znフエライトヘツドの場合
には1.5×10-2〜３×10-2Torrとすることを特徴
とする磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10916679A JPS5634123A (en) | 1979-08-29 | 1979-08-29 | Manufacture for magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10916679A JPS5634123A (en) | 1979-08-29 | 1979-08-29 | Manufacture for magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5634123A JPS5634123A (en) | 1981-04-06 |
| JPS6327768B2 true JPS6327768B2 (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=14503318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10916679A Granted JPS5634123A (en) | 1979-08-29 | 1979-08-29 | Manufacture for magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5634123A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04300483A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Koguma Kikai Kk | 自動弁 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276018A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Tohoku Metal Ind Ltd | コンポジツト型磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS62234214A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-14 | Alps Electric Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
-
1979
- 1979-08-29 JP JP10916679A patent/JPS5634123A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04300483A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Koguma Kikai Kk | 自動弁 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5634123A (en) | 1981-04-06 |
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